JPS6153646A - Projection optical device - Google Patents

Projection optical device

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JPS6153646A
JPS6153646A JP59175232A JP17523284A JPS6153646A JP S6153646 A JPS6153646 A JP S6153646A JP 59175232 A JP59175232 A JP 59175232A JP 17523284 A JP17523284 A JP 17523284A JP S6153646 A JPS6153646 A JP S6153646A
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projection optical
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illumination
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Kazunori Imamura
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    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
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  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

PURPOSE:To project only a pattern of an original picture pattern formed body without projecting a pattern of a foreign matter, a flaw of a mask substrate, etc., by executing a projection of an original picture pattern by utilizing a reflected light by a mask. CONSTITUTION:A light from an exposure light source 100 is converted to parallel rays having a uniform illuminance distribution of a monochrome by an illuminating optical system 110, and made incident on a half prism 10 from the right. As for this illuminating light, its optical path is changed in the upper direction by the half prism 10, and it is made incident on a mask 12 from a glass surface side. A part of the incident illuminating light is reflected by a pattern formed body 16, and this reflected light is made incident on a projection optical system 116 through the half prism 10. Subsequently, a pattern 120 of the pattern formed body 16 on the surface to be transferred of a wafer 118 is brought to image formation.

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 本発明は、例えば半導体製造における半導体ウェハ焼付
は装置すどで使用され、所定パターンの投影を行う投影
光学装置に関するもので乃る。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Technical Field of the Invention] The present invention relates to a projection optical device for projecting a predetermined pattern, which is used, for example, in semiconductor wafer printing equipment in semiconductor manufacturing.

〔発明の背景〕[Background of the invention]

従来の投影光学装置は、所定のパターンが形成されたマ
スクないしレチクル(以下単に「マスク」と総称する)
ヲ渣過する光を利用(7たものでるる。
A conventional projection optical device uses a mask or reticle (hereinafter simply referred to as a "mask") on which a predetermined pattern is formed.
Utilizing the light that passes through the water (7 items appear).

マスクとしては、ガラスなどの光透過性の基板に対し、
クロムなどのしや光物質によって必要なパターンを形成
したものが使用される。このマスクの一方の面側から適
宜の光源により光を照射すると、パターン部分を除いて
光が他方の面側に透過する。この透過光は、所定の投影
光学系に入射し、更には所定のウェハ上にパターンの投
影が行なわれることとなる。
As a mask, use a light-transmitting substrate such as glass.
A material with the necessary pattern formed using a shiny material such as chromium is used. When light is irradiated from one side of this mask from an appropriate light source, the light is transmitted to the other side except for the patterned portion. This transmitted light enters a predetermined projection optical system, and further a pattern is projected onto a predetermined wafer.

ところで、以上のような投影光学装置において、マスク
基板上の光が透過すべき部分に光をさえぎる塵埃、指紋
わるいは傷などが存在すると、これらによって透過すべ
き光がさえぎられるようになる。このため、該塵埃等も
投影されることとなり。
By the way, in the projection optical device as described above, if there is dust, fingerprints, scratches, etc. that block the light on the portion of the mask substrate where the light should be transmitted, these will block the light that should be transmitted. Therefore, the dust and the like are also projected.

本来の投影されるべきパターンに悪影響を与えることと
なる。従って、半導体ウェハ上に形成されるエレメント
ろるいは回路の不良などを招き、生産効率が低下するこ
ととなる。
This will adversely affect the original pattern that should be projected. Therefore, defects in elements or circuits formed on the semiconductor wafer are caused, and production efficiency is reduced.

〔発明の目的〕[Purpose of the invention]

本発明は、かかる点に鑑みてなされたものでるり、上記
背景技術の欠点を改善し、塵埃等による投影パターンに
対する不良発生を低減することができる投影光学装置を
提供することをその目的とするものである。
The present invention has been made in view of the above points, and an object thereof is to provide a projection optical device that can improve the drawbacks of the above-mentioned background art and reduce the occurrence of defects in projection patterns due to dust, etc. It is something.

〔発明の概要〕 本発明によれば、パターンの投影には、マスク基板の透
過光ではなく反射光が使用される。すな光光源(100
)、照明光学系(110)ハーフプリズムαQ)ととも
に、マスク基板によって反射された照明光を投影光学系
(11,’l)に導入するための導光手段(ハーフプリ
ズムQd)とを設けることとしている。
[Summary of the Invention] According to the present invention, reflected light rather than transmitted light from a mask substrate is used to project a pattern. Sunlight light source (100
), an illumination optical system (110), a half prism αQ), and a light guide means (half prism Qd) for introducing the illumination light reflected by the mask substrate into the projection optical system (11,'l). There is.

〔実施例〕〔Example〕

以下、本発明にかかる投影光学装置を添附図面に示す実
施例に基づいて詳細に説明する。
Hereinafter, a projection optical device according to the present invention will be described in detail based on embodiments shown in the accompanying drawings.

第1図は、本発明の基本的な原理を示す説明図でるり、
まずこの図に基づいて基本的な原理を説明する。第1図
において、光路分割を行うミラープリズム(以下単に「
)−−7プリズムー1という)10KI−m、図の右方
から矢印FAの如く照明光が入射する。ハーフプリズム
10の上方には、マスク12が配置されており、矢印F
Aの如く人射した照明光は、ハーフプリズム100作用
によりマスク12の方に曲折され、マスク12に入射す
る。
FIG. 1 is an explanatory diagram showing the basic principle of the present invention.
First, the basic principle will be explained based on this diagram. In Figure 1, a mirror prism (hereinafter simply "
)--7 prism-1)10KI-m, illumination light enters from the right side of the figure as indicated by the arrow FA. A mask 12 is arranged above the half prism 10, and an arrow F
Illumination light emitted from a person as shown in A is bent toward the mask 12 by the action of the half prism 100, and enters the mask 12.

マスク12は、例えば平担面を有するガラス基板14上
に、所定のパターンを形成するようにり  □1′ロム
などのしや光物質(以下単に「パターン形成体」という
)16が真空蒸着などの方法により設けられている。な
お、ガラス基板14のうち、光が透過する部分には異物
18が付着しているものとする。照明光は、マスク12
のうちガラス基板14の反対側すなわちパターン形成体
16が設けられていないガラス面から入射するようにな
っている。
The mask 12 is configured to form a predetermined pattern on, for example, a glass substrate 14 having a flat surface. □1' A photosensitive material (hereinafter simply referred to as "pattern forming body") 16 such as ROM is deposited by vacuum evaporation or the like. It is provided by the following method. It is assumed that foreign matter 18 is attached to a portion of the glass substrate 14 through which light passes. The illumination light is the mask 12
The light enters from the opposite side of the glass substrate 14, that is, the glass surface where the pattern forming body 16 is not provided.

ガラス基板14に入射する照明光のうち、パターン形成
体16あるいは異物18以外の部分に入射した光は、矢
印FBの如くほぼ透過する。次にパターン形成体16の
部分に入射した光は、入射面が平担であり、また平担面
に真空蒸着等でクロムなどの金属を設けたものでるるこ
とから、鏡面反射し、矢印FCの如く入射光と逆の光路
をたどる。この反射光は、ノs−7プリズム10を通過
する。
Of the illumination light that is incident on the glass substrate 14, the light that is incident on portions other than the pattern forming body 16 or the foreign matter 18 is almost transmitted as shown by the arrow FB. Next, the light incident on the pattern forming body 16 is specularly reflected because the incident surface is flat and a metal such as chromium is provided on the flat surface by vacuum evaporation, etc. It follows the optical path opposite to the incident light. This reflected light passes through the S-7 prism 10.

他方、異物18の部分に入射した照明光は、はとんどが
矢印FDの如く散乱されることとなる。
On the other hand, most of the illumination light incident on the foreign object 18 is scattered as shown by the arrow FD.

このため、投影光学系(図示せず)には、パターン形成
体16のパターン形状に対応する反射光が主として入射
することとなる。すなわち、投影光学系に対する入射光
のパターンは、矢印F13で示す透過光に対応する領域
20と、矢印FCで示す反射光に対応する領域22と、
矢印FDで示す散乱光に対応する領域24とからなり、
領域22を除いて暗部となる。なお、領域24は、領域
20に対して、同等か又はそれ以下の光量でβるっ異物
18がパターン形成体16と同一の平面側にめるときは
、上述した通りであるが、異物18がガラス基板14の
ガラス面側にるるときは、照明光が散乱されて鏡面反射
の成分は少ないことに加えて、ガラス基板14の厚みに
よる焦点位置のずれも作用することとなる。このため、
異物18の像はデフォーカスされ、パターン領域として
投影されるおそれはない。
Therefore, reflected light corresponding to the pattern shape of the pattern forming body 16 mainly enters the projection optical system (not shown). That is, the pattern of light incident on the projection optical system includes a region 20 corresponding to transmitted light indicated by arrow F13, a region 22 corresponding to reflected light indicated by arrow FC,
It consists of a region 24 corresponding to the scattered light indicated by arrow FD,
The area except the area 22 becomes a dark area. Note that when the β-contaminant 18 enters the region 24 on the same plane side as the pattern forming body 16 with a light intensity equal to or lower than that of the region 20, the foreign material 18 is removed as described above. When the illumination light is on the glass surface side of the glass substrate 14, the illumination light is scattered and the specular reflection component is small, and the focal position shift due to the thickness of the glass substrate 14 also comes into play. For this reason,
The image of the foreign object 18 is defocused and there is no possibility that it will be projected as a pattern area.

また、上述した場合と反対に、マスク12の上下をひつ
くり返、して、マスク12のマスク面側から照明光を入
射させるようにした場合でろりでも、パターン形成体1
6の表面を鏡面として反射率を高めるようにすれば、異
物18の部分に人射する照明光は散乱されることとな9
、同様の効果を得ることかできる。しかしながら、この
方法では、パターン形成体16の狭面上に異物が付着し
た場合に(1、当該異物の部分の照明光が散乱されるこ
ととなり、パターンに影響を与えて好ましくない。
Moreover, contrary to the above-mentioned case, if the mask 12 is turned upside down and the illumination light is made to enter from the mask surface side of the mask 12, even if the pattern formation body
By making the surface of 6 a mirror surface to increase the reflectance, the illumination light shining on the part of the foreign object 18 will be scattered.
, you can get a similar effect. However, in this method, if a foreign substance adheres to the narrow surface of the pattern forming body 16 (1), the illumination light from the part of the foreign substance will be scattered, which is undesirable because it will affect the pattern.

このような点から、照明光は第1図に示すようにマスク
12のうちガラス面側から人射させるようにした方がよ
い。また、このようにすれば、異物18による散乱光が
ガラス基板14内における内部反射により減衰散乱され
、投影光学系に至る光が一層微弱になるという効果がめ
る。
From this point of view, it is preferable that the illumination light be emitted from the glass surface side of the mask 12, as shown in FIG. Further, in this case, the light scattered by the foreign object 18 is attenuated and scattered by internal reflection within the glass substrate 14, and the effect that the light reaching the projection optical system becomes even weaker can be obtained.

以上のように、本発明では、マスク12からの反射光を
利用するので、パターン形成体16による光の反射率を
高くすることが好ましい。また、照明用の光源も光量の
大きなものが好ましい。この光源としては、例えば超高
圧水銀放電灯、ろるいはパルス発光タイプのエキシマレ
ーザが好適である。
As described above, in the present invention, since the reflected light from the mask 12 is utilized, it is preferable to increase the reflectance of light by the pattern forming body 16. Further, it is preferable that the light source for illumination has a large amount of light. As this light source, for example, an ultra-high pressure mercury discharge lamp, a light emitting type excimer laser, or a pulse emission type excimer laser is suitable.

次に、本発明の第1実施例について、第2図を参照しな
がら説明する。この実施例は、本発明を中心体ウェハ焼
付装置の1つでるる縮小投影型露光装置に適用したもの
でるる。
Next, a first embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. In this embodiment, the present invention is applied to a reduction projection type exposure apparatus which is one type of central body wafer printing apparatus.

第2図において、露光光源100の背後には楕円鏡10
2が設けられており、露光光源1 D Oの光が集光さ
れるようになっている。集光された光は、干渉フィルタ
104により単色化され、更には、フライアイインチη
°レータ106に人射して均一な照度分布に変換される
ようになっている。
In FIG. 2, an elliptical mirror 10 is located behind the exposure light source 100.
2 is provided so that the light from the exposure light source 1DO is focused. The focused light is made monochromatic by an interference filter 104, and is further converted into a fly's eye inch η
The illuminance is illuminated by a person and converted into a uniform illuminance distribution.

