JPS6159839A - エツチング液 - Google Patents
エツチング液Info
- Publication number
- JPS6159839A JPS6159839A JP18211384A JP18211384A JPS6159839A JP S6159839 A JPS6159839 A JP S6159839A JP 18211384 A JP18211384 A JP 18211384A JP 18211384 A JP18211384 A JP 18211384A JP S6159839 A JPS6159839 A JP S6159839A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- etching
- inp
- ingaasp
- plane
- semiconductor substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000005530 etching Methods 0.000 title claims abstract description 60
- 239000007788 liquid Substances 0.000 title abstract description 8
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 21
- CPELXLSAUQHCOX-UHFFFAOYSA-N Hydrogen bromide Chemical compound Br CPELXLSAUQHCOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 18
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 10
- 229910000042 hydrogen bromide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 7
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 claims 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 19
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 9
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 abstract description 4
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 8
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical group OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N Bromine atom Chemical compound [Br] WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000001476 alcoholic effect Effects 0.000 description 2
- GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N bromine Substances BrBr GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 206010011732 Cyst Diseases 0.000 description 1
- 229910000530 Gallium indium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- -1 HzO2 Chemical compound 0.000 description 1
- 240000002329 Inga feuillei Species 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 208000031513 cyst Diseases 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- KOWWOODYPWDWOJ-LVBPXUMQSA-N elatine Chemical compound C([C@]12CN(C3[C@@]45OCO[C@]44[C@H]6[C@@H](OC)[C@@H]([C@H](C4)OC)C[C@H]6[C@@]3([C@@H]1[C@@H]5OC)[C@@H](OC)CC2)CC)OC(=O)C1=CC=CC=C1N1C(=O)CC(C)C1=O KOWWOODYPWDWOJ-LVBPXUMQSA-N 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 231100000989 no adverse effect Toxicity 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/30604—Chemical etching
- H01L21/30612—Etching of AIIIBV compounds
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Weting (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明はＩｎＰあるいけＩｎ’ＧａＡ、ｓＰからなる半
導体ヲエッチングするためのエツチング液に関する。
導体ヲエッチングするためのエツチング液に関する。
（従来技術とその問題点）
素子内部に回折格子を有し、この回折格子の分布帰還を
利用して単一波長で発振する１、３〜１．６μｍ帯０Ｉ
ｎＰ／ＩｎＧａＡｓＰ分布帰還型（１）１；’Ｂ）ある
いは分布反射型（ＤＢＲ）の半導体レーザは、 高速変
調−にも安定な単一波長で動作するため長距離大容量の
元ファイバ通信用光源として有望である他、骨間端面を
必要としないため光集積素子への応用も期待されている
。
利用して単一波長で発振する１、３〜１．６μｍ帯０Ｉ
ｎＰ／ＩｎＧａＡｓＰ分布帰還型（１）１；’Ｂ）ある
いは分布反射型（ＤＢＲ）の半導体レーザは、 高速変
調−にも安定な単一波長で動作するため長距離大容量の
元ファイバ通信用光源として有望である他、骨間端面を
必要としないため光集積素子への応用も期待されている
。
ところで、これらＤＩｉ’Ｂ、 ＤＩ３Ｒレーザを臥
作する場合、ＩｎＰまたはＩ ｎ Ｇ ３ Ａ Ｓ Ｐ
塞板上に回折格子を形成する必要＝＞ｉちる、回折格子
は一般に牛導体基匣表面に塗布したホトレジス！・金二
元東干渉露光法により周期状に形成し、このホトレジス
トをマスクとして半導体基板をエツチングすることによ
−り形成される、この回折格子はＩｎＰあるいはＩｎＧ
ａＡｓＰ基板の（１００）面上に＜０１１＞方向と平行
に形成するのであるが、深くて良好な回折格子を得ろた
めにはエツチング面が（１１１）面となるようなエツチ
ング液を用いなくてけ゛ならシストは、通常ＡＺ１３５
０などのポジ型しＩストテアリ、とのポジ型レジストは
アルコール類に溶けるため、エツチング液は非アルコー
ル系でなくてはならない。
作する場合、ＩｎＰまたはＩ ｎ Ｇ ３ Ａ Ｓ Ｐ
塞板上に回折格子を形成する必要＝＞ｉちる、回折格子
は一般に牛導体基匣表面に塗布したホトレジス！・金二
元東干渉露光法により周期状に形成し、このホトレジス
トをマスクとして半導体基板をエツチングすることによ
−り形成される、この回折格子はＩｎＰあるいはＩｎＧ
ａＡｓＰ基板の（１００）面上に＜０１１＞方向と平行
に形成するのであるが、深くて良好な回折格子を得ろた
めにはエツチング面が（１１１）面となるようなエツチ
ング液を用いなくてけ゛ならシストは、通常ＡＺ１３５
０などのポジ型しＩストテアリ、とのポジ型レジストは
アルコール類に溶けるため、エツチング液は非アルコー
ル系でなくてはならない。
このようなエツチング液の一つに昭和５７年春の応用物
理学関係連合講演会、講演予稿集の第４ｐ−Ｈ−５番で
宇高らがｒｌ、５７ｔｍ帯工ｎ Ｇ ａ Ａ Ｓ Ｐ／
