JPS6151826A - 投影露光装置 - Google Patents
投影露光装置Info
- Publication number
- JPS6151826A JPS6151826A JP59173112A JP17311284A JPS6151826A JP S6151826 A JPS6151826 A JP S6151826A JP 59173112 A JP59173112 A JP 59173112A JP 17311284 A JP17311284 A JP 17311284A JP S6151826 A JPS6151826 A JP S6151826A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- face
- masking
- stage
- reticle
- Prior art date
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- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/70066—Size and form of the illuminated area in the mask plane, e.g. reticle masking blades or blinds
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
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- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/702—Reflective illumination, i.e. reflective optical elements other than folding mirrors, e.g. extreme ultraviolet [EUV] illumination systems
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70241—Optical aspects of refractive lens systems, i.e. comprising only refractive elements
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の分野］
本発明は、照射範囲を任意にサイズ変更することが可能
なマスキング装置を備えた縮少投影露光装置に関し、特
に、マスキング装置によって照射範囲の変更を行なった
時、Ｘ−Ｙステージ上の光検知ディテクタを用いて照明
系の照射範囲のサイズの確認を１１なうことができるよ
うにした投影露光装置に１３１Ｉ する。
なマスキング装置を備えた縮少投影露光装置に関し、特
に、マスキング装置によって照射範囲の変更を行なった
時、Ｘ−Ｙステージ上の光検知ディテクタを用いて照明
系の照射範囲のサイズの確認を１１なうことができるよ
うにした投影露光装置に１３１Ｉ する。
［発明の費用］
近年、半導体素子のパターンの微細化と高集ｆ４化の進
歩はめざましく、パターン線巾は１〜１．５μｍの時代
に進みつつある。これを実現するに当って、１〜１．５
μｍの微細パターンを焼付可能とする焼付性１１Ｌと、
複数工程に渡るパターンを精確に重ね合せることが可能
なアライメント性能とを備えた、ウェハに欠陥を発生さ
せることの少ない露光装置が必要不可欠である。この要
求に答えるべく各種のステッパ（縮小投影露光装置）が
開発されている。
歩はめざましく、パターン線巾は１〜１．５μｍの時代
に進みつつある。これを実現するに当って、１〜１．５
μｍの微細パターンを焼付可能とする焼付性１１Ｌと、
複数工程に渡るパターンを精確に重ね合せることが可能
なアライメント性能とを備えた、ウェハに欠陥を発生さ
せることの少ない露光装置が必要不可欠である。この要
求に答えるべく各種のステッパ（縮小投影露光装置）が
開発されている。
このようなステッパで焼付を行なう際、レクチルは回路
パターン部以外はクローム等の蒸着により焼付光が透過
しないように配慮されているが、蒸着面にピンホール等
の欠陥があると、そこから焼付光が漏れてウェハ上で隣
接する部所に有害な露光を与え、焼付けた回路パターン
に財大な欠陥を生じる。これを避ける為に、レチクル面
と共役な位置に遮光板を配置したマスキング装置を設け
、遮光板のエツジを照明系のレンズでレクチル面上に肛
鋭に投影することによりレクチルの回路パターン部以外
の遮光を行なっている。
パターン部以外はクローム等の蒸着により焼付光が透過
しないように配慮されているが、蒸着面にピンホール等
の欠陥があると、そこから焼付光が漏れてウェハ上で隣
接する部所に有害な露光を与え、焼付けた回路パターン
に財大な欠陥を生じる。これを避ける為に、レチクル面
と共役な位置に遮光板を配置したマスキング装置を設け
、遮光板のエツジを照明系のレンズでレクチル面上に肛
鋭に投影することによりレクチルの回路パターン部以外
の遮光を行なっている。
ところで、従来のステッパにおいては、マスキング、装
置のサイズ変更によってマスキングブレードの位置を移