フライアイインテグレータ106の次には、コンデンサ
レンズ108が配置されており、均一な照度分布に変換
された光がほぼ平行光線化されるようになっている。こ
の平行光線化された光が/・−フグリズム10に照明光
として入射するように購成されている。なお、以下の説
明において、楕円&102.干渉フィルタ104.フラ
イアイインテグレータ106及びコンデンサレンズ10
8を照明光学系110と総称することとする。
A condenser lens 108 is placed next to the fly's eye integrator 106, so that the light converted into a uniform illuminance distribution is converted into substantially parallel light beams. This collimated light is purchased so as to be incident on the FUGRISM 10 as illumination light. In addition, in the following explanation, ellipse &102. Interference filter 104. Fly eye integrator 106 and condenser lens 10
8 will be collectively referred to as an illumination optical system 110.

ハーフプリズム10の上方には、マスク12が   1
配置されでいる。マスク12は、ガラス基板14のパタ
ーン面側の端部が真空チャック112によって固定支持
されている。すなわち、真空チャック112に設けられ
ている真空配管114によシ図示しない配気系により配
気を行うことにより真空チャック112にマスク12が
吸着保持されている。なお、本実施例では、マスク12
の下方すなわちガラス基板14のガラス面側から照明光
が入射し、反射光を利用するので、これらの照明光の人
射ろるいは反対を妨げることがないようにするため、マ
スク12の上面側で支持が行なわれている。
Above the half prism 10, a mask 12 is placed.
It has been placed. The end of the mask 12 on the pattern surface side of the glass substrate 14 is fixedly supported by a vacuum chuck 112 . That is, the mask 12 is held by suction on the vacuum chuck 112 by supplying air to the vacuum piping 114 provided in the vacuum chuck 112 by an air distribution system (not shown). Note that in this embodiment, the mask 12
The illumination light enters from below, that is, from the glass surface side of the glass substrate 14, and the reflected light is used. Support is being provided.

他方、ハーフプリズム10の下方すなわち、マスク12
と反対側の位%”(VCは、投影光学系(縮小投影レン
ズ)116が配置されており、その下方VCは、被転写
体であるウェハ118が配置されている。尚投影光学系
116としては、縮小投影レンズ以外に、等倍投影ヒン
ズ1等倍ミラープロジェクションなどが使用される。
On the other hand, below the half prism 10, that is, the mask 12
A projection optical system (reducing projection lens) 116 is placed on the opposite side of the VC, and a wafer 118, which is an object to be transferred, is placed below the VC. In addition to the reduction projection lens, an equal-magnification projection hing, 1-equal-magnification mirror projection, etc. are used.

次に、上記実施例の全体的作用について説明する。亥ず
、露光光源100から発せられた光は、照明光学系11
0によシ単色の均一な照度分布をゼする平行光線に変換
され、右方からバーフグリズム10に入射する。この照
明光は、ハーフプリズム10によって上方に光路が変更
され、ガラス面側からマスク12に入射する。
Next, the overall operation of the above embodiment will be explained. First, the light emitted from the exposure light source 100 is transmitted to the illumination optical system 11.
The rays are converted into parallel rays with a monochromatic and uniform illuminance distribution, and enter the barf grism 10 from the right. The optical path of this illumination light is changed upward by the half prism 10 and enters the mask 12 from the glass surface side.

入射した照明光の一部は、パターン形成体16によって
反射され、この反射光はハーフプリズム10を通過して
投影光学系116IC人射す、bo−Cして、この投影
光学系116によりウェハ118の被転写面上にパター
ン形成体16のパターン120が結像される。
A part of the incident illumination light is reflected by the pattern forming body 16, and this reflected light passes through the half prism 10 and is emitted onto the projection optical system 116IC. A pattern 120 of the pattern forming body 16 is imaged onto the transfer surface.

なお、マスク12のガラス基板14のうち、ガラス面側
でも照面光は反射されるが(返めて少ない。
Incidentally, although the illuminated light is also reflected on the glass surface side of the glass substrate 14 of the mask 12 (on the contrary, it is small).

また、照明光のうち異物18に入射したものは、第1図
において説明したようにほとんど散乱されることとなる
。このため、異物18のパターンがウェハ118上に結
像されることはない。
Moreover, most of the illumination light that is incident on the foreign object 18 is scattered as explained in FIG. 1. Therefore, the pattern of foreign matter 18 is not imaged onto wafer 118.

次に第3図を参照しながら本発明の第2実施例について
説明する。なお、上述した実施例と同類の溝成部分につ
いては同一の符号音用いることとする。
Next, a second embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. Note that the same code sounds are used for groove components similar to those in the above-described embodiment.

この実施例では、上述した第2図に示す実が11例と比
較して、ハーフプリズム10は光のM光方向によ抄光路
が変更される偏光ビームスプリンタ204を用いろ点で
J?lなっている。
In this embodiment, compared to the 11 examples shown in FIG. 2 described above, the half prism 10 uses a polarizing beam splinter 204 whose optical path is changed depending on the M direction of the light. It's becoming l.

詳述すると、偏光ビームスプリッタ200とコンデンサ
レンズ108との間には、偏光板202が配置されてお
シ、1だ、偏光ビームスプリッタ200とマスク12の
ガラス基板14との間にはλ4波長板204が配置され
ている。
Specifically, a polarizing plate 202 is arranged between the polarizing beam splitter 200 and the condenser lens 108, and a λ4 wavelength plate is arranged between the polarizing beam splitter 200 and the glass substrate 14 of the mask 12. 204 are arranged.

本実施例の作用について説明すると、コンデンサレンズ
108からは、干渉フィルタ104によって単色化され
た光が出力されるが、これが偏光板202によって一定
の偏光を受けた後に偏光ビームスプリッタ200に入射
する。このため、偏光ビームスプリッタ200は、はぼ
100%人射光を上方すなわちマスク12の方向に反射
する。
To explain the operation of this embodiment, light that has been made monochromatic by the interference filter 104 is output from the condenser lens 108, and after being polarized to a certain degree by the polarizing plate 202, it enters the polarizing beam splitter 200. Therefore, the polarizing beam splitter 200 reflects almost 100% of the human light upwardly, that is, in the direction of the mask 12.

ごIC,反Sa寸された照明光は、λ/4波長板204
によって所定の円偏光の光となってマスク12に入射ス
る。更に、パターン形成体16によって照明光が反射さ
れると、逆回転の光となる。この光が再びλ/4波長板
204を通過すると、偏光面が90回転した直線偏光の
光となる。すなわち、偏 ゛光ビームスプリッタ200
からV4波長板204に入射する光と、λ/4波長板2
04から偏光ビームスプリッタ200に入射する光とは
、イー1光而が90異なっている。このため、パターン
形成体16VCよって反射された照明光は、偏光ビーム
スプリッタ200中を直進して投影光学系116に入射
することとなる。
For the IC, the illumination light with anti-Sa dimensions is transmitted through the λ/4 wavelength plate 204.
As a result, the light becomes a predetermined circularly polarized light and enters the mask 12. Further, when the illumination light is reflected by the pattern forming body 16, it becomes light of reverse rotation. When this light passes through the λ/4 wavelength plate 204 again, it becomes linearly polarized light whose plane of polarization has been rotated by 90 degrees. That is, the polarizing beam splitter 200
The light incident on the V4 wavelength plate 204 from the λ/4 wavelength plate 2
The light incident on the polarizing beam splitter 200 from 04 differs by 90 in terms of E1 light. Therefore, the illumination light reflected by the pattern forming body 16VC passes straight through the polarizing beam splitter 200 and enters the projection optical system 116.

以上のように、この実施例では、照明光に樋宜の偏光を
与えて入射光と反射光とを分)、J・することとしてり
るので、7オトマスク12に入射する照明光及びウェハ
118に入射する元の光−計の減少が防止されることと
なる。
As described above, in this embodiment, the illumination light is polarized to separate the incident light and the reflected light. This will prevent a decrease in the original light incident on the meter.

次に、第4図を参照しながら本発明の第6′ツ゛S施例
にり(へて説明する。なお、符号にりいCは、上  、
i述した実施例と同様の構成部分について蝶同−の符号
を用いることとする。
Next, the sixth embodiment of the present invention will be explained with reference to FIG.
The same reference numerals will be used for the same components as in the embodiment described above.

この実施例では、上述した第2図に示す実〃′11例と
比較して、所定の液体を満たした液槽300を用いる点
で異なっている。
This embodiment is different from the eleventh embodiment shown in FIG. 2 described above in that a liquid tank 300 filled with a predetermined liquid is used.