ＩｎＰ分布帰還型埋め込み構造レーザの作製」と題して
報告している中にあるように、某化累禦（ＨＢｒ）
−硝ｉｌ！（ＨＮＯｘ）−水（ＨｚＯ）系（１’）エツ
チング液があり、ＩｎＰ基板上べ良好な回折格子を製作
することが可能である。ところが、これらエツチング液
の中にはＩｎＰ及び１ｎＧａＡｓＰ共に同じ速ｌで工、
チングするものがない。
理学関係連合講演会、講演予稿集の第４ｐ−Ｈ−５番で
宇高らがｒｌ、５７ｔｍ帯工ｎ Ｇ ａ Ａ Ｓ Ｐ／
ＩｎＰ分布帰還型埋め込み構造レーザの作製」と題して
報告している中にあるように、某化累禦（ＨＢｒ）
−硝ｉｌ！（ＨＮＯｘ）−水（ＨｚＯ）系（１’）エツ
チング液があり、ＩｎＰ基板上べ良好な回折格子を製作
することが可能である。ところが、これらエツチング液
の中にはＩｎＰ及び１ｎＧａＡｓＰ共に同じ速ｌで工、
チングするものがない。
例えばＡｆＪ述ｏＨＢｒ−ＨＮＯ３−Ｈ２Ｏ系（Ｄ１ｙ
ｆ７ダ液に訃いても、１９８２年５月発行のジャーナル
−オプ・エレクトロケミカル・ソサエティ誌（Ｊｏｒｎ
ａｌ ｏｆ Ｈｌｅｃｔｒｏｃｈｅｍｉｃａｌ ５ｏ
ｃｉｅ −ｔｙ）の第１０５３頁〜１０６２頁でＳ、Ａ
ｄａｃｈｉらが「Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｅｔｃｈｉｎｇ
ｏｆ ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ ＤＨＷａｆｅｒ
Ｊ と題して報告している中で示されているように
、Ｉｎ０ａＡｓＰに対するエツチングレートの方がＩｎ
ＰＫ対するものより大きい。
ｆ７ダ液に訃いても、１９８２年５月発行のジャーナル
−オプ・エレクトロケミカル・ソサエティ誌（Ｊｏｒｎ
ａｌ ｏｆ Ｈｌｅｃｔｒｏｃｈｅｍｉｃａｌ ５ｏ
ｃｉｅ −ｔｙ）の第１０５３頁〜１０６２頁でＳ、Ａ
ｄａｃｈｉらが「Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｅｔｃｈｉｎｇ
ｏｆ ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ ＤＨＷａｆｅｒ
Ｊ と題して報告している中で示されているように
、Ｉｎ０ａＡｓＰに対するエツチングレートの方がＩｎ
ＰＫ対するものより大きい。
従って、このようなエツチングＱＴｈ用いて、ＩｎＰｔ
ｆＣＩｎＧａＡｓＰ基板に回折格子を形成する場合、基
板の種類に応じて工；チング時間を変えなければならな
かった。また、ＩｎＰ、ＩｎＧａＡｓＰ が交互に繰
り返す多層構造半導体ウェハに回折格子を形成しようと
した場合、各層によってエツチングレートが異なるため
回折格子が崩れた形となってしまった。更Ｋ、半導体表
面にＩｎＰ及び工ｎ（ｊａＡｓＦ双方が露出している半
導体基板に回折格子を形成しようとじ７を場合ＩｎＰが
露出し北面と、ＩｎＧａＡｓＰが露出した面での回折格
子の深さが異ってしまい面内で均一な回折格子を得るこ
とができなかった。
ｆＣＩｎＧａＡｓＰ基板に回折格子を形成する場合、基
板の種類に応じて工；チング時間を変えなければならな
かった。また、ＩｎＰ、ＩｎＧａＡｓＰ が交互に繰
り返す多層構造半導体ウェハに回折格子を形成しようと
した場合、各層によってエツチングレートが異なるため
回折格子が崩れた形となってしまった。更Ｋ、半導体表
面にＩｎＰ及び工ｎ（ｊａＡｓＦ双方が露出している半
導体基板に回折格子を形成しようとじ７を場合ＩｎＰが
露出し北面と、ＩｎＧａＡｓＰが露出した面での回折格
子の深さが異ってしまい面内で均一な回折格子を得るこ
とができなかった。
以上の説明では話をわかりやすくするｔめ回折格子を作
る例について述べたが、Ｉｎｋ、ＩｎＧａＡｓＰを含ん
だ積層構造をメサエッチングする場合にもあてはまる。
る例について述べたが、Ｉｎｋ、ＩｎＧａＡｓＰを含ん
だ積層構造をメサエッチングする場合にもあてはまる。
（発明の目的）
本発明の目的は、ＩｎＰ及びＩ ｎ （Ｊ ａ Ａ Ｓ
Ｐ に対して同じエツチングレートを示し、且つ＜
０１１＞方向に平行なエツチング面が（１１１）面とな
るような、非アルコール系のエツチング液を提供するこ
とにある。
Ｐ に対して同じエツチングレートを示し、且つ＜
