JPS6151359A - サ−マルヘツド - Google Patents
サ−マルヘツドInfo
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- JPS6151359A JPS6151359A JP59173877A JP17387784A JPS6151359A JP S6151359 A JPS6151359 A JP S6151359A JP 59173877 A JP59173877 A JP 59173877A JP 17387784 A JP17387784 A JP 17387784A JP S6151359 A JPS6151359 A JP S6151359A
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- Japan
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- resistor
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- scanning direction
- thermal head
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- 230000001681 protective effect Effects 0.000 abstract description 4
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- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 abstract description 2
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- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 238000007743 anodising Methods 0.000 description 2
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
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- MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N tantalum nitride Chemical compound [Ta]#N MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
- H01C17/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors
- H01C17/22—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for trimming
- H01C17/26—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for trimming by converting resistive material
- H01C17/262—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for trimming by converting resistive material by electrolytic treatment, e.g. anodic oxydation
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N97/00—Electric solid-state thin-film or thick-film devices, not otherwise provided for
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Electronic Switches (AREA)
- Non-Adjustable Resistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(発明の技術分野)
本発明は感熱記録に用いられるライン型サーマルヘッド
の改良に関するものである。
の改良に関するものである。
(発明の背景)
ライン型サーマルヘッドは基本的には主走査方向に一列
に並んだ多数の発熱抵抗体ドツトとそのドツトを通電発
熱させるための一対の電極膜とからなるが、従来のサー
マルヘッドでは抵抗体ドツトの膜厚は、中心部分でも周
辺部分でも一定であった。以下、従来のサーマルヘッド
を第6図(a)、第6図tb)に基づいて説明する。
に並んだ多数の発熱抵抗体ドツトとそのドツトを通電発
熱させるための一対の電極膜とからなるが、従来のサー
マルヘッドでは抵抗体ドツトの膜厚は、中心部分でも周
辺部分でも一定であった。以下、従来のサーマルヘッド
を第6図(a)、第6図tb)に基づいて説明する。
第6図(alにおいて、1は基板、2は断熱層、3は抵
抗膜である。4a、4bは一対の電極膜、5は保護膜で
ある。そして、抵抗膜3の、前記一対の電極膜4a−4
b間に位置する部分3aが抵抗体ドツトとなり、その抵
抗体ドツト3aは第6図(b)に示す如く、矩形に形成
されている。尚、第6図(a)に図示された保護膜5は
第6図(blにおいては省略しである。
抗膜である。4a、4bは一対の電極膜、5は保護膜で
ある。そして、抵抗膜3の、前記一対の電極膜4a−4
b間に位置する部分3aが抵抗体ドツトとなり、その抵
抗体ドツト3aは第6図(b)に示す如く、矩形に形成
されている。尚、第6図(a)に図示された保護膜5は
第6図(blにおいては省略しである。
以上のように構成されているために、一対の電極膜4a
、4bを通して抵抗膜3に通電すると、前記抵抗体トン
)3aにジュール熱が発生し、該ジュール熱が感熱記録
紙(図示せず)に伝えられ、記録される。そして、一般
に一定電圧で記録することが多く、抵抗体ドラ)3aの
抵抗値をRとし、印加する一定電圧を■とすると、抵抗
体トノ)3aに発生する発熱量Qは下式の通りになる。
、4bを通して抵抗膜3に通電すると、前記抵抗体トン
)3aにジュール熱が発生し、該ジュール熱が感熱記録
紙(図示せず)に伝えられ、記録される。そして、一般
に一定電圧で記録することが多く、抵抗体ドラ)3aの
抵抗値をRとし、印加する一定電圧を■とすると、抵抗
体トノ)3aに発生する発熱量Qは下式の通りになる。
Q=−W−t= (V” /R) ・tここで、Wは
印加電力、tは時間である。従って一定電圧駆動の時、
単位時間を当たりの発熱量=(Q/ t ”)は抵抗体
ドソ1−3aの抵抗値Rに反比例する。そして一般には
単位時間を当たりの発熱量: (Q/l)は抵抗体ド
ツト3aの温度Tに比例するので、温度Tは抵抗値Rに
反比例することになる。
印加電力、tは時間である。従って一定電圧駆動の時、
単位時間を当たりの発熱量=(Q/ t ”)は抵抗体
ドソ1−3aの抵抗値Rに反比例する。そして一般には
単位時間を当たりの発熱量: (Q/l)は抵抗体ド
ツト3aの温度Tに比例するので、温度Tは抵抗値Rに
反比例することになる。
従来のサーマルヘッドは抵抗体ドツト3aの膜厚、膜質
が均一であり、従ってその面内において一様な抵抗値R
をもっていると考えられる。そのために電流を流した時
、抵抗体ドツト3aの表面の温度分布は一様になると期
待される。しかし、実際には周囲へ熱が逃げるため、一
様にならない。本発明者等の実験によれば、第7図に示
す如く抵抗体ド・y)3aの中央部分3a+には高温域
を、その周辺(例えば部分3a2)には低温域をもつ温
度分布が形成される。第8図は第7図の、主走査方向に
沿う軸X−X断面における温度分布を示すグラフである
。
が均一であり、従ってその面内において一様な抵抗値R
をもっていると考えられる。そのために電流を流した時
、抵抗体ドツト3aの表面の温度分布は一様になると期
待される。しかし、実際には周囲へ熱が逃げるため、一
様にならない。本発明者等の実験によれば、第7図に示
す如く抵抗体ド・y)3aの中央部分3a+には高温域
を、その周辺(例えば部分3a2)には低温域をもつ温
度分布が形成される。第8図は第7図の、主走査方向に
沿う軸X−X断面における温度分布を示すグラフである
。
このような状態で感熱記録を行うと、抵抗体ドツトの記
録温度Tと光学的印字濃度りとの間には、ソト3aの温
度分布(第8図に図示)がその印字濃度の飽和域以下の
場合には、1つの記録ドツト内に、濃度差があられれる
。更に記録温度Tが低い場合には、印字されなくなるた
めに、記録ドツトの形状も変わってくる。そのため、隣
の画素と連続しなくなり、画質が粗くなるという問題が
発生する。特にこの問題は、主走査方向に於いて重大で
ある。何故ならば、この場合画素を連続させるには、抵
抗体ドツトと別の抵抗体ドツトとの間を狭くすれば良い
が、狭くすることは電気絶縁性の問題及び加工上の問題
で限界があり、余り狭くできない。そこで1つのドツト
に流す電流を多くシて、全体に温度を上げてしまう解決
法も考えられるが、そうすると中心部分のみが異常に温
度が高くなって、その部分(ヒートスボ・ノド)が早く
劣化してしまうことになる。それに対して、副走査方向
での濃度ムラや画素形状の変化の問題は、記録紙の1行
分の移動距離を短くすることで、簡単に解決できるので
ある。
録温度Tと光学的印字濃度りとの間には、ソト3aの温
度分布(第8図に図示)がその印字濃度の飽和域以下の
場合には、1つの記録ドツト内に、濃度差があられれる
。更に記録温度Tが低い場合には、印字されなくなるた
めに、記録ドツトの形状も変わってくる。そのため、隣
の画素と連続しなくなり、画質が粗くなるという問題が
発生する。特にこの問題は、主走査方向に於いて重大で
ある。何故ならば、この場合画素を連続させるには、抵
抗体ドツトと別の抵抗体ドツトとの間を狭くすれば良い
が、狭くすることは電気絶縁性の問題及び加工上の問題
で限界があり、余り狭くできない。そこで1つのドツト
に流す電流を多くシて、全体に温度を上げてしまう解決
法も考えられるが、そうすると中心部分のみが異常に温
度が高くなって、その部分(ヒートスボ・ノド)が早く
劣化してしまうことになる。それに対して、副走査方向
での濃度ムラや画素形状の変化の問題は、記録紙の1行
分の移動距離を短くすることで、簡単に解決できるので
ある。
(発明の目的)
本発明は、これらの点を考慮し、副走査方向に電流を流
す抵抗体ドツトの主走査方向の発熱温度分布が一様なラ
イン型サーマルヘッドを得ることを目的とする。
す抵抗体ドツトの主走査方向の発熱温度分布が一様なラ
イン型サーマルヘッドを得ることを目的とする。
(発明の概要)
本発明者らは、まず上記目的を達成するためには、単位
時間を当たりの発熱量: (Q/l)を一定ではなく
、抵抗体ドツトの主走査方向の断面における発熱量分布
を、前記抵抗体ドツトの中央部分の発熱量がその周辺部
分の発熱量よりも小さくなるように、形成すれば良いこ
とを着想した。そして、抵抗体ドツトの幅が一定、性質
が一様とすれば、抵抗体ドツトの抵抗値Rとその膜厚d
との間には反比例関係がある。一方、抵抗値Rは前述の
如く発生する単位時間を当たりの発熱量:(Q/1)に
反比例関係するので、単位時間を当たりの発熱量:
(Q/l)は膜厚dに比例することになる。そこで抵抗
体ドツトの主走査方向の断面における膜厚分布を、前記
抵抗体ドツトの中央部分がその周辺部分よりも薄くなる
ように形成すれば、抵抗体ドツトの主走査方向の温度分
布が一様になることを見出し、本発明を成すに至った。
時間を当たりの発熱量: (Q/l)を一定ではなく
、抵抗体ドツトの主走査方向の断面における発熱量分布
を、前記抵抗体ドツトの中央部分の発熱量がその周辺部
分の発熱量よりも小さくなるように、形成すれば良いこ
とを着想した。そして、抵抗体ドツトの幅が一定、性質
が一様とすれば、抵抗体ドツトの抵抗値Rとその膜厚d
との間には反比例関係がある。一方、抵抗値Rは前述の
如く発生する単位時間を当たりの発熱量:(Q/1)に
反比例関係するので、単位時間を当たりの発熱量:
(Q/l)は膜厚dに比例することになる。そこで抵抗
体ドツトの主走査方向の断面における膜厚分布を、前記
抵抗体ドツトの中央部分がその周辺部分よりも薄くなる
ように形成すれば、抵抗体ドツトの主走査方向の温度分
布が一様になることを見出し、本発明を成すに至った。
従って本発明は、抵抗体ドツトと;該抵抗体ドツトに通
電発熱するための、副走査方向に形成された一対の電極
膜とから成るライン型サーマルヘッドに於いて、 前記抵抗体ドツトの主走査方向の断面における膜厚分布
を、前記抵抗体ドツトの中央部分が薄く、その周辺部分
が厚くなるようにしたことを、特徴とするライン型サー
マルヘッドを提供する。
電発熱するための、副走査方向に形成された一対の電極