詳述すると、液槽300は、マスク12の下方に設けら
れており、液体302が満たされている。
Specifically, the liquid tank 300 is provided below the mask 12 and is filled with a liquid 302.

この液体302には、マスク12のガラス基板14のガ
ラス面(+111が侵されておシ、このガラス基板14
の屈折率と液体302の屈折率とが−1ぼ同じになるよ
うに液体302が選ば11ている。−!、/C%液宿3
00の下1411すなわちハーフプリズム側のガラス面
ろ(〕4は、平面度の精度が高められている。
This liquid 302 corrodes the glass surface (+111) of the glass substrate 14 of the mask 12.
The liquid 302 is selected so that the refractive index of the liquid 302 and the refractive index of the liquid 302 are approximately equal to -1. -! , /C% liquid accommodation 3
The lower part 1411 of 00, that is, the glass surface groove ( ) 4 on the half prism side has improved flatness accuracy.

本実61例の作用について説明すると、照明光学系11
0からハーフプリズム10に入射した照明光は、ハーフ
プリズム10によυ反射されて液・10300vC人射
し、更にはマスク12に入射する、甘た、マスク12の
うちパターン形成体16によって反射きf′した光は、
再び液槽300を通過してハーフプリズム10に入射す
る。以上の照明光の入射1反射過程において、捷ず、?
7i、槽300のガラスIIIIT304ば、平面度が
高められているので、光の散乱などが防止される。゛ま
た、マスク12のガラス基板14は、マスク形成の関係
上必ずしも平面度特にガラス面側の平面度を高めること
かで@ない場合がるり、またその厚さも十分制御できな
い場合がろる。このよつなガラス基板14の平面度、厚
さの不1+inいは、液槽300中の液体602によっ
て是正されることとなる。このfC&)、ガラス基&1
4のガラス面側における光学的光路長がガラス基板14
全面に渡って均一になり投影光学系116を用いた光学
系の収差がガラス基板14の辱さf″:fL面度のバラ
ツキに左右されず一定となり、精密な投影光学系を形成
できる。また、ガラス基板14のガラス面側での反射が
おさえしれる。
To explain the operation of this 61 example, the illumination optical system 11
The illumination light that enters the half prism 10 from 0 is reflected by the half prism 10 and enters the liquid 10300 VC, and further enters the mask 12 and is reflected by the pattern forming body 16 of the mask 12. The light with f' is
The liquid passes through the liquid tank 300 again and enters the half prism 10. In the above incident and reflection process of illumination light, ?
7i, since the glass IIIT 304 of the tank 300 has a high flatness, scattering of light is prevented. Further, the glass substrate 14 of the mask 12 may not always have a flatness, especially the flatness of the glass surface side, due to mask formation, and its thickness may not be sufficiently controlled. This unevenness in flatness and thickness of the glass substrate 14 is corrected by the liquid 602 in the liquid tank 300. This fC&), glass group &1
The optical path length on the glass surface side of the glass substrate 14 is
The aberrations of the optical system using the projection optical system 116 are uniform over the entire surface and are constant regardless of variations in the surface degree f'':fL of the glass substrate 14, making it possible to form a precise projection optical system. , reflection on the glass surface side of the glass substrate 14 can be suppressed.

以上のように、この実施例は、マスク12のガラス基板
14のうちガラス面すなわち下面側の平面度が悪いとき
、あるいはマスク12の厚さを十分に制御することがで
きないとぎに有効で[F]る。
As described above, this embodiment is effective when the flatness of the glass surface, that is, the lower surface side of the glass substrate 14 of the mask 12 is poor, or when the thickness of the mask 12 cannot be sufficiently controlled [F ] Ru.

なお、本発明は伺ら上記実施υりに限定されるものでを
まなく1例えば、マスク12のガラス塞:1又14のパ
ターン面に対して反射防止用のコーティングを施すよう
にすることにより投影元学系116に入射する照明)C
;のうち、パターンに対【6しないi1’7部(マスク
12のi3セ明部)の光が一層1((減することが15
T能となろう ゛まだ、上記いずれの実7咽例も、マスク上に付着し〕
c異′ヒ・りについてのみ説明したが、マスクの基板上
の(J5などKつい−Cも同僚である。
It should be noted that the present invention is not limited to the above-mentioned implementation, but for example, by applying an anti-reflection coating to the patterned surface of the glass plug 1 or 14 of the mask 12. Illumination incident on the projection source system 116)C
Among them, the light of the i1'7 part (i3 separator of the mask 12) that is not 6 is further 1 (((reduction is 15
It's going to be a problem. However, none of the above cases of pharyngitis have adhered to the mask.
Although I have only explained about the difference in temperature, heat and resistance, the resistance on the substrate of the mask (such as J5) is also a colleague.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

