JPS6156609B2 - - Google Patents
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明はプラズマCVD（Chemical Vapor
Deposition）などの気相処理に関するものであ
る。[Detailed Description of the Invention] The present invention relates to plasma CVD (Chemical Vapor CVD).
This relates to gas phase processing such as deposition.
半導体装置、集積回路装置等の製造工程の一つ
として半導体薄板（ウエハ）表面に半導体膜や窒
化膜、酸化膜等の薄膜を形成する工程があり、こ
れらの薄膜形成の形成方法の一つとしてプラズマ
CVD方法が知られている。このプラズマCVD方
法にあつては、プラズマCVD装置が使用されて
いる。このプラズマCVD装置はベルジヤ内のテ
ーブル上にウエハを載置し、200〜350℃に加熱し
うるように構成され、またベルジヤ内の真空度を
0.2〜1Torrとなしうるように構成されている。さ
らにまたベルジヤ内にたとえばモノシラン
（SiH4）、アンモニア（NH4）、窒素（N2）等のガス
を供給するとともに、テーブルの上方に平行に配
設される平板な電極とテーブルとの間に電圧を印
加させてベルジヤ内にプラズマを発生させること
によつて各ガスを反応させ、ウエハ面にシリコン
膜を形成しうるようになつている。 One of the manufacturing processes for semiconductor devices, integrated circuit devices, etc. is the process of forming thin films such as semiconductor films, nitride films, and oxide films on the surface of semiconductor thin plates (wafers). plasma
CVD methods are known. In this plasma CVD method, a plasma CVD apparatus is used. This plasma CVD equipment is configured to place the wafer on a table inside the bell gear and heat it to 200 to 350°C, and also maintains the vacuum level inside the bell gear.
It is configured to be able to achieve 0.2 to 1 Torr. Furthermore, gases such as monosilane (SiH 4 ), ammonia (NH 4 ), and nitrogen (N 2 ) are supplied into the bell gear, and gases such as monosilane (SiH 4 ), ammonia (NH 4 ), and nitrogen (N 2 ) are supplied between the table and a flat electrode arranged in parallel above the table. By applying a voltage and generating plasma within the bell gear, each gas is reacted and a silicon film can be formed on the wafer surface.
しかし、このようなプラズマCVD装置ではウ
エハ表面の薄膜に欠陥が生じ易いことが判明し
た。すなわち、ベルジヤ内で反応して生成された
シリコンは加熱状態のウエハ表面に付着して一体
化するが、ベルジヤ周壁に付着するシリコンは冷
却されることから粉末状（フレーク）となる。こ
れは、ベルジヤ周壁が冷却水で冷却されているこ
とから急激に冷却されることによつてフレーク状
となる。そして、これらフレークはベルジヤ周壁
から脱落してウエハに付着して異常突起（膜欠
陥）を起こす。このフレークの脱落はベルジヤ内
の真空度を保つための排気や、ベルジヤの蓋を開
ける際の空気の供給時に激しく起きる。このよう
なウエハ表面の異常突起は、半導体装置の不良原
因となるばかりでなく、次工程以降のたとえばマ
スク合せ作業などのときにマスクに傷を付けるこ
とになり、歩留の低下、マスクの短寿命を引き起
こす。 However, it has been found that such a plasma CVD apparatus tends to cause defects in the thin film on the wafer surface. That is, silicon generated by reaction within the bell gear adheres to the heated wafer surface and becomes integrated, but the silicon attached to the peripheral wall of the bell gear becomes powder-like (flake) as it is cooled. This is because the bell gear peripheral wall is cooled by cooling water, so it is rapidly cooled and becomes flaky. Then, these flakes fall off from the bell gear peripheral wall and adhere to the wafer, causing abnormal protrusions (film defects). These flakes often fall off during exhaust to maintain the vacuum inside the bell gear and when air is supplied when opening the bell gear lid. Such abnormal protrusions on the wafer surface not only cause defects in semiconductor devices, but also cause scratches on the mask during subsequent processes, such as mask alignment, resulting in lower yields and shorter masks. Causes longevity.
したがつて、本発明の目的は、フレークの付着
を防止できるプラズマCVD装置などの気相処理
装置を提供することにある。 Therefore, an object of the present invention is to provide a gas phase processing apparatus such as a plasma CVD apparatus that can prevent flakes from adhering.
