JPS61501835A - Si↓3N↓4で金属ケイ素粒状体を機械切削する方法 - Google Patents
Si↓3N↓4で金属ケイ素粒状体を機械切削する方法Info
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるため要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
Si3N4で金属ケイ素粒状体
を機械切削する方法
技術分野
本発明は低密度の金属ケイ素物体に対する切削工具として密度の高い窒化ケイ素
粉末を使用することに関高密度の窒化ケイ素は高温用の構造材料と1.で開発さ
れたものであるが、ごく最近、もし組成をある第2の相(米国特許第4,323
,323号明細書を参照)によって変成するならば、鋳鉄を切削するのに特に有
用であることが見出された。スピネル変成したSi3N4工具を用いて鋳鉄以外
の金属(すなわちアルミニウム)を機械加工しようとする従来技術の一つの試み
は比較的良くない結果を生じている(日本国特許昭49=113803号公報を
参照)。それゆえ明らかになったことは、十分に高密度のある金属を切削するよ
うに変成した窒化ケイ素が他の十分に高密度の種々の金属あるいは材料を切削す
るのに必ずしも適するわけではないということである。
従来技術における上記開発と共同作用して、セラミックスがつくられる低密度の
金属圧縮成形体(米国特許出願第444,901、発明の名称「高密度のセラミ
ック物体の形成法」、本譲受人に譲渡されたもの、を参照)を効率的に切削する
セラミックの処理技術が必要となってきた。従来技術ではケイ素の如き低密度の
金属圧縮成形体を切削するのに典型的には炭化タングステンるるいは高速度工具
鋼を用いる。シリコン粒子の摩耗性のためにこれらの工具の加工寿命は比較的短
い。
本発明は、後でセラミックに変える低密度の金属圧縮成形体を切削するためにセ
ラミック処理加工技術においてめられている要件を満たすセラミック切削工具の
使用に係わる。従来技術においても試みられてきたのはセラミックス(At20
3)から成る低密度の試料を切削するのに高密度の一般的に同じセラミックの切
削工具を用いることであった。そのような試みは相対的に低速度で、成功する場
合は限られ、それゆえセラミックスの切削特性が狭く、予測できないものとなっ
た(ホルコム(Holcomb)とレイ(Ray) Kよる「酸化物セラミック
スの未焼結圧縮成形体加工用のセラミック切削工具」、セラミック ゾレテイン
(Ceramic Bulletin)、61巻、12号、1982を参照)。
本発明の要約
本発明はケイ素から成る半高密度の粒状物体を、実質的に十分高密度の窒化ケイ
素切削工具を物体に対して相対的に動かして予定の道筋に沿って物体の一部分を
削り取ることによって、機械切削する方法である。
物体の機械切削は少なくとも0.01平方インチの断面積を持つ道筋を削るよう
に行うのが好ましい。削り取りは物体からケイ素を粉末かチップとして分離する
のが好ましい。有利には、工具により相対的な切81運動を行ってケイ素から成
る粒状物体に深い溝を切っていくつかの部分を定め、これらの部分の間で溝とし
ないところを十分に残してそこの間につなぎ部を定めた。
深い溝は物体の約90〜95%の深さまで入り込む格子模様に切ってもよい。
用いる窒化ケイ素工具は3.2〜3.29 In〆一の範囲の密度とロックフェ
ル45−N硬度スケールで86〜92の範囲の硬度を有することが好ましい。工
具はフライス盤、旋盤として、あるいは溝切り工具として都合よく成形すること
ができる。もし窒化ケイ素工具とケイ素から成る字高密度物体の間の密度差が少
なくとも1.0 grw’cm3なら好都合である。
ケイ素から成る半高密度の粒状物体は1.0〜1.9&−n/art3の範囲の
密度を持つのが好ましい。この物体はケイ素粉末と酸素運搬剤粉末との未反応の
熱アグロメレーションからなり、酸素運搬剤は、アグロメレーションが、窒化さ
れる場合は、実質的に窒化ケイ素とオキシ窒化物から成るような量だけ存在する
ことが好ましい。この目的には酸素運搬剤は約4〜12チのY2O3と約0.5
〜5%のAt2o3から成るのが好ましい。酸素運搬剤は、反応すると、約2〜
14チのオキシ窒化物を含む窒化ケイ素体を形成する。ケイ素から成る粒状物体
は約0.6〜0.8インチの厚みと約3〜12インチの直径の対向面を持ち、本
発明の方法で該面の一つに溝を切っである円盤として成形するのが都合がよい。
部分的に熱融解したケイ素から成る粒状物体の化学成分としては、物体を部分ア
ルビン焼結にかける場合には、本質的に3%までの5i02を含むケイ素粉末か
らつくられる。物体を部分窒化にかける際、それは15チまでの窒化ケイ素と3
重量%までの5i02とから成セラミックの製造において、粉末成形体は典型的
には、セラミックの成分となる(ケイ素の如き)研摩剤金属からつくられる。次
に圧縮成形体はガス状の反応性雰囲気あるいは非反応性雰囲気での限定した予熱
処よって、取り扱いのできるるる程度の剛性が付与される。得られる半高密度の
圧縮成形体は1.0〜1.9fitty’or?の範囲の密度を持つまだ金属の
あるいは金属ベースの材料である。この条件においては、材料をセラミックに変
えてその最終的な形にする前に圧縮成形体の寸法法めを容易にするために溝を切
るか表面の一部分を除かして材料の形をつくることが技術上望ましくなった。
圧縮成形体の金属ケイ素が切削工具の性能に影響するだげでなく、金属粒子とと
もに存在する化学物質が工具の成否を決める役割を果たす。
特に、窒化ケイ素セラミックをつくるのに使用される半高密度のケイ素圧縮成形
体の製造においては、次の方法を用いてもよい。
(a) 混合
粉末にしたケイ素と反応性の酸素運搬剤粉末の混合物を用意して粉砕する。反応
性の酸素運搬剤粉末はここでは、加熱窒素雰囲気下でケイ素と反応する際に、第
2相微結晶、特にオキシ窒化物を形成するのに有効である粉末成分を意味するも
のと定義する。粉末物質は5i02. Y2O3,CeO2+ ZrO2,Hf
O2+ At203+お′よび他の酸化物あるいは希土類から都合よく選ぶこと
ができる。At203は微結晶すなわちオキシ窒化物をコーティングする少量の
保護非晶質ケイ酸塩を形成するのに有効である。
ケイ素は98%以上の純度と約8〜9.2ミクロンの出発平均粒径を持つよ5に
選ぶことが好ましい。粉末物質(たとえばイツトリア)は少なくとも99.9%
の純度と約0.0458ミクロンの平均結晶径を持つように選ぶことが好ましく
、アルミナは少なくとも99.5−の純度と約0.3〜0.5ミクロンの平均粒
径を有するように選ぶことが好ましい。
混合物は細かく砕き、円柱形をした粉砕媒体(At20385%1si0211
L Mg021 CaO1,2%、(Tto2゜Fe2O3、Na2Oおよびに
20〕の組み合わせ0.8チから構成)とともに不活性粉砕容器に入れることに
より混練りする。円柱が摩擦作用(attrition)によって混合物にAt
2o3を加える。粉砕は64 rpmで48時間行い、次に混合物は10メツシ
ユの網を使って粉砕媒体から分離する。粉砕は乾式が好ましいが、いくつか不都
合を伴って構わなければ湿式で行うこともできる。
(b) 圧縮成形
粉砕した混合物の測った量を冷間ゾレスダイス型装置に入れ、1400〜150
0 psiを用いて周囲条件でプレスして直径約6インチ、厚み0.6インチの
大きさで、約1.0〜1.7 f!rrv’cm3、好ましくは1.4 itp
1cm3の密度の円柱状圧縮成形体を形成させる。ここで作った圧縮成形体は金
属ケイ素粉末が存在するので黒色の丸い円盤である。円盤は約0.6〜0.8イ
、ンチの厚みと約3〜12インチの直径の対向面を持つのが好ましい。
(C) 部分焼結
冷間圧縮成形物体を炉内に置き、不活性雰囲気(アルゴンの如き)内で約200
0〜2200’Fの温度で約1〜4時間、密度の変化は起こさずに、部分的に融
解する。この温度の高さでは粉末にした混合物の構成物の間である反応が起こり
、物体の粒子間で非常に少量のネック成長(neeking)が生じ、それによ
って強度が付与される。また別に、物体は加熱した窒素雰囲気下でごく部分的忙
窒化して圧縮成形の密度を保持してもよい。また頁別法として、所望のケイ素粉
末混合物をスリップ鋳込みすることによって物体を形成して1.5〜1.9ト一
の範囲の密度を有する物体を作ってもよい。
これはついで窒化ケイ素切削工具によって機械切削すべき材料である。最も重要
なことだが本材料は多結晶であることが特徴である、すなわちそれは−緒にアグ
ロメレーションされて半高密度の粒状物体を形成する別々の粉末粒子から成るこ
と。密度は約1.0〜1.911m/cm3の範囲である。
■1機械切削プロセス
好ましい様式においては、部分窒化したおるいは予備焼結したあるいはスリップ
鋳込みした物体を、丸い円盤の形状で、窒化ケイ素切削工具を用いることによっ
て平削り工程において機械切削する。工具を物体に対して相対的に動かして円盤
物体の一つの面あるいは表面に格子模様に沿って深い溝を作る。格子模様の溝は
その間に矩形の複数の部分るるいは構造体を定める。
溝は円盤の厚みの90〜95チの深さに切り込み、上記部分の間で円盤の反対側
につなぎ部あるいは残留膜を約0.050インチ残す。つなぎ部は円盤が十分高
密度になった後で切断するかこわすことができる。つなぎ部は十分な構造強度が
あってそのような引続き行う高密度化およびそのような最後の切断ができるよう
釦なっているべきである。
切削工具はベータ窒化ケイ素と2〜10オングストロームの厚さで微小孔がほと
んどないか全くないケイ酸塩相によって包まれた2、9〜14.4重量%のオキ
シ窒化ケイ素を含む十分に高密度のホットプレスした窒化ケイ素物体から構成さ
れることが好ましい。工具は4点折り曲げ試験において1200’Cで約85,
000psiの破断強度を有する。十分に高密度のホットプレスした窒化ケイ素
工具をいかにして作るかに関する詳細は、本発明の譲受人に譲渡された同時係属
の米国特許出願筒444,251号明細書に開示されており、ここに参考として
記載する。
溝t−作った物体は次に炉内に置いて窒化雰囲気下約2200〜2600’Fの
温度で96時間窒化した。窒化の好ましい方法の詳細は本発明の譲受人に譲渡さ
れた米国特許出願筒448,889号明細書において説明されており、こ\に参
考として記載する。
(1)) 十分な密度へのホットプレス加工窒化された物体は、炉中で約172
5℃のホットプレス温度に約4000 psiの圧力下でそのような材料の密度
を約3.2〜3.291nv’tyu3にするのに十分な時間加熱することによ
って、次に十分高密度化する。ホットプレスした物体の冷却時に、溝を切った部
分の間の膜部分を破断分離して切削工具としての大きさの完成したホットプレス
製品とすることもできる。
実施例
十分高密度の窒化ケイ素切削工具で元素ケイ素を切削する利点は切削工具寿命が
劇的に増加することである。本切削工具はこれまでケイ素を切削するのに使われ
てきた比較しうる切削工具よりも通常10倍長持ちする。例えば、低密度の金属
ケイ素粒状物体を切削する際に炭化タングステンの切削工具よりも10倍耐久性
の増加が得られた。
この優れた態様において使用する切削工具の耐摩耗性を容易に例示するために、
上記第1項に説明したように直径6インチ高さ6インチの円柱を作った。特に2
000グラムのケイ素(混合物の86.6重量%)、278グラムのY2O,(
混合物の12重量%、ケイ素の15.9 % )および32グラムのAt203
(混合物の1.4重量%、ケイ素の1.6チ)を入れた均一な粉末混合物を含
むものでめった。酸素運搬剤の使用可能な範囲は混合物の0.4〜2.3モルパ
ーセント、ケイ素の0.4〜2.4モルパーセントでめった。Y2O3は普通ケ
イ素の3〜19重量%、混合物の6.2〜15.6重量%の範囲で使用される。
酸化アルミニウムはケイ素の0.4〜5重量%、混合物の0.4〜4.0重量%
の範囲で使用される。5i02は通常ケイ素粉末上に酸化物として存在でき、粉
砕によってケイ素の1〜3重量%に増加する。
円柱は1−5 gwv’cm”の部分的に融解した密度を有した。
この円柱を旋盤のチャック(chuck) K取り付けて126rpm (これ
は従来の工具を用いて通常行う速度の一般的に2倍で6る)で回転させた。
初めに、高密度にした窒化ケイ素切削工具(前に言及した米国特許出願筒444
,251号明細書に開示の化学的性質を持って作った)を用いて円柱を1回転当
たりの送り速度0.013インチで0.10インチの切削深さにフライス削りし
た。゛円柱表面の線状23.25 フィートフライス削りした後でSi3N4工
具は約0.004インチの深さの平均摩耗(円柱表面との接触点で接線に直角方
向に工具上で測定して)でめった。
第二に、市販数の従来の炭化タングステン切削工具を使用して、Si3N4工具
に用いたのと同じ切削条件下で円柱の線状20.5フイートを切削した。Wc工
具は0.02インチの工具摩耗があった。
第3に、従来の高速度工具鋼切削工具を用いて、やはり同じ切削条件下で、線状
20.2フイートを除去して0.031の平均摩耗であった。Si3N4工具は
相当もつと少ない摩耗でめった。
国際調査報告
lnbmallan−^”””””’ !’C?/IIs84100583
Claims (15)
- 1.半高密度のケイ素から成る粒状物体に対して実質的に十分高密度の窒化ケイ 素切削工具を相対的に動かして予定した道筋に沿って該物体の一部分を削り取る ことによって該半高密度のケイ素から成る粒状物体を機械切削する方法。
- 2.該半高密度のケイ素から成る粒状物体の密度が1.0〜1.9gm/cm3 の範囲にあり切削工具が3.20〜3.29gm/cm3の範囲の密度を有する 、請求の範囲第1項に記載の機械切削の方法。
- 3.該工具によって削り取られた道筋が少なくとも0.01インチの断面積を有 する、請求の範囲第1項に記載の機械切削の方法。
- 4.該工具を用いて該ケイ素から成る粒状物体に深い溝を切って複数部分を定め 、該部分の間に完全に溝切りしなかつたところを残してそこの間に十分な構造強 度のあるつなぎ部を定めて引続いての高密度化と最後の切断を行うことによって 、該切削工具の該相対的運動を行う、請求の範囲第1項に記載の機械切削の方法 。
- 5.該深い溝を格子模様に切り、該物体の90〜95%の深さに入り込ませる、 請求の範囲第4項に記載の機械切削の方法。
- 6.該削り取りにより該物体からケイ素を粉末あるいはチップとして分離する、 請求の範囲第1項に記載の機械切削の方法。
- 7.該窒化ケイ素工具が45−Nスクールで86〜92の硬度を持つ材料から成 りしかも3.2〜3.29gm/cm3の密度を有する、請求の範囲第1項に記 載の機械切削の方法。
- 8.該ケイ素から成る粒状物体と該窒化ケイ素切削工具の間の密度の差が少くと も1.0gm/cm3である、請求の範囲第1項に記載の機械切削の方法。
- 9.該切削工具をフライス盤、旋盤、あるいは溝切り工具として成形する、請求 の範囲第1項に記載の機械切削の方法。
- 10.該ケイ素から成る粒状物体を約0.3〜0.8インチの厚みと約3〜12 インチ直径の対向する面を持ち該物体の該面の一つに該溝を切った円盤として成 形する、請求の範囲第4項に記載の機械切削の方法。
- 11.半高密度のケイ素から成る粒状物体が一緒にアグロメレーシヨンした別々 のケイ素粒子を持つ多結晶体である、請求の範囲第1項に記載の機械切削の方法 。
- 12.該ケイ素から成る粒状物体が未反応の熟アグロメレーションしたケイ素粉 末と酸素運搬剤粉末から構成され、酸素運搬剤粉末が、窒化の際、混合物が本質 的に窒化ケイ素どオキシ窒化物から成るような量存在する、請求の範囲第1項に 記載の機械切削の方法。
- 13.酸素運搬剤が4〜12%のY203および0.5〜5.0%のAl2O3 から成り、酸素運搬剤が、反応の際、約2〜14%のオキシ窒化物を有するSi 3N4物体を形成する、請求の範囲第12項に記載の機械切削の方法。
- 14.切削すべき該物体を予備焼結し3重量%までのSiO2を含むケイ素粉末 から本質的になる、請求の範囲第1項に記載の機械切削の方法。
- 15.切削すべき該物体を予備窒化し、本質的に、重量%で、約15%のSi3 N4,3%までのSiO2,20%までのクイ素化合物、および残部ケイ素から 成る、請求の範囲第1項に記載の機械切削の方法。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
PCT/US1984/000583 WO1985004617A1 (en) | 1984-04-13 | 1984-04-13 | METHOD OF MACHINE CUTTING SILICON METAL PARTICULATES WITH Si3N4 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS61501835A true JPS61501835A (ja) | 1986-08-28 |
Family
ID=22182117
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP59501952A Pending JPS61501835A (ja) | 1984-04-13 | 1984-04-13 | Si↓3N↓4で金属ケイ素粒状体を機械切削する方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4557244A (ja) |
EP (1) | EP0187737B1 (ja) |
JP (1) | JPS61501835A (ja) |
DE (1) | DE3478797D1 (ja) |
WO (1) | WO1985004617A1 (ja) |
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JPS57100023A (en) * | 1980-12-12 | 1982-06-22 | Sumitomo Electric Industries | Method of cutting hard material |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP0187737B1 (en) | 1989-06-28 |
WO1985004617A1 (en) | 1985-10-24 |
EP0187737A1 (en) | 1986-07-23 |
US4557244A (en) | 1985-12-10 |
DE3478797D1 (en) | 1989-08-03 |
EP0187737A4 (en) | 1987-07-09 |
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