以上へ2明したように本発明による投影光学装置ばによ
れば、マスクによる反射光を利用して原画パターンの投
影を行うこととしたので、パターン形成体のパターンの
みが良好に投影され、異物、地峡;1)るいに丈マスク
!5板の錫などのパターンは投影さJ″Lない。1・仁
って、マスクの洗浄、検査などの中間が簡略化きれるこ
ととなり、半導体製造(’CDける?1力化、生産性向
上を図ることができるといり効果が、しる。
As described above, according to the projection optical device according to the present invention, since the original pattern is projected using the light reflected by the mask, only the pattern on the pattern forming body is projected well, and foreign particles are , Isthmus; 1) Ruini-length mask! Patterns such as those on 5 plates of tin cannot be projected. The effect is that it can be achieved.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図(i本発明にかかる投影光学装置の基本的l原理
を示す説明図、第2図は本発明の第1実施例を示ずζイ
タ1成図、第6図は本発明の第2実施例を示す411(
成因、εa4図は本発明の第3実施4/’I i:示す
構成図でCうる1、 〔主要部分の符−8′の説明〕 10・・・/・−7プリズム、12・・・マスク、14
・・・ガラス基板、16・・・パターン形成体、18・
・・具物、1’00・・・k′J光ブhi原、110・
・・照明元学系、116・・・投影光学系、11B・・
・ワエハ、200・・・(114元ビームスプリッタ、
202・・・11・6光板、204・・・λ/4波長板
。 島 代理人 弁理士 木 村 三 鋒 市 第2図 μ IIざ 第3図 互 υ14図 1Iσ
FIG. 1 is an explanatory diagram showing the basic principle of the projection optical device according to the present invention, FIG. 2 is a diagram showing the first embodiment of the present invention, and FIG. 411(
Figure εa4 shows the third embodiment of the present invention. mask, 14
...Glass substrate, 16... Pattern-formed body, 18.
...Ingredients, 1'00...k'J Hikarubuhihara, 110.
...Illumination source system, 116...Projection optical system, 11B...
・Waehha, 200... (114 beam splitter,
202...11.6 light plate, 204...λ/4 wavelength plate. Shima Agent Patent Attorney Sanfeng Kimura Figure 2 μ II Figure 3 Interchange υ 14 Figure 1 Iσ

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)光透過性のマスク基板に光反射性のパターン形成
体によつて所定の原画パターンを形成し、該原画パター
ンの光像を投影光学系を介して被投影体に投影する投影
光学装置において、 前記マスク基板に照明光を照射するための照明光学手段
と、 前記マスク基板によつて反射された照明光を前記投影光
学系に導入するための導光手段とを含むことを特徴とす
る投影光学装置。
(1) A projection optical device that forms a predetermined original pattern on a light-transmissive mask substrate using a light-reflective pattern forming body, and projects a light image of the original pattern onto an object to be projected via a projection optical system. The method further comprises: an illumination optical means for irradiating the mask substrate with illumination light; and a light guide means for introducing the illumination light reflected by the mask substrate into the projection optical system. Projection optical device.
(2)前記照明手段は、前記マスク基板のうちパターン
形成面と反対側の面から照明光を照射する特許請求の範
囲第1項記載の投影光学装置。
(2) The projection optical device according to claim 1, wherein the illumination means irradiates illumination light from a surface of the mask substrate opposite to the pattern formation surface.
(3)前記導光手段は、前記照明光学手段の一部である
光路分割器を含む特許請求の範囲第1項又は第2項のい
ずれかに記載の投影光学装置。
(3) The projection optical device according to claim 1 or 2, wherein the light guide means includes an optical path splitter that is a part of the illumination optical means.
(4)前記照明光学手段は照明光の偏光手段を含み、前
記光路分割器は偏光ビームスプリッタである特許請求の
範囲第2項記載の投影光学装置。
(4) The projection optical apparatus according to claim 2, wherein the illumination optical means includes illumination light polarization means, and the optical path splitter is a polarization beam splitter.
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