JPS6147714A - グラフト重合法 - Google Patents
グラフト重合法Info
- Publication number
- JPS6147714A JPS6147714A JP16968584A JP16968584A JPS6147714A JP S6147714 A JPS6147714 A JP S6147714A JP 16968584 A JP16968584 A JP 16968584A JP 16968584 A JP16968584 A JP 16968584A JP S6147714 A JPS6147714 A JP S6147714A
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- Japan
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- graft
- monomer
- under
- radically polymerizable
- light
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- Graft Or Block Polymers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は新規なグラフト重合法に関するものである。
高分子基４Ａへのグラフト重合法は今まで数多く知られ
−Ｃいるがボレオレフィン、７０ロポリマー等へのクラ
フト重合は普通の化学的処理では起らず高エネルギー放
射線を必要とする。しかし、このような放射線の照射は
基材の性質を署しく変化させることがしられており、必
要なグラフト位を得るために、基材の特徴が犠牲になる
場合が多い。
−Ｃいるがボレオレフィン、７０ロポリマー等へのクラ
フト重合は普通の化学的処理では起らず高エネルギー放
射線を必要とする。しかし、このような放射線の照射は
基材の性質を署しく変化させることがしられており、必
要なグラフト位を得るために、基材の特徴が犠牲になる
場合が多い。
高エネルギー放射線を高分子基材に照射すると、一般に
高分子鎖の架橋あるいは分解のいずれかが起こる。架橋
すると、基材は硬くなり伸縮性が減少する。また分解が
起こると、引張強度が減少する。放射線グラフト重合で
は新しいモノマーの付加による性能向上と同時に基材の
性能劣化も生じてしまう。
高分子鎖の架橋あるいは分解のいずれかが起こる。架橋
すると、基材は硬くなり伸縮性が減少する。また分解が
起こると、引張強度が減少する。放射線グラフト重合で
は新しいモノマーの付加による性能向上と同時に基材の
性能劣化も生じてしまう。
本発明は高分子基材に対するグラフト重合に見られる前
記欠点を克服すべく鋭意研究を重ねた結果、本発明を完
成するに到った。
記欠点を克服すべく鋭意研究を重ねた結果、本発明を完
成するに到った。
即ち、本発明によれば、高分子基材に対し、高エネルギ
ー放射線の照射下、ラジカル重合性第１モノマーをグラ
フト重合させてグラフト高分子鎖を形成させた後、該グ
ラフト高分子鎖に光又は熱分解性官能基を導入させ、次
いで、光照射又は加熱下において、ラジカル重合性第２
七ツマ−をグラフト重合させることを特徴とするグラフ
ト重合法が提供される。
ー放射線の照射下、ラジカル重合性第１モノマーをグラ
フト重合させてグラフト高分子鎖を形成させた後、該グ
ラフト高分子鎖に光又は熱分解性官能基を導入させ、次
いで、光照射又は加熱下において、ラジカル重合性第２
七ツマ−をグラフト重合させることを特徴とするグラフ
ト重合法が提供される。
本発明で用いる高分子基材は特に制約されず、従来公知
の種々のものが用いられ、このようなものとしては、例
えば、ポリエチレンや、ポリプロピレン、ポリスチレン
等のポリオレフィンの他、ポリ塩化ビニル、ポリ酢酸ビ
ニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリエステル、ポリアミド
、ポリカーボネイト、ポリトリフロロクロロエチレン、
ポリテトラフロロエチレン、ポリフッ化ごニリデン、ポ
リフッ化ビニル等が挙げられるが、本発明の場合、殊に
、従来グラフト重合が困難とされている化学的に不活性
な高分子、例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポ
リトリフロロクロロエチレン、ポリテトラフロロエチレ
ン、ポリフッ化ビニリデン、ポリフッ化ビニル等に対す