０１１＞方向に平行なエツチング面が（１１１）面とな
るような、非アルコール系のエツチング液を提供するこ
とにある。
（発明の構成）
本発明によるエツチング液は、ＩｎＰあるいはＩｎＧａ
Ａｓｐからなる半導体をエツチングするエツチング液と
して、少くとも臭化水素、過酸化水素、水の混合液から
なることを特徴とする０（発明の原理） ＩｎＰ及びＩｎＧａＡｓＰ双方に対して、はぼ同じエツ
チングレートを示し、且つ、＜０１１＞方向に平行なエ
ツチングに対してエツチング面が（１１１）面となるよ
うなエツチング液として、最も一般的な臭素（Ｂｒｌ）
＋メチルアルコール（ＣＨｓ ＯＨ）がある。ところが
、このエツチング液はアルコール系であるため回折格子
製作用エツチング液としては使用できない。
Ａｓｐからなる半導体をエツチングするエツチング液と
して、少くとも臭化水素、過酸化水素、水の混合液から
なることを特徴とする０（発明の原理） ＩｎＰ及びＩｎＧａＡｓＰ双方に対して、はぼ同じエツ
チングレートを示し、且つ、＜０１１＞方向に平行なエ
ツチングに対してエツチング面が（１１１）面となるよ
うなエツチング液として、最も一般的な臭素（Ｂｒｌ）
＋メチルアルコール（ＣＨｓ ＯＨ）がある。ところが
、このエツチング液はアルコール系であるため回折格子
製作用エツチング液としては使用できない。
そこで、アルコールを含まず且つこの臭素を含んだエツ
チング液として、臭化水素（ＨＢｒ）’ｒペースにし７
を種々の混合液について検討を行った。
チング液として、臭化水素（ＨＢｒ）’ｒペースにし７
を種々の混合液について検討を行った。
その結果、臭化水素（ＨＢｒ）十過酸化水素（ＨｚＯｚ
）＋水（ＨｚＯ）系の混合液がＩｎＰ、工ｎＱａＡＳＰ
双方に対して同じエラチングレートラ示し、且つ、＜０
１１＞方向に平行なエツチングに対して、エツチング面
が（１１１）面となることが判つ比。 また、ポジ型ホ
トレジストに対しても悪影響はないことが判った。８１
図にエツチング液ＩＱＨＢｒ＋０．１Ｈ＊Ｏｚ＋ｍＨｚ
Ｏ（但し、ＨＢｒは４７％臭化水素、Ｈ！０２は３０％
過酸化水素である。）のＩｎＰ及びＩｎＧａＡＳＰ
に対するエツチングレートのｍ依存性を示す。エツチン
グレートは混合する水の量により調製でき、水の址を増
すほど小さくなった。第２図にエツチング液ＩＱＨＢｒ
＋ｎＨｚＯ！ ＋ １００１（ｔｏのＩｎＰ及びＩｎＧ
ａＡｓＰに対するエツチングレートのｎ依存性を示す。
）＋水（ＨｚＯ）系の混合液がＩｎＰ、工ｎＱａＡＳＰ
双方に対して同じエラチングレートラ示し、且つ、＜０
１１＞方向に平行なエツチングに対して、エツチング面
が（１１１）面となることが判つ比。 また、ポジ型ホ
トレジストに対しても悪影響はないことが判った。８１
図にエツチング液ＩＱＨＢｒ＋０．１Ｈ＊Ｏｚ＋ｍＨｚ
Ｏ（但し、ＨＢｒは４７％臭化水素、Ｈ！０２は３０％
過酸化水素である。）のＩｎＰ及びＩｎＧａＡＳＰ
に対するエツチングレートのｍ依存性を示す。エツチン
グレートは混合する水の量により調製でき、水の址を増
すほど小さくなった。第２図にエツチング液ＩＱＨＢｒ
＋ｎＨｚＯ！ ＋ １００１（ｔｏのＩｎＰ及びＩｎＧ
ａＡｓＰに対するエツチングレートのｎ依存性を示す。
エツチングレートはＨ２０ｚの量に比例した。こ ′の
ように、ＨＢｒ、ＨｚＯ２，Ｈ２Ｏからなるエツチング
液は、Ｈ２０ｚ、ｌ−１ｚｏの量を適当に調製すること
により、種々のエツチングレートが得られる。
ように、ＨＢｒ、ＨｚＯ２，Ｈ２Ｏからなるエツチング
液は、Ｈ２０ｚ、ｌ−１ｚｏの量を適当に調製すること
により、種々のエツチングレートが得られる。
また、その混合比に依らず、ＩｎＰとＩｎＧａＡｓＰに
対するエツチングレートは常に同じである。
対するエツチングレートは常に同じである。
特に、ＨＢｒ、ＨｚＯｘ、ＨｚＯの混合比２１ｏ：ｏ、
ｘ：１００にすれば、約０．２４μｍ／秒のエツチング
レートの、回折格子製作に適し次エツチング液が得られ
る。
ｘ：１００にすれば、約０．２４μｍ／秒のエツチング
レートの、回折格子製作に適し次エツチング液が得られ
る。
（実施例）
以下に、本発明によるエツチング液を用いた実施例を図
面を用いて詳細に説明する。
面を用いて詳細に説明する。
第３図に第１の実施例として、本発明によるエツチング
