JPS6150335A - エツチング方法 - Google Patents
エツチング方法Info
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- JPS6150335A JPS6150335A JP17153684A JP17153684A JPS6150335A JP S6150335 A JPS6150335 A JP S6150335A JP 17153684 A JP17153684 A JP 17153684A JP 17153684 A JP17153684 A JP 17153684A JP S6150335 A JPS6150335 A JP S6150335A
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- beam etching
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- discharge chamber
- etching process
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- Pending
Links
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3105—After-treatment
- H01L21/311—Etching the insulating layers by chemical or physical means
- H01L21/31105—Etching inorganic layers
- H01L21/31111—Etching inorganic layers by chemical means
- H01L21/31116—Etching inorganic layers by chemical means by dry-etching
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、反応性イオン・ビーム・エツチング（ｒｅａ
ｃｔｉｖｅ ｉｏｎ ｂｅａｍ ｅｔｃｈｉｎｇ
：ＲＩＢ）装置を用いて安定なエツチングを行うのに好
適な方法に関する。
ｃｔｉｖｅ ｉｏｎ ｂｅａｍ ｅｔｃｈｉｎｇ
：ＲＩＢ）装置を用いて安定なエツチングを行うのに好
適な方法に関する。
近年、半導体装置を製造する際、イオン・ビームを用い
て加工する技術が脚光を浴びている。
て加工する技術が脚光を浴びている。
一般に、イオン・ビーム・エツチング法は、例えば、ア
ルゴン（Ａｒ）イオンを加速且つ集束して得られるビー
ムで金属或いは絶縁物など被加工物の表面をスパッタリ
ングするエツチング方法である。
ルゴン（Ａｒ）イオンを加速且つ集束して得られるビー
ムで金属或いは絶縁物など被加工物の表面をスパッタリ
ングするエツチング方法である。
前記の場合に用いるイオン・ビーム・エツチング装置と
同しものに反応性ガスを導入してエツチングを行うのが
反応性イオン・ビーム・エツチングであり、選択性があ
る超微細加工が直接可能となるエツチング方法として期
待されている。
同しものに反応性ガスを導入してエツチングを行うのが
反応性イオン・ビーム・エツチングであり、選択性があ
る超微細加工が直接可能となるエツチング方法として期
待されている。
前記反応性イオン・ビーム・エツチング装置では、タン
グステン・フィラメントで発生するグロー放電でイオン
を発生させ、それを加速及び集束することに依りイオン
・ビームとして用いるようにしている。
グステン・フィラメントで発生するグロー放電でイオン
を発生させ、それを加速及び集束することに依りイオン
・ビームとして用いるようにしている。
前記従来の反応性イオン・ビーム・エツチング方法では
、装置内に反応性ガスとしで、例えば、Ａｒ十〇Ｆ４混
合ガスを導入してエツチングを行っているが、その場合
、前記フィラメント及び放電室内には反応で生成された
カーボンを含むボリマ等が付着し、特にフィラメントに
対する堆積物は電子の放射を不安定なものにしている。
、装置内に反応性ガスとしで、例えば、Ａｒ十〇Ｆ４混
合ガスを導入してエツチングを行っているが、その場合
、前記フィラメント及び放電室内には反応で生成された
カーボンを含むボリマ等が付着し、特にフィラメントに
対する堆積物は電子の放射を不安定なものにしている。
そのようになると、当然、グロー放電も影響を受け、そ
の結果、イオン電流も不安定なものとなる。
の結果、イオン電流も不安定なものとなる。
第２図はグロー電流（フィラメント電流）、イオン電流
１ｃ、ステージ・イオン電流ＩＢの時間に対する変化を
表す線図である。
１ｃ、ステージ・イオン電流ＩＢの時間に対する変化を
表す線図である。
図に於いて、左縦軸にはグロー電流を、右縦軸にはイオ
ン電流Ｉ、とステージ・イオン電流＋ａを、横軸には時
間をそれぞれ採ってあり、Ｏ印はグロー電流を、Δ印は
イオン電流１．を、ｘ印はステージ・イオン電流１をそ
れぞれ示すものである。尚、このデータを得た際に於け
るアルゴンの圧力は５ＸＩＯ−５（Ｔｏｒｒ） 、ＣＦ
４の圧力は１．４Ｘ１０−’（Ｔｏｒｒ）であった。
ン電流Ｉ、とステージ・イオン電流＋ａを、横軸には時
間をそれぞれ採ってあり、Ｏ印はグロー電流を、Δ印は
イオン電流１．を、ｘ印はステージ・イオン電流１をそ
れぞれ示すものである。尚、このデータを得た際に於け
るアルゴンの圧力は５ＸＩＯ−５（Ｔｏｒｒ） 、ＣＦ
４の圧力は１．４Ｘ１０−’（Ｔｏｒｒ）であった。
図から判るように、各電流は、ごく短時間で急激に変化
し、そして、極めて低い値になってしまう。しかも、こ
のような変化は、エツチングを行う度にバラツキを生じ
、一様ではないことが実験に依り確認されている。
し、そして、極めて低い値になってしまう。しかも、こ
のような変化は、エツチングを行う度にバラツキを生じ
、一様ではないことが実験に依り確認されている。
この対策としては、放電室を大型のものとし、堆積物が
付着しないような場所にフィラメントを配置したり、放
電室を分解してポリマ等を拭き取るなどの作業が必要で
ある。
付着しないような場所にフィラメントを配置したり、放
電室を分解してポリマ等を拭き取るなどの作業が必要で
ある。
本発明は、フィラメントを有する放電室に反応性ガスを
導入してイオン・ビーム・エツチングを行う際、極めて
簡単な手法で放電室内を清浄化できるようにして、安定
な反応性イオン・ビーム・エツチングを実施することを
可能にする。
導入してイオン・ビーム・エツチングを行う際、極めて
簡単な手法で放電室内を清浄化できるようにして、安定
な反応性イオン・ビーム・エツチングを実施することを
可能にする。
本発明のエツチング方法では、フィラメントを内蔵しグ
ロー放電を発生して反応性イオン・ビーム・エツチング
を行う放電室内にアルゴン及び酸素の混合ガスを導入し
てプラズマ放電を発生させフィラメント及び前記放電室
内を清浄化する工程が含まれている。
ロー放電を発生して反応性イオン・ビーム・エツチング
を行う放電室内にアルゴン及び酸素の混合ガスを導入し
てプラズマ放電を発生させフィラメント及び前記放電室
内を清浄化する工程が含まれている。
前記のような手段を採ると、反応性イオン・ビーム・エ
ツチングを実施したことに依るフィラメント及び放電室
に於けるポリマ等の堆積物は除去されてしまうので、こ
の処理をしてから本来の反応性イオン・ビーム・エツチ
ングを行うと、その期間中は安定で充分な量のイオン・
ビーム電流が得られ、良好なエツチングを行うことが可
能である。
ツチングを実施したことに依るフィラメント及び放電室
に於けるポリマ等の堆積物は除去されてしまうので、こ
の処理をしてから本来の反応性イオン・ビーム・エツチ
ングを行うと、その期間中は安定で充分な量のイオン・
ビーム電流が得られ、良好なエツチングを行うことが可
能である。
本発明では、反応性イオン・ビーム・エツチングを実施
する前或いは後に装置に於ける放電室内にアルコンと酸
素の混合ガスを４大してプラズマ放電を発生させる。
する前或いは後に装置に於ける放電室内にアルコンと酸
素の混合ガスを４大してプラズマ放電を発生させる。
すると、反応性イオン・ビーム・エツチングを実施した
際に生成されてフィラメント或いは放電室内に付着して
いるカーボンを含むポリマ等の堆積物は除去されてしま
う。
際に生成されてフィラメント或いは放電室内に付着して
いるカーボンを含むポリマ等の堆積物は除去されてしま
う。
このようにすると、反応性イオン・ビーム・エツチング
を行っている際にフィラメントが正常に動作する時間は
従来の数十倍にも達する。
を行っている際にフィラメントが正常に動作する時間は
従来の数十倍にも達する。
第１図は本発明を実施した場合に於けるグロー電流（フ
ィラメント電流）、イオン電流ＩＧ、ステージ・イオン
電流Ｉ８の時間に対する変化を表す線図であり、第２図
に関して説明した部分と同部分は同記号で指示しである
。
ィラメント電流）、イオン電流ＩＧ、ステージ・イオン
電流Ｉ８の時間に対する変化を表す線図であり、第２図
に関して説明した部分と同部分は同記号で指示しである
。
図に於いて、左縦軸にはグロー電流を、右縦軸にはイオ
ン電流Ｉ、とステージ・イオン電流Ｉ。
ン電流Ｉ、とステージ・イオン電流Ｉ。
を、横軸には時間をそれぞれ採ってあり、○印、Δ印、
×印それぞれの意味合いは第２図の場合と同じである。
×印それぞれの意味合いは第２図の場合と同じである。
このデータは、
アルゴン圧カニ５Ｘ１０−５（Ｔｏｒｒ）ＣＦ４圧カニ
１．４Ｘ１０−’ （Ｔｏｒｒ）として本来の反応性
イオン・ビーム・エツチングを行うに先立ち、 酸素圧カニ５Ｘ１０−’（Ｔｏｒｒ） アルゴン圧カニ １．２Ｘ１０−’ （Ｔｏｒｒ）とし
てプラズマ放電に依るフィラメント及び放電室内の清浄
化を行った実験を２回にわたって行うことに依り得られ
たものである。
１．４Ｘ１０−’ （Ｔｏｒｒ）として本来の反応性
イオン・ビーム・エツチングを行うに先立ち、 酸素圧カニ５Ｘ１０−’（Ｔｏｒｒ） アルゴン圧カニ １．２Ｘ１０−’ （Ｔｏｒｒ）とし
てプラズマ放電に依るフィラメント及び放電室内の清浄
化を行った実験を２回にわたって行うことに依り得られ
たものである。
図から判るように、各電流の急激な変化及びその値の低
下は見られず、従来技術に比較すると、１０（分〕間は
殆ど変化なしと見て良く、この時間は通常行われている
エツチングには充分すぎる筈である。
下は見られず、従来技術に比較すると、１０（分〕間は
殆ど変化なしと見て良く、この時間は通常行われている
エツチングには充分すぎる筈である。
本発明のエツチング方法では、フィラメントを内蔵しグ
ロー放電を発生して反応性イオン・ビーム・エツチング
を行う放電室内にアルゴン及び酸素の混合ガスを導入し
てプラズマ放電を発生させ前記フィラメント及び前記放
電室内を清浄化するようにしている。
ロー放電を発生して反応性イオン・ビーム・エツチング
を行う放電室内にアルゴン及び酸素の混合ガスを導入し