このような目的を達成するための本発明の要旨
は、被処理ウエハを保持することができる被処理
ウエハ保持部と前記被処理ウエハ保持部と対向す
る電極と、前記被処理ウエハ保持部及び電極を収
納することができる容器と、前記容器内の気体を
前記容器外に排気するために用いられる排気管
と、前記容器内に反応ガスを供給するために用い
られる反応ガス供給管とを有し、前記被処理ウエ
ハ保持部と電極との間に電圧を印加してプラズマ
を発生させ前記被処理ウエハの被処理面に薄膜を
形成することができるプラズマCVD装置であつ
て、前記被処理ウエハ保持部は前記保持する被処
理ウエハの被処理面が下向きになるように前記容
器内に配置され、前記電極は前記被処理ウエハ保
持部下にこれと所定距離離間して対向するように
配置され、前記排気管は前記容器内の気体を前記
電極の下方側から前記容器外に排気するように設
けられていることを特徴とするプラズマCVD装
置にある。 The gist of the present invention for achieving such an object is to provide a wafer holder to be processed that can hold a wafer to be processed, an electrode facing the wafer holder to be processed, and a wafer holder to be processed and the electrode. , an exhaust pipe used to exhaust gas in the container to the outside of the container, and a reaction gas supply pipe used to supply a reaction gas into the container. , a plasma CVD apparatus capable of forming a thin film on the processing surface of the processing target wafer by applying a voltage between the processing target wafer holding section and the electrode to generate plasma, the processing target wafer holding section The part is arranged in the container so that the processing surface of the wafer to be processed faces downward, the electrode is arranged under the wafer to be processed so as to face it at a predetermined distance apart, The plasma CVD apparatus is characterized in that an exhaust pipe is provided to exhaust gas in the container from below the electrode to the outside of the container.
以下実施例により本発明を詳細に説明する。 The present invention will be explained in detail below with reference to Examples.
第１図は本発明の一実施例のプラズマCVD装
置の一実施例を示す。同図において、ベルジヤの
下部を構成するベルジヤ本体１が示されている。
このベルジヤ本体１は上方を開口した円筒体であ
つて、その中央には円板状の電極２が配設されて
いる。この電極２はその中央部を貫通する管体３
に固定され、この管体３は下部を上下に移動可能
な上昇体４に貫通状態で固定されている。また、
この上昇体４の両端部にはガイド孔を有するガイ
ド部５が設けられ、このガイド部５には鉛直方向
に延びる支柱６が嵌合されている。前記支柱６の
一方には雄ねじが設けられるとともに、ガイド部
５のガイド孔には雌ねじが設けられている。ま
た、２本の支柱６はその上端でベルジヤ本体１に
固定されている。また、前記管体３の外側には円
筒状にガイド管７および蛇腹８が配設されてい
る。前記ガイド管７は下端が上昇体４に固定さ
れ、蛇腹８の上端はベルジヤ本体１の下面に、下
端は上昇体４に固定されている。また、雄ねじを
有する前記支柱は、正逆転可能なモータ９によつ
てベルト１０を介して回転制御されるようになつ
ている。したがつて、前記モータ９が正転する
と、上昇体４が上昇して電極２が上昇し、モータ
９が逆転すると上昇体４が下降するようになつて
いる。また、この上昇体４の上下動によつても蛇
腹８によつてベルジヤ内の気密性が保たれるよう
になつている。また、前記管体３の上端にはノズ
ル１１が固定されるとともに下端には接手１２が
固定され、この接手１２には図示しないガス管が
接続され、このガス管からベルジヤ内にはたとえ
ば、モノシラン、アンモニア、窒素等が供給され
る。また、ベルジヤ本体１の底部には排気管１３
が設けられ、この排気管１３からベルジヤ内の空
気を抜き真空度を一定に保つようになつている。
さらに、このベルジヤ本体１の側方にはアーム１
４が固定され、このアーム１４の先端には天井を
有する筒状の受具１５が取り付けられている。そ
して、この受具１５には雄ねじを有するガイド柱
１６が鉛直方向に貫通して延び、このガイド柱１
６の下端は図示しない機台に回転可能に固定され
ている。また、ガイド柱１６には雌ねじを有した
移動体１７が螺合され、この移動体１７は回転防
止用ボルト１８、ナツト１９を介して前記アーム
１４に固定されている。また、移動体１７と受具
１５との間にはばね２０が取り付けられている。
したがつて、ガイド柱１６の正転でベルジヤ本体
１が上昇し、逆転によつて下降するようになつて
いる。 FIG. 1 shows an embodiment of a plasma CVD apparatus according to an embodiment of the present invention. In the figure, a bell gear main body 1 constituting the lower part of the bell gear is shown.
The bell gear main body 1 is a cylindrical body with an open top, and a disc-shaped electrode 2 is disposed in the center thereof. This electrode 2 has a tube body 3 passing through its center.
The tube body 3 is fixed in a penetrating manner to a rising body 4 which is movable up and down at its lower part. Also,
A guide portion 5 having a guide hole is provided at both ends of the rising body 4, and a column 6 extending in the vertical direction is fitted into the guide portion 5. One of the pillars 6 is provided with a male thread, and the guide hole of the guide portion 5 is provided with a female thread. Further, the two pillars 6 are fixed to the bell gear main body 1 at their upper ends. Further, a guide tube 7 and a bellows 8 are arranged in a cylindrical shape on the outside of the tube body 3. The lower end of the guide tube 7 is fixed to the rising body 4, the upper end of the bellows 8 is fixed to the lower surface of the bell gear main body 1, and the lower end is fixed to the rising body 4. Further, the rotation of the column having a male thread is controlled via a belt 10 by a motor 9 which can rotate forward and backward. Therefore, when the motor 9 rotates in the normal direction, the rising body 4 rises and the electrode 2 rises, and when the motor 9 rotates in the reverse direction, the rising body 4 descends. Further, even when the rising body 4 moves up and down, the bellows 8 maintains airtightness within the bell gear. Further, a nozzle 11 is fixed to the upper end of the tube body 3, and a joint 12 is fixed to the lower end. A gas pipe (not shown) is connected to the joint 12, and a gas pipe, for example, monosilane, is connected to the gas pipe into the bell gear. , ammonia, nitrogen, etc. are supplied. In addition, an exhaust pipe 13 is provided at the bottom of the bell gear body 1.
is provided, and the air inside the bell gear is removed from this exhaust pipe 13 to maintain a constant degree of vacuum.
Furthermore, an arm 1 is attached to the side of this bell gear main body 1.
4 is fixed, and a cylindrical receiver 15 having a ceiling is attached to the tip of this arm 14. A guide column 16 having a male screw extends vertically through the support 15.
The lower end of 6 is rotatably fixed to a machine stand (not shown). Further, a moving body 17 having a female thread is screwed into the guide column 16, and this moving body 17 is fixed to the arm 14 via a rotation prevention bolt 18 and a nut 19. Further, a spring 20 is attached between the movable body 17 and the receiver 15.
Therefore, when the guide column 16 rotates in the normal direction, the bell gear body 1 rises, and when it rotates in the reverse direction, it descends.
一方、ベルジヤ本体１の上部にはベルジヤ蓋体
２１が配設されている。このベルジヤ蓋体２１は
二重蓋構造となり、内部を冷却水が流れるように
なつている。また、ベルジヤ蓋体２１の中央には
取付孔が設けられ、この取付孔には回転軸２２が
ベアリング２３、二重構造のガイド筒２４を介し
て取り付けられている。また、この回転軸２２の
上端はカツプリング２５、主軸２６、プーリ２
７、ベルト２８、プーリ２９を介してモータ３０
の回転軸３１に連結されている。また、回転軸２
２の下端は支枠３２を介してウエハ３３を載置固
定するテーブル３４が固定されている。また、テ
ーブル３４とベルジヤ蓋体２１内壁との間にはヒ
ータ３５が配設されている。また、このベルジヤ
蓋体２１はその一側部に水平方向に延びる回転軸
３６が固定されている。この回転軸３６は図示し
ない機台から延びる支持台３７上のジヤーナル受
け３８に回転可能に支持されている。また、この
回転軸３６の先端はカツプリング３９を介して正
逆転する反転用モータ４０の駆動軸４１に連結さ
れている。また、第２図に示すように、ウエハ３
３はテーブル３４に設けた２本のピン４２と一本
のレバー４３とによつて周縁部を固定される。す
なわち、ピン４２は先端に向かうにしたがつて直
径が大きくなるテーパピンとなつている。また、
レバー４３は取付ねじ４４を中心に回動可能であ
るとともに、ばね板で形成され、弾力的にウエハ
３３を固定するようになつている。また、この場
合、ウエハをテーブルに密着させることによつて
均一に加熱されるようになつている。 On the other hand, a bell gear cover body 21 is disposed on the upper part of the bell gear main body 1. This bell gear lid body 21 has a double lid structure, and cooling water flows through the inside. Further, a mounting hole is provided in the center of the bell gear cover body 21, and the rotating shaft 22 is mounted to this mounting hole via a bearing 23 and a double-structured guide tube 24. Further, the upper end of this rotating shaft 22 is connected to a coupling ring 25, a main shaft 26, and a pulley 2.