液を用いて、ＩｎＰ及びＩ ｎ Ｇ ａ Ａ Ｓ Ｐの
多層構造からなる半導体基板表面に回折格子を形成する
工程を断面図を用いて順に示した。第３図（ａ）テはＩ
ｎＰ層１及びＩｎＧａＡｓＰ層２が交互に繰シ返す多層
構造半導体基板３の（１００）面上にホトレジスト４と
して呂に希釈し７？：ＡＺ１３５０を塗布する。第３図
（ｂ）では、ホトレジスト４を二光束干渉露光法を用い
て＜０１１＞方向と平行な周期状のストライプに形成す
る。ｔｙ ３図ｆｃｌではホトレジスト４全マスクとし
てエツチング液１０ ＨＢ ｒ＋０．ＩＨ＊Ｏｚ＋ １
００ＨｚＯを用いて半導体基板３をエツチングする。こ
の際ＩｎＰ層１及びＩ ｎ Ｇ ａ Ａ ｓ Ｐ層２共
に同じ速度でエツチングされるｋめ、エツチング面は凹
凸のないきれいな（１１１）面となる。第３図Ｔｄｌで
はホトレジスト４を除去することＫよって、多層構造か
らなる半導体基板３表面に三角形状で均一性のよい回折
格子５を得ることができ友。
液を用いて、ＩｎＰ及びＩ ｎ Ｇ ａ Ａ Ｓ Ｐの
多層構造からなる半導体基板表面に回折格子を形成する
工程を断面図を用いて順に示した。第３図（ａ）テはＩ
ｎＰ層１及びＩｎＧａＡｓＰ層２が交互に繰シ返す多層
構造半導体基板３の（１００）面上にホトレジスト４と
して呂に希釈し７？：ＡＺ１３５０を塗布する。第３図
（ｂ）では、ホトレジスト４を二光束干渉露光法を用い
て＜０１１＞方向と平行な周期状のストライプに形成す
る。ｔｙ ３図ｆｃｌではホトレジスト４全マスクとし
てエツチング液１０ ＨＢ ｒ＋０．ＩＨ＊Ｏｚ＋ １
００ＨｚＯを用いて半導体基板３をエツチングする。こ
の際ＩｎＰ層１及びＩ ｎ Ｇ ａ Ａ ｓ Ｐ層２共
に同じ速度でエツチングされるｋめ、エツチング面は凹
凸のないきれいな（１１１）面となる。第３図Ｔｄｌで
はホトレジスト４を除去することＫよって、多層構造か
らなる半導体基板３表面に三角形状で均一性のよい回折
格子５を得ることができ友。
（実施例２）
第４図は第２の実施例として１本発明によるエツチング
液を用いて、表面にＩｎＰ及びｊｎＧａＡｓＰ双方が露
出している半導体基板に形成した回折格子の断面図を示
す。ＩｎＩ’基板１上に部分的にＩｎＧａＡｓＰ層２が
形成されている半導体基板３表面に、実施例１と同様に
して回折格子５を形成した。ＩｎＰｌ及びＩｎＧａＡｓ
Ｐ２が露出した表面ともに良好な三角形状の回折格子５
が得られており、全面にわたって均一な回折格子５が得
らＦＬ７？：。
液を用いて、表面にＩｎＰ及びｊｎＧａＡｓＰ双方が露
出している半導体基板に形成した回折格子の断面図を示
す。ＩｎＩ’基板１上に部分的にＩｎＧａＡｓＰ層２が
形成されている半導体基板３表面に、実施例１と同様に
して回折格子５を形成した。ＩｎＰｌ及びＩｎＧａＡｓ
Ｐ２が露出した表面ともに良好な三角形状の回折格子５
が得られており、全面にわたって均一な回折格子５が得
らＦＬ７？：。
尚、本発明の実施例において、１（Ｂｒ←Ｉ−１２０２
＋ＨｚＯからなるエツチング液の混合比１１ｏ：ｏ、１
：１００とし斥が、ＨＢｒ、Ｈｏｏｔ、ＨｚＯからなる
エツチング液であればＩｎＰ及びＩｎＧａＡｓＰ共に同
じ速度でエツチングされるため、混合比はこれに限るこ
とはない。また１本実施例では、ホトレジスト４を周期
状に形成する手段として二光束干渉露光法を用いたが、
例えば電子ビーム露光法等を用いてもよい。更に、本冥
施例では、本発明によるエツチング液を回折格子製作用
に用いたが、使用する用途としてはこれに限ることはな
くＩｎＰまたはＩｎＧａＡｓＰからなる半導体のエツチ
ング工程ならば、他の用途例えばメサを形成する等にも
使用できる。
＋ＨｚＯからなるエツチング液の混合比１１ｏ：ｏ、１
：１００とし斥が、ＨＢｒ、Ｈｏｏｔ、ＨｚＯからなる
エツチング液であればＩｎＰ及びＩｎＧａＡｓＰ共に同
じ速度でエツチングされるため、混合比はこれに限るこ
とはない。また１本実施例では、ホトレジスト４を周期
状に形成する手段として二光束干渉露光法を用いたが、
例えば電子ビーム露光法等を用いてもよい。更に、本冥
施例では、本発明によるエツチング液を回折格子製作用
に用いたが、使用する用途としてはこれに限ることはな
くＩｎＰまたはＩｎＧａＡｓＰからなる半導体のエツチ
ング工程ならば、他の用途例えばメサを形成する等にも
使用できる。
（発明の効ｆｉ）
本奢；明によればＩｎＰとＩｎＧａＡＳＰ を同じエツ
チング速度でエツチングできるためエツチングで形成さ
れた部分の形状が形くずれしない。
チング速度でエツチングできるためエツチングで形成さ
れた部分の形状が形くずれしない。
この結果、この発明は種々の素子作製に利用できその応
用範囲は大きい。ちなみに、この発明を工ｎｐ／ＩｎＧ
ａＡｓＰ系の多重量子井戸半導体ウェハに実施例１で示
したと同様に回折格子５を形成するのに利用し九ところ
、単一軸モード発振の多重量子井戸型ＤＦＢレーザを得
ることができた。
用範囲は大きい。ちなみに、この発明を工ｎｐ／ＩｎＧ
ａＡｓＰ系の多重量子井戸半導体ウェハに実施例１で示
したと同様に回折格子５を形成するのに利用し九ところ
、単一軸モード発振の多重量子井戸型ＤＦＢレーザを得
ることができた。
ま比、実施例２で製作した半導体基板３においてＩｎＧ
ａＡｓＰ層２を除去することによって部分的に回折格子
が形成されたＩｎＰ基板１が得られ、それを利用して部
分的に回折格子５が埋め込まれｆｃＤＦＢレーザを製作
することができた。
ａＡｓＰ層２を除去することによって部分的に回折格子
が形成されたＩｎＰ基板１が得られ、それを利用して部
分的に回折格子５が埋め込まれｆｃＤＦＢレーザを製作
することができた。
第１図、第２図は本発明のエツチング液の組成とエツチ
ング速度の関係を示す図、第３図は本発明のエツチング
液を用いて回折格子を炸裂する工程例を示した図、第４
図本発明のエツチング液を用いて作製された回折格子の
一例を示す図である。 図中、１はＩ ｎ Ｌ’ Ｊｉｉ２．２はＩ ｎ （）
ａＡｓ Ｐ 店、３は半導体基板、４はホトレジスト、
５は回折格子で横。 勿 （ｔｏＨＢｒ＋ｏ、ＩＨｔｏ２九惣Ｈ，０）矛２図 ｏ １．Ｐ ・１．Ｃｒ、Ａ、Ｆ 宍 （１０ＨＢｒ＋１ｎＨｚＯ，、、＋ｌｏｏＨｘｏ）（ｂ
） （ｄ）
ング速度の関係を示す図、第３図は本発明のエツチング
液を用いて回折格子を炸裂する工程例を示した図、第４
図本発明のエツチング液を用いて作製された回折格子の
一例を示す図である。 図中、１はＩ ｎ Ｌ’ Ｊｉｉ２．２はＩ ｎ （）
ａＡｓ Ｐ 店、３は半導体基板、４はホトレジスト、
５は回折格子で横。 勿 （ｔｏＨＢｒ＋ｏ、ＩＨｔｏ２九惣Ｈ，０）矛２図 ｏ １．Ｐ ・１．Ｃｒ、Ａ、Ｆ 宍 （１０ＨＢｒ＋１ｎＨｚＯ，、、＋ｌｏｏＨｘｏ）（ｂ
） （ｄ）
Claims (1)
- ＩｎＰあるいはＩｎＧａＡｓＰからなる半導体をエッチ
ングするエッチング液として、少くとも臭化水素、過酸
化水素、水の混合液からなることを特徴とするエッチン
グ液。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18211384A JPS6159839A (ja) | 1984-08-31 | 1984-08-31 | エツチング液 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18211384A JPS6159839A (ja) | 1984-08-31 | 1984-08-31 | エツチング液 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6159839A true JPS6159839A (ja) | 1986-03-27 |
| JPH0256810B2 JPH0256810B2 (ja) | 1990-12-03 |
Family
ID=16112557
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18211384A Granted JPS6159839A (ja) | 1984-08-31 | 1984-08-31 | エツチング液 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6159839A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5296719A (en) * | 1991-07-22 | 1994-03-22 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Quantum device and fabrication method thereof |