膜とから成るライン型サーマルヘッドに於いて、 前記抵抗体ドツトの主走査方向の断面における膜厚分布
を、前記抵抗体ドツトの中央部分が薄く、その周辺部分
が厚くなるようにしたことを、特徴とするライン型サー
マルヘッドを提供する。
以下、本発明を図面を引用しながら実施例に基づいて詳
細に説明する。
細に説明する。
第1図(alないし第1図(flは、本発明の実施例の
サーマルヘッドの製造工程を工程順に示す部分平面図で
ある。
サーマルヘッドの製造工程を工程順に示す部分平面図で
ある。
(実施例)
まず、基板1上に蓄熱層2を形成し、さらに蓄熱層2上
にTaJ (窒化タンタル)からなる抵抗膜3を帯状に
形成し、そして抵抗膜3上に、一対の電極膜4a、 4
bを帯状に形成させる。抵抗膜3の、前記一対の電極膜
4a −4b間に位置する部分3aが抵抗体ドツトとな
る。この結果を第1図+a+に示す。
にTaJ (窒化タンタル)からなる抵抗膜3を帯状に
形成し、そして抵抗膜3上に、一対の電極膜4a、 4
bを帯状に形成させる。抵抗膜3の、前記一対の電極膜
4a −4b間に位置する部分3aが抵抗体ドツトとな
る。この結果を第1図+a+に示す。
第1図(al中の、副走査方向に沿う軸X、−に1を通
る面での断面図を第2図+a)に、主走査方向に沿う軸
Y+ Ytを通る面での断面図を第3図(a)にそれ
ぞれ示す。尚、第1図ta+に示された一対の電極膜4
a。
る面での断面図を第2図+a)に、主走査方向に沿う軸
Y+ Ytを通る面での断面図を第3図(a)にそれ
ぞれ示す。尚、第1図ta+に示された一対の電極膜4
a。
4bは、軸Y+ Ytを通る面での位置には形成され
ていないために、第3図(alにおいて、前記一対の電
極膜4a、 4bは図示されていない。
ていないために、第3図(alにおいて、前記一対の電
極膜4a、 4bは図示されていない。
次に、電極膜4aの少なくとも一部から電極膜4bの少
な(とも一部にかけて、抵抗体ドツト3aの表面にレジ
スト膜6を形成した後、抵抗体ドソ)3aの中央部分3
a+を露出させる。この結果を第1図fblに示す。第
1図fbl中の、副走査方向に沿う軸x2X2を通る面
での断面図を第2図(blに、主走査方向に沿う軸Yz
Ytを通る面での断面図を第3図fb)にそれぞれ
示す。
な(とも一部にかけて、抵抗体ドツト3aの表面にレジ
スト膜6を形成した後、抵抗体ドソ)3aの中央部分3
a+を露出させる。この結果を第1図fblに示す。第
1図fbl中の、副走査方向に沿う軸x2X2を通る面
での断面図を第2図(blに、主走査方向に沿う軸Yz
Ytを通る面での断面図を第3図fb)にそれぞれ
示す。
次に、抵抗体ドツト3の中央部分3aIに電解質を含む
ペースト7をおく。この結果を第1図(C)にを通る面
での断面図を第2図(C)に、主走査方向に沿う軸Y+
Ytを通る面での断面図を第3図(C1にそれぞれ
示す。
ペースト7をおく。この結果を第1図(C)にを通る面
での断面図を第2図(C)に、主走査方向に沿う軸Y+
Ytを通る面での断面図を第3図(C1にそれぞれ
示す。
そして、コードAの一端を陽極として電極膜4a(ある
いは4bでもよい)に接点Xで接続させ、他方、コード
Bの一端を陰極としてペースト7に接点Yで接続させる
。この結果を第1図(diに示す。
いは4bでもよい)に接点Xで接続させ、他方、コード
Bの一端を陰極としてペースト7に接点Yで接続させる
。この結果を第1図(diに示す。
第1図(d)中の、副走査方向に沿う軸×4−χ4を通
る面での断面図を第2図(diに、主走査方向に沿う軸
Y4−Y4を通る面での断面図を第311(diにそれ
ぞれ示す。その上で、スイッチSをONにして電源Eに
より、両極に電圧を加えると、第3図[d)に示す如く
ペースト7と接触する中央部分3a、の表面が、前記印
加電圧に比例した量だけ酸化される。この時、酸化され
た部分8は絶縁層(酸化タンタル)として形成され、抵
抗体ドツト3aはそれだけ薄(なる。次にコードAを接
点Xから、コードBを接点Yからはずす。さらに、ペー
スト7を除去し、次にレジスト膜6を溶かすための有機
溶剤により、レジスト膜6を溶解させる。
る面での断面図を第2図(diに、主走査方向に沿う軸
Y4−Y4を通る面での断面図を第311(diにそれ
ぞれ示す。その上で、スイッチSをONにして電源Eに
より、両極に電圧を加えると、第3図[d)に示す如く
ペースト7と接触する中央部分3a、の表面が、前記印