るグラフト重合法として有効である。本発明で用いる高
分子は、任意の形状、例えば、粉末、膜状、板状、筒状
等の固形状で用いられる。
の種々のものが用いられ、このようなものとしては、例
えば、ポリエチレンや、ポリプロピレン、ポリスチレン
等のポリオレフィンの他、ポリ塩化ビニル、ポリ酢酸ビ
ニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリエステル、ポリアミド
、ポリカーボネイト、ポリトリフロロクロロエチレン、
ポリテトラフロロエチレン、ポリフッ化ごニリデン、ポ
リフッ化ビニル等が挙げられるが、本発明の場合、殊に
、従来グラフト重合が困難とされている化学的に不活性
な高分子、例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポ
リトリフロロクロロエチレン、ポリテトラフロロエチレ
ン、ポリフッ化ビニリデン、ポリフッ化ビニル等に対す
るグラフト重合法として有効である。本発明で用いる高
分子は、任意の形状、例えば、粉末、膜状、板状、筒状
等の固形状で用いられる。
本発明の方法を実施するには、前記高分子基材−に対し
、先ヂ、高エネルギー放射１の照射下、ラジカル重合性
第１モノマー、例えば、エチレン、特開昭Ｇｌ−４７７
１４（２） プロピレン、スチレン等のオレフィン、塩化ビニル、ア
クリル酸又はそのエステル、メタクリル酸又はそのエス
テル、酢酸ビニル等のビニル七ツマ−が用いられるが、
殊にスチレン又はその核置換体の使用が好ましい。高エ
ネルギー放射線としては、電子線、中性子線、ガンマ線
等が用いられる。
、先ヂ、高エネルギー放射１の照射下、ラジカル重合性
第１モノマー、例えば、エチレン、特開昭Ｇｌ−４７７
１４（２） プロピレン、スチレン等のオレフィン、塩化ビニル、ア
クリル酸又はそのエステル、メタクリル酸又はそのエス
テル、酢酸ビニル等のビニル七ツマ−が用いられるが、
殊にスチレン又はその核置換体の使用が好ましい。高エ
ネルギー放射線としては、電子線、中性子線、ガンマ線
等が用いられる。
この第１クラフト重合工程は、基材の劣化を可及的抑制
して行われ、放射線は、一般には、０．１〜５Ｍｒａｄ
の放射線量で照射される。この第１グラフト重合工程に
おけるグラフト率は、１〜５０重量％、好ましくは５〜
３０ｉ量％である。
して行われ、放射線は、一般には、０．１〜５Ｍｒａｄ
の放射線量で照射される。この第１グラフト重合工程に
おけるグラフト率は、１〜５０重量％、好ましくは５〜
３０ｉ量％である。
次いで、前記のようにして高分子基材上に第１モノマー
をグラフト重合させて得られるグラフト高分子鎖に対し
て、熱分解性又は光分解性官能基を導入する。この官能
基の導入は、従来公知の方法で行われ、一般的には、熱
分解性又は光分解性官能基を持つ反応性化合物をグラフ
ト高分子鎖に反応させる方法が採用される。この場合、
グラフト高分子鎖が、熱分解性又は、光分解性官能基を
持つ反応性化合物との反応に必要な活性基、例えば、水
酸基や、ケトン基、カルボキシル基、アミノ基、ハロゲ
ン等を含有しない場合には、グラフト高分子鎖に適当な
前処理、例えば、酸化処理あるいは芳香核＠換反応を施
し゛、含酸素Ｍ（水酸基、ケトン基、カルボキシルＮ等
）ハロゲン等の活性基を導入した後、これに前記熱分解
性又は光分解性官能基を持つ反応性化合物を反応させる
。この熱分解性又は光分解性官能績を持つ反応性化合物
としては、加熱や光照射により分解し、ラジカルを発生
し得る官能基、例えば、ジチオカルバメート基、ハイド
ロパーオキサイド基、パーオキサイド基、ジスルフィド
基、トリフェニルメチル基、アゾ基等を有するカルボン
酸又はその塩、ハライド、アミン等を挙げることができ
る。なお、ハイドロパーオキサイド基や、パーオキサイ
ド基は、クラフト高分子鎖を直接酸化することによって
も導入することができる。
をグラフト重合させて得られるグラフト高分子鎖に対し
て、熱分解性又は光分解性官能基を導入する。この官能
基の導入は、従来公知の方法で行われ、一般的には、熱
分解性又は光分解性官能基を持つ反応性化合物をグラフ
ト高分子鎖に反応させる方法が採用される。この場合、
グラフト高分子鎖が、熱分解性又は、光分解性官能基を
持つ反応性化合物との反応に必要な活性基、例えば、水
酸基や、ケトン基、カルボキシル基、アミノ基、ハロゲ
ン等を含有しない場合には、グラフト高分子鎖に適当な
前処理、例えば、酸化処理あるいは芳香核＠換反応を施
し゛、含酸素Ｍ（水酸基、ケトン基、カルボキシルＮ等