-
1984
- 1984-08-31 JP JP18211384A patent/JPS6159839A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5296719A (en) * | 1991-07-22 | 1994-03-22 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Quantum device and fabrication method thereof |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0256810B2 (ja) | 1990-12-03 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5543353A (en) | Method of manufacturing a semiconductor photonic integrated circuit | |
| CA1105598A (en) | Semiconductor laser device | |
| KR20110122764A (ko) | 좁은 표면 파형 격자 | |
| GB2151402A (en) | Distributed-feedback semiconductor laser device | |
| JPS6219803A (ja) | 回折格子形成方法及び装置 | |
| EP0546743A1 (en) | Distributed phase shift semiconductor laser | |
| JP2008113041A (ja) | 導波管 | |
| US4775980A (en) | Distributed-feedback semiconductor laser device | |
| GB2124024A (en) | Semiconductor laser and manufacturing method therefor | |
| US5007107A (en) | Semiconductor laser device | |
| JP2687526B2 (ja) | 分布帰還型半導体レーザ及びその製造方法 | |
| JPS6159839A (ja) | エツチング液 | |
| JPH08255947A (ja) | 半導体レーザ装置，及びその製造方法 | |
| US4805183A (en) | Distributed feedback semiconductor laser device | |
| JPH02260636A (ja) | 半導体レーザの製造方法 | |
| JP3440306B2 (ja) | ３次元半導体光結晶素子の製造方法 | |
| JPH05136521A (ja) | 半導体レーザ | |
| JP3235627B2 (ja) | 分布帰還型半導体レーザ及びその製造方法 | |
| KR100243737B1 (ko) | 화합물 반도체 및 그 제조방법 | |
| JPS6292490A (ja) | 分布帰還型半導体レ−ザ | |
| JPH07221390A (ja) | 半導体光集積素子及びその製造方法 | |
| Katz et al. | Single‐growth embedded epitaxy AlGaAs injection lasers with extremely low threshold currents | |
| JPH06209143A (ja) | 回折格子の製造方法 | |
| JP3274710B2 (ja) | 分布帰還型半導体レーザ素子および分布帰還型半導体レーザ素子の製造方法 | |
| JPH09184909A (ja) | 領域を限定した回折格子の作製方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |