JPS6151356B2 - - Google Patents
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- JPS6151356B2 JPS6151356B2 JP56096688A JP9668881A JPS6151356B2 JP S6151356 B2 JPS6151356 B2 JP S6151356B2 JP 56096688 A JP56096688 A JP 56096688A JP 9668881 A JP9668881 A JP 9668881A JP S6151356 B2 JPS6151356 B2 JP S6151356B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic
- bubble memory
- pattern
- bonding pad
- memory element
- Prior art date
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- Expired
Links
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F41/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties
- H01F41/32—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for applying conductive, insulating or magnetic material on a magnetic film, specially adapted for a thin magnetic film
- H01F41/34—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for applying conductive, insulating or magnetic material on a magnetic film, specially adapted for a thin magnetic film in patterns, e.g. by lithography
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は磁気バブルメモリ素子に関し、詳しく
は、ボンデイングパツトと導電体パターンが軟磁
性体膜を介して接続されてある磁気バブルメモリ
素子に関する。
は、ボンデイングパツトと導電体パターンが軟磁
性体膜を介して接続されてある磁気バブルメモリ
素子に関する。
周知のように、従来の磁気バブルメモリ素子
は、非磁性基板上に、磁気バブルを保持し得る磁
性膜、絶縁体からなるスペーサ、導電体パター
ン、絶縁膜、軟磁性体パターンおよび保護膜が順
次積層被着された構造を有している。
は、非磁性基板上に、磁気バブルを保持し得る磁
性膜、絶縁体からなるスペーサ、導電体パター
ン、絶縁膜、軟磁性体パターンおよび保護膜が順
次積層被着された構造を有している。
磁気バブルの発生や消去などは、上記導電体パ
ターンに、所定の電流を流すことによつて行なわ
れるが、従来の磁気バブルメモリ素子において
は、上記導電体パターンと外部電源などとの接続
は、上記絶縁膜上に被着されたアルミニウムのボ
ンデイングパツトを、保護膜などを貫通して、導
電体パターンに達するよう形成されたスルーホー
ンを介して接続することによつて行なわれてい
た。
ターンに、所定の電流を流すことによつて行なわ
れるが、従来の磁気バブルメモリ素子において
は、上記導電体パターンと外部電源などとの接続
は、上記絶縁膜上に被着されたアルミニウムのボ
ンデイングパツトを、保護膜などを貫通して、導
電体パターンに達するよう形成されたスルーホー
ンを介して接続することによつて行なわれてい
た。
上記導電体パターンとしては、耐食性や耐電流
性の理由で、一般に金が用いられるが、金とアル
ミニウムは、比較的低温度において反応するた
め、磁気バブルメモリ素子を形成する際に行なわ
れる熱処理によつてスルーホール部における抵抗
が大きくなつてしまう。
性の理由で、一般に金が用いられるが、金とアル
ミニウムは、比較的低温度において反応するた
め、磁気バブルメモリ素子を形成する際に行なわ
れる熱処理によつてスルーホール部における抵抗
が大きくなつてしまう。
本発明は、上記従来の問題を解決するために行
なわれたもので、ボンデイングパツトと導電体パ
ターンの間に軟磁性体膜を介在させることによつ
て、アルミニウムと金の反応を防止し、スルーホ
ーン部の抵抗を低く保つものである。
なわれたもので、ボンデイングパツトと導電体パ
ターンの間に軟磁性体膜を介在させることによつ
て、アルミニウムと金の反応を防止し、スルーホ
ーン部の抵抗を低く保つものである。
本発明の要旨は、第１の材料で形成された導電
体パターンと、第２の材料で形成されたボンデイ
ングパツトを有し、前記第１の材料と前記第２の
材料はその材質が異なる磁気バブルメモリ素子に
おいて、 前記導電体パターンと前記ボンデイングパツト
とは軟磁性体膜を介して接続されていることを特
徴とする磁気バブルメモリ素子にある。
体パターンと、第２の材料で形成されたボンデイ
ングパツトを有し、前記第１の材料と前記第２の
材料はその材質が異なる磁気バブルメモリ素子に
おいて、 前記導電体パターンと前記ボンデイングパツト
とは軟磁性体膜を介して接続されていることを特
徴とする磁気バブルメモリ素子にある。
以下、実施例を用いて本発明を詳細に説明す
る。
る。
第１図および第２図は、それぞれ本発明の一実
施例の断面および平面構造を示す図である。
施例の断面および平面構造を示す図である。
すなわち、磁気バブルメモリ素子においては、
磁気バブルを保持し得る磁性膜１上にSiO2やＡ
2O3などからなるスペーサ２、金からなる導電
体パターン３が被着されている。従来の磁気バブ
ルメモリ素子の場合は、有機高分子樹脂やSiO2
などからなる絶縁膜がその上に全面に被着され、
パーマロイからなる軟磁性体パターンをその上に
被着されているのであるが、本発明においては、
絶縁膜５はスルーホーンを形成すべき部分の導電
体パターン３の上部およびその周辺の領域６には
被着されていない。
磁気バブルを保持し得る磁性膜１上にSiO2やＡ
2O3などからなるスペーサ２、金からなる導電
体パターン３が被着されている。従来の磁気バブ
ルメモリ素子の場合は、有機高分子樹脂やSiO2
などからなる絶縁膜がその上に全面に被着され、
パーマロイからなる軟磁性体パターンをその上に
被着されているのであるが、本発明においては、
絶縁膜５はスルーホーンを形成すべき部分の導電
体パターン３の上部およびその周辺の領域６には
被着されていない。
したがつて、軟磁性体パターンを形成する際
に、導電体パターン３上にも軟磁性体物質が推積
され、その結果、第１図に示したように、導電体
パターン３上に軟磁性体膜４が直接被着される。
に、導電体パターン３上にも軟磁性体物質が推積
され、その結果、第１図に示したように、導電体
パターン３上に軟磁性体膜４が直接被着される。
保護膜７をCVD（化学蒸着法）など周知の手
段によつて形成し、写真蝕刻法によつてスルーホ
ーン８を形成した後、周知の写真蒸着法や写真蝕
刻法を用いて、アルミニウムからなるボンデイン
グパツト９を形成すれば、第１図および第２図に
示した構造が形成される。
段によつて形成し、写真蝕刻法によつてスルーホ
ーン８を形成した後、周知の写真蒸着法や写真蝕
刻法を用いて、アルミニウムからなるボンデイン
グパツト９を形成すれば、第１図および第２図に
示した構造が形成される。
第１図から明らかなように、本発明において
は、Auからなる導電体パターン３とＡからな
るボンデイングパツト９の間に軟磁性体（パーマ
ロイ）パターン４が介在し、導電体パターン３と
ボンデイングパツト９が直接接触しない。
は、Auからなる導電体パターン３とＡからな
るボンデイングパツト９の間に軟磁性体（パーマ
ロイ）パターン４が介在し、導電体パターン３と
ボンデイングパツト９が直接接触しない。
そのため、後の製造工程などにおいて、熱処理
が行なわれても、AuとＡの合金化による抵抗
増大の恐れはなく、信頼性の高い磁気バブルメモ
リ素子が得られる。
が行なわれても、AuとＡの合金化による抵抗
増大の恐れはなく、信頼性の高い磁気バブルメモ
リ素子が得られる。
しかも、導電体パターン３上への軟磁性体膜４
の被着は、軟磁性体パターン（パーマロイパター
ン）と同時に形成されるので、特別な工程を付加
する必要はなく、従来と同様に、極めて容易に形
成することができる。
の被着は、軟磁性体パターン（パーマロイパター
ン）と同時に形成されるので、特別な工程を付加
する必要はなく、従来と同様に、極めて容易に形
成することができる。
第１図および第２図は、それぞれ本発明の一実
施例の断面および平面構造を示す図である。 １……バブルを保持する磁性膜、２……スペー
サー、３……導電体パターン、４……軟磁性体パ
ターン、５……絶縁膜、７……保護膜、９……ボ
ンデイングパツト。
施例の断面および平面構造を示す図である。 １……バブルを保持する磁性膜、２……スペー
サー、３……導電体パターン、４……軟磁性体パ
ターン、５……絶縁膜、７……保護膜、９……ボ
ンデイングパツト。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 第１の材料で形成された導電体パターンと、
第２の材料で形成されたボンデイングパツトを有
し、前記第１の材料と前記第２の材料はその材質
が異なる磁気バブルメモリ素子において、 前記導電体パターンと前記ボンデイングパツト
とは軟磁性体膜を介して接続されていることを特
徴とする磁気バブルメモリ素子。 ２ 前記第１の材料は金であり、前記第２の材料
はアルミニウムであることを特徴とする特許請求
の範囲第１項記載の磁気バブルメモリ素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9668881A JPS5740792A (en) | 1981-06-24 | 1981-06-24 | Magnetic bubble memory element |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9668881A JPS5740792A (en) | 1981-06-24 | 1981-06-24 | Magnetic bubble memory element |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5740792A JPS5740792A (en) | 1982-03-06 |
| JPS6151356B2 true JPS6151356B2 (ja) | 1986-11-08 |
Family
ID=14171725
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9668881A Granted JPS5740792A (en) | 1981-06-24 | 1981-06-24 | Magnetic bubble memory element |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5740792A (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51114833A (en) * | 1975-04-02 | 1976-10-08 | Hitachi Ltd | Bubble memory device |
| JPS5227225A (en) * | 1975-08-26 | 1977-03-01 | Fujitsu Ltd | Magnetic bubble device |
| JPS5436595A (en) * | 1977-08-26 | 1979-03-17 | Agency Of Ind Science & Technol | Preparation of bubble memory chip |
-
1981
- 1981-06-24 JP JP9668881A patent/JPS5740792A/ja active Granted
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51114833A (en) * | 1975-04-02 | 1976-10-08 | Hitachi Ltd | Bubble memory device |
| JPS5227225A (en) * | 1975-08-26 | 1977-03-01 | Fujitsu Ltd | Magnetic bubble device |
| JPS5436595A (en) * | 1977-08-26 | 1979-03-17 | Agency Of Ind Science & Technol | Preparation of bubble memory chip |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5740792A (en) | 1982-03-06 |
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