てプラズマ放電を発生させ前記フィラメント及び前記放
電室内を清浄化するようにしている。
このようにすることに依り、反応性イオン・ビーム・エ
ツチングを行ったことに依って前記フィラメント或いは
前記放電室内に付着するポリマ等の堆積物は完全に除去
され、特に、フィラメントは、本来の反応性イオン・ビ
ーム・エツチング期間中は充分な電子を安定に供給し得
る状態を維持することができるので、イオンを生成する
為のグロー放電は安定且つ充分であり、延いては、イオ
ン・ビーム・電流も安定且つ充分に供給されるのでエツ
チングは良好に行われる。
ツチングを行ったことに依って前記フィラメント或いは
前記放電室内に付着するポリマ等の堆積物は完全に除去
され、特に、フィラメントは、本来の反応性イオン・ビ
ーム・エツチング期間中は充分な電子を安定に供給し得
る状態を維持することができるので、イオンを生成する
為のグロー放電は安定且つ充分であり、延いては、イオ
ン・ビーム・電流も安定且つ充分に供給されるのでエツ
チングは良好に行われる。
第１図は本発明を実施した場合のグロー電流、イオン電
流、ステージ・イオン電流と時間との関係を示す線図、
第２図は従来技術に於けるグロー電流、イオン電流、ス
テージ・イオン電流と時間との関係を示す線図をそれぞ
れ表している。 図に於いて、■、はイオン電流、１．はステージ・イオ
ン電流をそれぞれ示している。
流、ステージ・イオン電流と時間との関係を示す線図、
第２図は従来技術に於けるグロー電流、イオン電流、ス
テージ・イオン電流と時間との関係を示す線図をそれぞ
れ表している。 図に於いて、■、はイオン電流、１．はステージ・イオ
ン電流をそれぞれ示している。
Claims (1)
- フィラメントを内蔵しグロー放電を発生して反応性イオ
ン・ビーム・エッチングを行う放電室内にアルゴン及び
酸素の混合ガスを導入してプラズマ放電を発生させフィ
ラメント及び前記放電室内を清浄化する工程が含まれて
なることを特徴とするエッチング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17153684A JPS6150335A (ja) | 1984-08-20 | 1984-08-20 | エツチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17153684A JPS6150335A (ja) | 1984-08-20 | 1984-08-20 | エツチング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6150335A true JPS6150335A (ja) | 1986-03-12 |
Family
ID=15924940
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17153684A Pending JPS6150335A (ja) | 1984-08-20 | 1984-08-20 | エツチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6150335A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000054899A1 (en) * | 1999-03-17 | 2000-09-21 | Veeco Instruments, Inc. | A method for a repetitive ion beam processing with a by carbon containing ion beam |
| FR2957454A1 (fr) * | 2010-03-09 | 2011-09-16 | Essilor Int | Procede de conditionnement d'un canon a ions |
-
1984
- 1984-08-20 JP JP17153684A patent/JPS6150335A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000054899A1 (en) * | 1999-03-17 | 2000-09-21 | Veeco Instruments, Inc. | A method for a repetitive ion beam processing with a by carbon containing ion beam |
| US6464891B1 (en) * | 1999-03-17 | 2002-10-15 | Veeco Instruments, Inc. | Method for repetitive ion beam processing with a carbon containing ion beam |
| JP2002539593A (ja) * | 1999-03-17 | 2002-11-19 | ビーコ・インストゥルーメンツ・インコーポレーション | 炭素含有イオンビームを使用した反復イオンビームプロセス方法 |
| FR2957454A1 (fr) * | 2010-03-09 | 2011-09-16 | Essilor Int | Procede de conditionnement d'un canon a ions |
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