加電圧に比例した量だけ酸化される。この時、酸化され
た部分8は絶縁層(酸化タンタル)として形成され、抵
抗体ドツト3aはそれだけ薄(なる。次にコードAを接
点Xから、コードBを接点Yからはずす。さらに、ペー
スト7を除去し、次にレジスト膜6を溶かすための有機
溶剤により、レジスト膜6を溶解させる。
これにより、主走査方向の膜厚分布が中央部分3a、は
薄く、その周辺部分3a、は厚く形成された抵抗体ドツ
トが得られる。この結果を第1図(e)に示す。第1図
tet中の、副走査方向に沿う軸Xs Xsを通る面
での断面図を第2図(elに、主走査方向に沿う軸y、
−y、を通る面での断面図を第3図+elにそれぞれ示
す。
薄く、その周辺部分3a、は厚く形成された抵抗体ドツ
トが得られる。この結果を第1図(e)に示す。第1図
tet中の、副走査方向に沿う軸Xs Xsを通る面
での断面図を第2図(elに、主走査方向に沿う軸y、
−y、を通る面での断面図を第3図+elにそれぞれ示
す。
最後に、一方の電極膜4aの少なくとも一部から他方の
電極膜4bの少なくとも一部にかけて、抵抗体ドツト3
aの上に保護膜5を形成する。こうして、本実施例のサ
ーマルヘッドが完成する。この結果を第1図(flに示
す。第1図+fl中の、副走査方向に沿う軸X6−X6
を通る面での断面図を第2図(flに、主走査方向に沿
う軸Yb Ybを通る面での断面図を第3図[flに
それぞれ示す。
電極膜4bの少なくとも一部にかけて、抵抗体ドツト3
aの上に保護膜5を形成する。こうして、本実施例のサ
ーマルヘッドが完成する。この結果を第1図(flに示
す。第1図+fl中の、副走査方向に沿う軸X6−X6
を通る面での断面図を第2図(flに、主走査方向に沿
う軸Yb Ybを通る面での断面図を第3図[flに
それぞれ示す。
尚、別の実施例では陽極酸化ではなく、エツチングガス
例えばCF4 と0□の混合ガスを用いて抵抗体トノ)
3aの中央部分3a+の表面をドライエツチングし、そ
れにより該部分3a、の膜厚を減少させてもよい。この
方法では絶縁層8は形成されずに、中央部分3aIが薄
くなる。
例えばCF4 と0□の混合ガスを用いて抵抗体トノ)
3aの中央部分3a+の表面をドライエツチングし、そ
れにより該部分3a、の膜厚を減少させてもよい。この
方法では絶縁層8は形成されずに、中央部分3aIが薄
くなる。
先の実施例では、発熱部の膜厚分布は一段階の変化のみ
であったが、第4図に示す如く陽極酸化の際のマスクを
3回用いて段階的に酸化すれば、抵抗体ドツトの温度分
布も更に改善される。
であったが、第4図に示す如く陽極酸化の際のマスクを
3回用いて段階的に酸化すれば、抵抗体ドツトの温度分
布も更に改善される。
(発明の効果)
以上のように本発明によれば、副走査方向に電流を流す
ライン型サーマルヘッドの抵抗体ドツトにおいて、その
抵抗体ドツトの主走査方向の膜厚分布が周辺部分よりも
その中央部分の方が薄く形成されているために、第5図
に示す如く抵抗体ドツトの主走査方向の温度分布が一様
になる。
ライン型サーマルヘッドの抵抗体ドツトにおいて、その
抵抗体ドツトの主走査方向の膜厚分布が周辺部分よりも
その中央部分の方が薄く形成されているために、第5図
に示す如く抵抗体ドツトの主走査方向の温度分布が一様
になる。
従って本発明によるサーマルヘッドを用いて、感熱記録
を行えば、1ドツト内での主走査方向に沿う温度分布が
一様であるため、記録ドツトもその形状が一定で、しか
もその濃度に差がなく面内で一様になり、特に印加電力
を制御して濃度を変化させる中間調表示並びに天然色記
録においては、記録濃度の制御が精度良くできる利点が
ある。
を行えば、1ドツト内での主走査方向に沿う温度分布が
一様であるため、記録ドツトもその形状が一定で、しか
もその濃度に差がなく面内で一様になり、特に印加電力
を制御して濃度を変化させる中間調表示並びに天然色記
録においては、記録濃度の制御が精度良くできる利点が
ある。
第1図(alないし第1図(f)は本発明の実施例のサ
ーマルヘッドの製造工程を工程順に示す部分平面図であ
る。 第2図(alないし第2図(flのそれぞれは、第1図
(a)ナイシ第1図ffl中の、それぞれ軸L L、
Xz−×2、X3X3、Xs Xs、Xs Xs、
Xb X6を通る面での断面図である。 第3図(alないし第3図(f)のそれぞれは、第1図
(alないし第1図([1中の、それぞれ軸Y+ Y
+、Y2−Y2、Y3 Y3、Ya−Y4.Ys
Ys、Yb Ybを通る面での断面図である。 第4図は、陽極酸化の際のマスクを3回用いて段階的に
酸化した抵抗体ドツトの、主走査方向の断面図である。 第5図は本発明の実施例のサーマルヘッドの抵抗体ドツ
トにおける主走査方向の温度分布の状態を示すグラフで
ある。 第6図(alは従来のサーマルヘッドの断面図、第6図
(blは従来のサーマルヘッドの平面図である。 における温度分布の状態を示す平面図である。 第8図は第7図の、主走査方向に沿うX−X断面におけ
る温度分布の状態を示すグラフである。 第9図は抵抗体ドツトの記録温度Tと記録濃度りとの関
係を示すグラフである。 〔主要部分の符号の説明〕
ーマルヘッドの製造工程を工程順に示す部分平面図であ
る。 第2図(alないし第2図(flのそれぞれは、第1図
(a)ナイシ第1図ffl中の、それぞれ軸L L、
Xz−×2、X3X3、Xs Xs、Xs Xs、
Xb X6を通る面での断面図である。 第3図(alないし第3図(f)のそれぞれは、第1図
(alないし第1図([1中の、それぞれ軸Y+ Y
+、Y2−Y2、Y3 Y3、Ya−Y4.Ys
Ys、Yb Ybを通る面での断面図である。 第4図は、陽極酸化の際のマスクを3回用いて段階的に
酸化した抵抗体ドツトの、主走査方向の断面図である。 第5図は本発明の実施例のサーマルヘッドの抵抗体ドツ
トにおける主走査方向の温度分布の状態を示すグラフで
ある。 第6図(alは従来のサーマルヘッドの断面図、第6図
(blは従来のサーマルヘッドの平面図である。 における温度分布の状態を示す平面図である。 第8図は第7図の、主走査方向に沿うX−X断面におけ
る温度分布の状態を示すグラフである。 第9図は抵抗体ドツトの記録温度Tと記録濃度りとの関
係を示すグラフである。 〔主要部分の符号の説明〕
Claims (1)
- 抵抗体ドットと;該抵抗体ドットに通電発熱するための
、副走査方向に形成された一対の電極膜とから成るライ
ン型サーマルヘッドに於いて、前記抵抗体ドットの主走
査方向の断面における膜厚分布を、前記抵抗体ドットの
中央部分が薄く、その周辺部分が厚くなるようにしたこ
とを、特徴とするライン型サーマルヘッド。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59173877A JPS6151359A (ja) | 1984-08-21 | 1984-08-21 | サ−マルヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59173877A JPS6151359A (ja) | 1984-08-21 | 1984-08-21 | サ−マルヘツド |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6151359A true JPS6151359A (ja) | 1986-03-13 |
Family
ID=15968779
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP59173877A Pending JPS6151359A (ja) | 1984-08-21 | 1984-08-21 | サ−マルヘツド |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6151359A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01110929U (ja) * | 1988-01-20 | 1989-07-26 | ||
JPH02121246U (ja) * | 1989-03-13 | 1990-10-02 |
-
1984
- 1984-08-21 JP JP59173877A patent/JPS6151359A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01110929U (ja) * | 1988-01-20 | 1989-07-26 | ||
JPH02121246U (ja) * | 1989-03-13 | 1990-10-02 |
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