）ハロゲン等の活性基を導入した後、これに前記熱分解
性又は光分解性官能基を持つ反応性化合物を反応させる
。この熱分解性又は光分解性官能績を持つ反応性化合物
としては、加熱や光照射により分解し、ラジカルを発生
し得る官能基、例えば、ジチオカルバメート基、ハイド
ロパーオキサイド基、パーオキサイド基、ジスルフィド
基、トリフェニルメチル基、アゾ基等を有するカルボン
酸又はその塩、ハライド、アミン等を挙げることができ
る。なお、ハイドロパーオキサイド基や、パーオキサイ
ド基は、クラフト高分子鎖を直接酸化することによって
も導入することができる。
次に、前記のようにして、熱分解性又は光分解性官能基
の導入されたグラフト高分子鎖に対して、加熱又は光照
射下において、第２モノマーをグラを用いて１〜３０時
間照射することによって行うことができる。第２モノマ
ーとしては、前記第１モノマーとして示した種々のラジ
カル重合性上ツマ−が用いられ、この第２グラフト工程
におけるグラフト率は、１〜ｉｏ、ｏｏｏ重量％、好ま
しくは１０〜１ 、０００重量％である。
の導入されたグラフト高分子鎖に対して、加熱又は光照
射下において、第２モノマーをグラを用いて１〜３０時
間照射することによって行うことができる。第２モノマ
ーとしては、前記第１モノマーとして示した種々のラジ
カル重合性上ツマ−が用いられ、この第２グラフト工程
におけるグラフト率は、１〜ｉｏ、ｏｏｏ重量％、好ま
しくは１０〜１ 、０００重量％である。
本発明で得られるグラフト重合体は、前記のような特別
の２段重合法により得られることから、重合に際しての
高分子基材の劣化が著しく抑制されたものである。本発
明のグラフト重合体は、イオン交換樹脂、医用材料、酵
素固定化用担体等として有用である。
の２段重合法により得られることから、重合に際しての
高分子基材の劣化が著しく抑制されたものである。本発
明のグラフト重合体は、イオン交換樹脂、医用材料、酵
素固定化用担体等として有用である。
次に、本発明を実施例によりさらに詳細に説明する。
実施例１
ポリテトラフロロエチレンの多孔質膜（）口口ポア、住
友電工株式会社製）をスチレンとベンゼンの等容量混合
液に浸し、減圧下でガンマ線を０．８Ｍ ｒ ａ ｄ照
射した。その後、膜を取りだし、ベンゼンでソックスレ
ー抽出をし、乾燥した。次式で求めたグラフト率は１８
％であった。
友電工株式会社製）をスチレンとベンゼンの等容量混合
液に浸し、減圧下でガンマ線を０．８Ｍ ｒ ａ ｄ照
射した。その後、膜を取りだし、ベンゼンでソックスレ
ー抽出をし、乾燥した。次式で求めたグラフト率は１８
％であった。
黒用後の車量−照射前の小量
グラフト率 −ニー ｘ １０
０照射前の重量 次に、この膜を、塩化スズ（ＳｎＣＬ＋ ）を含むクロ
ロメチルエーテルと室温で６時間反応させて、前記第１
グラフト重合で得られた高分子鎖にクロロメチル基を導
入した後、この膜を洗浄し、次いで、ジエチルジチオカ
ルバミン酸ナトリウムのジメチルホルムアミド溶液（濃
度６％）に浸し、５０℃で２２時間反応させた。水で洗
浄し、乾燥した。
０照射前の重量 次に、この膜を、塩化スズ（ＳｎＣＬ＋ ）を含むクロ
ロメチルエーテルと室温で６時間反応させて、前記第１
グラフト重合で得られた高分子鎖にクロロメチル基を導
入した後、この膜を洗浄し、次いで、ジエチルジチオカ
ルバミン酸ナトリウムのジメチルホルムアミド溶液（濃
度６％）に浸し、５０℃で２２時間反応させた。水で洗
浄し、乾燥した。
この膜を３つに切りスチレンとベンゼンの４：１（モル
比）の混合液にそれぞれ浸し、常温で７．１３．２０時
間水銀ランプによる光を照射した。所定の時間が経過し
た後、とり出し、ベンゼンによるソックスレー抽出を行
った。ガンマ線照射前に対するグラフト率を両式に基づ
いて算出づると、それぞれ３３０．５５０．３，０００
％であった。この膜はひっばり強度において、ガンマ線
照射前と同程度であり、グラフト重合に際して、高分子
基材の劣化の少ないことが確認された。
比）の混合液にそれぞれ浸し、常温で７．１３．２０時
間水銀ランプによる光を照射した。所定の時間が経過し
た後、とり出し、ベンゼンによるソックスレー抽出を行
った。ガンマ線照射前に対するグラフト率を両式に基づ
いて算出づると、それぞれ３３０．５５０．３，０００
％であった。この膜はひっばり強度において、ガンマ線
照射前と同程度であり、グラフト重合に際して、高分子
基材の劣化の少ないことが確認された。
実施例２
ポリテトラフロロエチレンの多孔質膜を実施例１と同様
にしてガンマ線によるクラフト重合に供した。照射した
ガンマ線量、グラフト率引張り強度の関係を第１表に示
す。高グラフト率をガンマ線のみで得ると、極度の強度
低下を起こずことがわかる。
にしてガンマ線によるクラフト重合に供した。照射した
ガンマ線量、グラフト率引張り強度の関係を第１表に示
す。高グラフト率をガンマ線のみで得ると、極度の強度
低下を起こずことがわかる。
第１表
Claims (1)
- （１）高分子基材に対し、高エネルギー放射線の照射下
、ラジカル重合性第１モノマーをグラフト重合させてグ
ラフト高分子鎖を成形させた後、該グラフト高分子鎖に
光又は熱分解性官能基を導入させ、次いで、光照射又は
加熱下において、ラジカル重合性第２モノマーをグラフ
ト重合させることを特徴とするグラフト重合法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16968584A JPS6147714A (ja) | 1984-08-14 | 1984-08-14 | グラフト重合法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16968584A JPS6147714A (ja) | 1984-08-14 | 1984-08-14 | グラフト重合法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6147714A true JPS6147714A (ja) | 1986-03-08 |
| JPH0319243B2 JPH0319243B2 (ja) | 1991-03-14 |
Family
ID=15891001
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16968584A Granted JPS6147714A (ja) | 1984-08-14 | 1984-08-14 | グラフト重合法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6147714A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2299339A (en) * | 1995-03-31 | 1996-10-02 | Sumitomo Chemical Co | Process for producing styrenic polymer |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS50145592A (ja) * | 1974-04-16 | 1975-11-21 | ||
| JPS5147092A (ja) * | 1974-10-19 | 1976-04-22 | Maruzen Oil Co Ltd | Gurafutokyojugotaino seizoho |
-
1984
- 1984-08-14 JP JP16968584A patent/JPS6147714A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS50145592A (ja) * | 1974-04-16 | 1975-11-21 | ||
| JPS5147092A (ja) * | 1974-10-19 | 1976-04-22 | Maruzen Oil Co Ltd | Gurafutokyojugotaino seizoho |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2299339A (en) * | 1995-03-31 | 1996-10-02 | Sumitomo Chemical Co | Process for producing styrenic polymer |
| GB2299339B (en) * | 1995-03-31 | 1998-12-09 | Sumitomo Chemical Co | Process for producing styrenic polymer |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0319243B2 (ja) | 1991-03-14 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |