JPS6147928A - 光電圧センサ - Google Patents
光電圧センサInfo
- Publication number
- JPS6147928A JPS6147928A JP16985184A JP16985184A JPS6147928A JP S6147928 A JPS6147928 A JP S6147928A JP 16985184 A JP16985184 A JP 16985184A JP 16985184 A JP16985184 A JP 16985184A JP S6147928 A JPS6147928 A JP S6147928A
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- JP
- Japan
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- electrode
- substrate
- optical waveguide
- electric field
- electrodes
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- Optical Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、光１！圧センサに関するものであり、詳しく
は、光導波路体を通過する光を測定電界で強度変調する
ように構成された光電圧センサにおける測定電界を印加
するための電極の改良に関するものである。
は、光導波路体を通過する光を測定電界で強度変調する
ように構成された光電圧センサにおける測定電界を印加
するための電極の改良に関するものである。
（従来の技術）
ニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ，）のような電気光学材
料よりなる基板にチタン（Ｔｉ）などの金属不純物を熱
拡散することにより基板よりも屈折率の高い光導波路が
形成され、電気光学効果の９ＪＪ率の極めて高い光導波
路体が得られる。このような光導波路に電界を加えると
、先導波路を通過する光は電気光学効果により強度変調
される。
料よりなる基板にチタン（Ｔｉ）などの金属不純物を熱
拡散することにより基板よりも屈折率の高い光導波路が
形成され、電気光学効果の９ＪＪ率の極めて高い光導波
路体が得られる。このような光導波路に電界を加えると
、先導波路を通過する光は電気光学効果により強度変調
される。
このような光導波路体の一種に、第３図に示すような分
岐干渉形光導波路体がある。
岐干渉形光導波路体がある。
第３図において、１０は基板、２０は光導波路、３０は
電極、４０は信号源である。
電極、４０は信号源である。
基板１０は電気光学効果を有するニオブ酸リチウム（Ｌ
ｉＮｂＯ，）のような電気光学材料で構成されたもので
あり、Ｘ、Ｚ軸が水平面となりＹ軸が垂直面となるよう
にカットされている。光導波路２０は基板１０にチタン
（Ｔｉ）のような金属不純物を熱拡散することにより線
状に形成され基板１０よりも高い屈折率を有するもので
あり、７字形の分岐部２１．互いに平行な位相推移部２
２及び７字形の結合部２３が′ａ続的に一体化されてい
る。電極３０は光導波路２０を通過する光を強度変調す
るために先導波路２ｏに電界を印加するものであり、位
相推移部２２を挟むようにして第１の電極３１及び第２
の電極３２が基板ｌｏ上に設けられている。これら電極
は、例えば金とクロムを所定のパターンに積層すること
により形成されている。信号源４０は電界を供給するも
のであり、第１の電極３１と第２の電極３２との間に接
続されている。なお、先導波路２０のＹ字形の分岐部２
１の端部にはレーザダイオードなどの光源からの光を伝
送するための光ファイバーが接続され、Ｙ字形の結合部
２３の端部には強度変調された光をフォトトランジスタ
などの受光素子に伝送するための光ファイバーが接続さ
れるが図示しない。
ｉＮｂＯ，）のような電気光学材料で構成されたもので
あり、Ｘ、Ｚ軸が水平面となりＹ軸が垂直面となるよう
にカットされている。光導波路２０は基板１０にチタン
（Ｔｉ）のような金属不純物を熱拡散することにより線
状に形成され基板１０よりも高い屈折率を有するもので
あり、７字形の分岐部２１．互いに平行な位相推移部２
２及び７字形の結合部２３が′ａ続的に一体化されてい
る。電極３０は光導波路２０を通過する光を強度変調す
るために先導波路２ｏに電界を印加するものであり、位
相推移部２２を挟むようにして第１の電極３１及び第２
の電極３２が基板ｌｏ上に設けられている。これら電極
は、例えば金とクロムを所定のパターンに積層すること
により形成されている。信号源４０は電界を供給するも
のであり、第１の電極３１と第２の電極３２との間に接
続されている。なお、先導波路２０のＹ字形の分岐部２
１の端部にはレーザダイオードなどの光源からの光を伝
送するための光ファイバーが接続され、Ｙ字形の結合部
２３の端部には強度変調された光をフォトトランジスタ
などの受光素子に伝送するための光ファイバーが接続さ
れるが図示しない。
このような構成において、先導波路２０のＹ字形の分岐
部２１の＠部に光源からの光が加えらると、光は分岐！
２１で２分割されて位相推移部２２に伝送される。位相
抽８部２２では２分割された光の間に電ａｉ３０を介し
て加えられる信号ａ４０の出力の大きさに応じた位相差
が与えられる。
部２１の＠部に光源からの光が加えらると、光は分岐！
２１で２分割されて位相推移部２２に伝送される。位相
抽８部２２では２分割された光の間に電ａｉ３０を介し
て加えられる信号ａ４０の出力の大きさに応じた位相差
が与えられる。
そして、位相差を有するこれら光は結合部２３で再び結
合される。これにより、結合部２３の端部から強度変調
された光が送出されることになる。
合される。これにより、結合部２３の端部から強度変調
された光が送出されることになる。
ここで、位相推移部２２にλ／４の位相差を与えて強度
変調された光を受光素子に加えることにより電極３０を
介して加えられる信号源４０の出力の大きさに応じた電
気信号を得ることができる。
変調された光を受光素子に加えることにより電極３０を
介して加えられる信号源４０の出力の大きさに応じた電
気信号を得ることができる。
（発明が解決しようとする問題点〕
ところで、従来のこのような装置における光導波路２０
および電極３０に着目すると、第４図の拡大断面図に示
すように、光導波路２０は基板１０の表面近傍に被着さ
れて電極３０は基板１０の表面に被着されていることか
ら、光導波路体２０を通過する光を強度変調するように
作用する測定電界の効率が低くなって電圧測定感度が低
くなるという欠点がある。
および電極３０に着目すると、第４図の拡大断面図に示
すように、光導波路２０は基板１０の表面近傍に被着さ
れて電極３０は基板１０の表面に被着されていることか
ら、光導波路体２０を通過する光を強度変調するように
作用する測定電界の効率が低くなって電圧測定感度が低
くなるという欠点がある。
本発明は、このような従来の欠点を解決したものであり
、その目的は、光導波路体を用いた光電圧センサにおい
て、光導波路体を通過する光を強度変調するように作用
する測定電界の効率を高めて電圧測定感度を高くするこ
とにある。
、その目的は、光導波路体を用いた光電圧センサにおい
て、光導波路体を通過する光を強度変調するように作用
する測定電界の効率を高めて電圧測定感度を高くするこ
とにある。
Ｃ問題点を解決するための手段〕
このような目的を連成する本発明は、電気光学材料より
なる基板に光導波路体とこの光導波路体に測定電界を印
加する電極が形成され、前記光導波路体を通過する光を
測定電界で強度変調するように構成された光ＷＬ圧セン
サにおいて、前記電極として、金とクロムが所定のパタ
ーンに積ＰＩＩ形成された後酸素霊囲気下で熱処理され
たものを用いることを特徴とする。
なる基板に光導波路体とこの光導波路体に測定電界を印
加する電極が形成され、前記光導波路体を通過する光を
測定電界で強度変調するように構成された光ＷＬ圧セン
サにおいて、前記電極として、金とクロムが所定のパタ
ーンに積ＰＩＩ形成された後酸素霊囲気下で熱処理され
たものを用いることを特徴とする。
以下、図面を用いて詳細に説明する。
１ｆｆｉ１図は本発明の一実施例の要部を示す拡大断面
図であり、第４図と同等部分には同一符号を付けている
。第１図において、６０は電極反応層であり、公知の技
術により基板１０の表面上に金とクロムとを所定のパタ
ーンで積層して電極３０を形成した後所定の熱処理を施
すことにより基板１０の表面近傍に形成されるものであ
る。なお、熱処理にあたっては、酸素雲囲気において４
００〜４２０°０で約１時間加熱を行うようにする。
図であり、第４図と同等部分には同一符号を付けている
。第１図において、６０は電極反応層であり、公知の技
術により基板１０の表面上に金とクロムとを所定のパタ
ーンで積層して電極３０を形成した後所定の熱処理を施
すことにより基板１０の表面近傍に形成されるものであ
る。なお、熱処理にあたっては、酸素雲囲気において４
００〜４２０°０で約１時間加熱を行うようにする。
このように構成することにより、電極反応Ｉｇｊ６０は
電極３０の一部として機能することになり、等測的に第
２図に示すようなリブ形あるいはリッジ形の光導波路体
の電極構造になる。芙験によれば、従来の電極構造では
Ｘ軸方向の半波長ｔＥ：は２８〜３４Ｖで２軸方向の半
波長電圧は６〜８ｖであったものが、本発明の電極構造
ではＸ＠方向の半波長電圧は２４〜２８Ｖ″ｃ′ｚ軸方
向の半波長電圧は３〜４Ｖとなり、Ｉｎ著な改善効果が
認められた。また、熱処理による電極反応層６０の形成
の有無は、熱処理前後における１！極３０パターンのエ
ツチング除去後の基板１０の結晶表面比較により明らか
に識別できた。
電極３０の一部として機能することになり、等測的に第
２図に示すようなリブ形あるいはリッジ形の光導波路体
の電極構造になる。芙験によれば、従来の電極構造では
Ｘ軸方向の半波長ｔＥ：は２８〜３４Ｖで２軸方向の半
波長電圧は６〜８ｖであったものが、本発明の電極構造
ではＸ＠方向の半波長電圧は２４〜２８Ｖ″ｃ′ｚ軸方
向の半波長電圧は３〜４Ｖとなり、Ｉｎ著な改善効果が
認められた。また、熱処理による電極反応層６０の形成
の有無は、熱処理前後における１！極３０パターンのエ
ツチング除去後の基板１０の結晶表面比較により明らか
に識別できた。
なお、基板としては、タンタル酸リチウム（Ｌｓ Ｔ
ａ Ｏ＠ ）で構成されたものを用いてもよい。
ａ Ｏ＠ ）で構成されたものを用いてもよい。
これらから明らかなように、本発明によれば、光導波路
体を用いた光電圧センサにおいて、光導波路体を通過す
る光を強度変調するように作用する測定電界の効率を高
めて電圧測定感度を高くすることができ、特性の優れた
光電圧センサが実現できる。
体を用いた光電圧センサにおいて、光導波路体を通過す
る光を強度変調するように作用する測定電界の効率を高
めて電圧測定感度を高くすることができ、特性の優れた
光電圧センサが実現できる。
第１図は本発明の一実施例の要部を示す拡大断面図、第
２図はリブ形あるいはリッジ形の光導波路体のｔ棟構造
説明図、第３図は光電圧センサの一例を示す構成説明図
、第４図は従来の光電圧センサの要部を示す拡大断面図
である。 １０・・・基板、２０・・・光導波路、３０・・・電極
、４０・・・信号源、６０・・・電極反応層。
２図はリブ形あるいはリッジ形の光導波路体のｔ棟構造
説明図、第３図は光電圧センサの一例を示す構成説明図
、第４図は従来の光電圧センサの要部を示す拡大断面図
である。 １０・・・基板、２０・・・光導波路、３０・・・電極
、４０・・・信号源、６０・・・電極反応層。
Claims (1)
- 電気光学材料よりなる基板に光導波路体とこの光導波路
体に測定電界を印加する電極が形成され、前記光導波路
体を通過する光を測定電界で強度変調するように構成さ
れた光電圧センサにおいて、前記電極として、金とクロ
ムが所定のパターンに積層形成された後酸素雰囲気下で
熱処理されたものを用いることを特徴とする光電圧セン
サ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16985184A JPS6147928A (ja) | 1984-08-14 | 1984-08-14 | 光電圧センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16985184A JPS6147928A (ja) | 1984-08-14 | 1984-08-14 | 光電圧センサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6147928A true JPS6147928A (ja) | 1986-03-08 |
| JPH0346806B2 JPH0346806B2 (ja) | 1991-07-17 |
Family
ID=15894109
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16985184A Granted JPS6147928A (ja) | 1984-08-14 | 1984-08-14 | 光電圧センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6147928A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0683535A1 (en) * | 1989-02-01 | 1995-11-22 | The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University | Nonlinear optical radiation generator and method of controlling regions of ferroelectric polarization domains in solid state bodies |
-
1984
- 1984-08-14 JP JP16985184A patent/JPS6147928A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0683535A1 (en) * | 1989-02-01 | 1995-11-22 | The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University | Nonlinear optical radiation generator and method of controlling regions of ferroelectric polarization domains in solid state bodies |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0346806B2 (ja) | 1991-07-17 |
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