FR2957454A1

FR2957454A1 - Procede de conditionnement d'un canon a ions

Info

Publication number: FR2957454A1
Application number: FR1051701A
Authority: FR
Inventors: Dominique Conte; Jean-Louis Sirjean
Original assignee: Essilor International Compagnie Generale dOptique SA
Current assignee: EssilorLuxottica SA
Priority date: 2010-03-09
Filing date: 2010-03-09
Publication date: 2011-09-16
Anticipated expiration: 2030-03-09
Also published as: FR2957454B1

Abstract

Le procédé de conditionnement du canon à ions comprend une étape pendant laquelle on fait fonctionner le canon à ions en régime stabilisé avec un cache-canon en position d'obturation de la sortie du canon à ions pendant une période de conditionnement d'au moins 45 secondes.

Description

L'invention concerne d'une manière générale un procédé de conditionnement d'un canon à ions, notamment d'un canon à ions disposé dans une enceinte de traitement, et plus particulièrement une enceinte pour le dépôt de revêtements par évaporation, notamment par évaporation sous vide.

Quelle que soit la nature minérale, organique ou composite, de leur matière constitutive, il est connu qu'il est souvent nécessaire d'appliquer aux lentilles ophtalmiques après fabrication un traitement de surface de nature à en renforcer certaines caractéristiques ou de nature à leur conférer des caractéristiques particulières.

Il peut s'agir d'un simple traitement de surface en vue du dépôt ultérieur d'un ou plusieurs revêtements ou du dépôt d'un revêtement fonctionnel, notamment un revêtement antireflet. Le traitement de surface peut être un bombardement d'une surface d'un substrat par un faisceau d'ions, par exemple pour effectuer un nettoyage de la surface (ion pre-cleaning ou IPC), en particulier avant le dépôt d'une ou plusieurs couches fonctionnelles, par exemple un empilement anti-reflet. Il peut également s'agir du dépôt d'un revêtement fonctionnel, notamment par évaporation sous vide avec assistance ionique. Cette assistance ionique a en général pour objet une densification des couches déposées.

La présente invention vise plus particulièrement le cas où le traitement concerne le dépôt d'un revêtement d'au moins une couche de matériau, et où, pour un tel dépôt, il est procédé par évaporation, et, plus précisément, par évaporation sous vide. Le plus souvent, le revêtement est un revêtement multicouches, c'est à dire un revêtement impliquant l'empilement de plusieurs couches les unes sur les autres. Les diverses couches ainsi mises en oeuvre peuvent être constituées de matériaux différents, de matériaux identiques déposés sous des épaisseurs différentes ou encore, de matériaux identiques déposés sous des épaisseurs identiques. Dans ce dernier cas, les couches sont déposées avec des paramètres d'évaporation différents, de sorte que leurs propriétés physico-chimiques sont différentes. Ainsi, par exemple, pour le dépôt d'un revêtement antireflet, il est couramment procédé au dépôt d'un empilement multicouche comprenant une alternance de couches de bas indice et de haut indice de réfraction et, généralement d'une couche hydrophobe et/ou oléophobe.

En général, un grand nombre de substrats sont traités en même temps, et l'enceinte de traitement mise en oeuvre pour ce faire comporte, intérieurement, d'une part, un support, qui, monté rotatif, présente, réparti autour de son axe de rotation, une pluralité d'emplacements propres à recevoir chacun un substrat à traiter, et qui, en pratique, est globalement en forme de calotte sphérique, et, d'autre part, une source émettrice, à partir de laquelle le matériau à déposer est évaporé. En pratique, cette source émettrice est constituée par un support sur lequel est disposé le matériau à évaporer, par exemple un creuset ou une platine et, pour son évaporation, le matériau est par exemple soumis à un échauffement par effet Joule ou à un bombardement électronique issu d'un canon à électrons. La description des figures 1 et 2 illustre de façon non limitative l'invention. On a schématiquement représenté à la figure 1, à titre d'exemple, une enceinte de traitement comportant un canon à ions, plus particulièrement une enceinte de dépôt par évaporation sous vide avec assistance ionique. L'enceinte de traitement 10 délimitée par des parois 11 renferme un porte-substrats 12, un canon à ions 16 comprenant une sortie apte à générer un faisceau d'ions 18 dirigé vers le porte-substrats 12, une source de matériau à déposer 13, un canon à électrons 14 apte à vaporiser le matériau de ladite source de matériau 13 pour générer un faisceau de matériau évaporé 15 dirigé vers le porte-substrats 12. Il est également possible de prévoir une source de matériau évaporable par effet Joule (non représentée). Le canon à ions 16 peut être entouré par une enveloppe latérale de protection 17. Un cache canon 19 est disposé au dessus du canon à ions (la distance entre le cache-canon et le filament (cathode) du canon varie typiquement de 4 à 8 cm, et est de préférence de l'ordre de 6 cm). Ce cache est réalisé en acier inoxydable, typiquement du 304 L(Z2 CN 18/10) ou du 316L(Z2 CND 17-12) et est mobile en rotation entre deux positions : a) position « fermé », il y a obturation du canon d'ions et du faisceau d'ions et b) position « ouvert », il y a dégagement de la sortie du canon à ions 16 ; le cache-canon 19 est représenté en position « fermé » sur la figure 1. Typiquement, le cache-canon est un disque plan ayant une dimension proche de celle du canon à ions, et au moins suffisante pour recouvrir la sortie du canon à ions.

Le porte-substrats 12 en forme de calotte sphérique, est monté rotatif, et présente une pluralité d'emplacement 12a propres à recevoir chacun un substrat à traiter. Les dispositions qui précédent sont bien connues en elles-mêmes, et ne seront donc pas décrites plus en détail. Dans le cas d'un dépôt par évaporation sous vide au moyen d'un faisceau d'électrons issu du canon à électrons, le faisceau d'électrons est dirigé sous l'effet d'un champ électromagnétique vers le matériau à évaporer 13 placé dans un creuset, lui-même disposé dans un plateau tournant (non représenté). Généralement, le plateau comporte plusieurs creusets contenant des matériaux différents (par exemple SiO2 et ZrO2 dans le cas du dépôt d'un empilement antireflet) et on fait tourner le plateau pour disposer successivement les différents creusets en position d'évaporation par le faisceau d'électrons. Le rôle de l'enveloppe 17, généralement cylindrique, est de protéger le canon à ions 16 des salissures du matériau évaporé. Le traitement avec le canon à ions a pour but, soit de préparer la surface des substrats avant dépôt d'une couche, soit de participer au processus de dépôt d'une couche, notamment pour densifier la couche déposée. Les inventeurs ont constaté l'apparition, au cours de l'usage du canon à ions, de salissures qui se forment essentiellement à l'intérieur du canon à ions. Le gaz introduit dans le canon à ions est généralement un gaz rare, tel que l'argon, le xénon et le krypton, l'oxygène ou un mélange de ces gaz. L'oxygène est surtout utilisé dans le cas du dépôt avec assistance ionique de matériaux qui nécessitent d'être oxydés. C'est le cas, par exemple, du dépôt des couches d'oxyde d'indium et d'étain (couches ITO) ou de matériau haut indice (HI) comme le TiO2, le Ta2O5 ou le Nb2O5. Les inventeurs ont constaté que la salissure est beaucoup plus importante lorsque le gaz utilisé est l'oxygène. Les causes de salissure sont extrêmement diverses, et sans que cela soit exhaustif, et sans être limité à un quelconque mécanisme, on peut citer les causes suivantes : - lors du fonctionnement normal du canon à ions, il se produit un phénomène parasite de pulvérisation cathodique omnidirectionnelle de tungstène (matériau constituant la cathode du canon à ions) ainsi qu'une pulvérisation cathodique du matériau constituant le diffuseur du canon à ions (carbone, titane, acier inoxydable par exemple) et probablement d'acier inoxydable (matériau constituant la majeure partie des éléments du canon à ions : anode (8), supports anode (9 et 7), couvercle (11) et le cache). - On pense par ailleurs qu'un phénomène d'oxydation peut se produire lorsque le vide de l'enceinte est cassé en fin de dépôt des couches, le canon à ions étant très chaud en fin de cycle de dépôt sous assistance ionique (IAD). On a représenté figure 2 une vue éclatée d'un canon à ions de type Mark Il dont on a repéré les éléments principaux suivants :

1. Support principal 2. Aimant permanent 3. Rondelle d'arrivée de gaz 4. Tiges de connexion de la cathode 5. Distributeur de gaz . Connexion tension d'anode 7. Support inférieur d'anode 8. Anode 9. Support supérieur d'anode 10. Corps 11. Couvercle 12. Support de cathode 13. Cathode Typiquement les pièces les plus salies sont : - le couvercle 11 ; - les supports supérieur (le plus sali) 9 et inférieur 7 de l'anode 8 ; - les supports de cathode 12 ; - le diffuseur (distributeur de gaz) 5 ; et dans une moindre mesure : - les vis de fixation. Après salissure, l'aspect des surfaces n'a plus la couleur d'origine. Celles-ci présentent une couleur noire, alors que dans le cas de l'inox, la couleur initiale est gris clair. Typiquement, après 40 tournées (une tournée consiste en deux dépôts 20 successifs : un en face convexe et un en face concave), on a accumulation de dépôts, visibles à l'oeil nu de couleur noire ou bleu foncé. Ces salissures du canon à ions sont préjudiciables à un bon amorçage du canon à ions et à un régime stable de fonctionnement du canon à ions lors des étapes de préparation de surface (IPC (Ion pre-cleaning)) ou lors d'un dépôt par 25 évaporation sous vide avec assistance ionique (IAD (Ion assisted deposition)). Il est donc nécessaire de démonter régulièrement le canon à ions et d'effectuer un sablage des pièces avant de le remettre en activé. Cette opération est longue et coûteuse. Il est donc en général nécessaire de disposer d'un second canon à ions pour poursuivre les dépôts pendant le nettoyage du premier canon. 30 L'invention a donc pour objet un procédé de conditionnement d'un canon à ions, avec grille (généralement positionnée au dessus de l'orifice de sortie du canon à ions afin de neutraliser les ions) ou sans grille, de préférence sans grille, réduisant la salissure du canon à ions, notamment l'encrassement progressif du canon lors de son utilisation. 35 Ainsi, il est possible de maintenir le canon à ions dans un état de surface constant ou presque constant en début de chaque cycle de dépôt intégrant une étape de conditionnement selon l'invention. 4 L'invention a encore pour objet un procédé de conditionnement d'un canon à ions préalablement aux étapes de préparation de surface et au dépôt par évaporation sous vide, sous assistance ionique, d'un matériau sur un substrat et, plus particulièrement d'un dépôt effectué en présence d'oxygène.

Les buts ci-dessus sont atteints selon l'invention par la mise en oeuvre d'un procédé de conditionnement (nommé IGC pour « Ion Gun Conditioning ») d'un canon à ions, disposé dans une enceinte de traitement d'un ou plusieurs substrats, ledit canon ayant une sortie orientée vers les substrats, et l'enceinte étant équipée d'un cache-canon amovible entre une position d'obturation de la sortie du canon à ions et une position de dégagement de la sortie du canon à ions, qui comprend une étape de fonctionnement en régime stabilisé du canon à ions avec le cache-canon en position d'obturation de la sortie du canon à ions pendant une période, dite de conditionnement, d'au moins 45 secondes durant ce régime stabilisé, typiquement de 45 secondes à 5 minutes, préférentiellement de 45 secondes à 3 minutes, mieux de 45 secondes à 2 minutes, et de façon optimale de 1 minute à 1 minute 30 secondes. Le procédé de conditionnement peut être mis en oeuvre en une seule fois, de façon continue ou peut être mis en oeuvre de façon discontinue auquel cas, la période de conditionnement correspond au temps cumulé des périodes pendant lesquelles le canon à ions a fonctionné en régime stabilisé avec le cache-canon en position d'obturation. Préférentiellement, le procédé de conditionnement est mis en oeuvre en une seule fois, de façon continue. Par fonctionnement en "régime stabilisé" du canon à ions on entend un fonctionnement du canon à ions pendant lequel le canon à ions produit effectivement un flux d'ions régulé, c'est-à-dire dont les paramètres de fonctionnement (la (intensité du courant d'anode), Ua (tension d'anode) et ln (intensité du courant de neutralisation)) peuvent être contrôlés. Le régime stabilisé est de préférence un régime dans lesquels les paramètres de fonctionnement du canon à ions sont constants au cours du temps. Ils sont alors stables et tels que définis par le choix des paramètres programmés par l'utilisateur. Lors de la phase d'amorçage du canon à ions, c'est-à-dire lors de sa mise en route, les paramètres de fonctionnement définis ci-dessus peuvent varier dans des proportions considérables et de façon aléatoire, typiquement, pendant une durée de l'ordre de 15 secondes. Cette période d'amorçage ne constitue pas une période de fonctionnement en régime stabilisé et sa durée n'est pas prise en compte pour le calcul de la période de conditionnement.

Comme cela est connu, le cache-canon comprend une plaque plane, généralement en acier inoxydable, de dimension suffisante pour recouvrir au moins la totalité de la sortie du canon à ions. La tension d'anode, pendant la période de conditionnement (IGC) est en général maintenue à une valeur supérieure ou égale à 120 V, de préférence de 130 à 300 volts, mieux de 140 à 180 V, et mieux encore de 140 à 160 volts. En général, pendant la période de conditionnement, les ions produits sont utilisés à une énergie supérieure ou égale à 120 eV, de préférence de 130 à 300 eV, mieux de 140 à 180 eV, et mieux encore de 140 à 160 eV.

En général pendant cette période de conditionnement l'intensité du courant d'anode du canon à ions est de 2 à 5 A, de préférence de 3 à 3,5A. Les gaz utilisés lors de cette période de conditionnement sont les gaz classiquement utilisés dans les canons à ions, en particulier les gaz rares tels que l'argon, le xénon et le krypton, de préférence l'argon, l'oxygène, ou encore un mélange de ces gaz. L'argon est le gaz préférentiellement utilisé. En général, le procédé de conditionnement du canon à ions est mis en oeuvre avec une pression dans l'enceinte de traitement de 10-5 à 4.10-4 mbar, de préférence avec une pression de l'ordre de 1.10-4 mbar. Sans vouloir être limité à une quelconque théorie les inventeurs pensent que le traitement de conditionnement réalise une métallisation de l'intérieur du canon à ions et un décapage de l'intérieur du canon à ions: décapage du métal pulvérisé au fur et à mesure qu'il se dépose, et en même temps des salissures, sans que l'on ait pu déterminer lequel de ces deux mécanismes (de la métallisation ou du décapage) est prépondérant.

Quand le cache est en position fermée (obturation), les ions émis par le canon à ions : - pulvériseraient le matériau (typiquement le métal) présent sur/dans le cache-canon, en arrivant à la surface inférieure du cache. - seraient réfléchis à la surface inférieure du cache-canon et renvoyés dans la 30 partie centrale du canon, et décaperaient ainsi l'intérieur du canon. Le procédé de conditionnement selon l'invention est de préférence mis en oeuvre consécutivement à une opération d'amorçage du canon à ions. Typiquement cette opération d'amorçage s'effectue de la façon suivante : Après pompage au vide pendant 15 minutes de façon à réaliser un vide 35 primaire (10-4 mbar ou moins) dans l'enceinte de traitement, le filament du canon s'allume, le gaz, argon de préférence, est alors introduit dans le canon et la phase d'amorçage commence. Les conditions programmées pour l'amorçage sont de 140V, 3.5A et un débit de gaz d'amorçage de 10 sccm. La phase d'amorçage (instable) dure 5 à 20 secondes avant la stabilisation du canon à ions. Le cache-canon est généralement et préférentiellement en position d'obturation durant cette opération d'amorçage. Le procédé de conditionnement peut être mis-en en oeuvre directement après et en continuation avec l'opération d'amorçage. Afin de ne pas accroitre la durée totale de traitement des substrats mettant en oeuvre une étape d'IGC, on peut réaliser celle-ci lors de la phase initiale de pompage au vide, à partir du moment où le vide est suffisamment faible pour permettre la réalisation de l'étape IGC.

Pour une étape de pompage initiale durant 15 minutes, comme décrite précédemment, l'étape d'IGC peut être effectuée par exemple dans les deux dernières minutes, soit après 13 minutes de pompage. Dans le même objectif, l'étape d'IGC peut être réalisée pendant une étape de chauffage d'un matériau à évaporer (par exemple pendant une étape de préfusion) durant laquelle le matériau à évaporer monte en température sans pour autant que l'évaporation se produise. Selon un autre mode de réalisation, l'étape d'IGC est réalisée lors du dépôt d'un matériau qui ne nécessite pas d'assistance ionique. Dans les trois cas cités ci-dessus, on effectue le traitement IGC en temps masqué, ce qui signifie que ce traitement de conditionnement s'intègre dans le procédé habituel sans allonger la durée de ce procédé. Le procédé de conditionnement selon l'invention peut être mis en oeuvre préalablement aux procédés classiques de préparation de surface d'un substrat (IPC, ou pré-nettoyage ionique) et les dépôts de matériaux avec assistance ionique (IAD) notamment les dépôts par évaporation sous vide (PVD (Physical vapor deposition)). De préférence, le procédé de conditionnement selon l'invention est mis en oeuvre de façon continue avec les procédés ultérieurs de traitement des substrats. Le procédé de conditionnement selon l'invention permet de réduire grandement la fréquence de nettoyage du canon à ions, tout en maintenant un fonctionnement stable du canon à ions. Il est de préférence réalisé une fois par cycle de dépôt d'un empilement. Le gain est d'autant plus important que la durée de fonctionnement du canon à ions pendant le procédé de dépôt de matériaux est longue, et notamment que la durée totale des étapes IAD au cours du dépôt de couches est longue.

C'est le cas en particulier lorsqu'il s'agit d'effectuer un dépôt d'une couche de TiO2 sous assistance ionique. L'invention concerne également un procédé de dépôt sur un substrat d'un revêtement comprenant une ou plusieurs couches, le procédé comprenant - au moins une étape de bombardement ionique par un canon à ions disposé dans une enceinte de traitement, et - au moins une étape de mise en oeuvre du procédé de conditionnement dudit canon à ions tel que défini précédemment.

Selon un mode de réalisation, le procédé de conditionnement du canon à ions est effectué concomitamment au dépôt d'au moins une couche dudit revêtement. Selon un autre mode de réalisation, le procédé de dépôt comprend une étape initiale de pompage au vide dans ladite enceinte de traitement, le procédé de conditionnement étant mis en oeuvre durant cette étape de pompage initiale.

Le procédé de dépôt selon l'invention trouvera préférentiellement une application lorsque la durée cumulée de l'ensemble des étapes de bombardement ionique (c'est-à-dire avec le cache-canon en position de dégagement) est supérieure à 1 minute, préférentiellement supérieure à 3 minutes, mieux supérieure à 5 minutes. L'étape de bombardement ionique peut notamment être une étape d'IAD ou une étape d'IPC. Une application du procédé de dépôt selon l'invention est le dépôt de revêtements antireflets, préférentiellement comprenant des couches d'oxyde métalliques et/ou de silice. Les substrats préférés sont des lentilles ophtalmiques, préférentiellement des verres de lunettes. Les exemples qui suivent illustrent de façon non limitative la présente invention. Exemples : Exemple 1 : On procède au dépôt d'un empilement correspondant à l'exemple 6 de la demande de brevet EP2122392, selon le procédé décrit dans cette demande de brevet, en rajoutant une étape d'IGC. Le bâti de dépôt est une machine Satis 1200 DLF équipée d'un canon à électrons ESV 14 (8 kV) pour l'évaporation des oxydes, d'un creuset à effet joule pour le dépôt du top coat hydrophobe et d'un canon à ions Weeco Mark Il pour les phases préliminaires de préparation de surface (IPC) du substrat et de la sous couche par des ions argons, pour le dépôt des couches sous assistance ionique (IAD) et pour l'étape d'IGC.

Le substrat est une lentille ophtalmique revêtue d'un revêtement anti-abrasion sur lequel on dépose par évaporation dans l'enceinte à vide l'empilement suivant, dans cet ordre, à partir du revêtement anti-abrasion : sous-couche SiO2 (150 nm)/ZrO2(29 nm)/SiO2(23nm)/ZrO2(68 nm)(/ITO(Indium Tin Oxide) (7 nm)/SiO2(85 nm)/couche hydrophobe (2-3 nm). Les épaisseurs mentionnées sont des épaisseurs physiques. Une étape de bombardement ionique est effectuée sur la sous-couche de SiO2 après son dépôt, pendant une durée de 30 secondes à 1 minute (réglage du canon à ions : 150 volts, 3A) et une étape d'assistance ionique est effectuée lors du dépôt de la couche d'ITO (Indium tin oxide).

Description de l'étape d'IGC : L'IGC est réalisée en fin de l'étape initiale de pompage au vide de l'enceinte, avant le dépôt des couches et avant l'étape de préparation de surface : On effectue un pompage au vide. Puis le canon à ions est amorcé, cache en position « fermé ». L'étape d'IGC est effectuée après l'amorçage du canon à ions en maintenant le cache canon, en inox, en position « fermé » pendant 1 minute 30 secondes et le canon réglé à 150 volts , courant d'anode 3A.

Une étape d'IGC est effectuée par cycle de dépôt d'un empilement.

Exemple 2, L'exemple 5 de la demande de brevet EP2122392 est reproduit. Cet empilement possède une couche épaisse de TiO2 qui subit lors de son dépôt une assistance ionique par des ions oxygène (canon réglé à 3,5 A 140 V). La couche de ZrO2 adjacente à la couche de TiO2 est elle-même déposée sous assistance ionique, ainsi que celle d'ITO avec le même réglage du canon à ions (3,5 A 140 V). L'étape d'IGC est réalisée en procédant de la même façon que dans l'exemple 1, et une étape d'IGC est effectuée par cycle de dépôt d'un empilement.

On reporte dans le tableau suivant le nombre de tournées qu'il est possible d'effectuer sans dysfonctionnement du canon à ions. Le dysfonctionnement correspond à une impossibilité de conserver des paramètres fixes lors de l'évaporation et/ou l'apparition de problèmes de reproductibilité. Ce dysfonctionnement est dû à une usure inévitable et/ou à une pollution de certaines pièces mécaniques du canon à ions, et nécessite un démontage afin de remplacer ou nettoyer la ou les pièces concernées. En effet, certaines pièces peu accessibles sont lentement polluées, malgré le traitement de conditionnement selon l'invention.

Nombre de tournées sans dysfonctionnement du canon à ions Procédé avec bombardement Procédé avec IAD long ionique (IAD, IPC,...) de courte Temps total de durée typiquement bombardement ionique Temps total bombardement ionique supérieur à 8 minutes < 1 min 30 secondes Exemple 1 Exemple 2 Exemple selon 200 tournées +/- 40 200 tournées +/- 40 l'invention Avec IGC Exemple comparatif 1 Exemple comparatif 2 Exemple 40 tournées +/- 10 12 tournées +/- 4 comparatif Sans IGC Remarque : une tournée correspond à un cycle de dépôt d'un empilement en face convexe et un cycle de dépôt d'un empilement en face concave du substrat à 5 traiter. On constate que le procédé IGC ralentit fortement la fréquence d'apparition des dysfonctionnements, en permettant d'effectuer un très grand nombre de tournées sans dysfonctionnement du canon à ions, comparé au procédé sans IGC. 10

Claims

REVENDICATIONS1. Procédé de conditionnement d'un canon à ions disposé dans une enceinte de traitement d'un ou plusieurs substrats, ledit canon ayant une sortie orientée vers les substrats, et l'enceinte étant équipée d'un cache-canon amovible entre une position d'obturation de la sortie du canon à ions et une position de dégagement de cette sortie, caractérisé en ce qu'il comprend une étape de fonctionnement du canon à ions en régime stabilisé avec le cache-canon en position d'obturation pendant une période d'au moins 45 secondes durant ce régime stabilisé, typiquement de 45 secondes à 5 minutes, de préférence de 45 secondes à 3 minutes.
2. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que ladite période dure 10 de 45 secondes à 2 minutes, de préférence de 1 minute à 1 minute 30 secondes.
3. Procédé de conditionnement selon la revendication 1 ou 2, caractérisé en ce que pendant ladite période, le canon à ions présente une tension d'anode supérieure ou égale à 120 V, de préférence de 130 à 300 V, mieux de 140 à 180 V, et mieux encore de 140 à 160 V. 15
4. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, caractérisé en ce qu'un gaz est introduit dans le canon à ions, ledit gaz étant un gaz rare, l'oxygène ou un mélange de ceux-ci.
5. Procédé selon la revendication 4, caractérisé en ce que le gaz rare est choisi parmi l'argon, le xénon et le krypton, de préférence l'argon. 20
6. Procédé selon la revendication 4, caractérisé en ce que le gaz est l'oxygène ou un mélange de gaz rare et d'oxygène.
7. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 6, caractérisé en ce que pendant ladite période, l'intensité du courant d'anode du canon à ions est de 2 à 5 ampères, de préférence de 3 à 3,5 ampères. 25
8. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 7, caractérisé en ce que l'enceinte de traitement est à une pression de 10-5 à 4.10-4 mbar.
9. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 8, caractérisé en ce qu'il est réalisé consécutivement à une opération d'amorçage du canon à ions.
10. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 9, caractérisé en ce qu'il est mis en oeuvre avant une étape de pré-nettoyage ionique ou un dépôt sous assistance ionique.
11. Procédé selon la revendication 10 caractérisé en ce que le dépôt sous assistance ionique se fait en présence d'oxygène.
12. Procédé de dépôt sur un substrat d'un revêtement comprenant une ou plusieurs couches, ledit procédé comprenant au moins une étape de bombardement ionique par un canon à ions disposé dans une enceinte de traitement, caractérisé en ce qu'il comprend au moins une étape de mise en oeuvre du procédé de conditionnement dudit canon à ions selon l'une quelconque des revendications 1 à 11.
13. Procédé selon la revendication 12, caractérisé en ce que le procédé de dépôt comprend une étape initiale de pompage au vide dans ladite enceinte de traitement et en ce que le procédé de conditionnement est mis en oeuvre durant cette étape initiale de pompage.
14. Procédé selon la revendication 12, caractérisé en ce que le procédé de conditionnement du canon à ions est effectué concomitamment au dépôt d'au moins une couche dudit revêtement.
15. procédé selon l'une quelconque des revendications 12 à 14, caractérisé en ce que la durée cumulée de l'ensemble des étapes de bombardement ionique est supérieure à 1 minute, préférentiellement supérieure à 3 minutes, mieux supérieure à 5 minutes.