動させた後は、ウェハ上でマスキング装置の遮光板のエ
ツジ部の焼付を行ない、焼付けたウェハを計測しなけれ
ば、正確なマスキングサイズがわからないという欠点が
あった。
置のサイズ変更によってマスキングブレードの位置を移
動させた後は、ウェハ上でマスキング装置の遮光板のエ
ツジ部の焼付を行ない、焼付けたウェハを計測しなけれ
ば、正確なマスキングサイズがわからないという欠点が
あった。
［発明の目的コ
本発明の目的は、上記従来形における欠点を除去し、ウ
ェハの焼付及びその計測という面倒な工程を省略するこ
とができ、ざらにマスキングサイズの確認が必要な場合
にはいつでも簡単にかつ素早くその実行が可能な投影露
光装置を提供することにある。
ェハの焼付及びその計測という面倒な工程を省略するこ
とができ、ざらにマスキングサイズの確認が必要な場合
にはいつでも簡単にかつ素早くその実行が可能な投影露
光装置を提供することにある。
［実施例の説明Ｊ
以下図１ｍを用いて本発明の詳細な説明する。
第１図は、本発明の一実施例に係るステッパの構成を示
ず。同図において、Ａは焼付光を照射する為の照明系、
Ｂはレクチルのパターンをウェハに結像させる為の縮少
投影レンズ、Ｃはレクチルパターンをウェハ全面にステ
ップ焼きをする為の高速Ｘ−Ｙステージ、Ｄはウェハ面
で照射範囲の境界を検知する為の光検知ディテクタでこ
こでは照度測定器のディテクタで兼用している。
ず。同図において、Ａは焼付光を照射する為の照明系、
Ｂはレクチルのパターンをウェハに結像させる為の縮少
投影レンズ、Ｃはレクチルパターンをウェハ全面にステ
ップ焼きをする為の高速Ｘ−Ｙステージ、Ｄはウェハ面
で照射範囲の境界を検知する為の光検知ディテクタでこ
こでは照度測定器のディテクタで兼用している。
以下光路の順に追って説明すると、照明系Ａ内において
、光源である超高圧水銀灯１より発せられた光束は集光
ミラー２によって集光され、コンデンサレンズ５によっ
て８面を均一に照明する。
、光源である超高圧水銀灯１より発せられた光束は集光
ミラー２によって集光され、コンデンサレンズ５によっ
て８面を均一に照明する。
図中、３，４，６．８は装置をコンパクトにする為の折
り曲げミラーである。ａ而には照射サイズを任意に選択
する為のマスキング装置のマスキングブレード１０が置
かれている。マスキングブレード１０の立体的な概念図
は第２図に示しである。゛マスキングブレード１０によ
って四角形に整形された光束は、コンデンサレンズ７．
９によってレクチル面であるｂ而においてマスキングブ
レード１０の形状に倣って結像される。さらに１面で結
像された照明光は縮少投影レンズＢによってウェハ面で
ある０面に結像される。
り曲げミラーである。ａ而には照射サイズを任意に選択
する為のマスキング装置のマスキングブレード１０が置
かれている。マスキングブレード１０の立体的な概念図
は第２図に示しである。゛マスキングブレード１０によ
って四角形に整形された光束は、コンデンサレンズ７．
９によってレクチル面であるｂ而においてマスキングブ
レード１０の形状に倣って結像される。さらに１面で結
像された照明光は縮少投影レンズＢによってウェハ面で
ある０面に結像される。
ここで、Ｘ−ＹステージＣを第３図に示すように移動す
ることにより、Ｘ−ＹステージＣ上にある光検知ディテ
クタＤを結像面（ウェハ面）ｅ上でスキャニングさぼる
と、照射している部分とそうでない部分との境界は、光
検知ディテクタＤの光出力とＸ−ＹステージＣの位置検
知ディテクタ（不図示）の出力により求めることが出来
る。
ることにより、Ｘ−ＹステージＣ上にある光検知ディテ
クタＤを結像面（ウェハ面）ｅ上でスキャニングさぼる
と、照射している部分とそうでない部分との境界は、光
検知ディテクタＤの光出力とＸ−ＹステージＣの位置検
知ディテクタ（不図示）の出力により求めることが出来
る。
これにより、ウェハ面とレクチル面との投影光学系の倍
密を参酌すれば、マスキングのサイズを精度良く確認す
ることが可能である。
密を参酌すれば、マスキングのサイズを精度良く確認す
ることが可能である。
ここで、光照射部分の検出は、光検知ディテクタＤの出
力変化の半値幅を求めることにより、あるいは、光検知
ディテクタＤの出力を所定の閾値と比較することにより
求めることができる。また、照射範囲の形状が×及びＹ
方向の直線のみで形成される四角形に限られている場合
、光検知ディテクタＤによる結像面のスキャニングは、
Ｘ方向に１回とＹ方向に１回、それぞれ照射範囲の両端
が検出される範囲で行なえばよい。
力変化の半値幅を求めることにより、あるいは、光検知
ディテクタＤの出力を所定の閾値と比較することにより
求めることができる。また、照射範囲の形状が×及びＹ
方向の直線のみで形成される四角形に限られている場合
、光検知ディテクタＤによる結像面のスキャニングは、
Ｘ方向に１回とＹ方向に１回、それぞれ照射範囲の両端
が検出される範囲で行なえばよい。
［発明の効果］
以上のように、本発明によると、マスキングサイズを確
認する際のウェハの焼付及びその計測という面例な工程
を省略することができ、かつマスキングサイズの確認が
必要な場合にはいつでも簡単にかつ素早くその実行が可
能である。また、マスキングサイズの確認においては、
光学系を通してマスキングブレードを直接観察している
為、マ。
認する際のウェハの焼付及びその計測という面例な工程
を省略することができ、かつマスキングサイズの確認が
必要な場合にはいつでも簡単にかつ素早くその実行が可
能である。また、マスキングサイズの確認においては、
光学系を通してマスキングブレードを直接観察している
為、マ。
スキング装置の駆動系にマスキングブレードの位置確認
の信号をフィードバックしてやることにより、従来のオ
ーブンループ方式の駆動からクローズトループ方式の駆
動に変更することができ、より精度の高いマスキングが
可能となる。
の信号をフィードバックしてやることにより、従来のオ
ーブンループ方式の駆動からクローズトループ方式の駆
動に変更することができ、より精度の高いマスキングが
可能となる。
第１図は、本発明の一実施例に係るステッパ全体のシス
テム概念図、 第２図は、第１図におけるマスキングブレードの概略斜
視図、 第３図は、第１図のウェハ而における光検知ディテクタ
のスキャニングの様子を示す概略図である。 Ａ・・・照明系、Ｂ・・・縮少投影レンズ、Ｃ・・・Ｘ
−Ｙステージ、Ｄ・・・光検知ディテクタ、ａ・・・マ
スキングブレード面、ｂ・・・レクチル面、ｅ・・・ウ
エバ面、１・・・超高圧水銀灯、２・・・集光ミラー、
３，４，６゜８・・・平面ミラー、５．７．９・・・コ
ンデンサレンズ。
テム概念図、 第２図は、第１図におけるマスキングブレードの概略斜
視図、 第３図は、第１図のウェハ而における光検知ディテクタ
のスキャニングの様子を示す概略図である。 Ａ・・・照明系、Ｂ・・・縮少投影レンズ、Ｃ・・・Ｘ
−Ｙステージ、Ｄ・・・光検知ディテクタ、ａ・・・マ
スキングブレード面、ｂ・・・レクチル面、ｅ・・・ウ
エバ面、１・・・超高圧水銀灯、２・・・集光ミラー、
３，４，６゜８・・・平面ミラー、５．７．９・・・コ
ンデンサレンズ。
Claims (1)
- レクチルを照射する為の照明系と、該レチクル上の照明
範囲を任意なサイズに変更可能なマスキング装置と、該
レクチル上に形成されたパターンをウェハ上に結像する
投影光学系と、ウェハを搭載して移動可能なＸ−Ｙステ
ージと、該Ｘ−Ｙステージに取付けられた位置検知ディ
テクタとを具備する縮少投影露光装置において、上記Ｘ
−Ｙステージ上に光検知ディテクタを固設するとともに
、該Ｘ−Ｙステージを駆動することにより該光検知ディ
テクタの光検知面で上記投影光学系の結像面をスキャニ
ングさせる手段と、スキャニング時の該光検知ディテク
タの出力と上記位置検知ディテクタの出力をもとに照射
範囲の境界を検出して上記マスキング装置のサイズの確
認をする手段を設けたことを特徴とする投影露光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59173112A JPS6151826A (ja) | 1984-08-22 | 1984-08-22 | 投影露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59173112A JPS6151826A (ja) | 1984-08-22 | 1984-08-22 | 投影露光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6151826A true JPS6151826A (ja) | 1986-03-14 |
Family
ID=15954374
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59173112A Pending JPS6151826A (ja) | 1984-08-22 | 1984-08-22 | 投影露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6151826A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04368952A (ja) * | 1991-06-17 | 1992-12-21 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | レジストの露光方法 |
| JP2017010067A (ja) * | 2016-10-19 | 2017-01-12 | キヤノン株式会社 | 露光装置、それを用いたデバイスの製造方法 |
-
1984
- 1984-08-22 JP JP59173112A patent/JPS6151826A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04368952A (ja) * | 1991-06-17 | 1992-12-21 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | レジストの露光方法 |
| JP2017010067A (ja) * | 2016-10-19 | 2017-01-12 | キヤノン株式会社 | 露光装置、それを用いたデバイスの製造方法 |
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