JPS6159357U - - Google Patents

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JPS6159357U
JPS6159357U JP14465084U JP14465084U JPS6159357U JP S6159357 U JPS6159357 U JP S6159357U JP 14465084 U JP14465084 U JP 14465084U JP 14465084 U JP14465084 U JP 14465084U JP S6159357 U JPS6159357 U JP S6159357U
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JP
Japan
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diode
base terminal
circuit
potential point
electrostatic discharge
Prior art date
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Pending
Application number
JP14465084U
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  • Bipolar Integrated Circuits (AREA)

Description

【図面の簡単な説明】
第1図は本考案による静電破壊保護回路を示す
回路図、第2図イは本考案による静電破壊保護回
路を集積回路に適用した場合の具体的な構造を示
す断面図、第2図ロは第2図イに対応する平面図
、第3図は従来の静電破壊保護回路を示す回路図
である。なお、第2図イは第2図ロのAB線断面
図を示している。 主な図番の説明、1はトランジスタ、3は第1
のダイオード、4は第2のダイオードである。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 半導体集積回路に組み込む静電破壊を防止する
    ための回路であつて、トランジスタのベース端子
    と接地電位点との間に接続した第1のダイオード
    と前記ベース端子と電源電位点との間に接続した
    第2のダイオードとを具備することを特徴とする
    静電破壊保護回路。
JP14465084U 1984-09-25 1984-09-25 Pending JPS6159357U (ja)

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JP14465084U JPS6159357U (ja) 1984-09-25 1984-09-25

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JP14465084U JPS6159357U (ja) 1984-09-25 1984-09-25

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JPS6159357U true JPS6159357U (ja) 1986-04-21

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JP14465084U Pending JPS6159357U (ja) 1984-09-25 1984-09-25

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