7. Motor 30 via belt 28 and pulley 29
It is connected to a rotating shaft 31 of. In addition, the rotating shaft 2
A table 34 on which a wafer 33 is placed and fixed is fixed to the lower end of the wafer 2 via a support frame 32. Further, a heater 35 is disposed between the table 34 and the inner wall of the bell gear lid 21. Further, a rotating shaft 36 extending in the horizontal direction is fixed to one side of the bell gear lid body 21. This rotating shaft 36 is rotatably supported by a journal receiver 38 on a support stand 37 extending from a machine stand (not shown). Further, the tip of the rotary shaft 36 is connected via a coupling ring 39 to a drive shaft 41 of a reversing motor 40 that rotates forward and backward. In addition, as shown in FIG. 2, the wafer 3
3 is fixed at its peripheral portion by two pins 42 and one lever 43 provided on the table 34. That is, the pin 42 is a tapered pin whose diameter increases toward the tip. Also,
The lever 43 is rotatable about a mounting screw 44, and is formed of a spring plate so as to elastically fix the wafer 33. Further, in this case, by bringing the wafer into close contact with the table, it is possible to heat the wafer uniformly.
つぎに、このようなプラズマCVD装置の使用
方法について説明する。まず、ガイド柱１６を逆
転させることによつてベルジヤ本体１を所定位置
まで下降させる。その後、反転用モータ４０を正
転させることによつてベルジヤ蓋体２１を180度
反転させ、テーブル３４のウエハ取付面を上面に
する。この状態でウエハ３３をピン４２、レバー
４３を利用して固定する。 Next, a method of using such a plasma CVD apparatus will be explained. First, the bell gear main body 1 is lowered to a predetermined position by reversing the guide column 16. Thereafter, by rotating the reversing motor 40 in the normal direction, the bell gear cover 21 is reversed 180 degrees, so that the wafer mounting surface of the table 34 is turned upward. In this state, the wafer 33 is fixed using pins 42 and levers 43.
つぎに、反転用モータ４０を逆転させることに
よつてベルジヤ蓋体２１を180度反転させ、テー
ブル３４のウエハ取付面を下面にする。その後、
ガイド柱１６を逆転させることによつてベルジヤ
本体１を上昇させ、上方のベルジヤ蓋体２１と密
着させ、反応チヤンバを形成する。 Next, by reversing the reversing motor 40, the bellgear lid 21 is reversed by 180 degrees, so that the wafer mounting surface of the table 34 is turned downward. after that,
By reversing the guide column 16, the bellgear main body 1 is raised and brought into close contact with the upper bellgear lid 21 to form a reaction chamber.
つぎに、ヒータ３５によつてテーブル３４およ
びウエハ３３を加熱するとともに、排気管１３か
ら反応チヤンバ内の空気を抜き、反応チヤンバ内
の真空度を所望値に設定する。また、ノズル１１
から反応チヤンバ（ベルジヤ）内にSiH4、NH3、
N2等の反応ガスを供給する。 Next, the table 34 and the wafer 33 are heated by the heater 35, and the air in the reaction chamber is removed from the exhaust pipe 13 to set the degree of vacuum in the reaction chamber to a desired value. In addition, nozzle 11
SiH 4 , NH 3 ,
Supply a reactant gas such as N2 .
その後、モータ３０を回転させることによつて
テーブル３４を低速で回転させるとともに、テー
ブル３４と電極２との間に電圧を印加させ、プラ
ズマを発生させながらウエハ３３面にシリコン膜
を形成させる。 Thereafter, the table 34 is rotated at a low speed by rotating the motor 30, and a voltage is applied between the table 34 and the electrode 2 to form a silicon film on the surface of the wafer 33 while generating plasma.
所定時間シリコン膜を形成した後、反応ガスの
供給、電圧の印加、テーブルの回転をそれぞれ停
止し、その後ベルジヤ本体１を下降させる。つぎ
に、ベルジヤ蓋体２１を再び180度反転させ、ウ
エハ３３をテーブル３４から取り外す。そして、
新なウエハ３３をテーブル３４に取り付け、つぎ
の薄膜形成を行なう。 After forming the silicon film for a predetermined period of time, the supply of reaction gas, the application of voltage, and the rotation of the table are stopped, and then the bell gear body 1 is lowered. Next, the bell gear cover 21 is turned over again by 180 degrees, and the wafer 33 is removed from the table 34. and,
A new wafer 33 is mounted on the table 34, and the next thin film is formed.
このような実施例によれば、ウエハ３３のロー
デイング、アンローデイング以外はウエハ３３の
薄膜形成面は下面となつている。このため、ベル
ジヤ内壁にフレークが形成され、かつ脱落して
も、ウエハ面には付着することはほとんどない。
したがつて、ウエハ面に異常突起が生じないこと
から、その後の工程、特にマスクを用いた露光工
程で、マスクを傷付けることもなく、また歩留の
低下も来たすこともなくなる。 According to this embodiment, the thin film forming surface of the wafer 33 is the lower surface except for loading and unloading of the wafer 33. Therefore, even if flakes are formed on the inner wall of the bell gear and fall off, they hardly adhere to the wafer surface.
Therefore, since no abnormal protrusions are formed on the wafer surface, the mask will not be damaged in the subsequent steps, especially the exposure step using the mask, and the yield will not be reduced.
なお、本発明は前記実施例に限定されることは
ない。すなわち、ベルジヤ蓋体の反転は蝶番構造
としてもよい。また、テーブルへのウエハの取り
付けは他の機構でもよい。この場合、ウエハをテ
ーブル面に密着させることによつて各ウエハが均
一に加熱されるようにする必要がある。 Note that the present invention is not limited to the above embodiments. That is, the reversal of the bell gear lid body may have a hinge structure. Also, other mechanisms may be used to attach the wafer to the table. In this case, it is necessary to heat each wafer uniformly by bringing the wafer into close contact with the table surface.
さらに、本発明の気相化学処理装置は反応ガス
を変えることによつて、他の薄膜形成に使用でき
ることは勿論である。 Furthermore, it goes without saying that the vapor phase chemical processing apparatus of the present invention can be used for forming other thin films by changing the reaction gas.
以上のように、本発明の気相処理装置によれ
ば、フレークやパーテイクル等の塵埃はウエハの
ようなワークに付着することはほとんどない。こ
のため、歩留が向上する。 As described above, according to the vapor phase processing apparatus of the present invention, dust such as flakes and particles hardly adheres to a workpiece such as a wafer. Therefore, the yield is improved.
また、ワーク面に異常突起が生じないことか
ら、ワークがウエハである場合、次工程以降の露
光工程でマスクを傷付けたりすることもないの
で、マスクの寿命が長くなる。また、マスクを傷
付けることも少ないので、傷付いたマスクで露光
をすることも少なくなり、露光の歩留も向上する
など多くの効果を奏する。 Further, since no abnormal protrusions are generated on the work surface, if the work is a wafer, the mask will not be damaged in subsequent exposure steps, and the life of the mask will be extended. In addition, since the mask is less likely to be damaged, it is less likely that a damaged mask will be used for exposure, resulting in many effects such as an improved exposure yield.
第１図は本発明の一実施例であるプラズマ
CVD装置の断面図、第２図は本発明の一実施例
であるプラズマCVD装置のウエハを載置固定す
るテーブルの一部斜視図である。
１……ベルジヤ本体、２……電極、３……管
体、４……上昇体、５……噛合部、６……支柱、
７……ガイド管、８……蛇腹、９……モータ、１
０……ベルト、１１……ノズル、１２……接手、
１３……排気管、１４……アーム、１５……受
具、１６……ガイド柱、１７……移動体、１８…
…ボルト、１９……ナツト、２０……ばね、２１
……ベルジヤ蓋体、２２……回転軸、２３……ベ
アリング、２４……ガイド筒、２５……カツプリ
ング、２６……主軸、２７……プーリ、２８……
ベルト、２９……プーリ、３０……モータ、３１
……回転軸、３２……支枠、３３……ウエハ、３
４……テーブル、３５……ヒータ、３６……回転
軸、３７……支持台、３８……ジヤーナル受け、
３９……カツプリング、４０……反転用モータ、
４１……駆動軸、４２……ピン、４３……レバ
ー、４４……取付ネジ。
Figure 1 shows a plasma that is an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a cross-sectional view of the CVD apparatus, and is a partial perspective view of a table on which a wafer is placed and fixed in a plasma CVD apparatus according to an embodiment of the present invention. DESCRIPTION OF SYMBOLS 1... Belgear main body, 2... Electrode, 3... Tube body, 4... Rising body, 5... Engaging part, 6... Support column,
7... Guide tube, 8... Bellows, 9... Motor, 1
0...Belt, 11...Nozzle, 12...Joint,
13... Exhaust pipe, 14... Arm, 15... Receiver, 16... Guide column, 17... Moving body, 18...
...Bolt, 19...Nut, 20...Spring, 21
... Bell gear cover body, 22 ... Rotating shaft, 23 ... Bearing, 24 ... Guide tube, 25 ... Coupling, 26 ... Main shaft, 27 ... Pulley, 28 ...
Belt, 29...Pulley, 30...Motor, 31
... Rotating shaft, 32 ... Support frame, 33 ... Wafer, 3
4...Table, 35...Heater, 36...Rotating shaft, 37...Support stand, 38...Journal receiver,
39...Couple ring, 40...Reversing motor,
41...Drive shaft, 42...Pin, 43...Lever, 44...Mounting screw.
Claims (1)
ウエハ保持部と、前記被処理ウエハ保持部と対向
する電極と、前記被処理ウエハ保持部及び電極を
収納することができる容器と、前記容器内の気体
を前記容器外に排気するために用いられる排気管
と、前記容器内に反応ガスを供給するために用い
られる反応ガス供給管とを有し、前記被処理ウエ
ハ保持部と電極との間に電圧を印加してプラズマ
を発生させ前記被処理ウエハの被処理面に薄膜を
形成することができるプラズマCVD装置であつ
て、前記被処理ウエハ保持部は前記保持する被処
理ウエハの被処理面が下向きになるように前記容
器内に配置され、前記電極は前記被処理ウエハ保
持部下にこれと所定距離離間して対向するように
配置され、前記排気管は前記容器内の気体を前記
電極の下方側から前記容器外に排気するように設
けられていることを特徴とするプラズマCVD装
置。1. A wafer holding section capable of holding a wafer to be processed, an electrode facing the wafer holding section, a container capable of housing the wafer holding section and the electrode, and a container in the container. an exhaust pipe used to exhaust gas out of the container, and a reaction gas supply pipe used to supply a reaction gas into the container, and between the wafer holder and the electrode. The plasma CVD apparatus is capable of forming a thin film on the processing surface of the processing wafer by applying a voltage to generate plasma, and the processing processing wafer holding section is configured such that the processing processing surface of the processing processing wafer held is The electrode is placed below and facing the wafer to be processed at a predetermined distance from the wafer, and the exhaust pipe directs the gas in the container below the electrode. A plasma CVD apparatus characterized in that the plasma CVD apparatus is provided to exhaust air from the side to the outside of the container.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24197883A JPS59145519A (en) | 1983-12-23 | 1983-12-23 | Vapor phase chemical treatment equipment |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24197883A JPS59145519A (en) | 1983-12-23 | 1983-12-23 | Vapor phase chemical treatment equipment |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11336277A Division JPS5447576A (en) | 1977-09-22 | 1977-09-22 | Plasma cvd apparatus |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59145519A JPS59145519A (en) | 1984-08-21 |
| JPS6156609B2 true JPS6156609B2 (en) | 1986-12-03 |
Family
ID=17082417
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24197883A Granted JPS59145519A (en) | 1983-12-23 | 1983-12-23 | Vapor phase chemical treatment equipment |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59145519A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9701221B2 (en) | 2013-03-21 | 2017-07-11 | Toyota Boshoku Kabushiki Kaisha | Vehicle seat |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6384937U (en) * | 1986-11-21 | 1988-06-03 | ||
| US4886570A (en) * | 1987-07-16 | 1989-12-12 | Texas Instruments Incorporated | Processing apparatus and method |
| US6776848B2 (en) | 2002-01-17 | 2004-08-17 | Applied Materials, Inc. | Motorized chamber lid |
| JP6459578B2 (en) * | 2015-02-06 | 2019-01-30 | ウシオ電機株式会社 | Optical processing apparatus and optical processing method |
-
1983
- 1983-12-23 JP JP24197883A patent/JPS59145519A/en active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9701221B2 (en) | 2013-03-21 | 2017-07-11 | Toyota Boshoku Kabushiki Kaisha | Vehicle seat |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59145519A (en) | 1984-08-21 |
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