JPS6030339B2 - ４↓−メチル↓−１↓−ペンテン重合体の改質方法 - Google Patents
４↓−メチル↓−１↓−ペンテン重合体の改質方法Info
- Publication number
- JPS6030339B2 JPS6030339B2 JP53127259A JP12725978A JPS6030339B2 JP S6030339 B2 JPS6030339 B2 JP S6030339B2 JP 53127259 A JP53127259 A JP 53127259A JP 12725978 A JP12725978 A JP 12725978A JP S6030339 B2 JPS6030339 B2 JP S6030339B2
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- JP
- Japan
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- methyl
- pentene
- polymer
- pentene polymer
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- Expired
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- Processes Of Treating Macromolecular Substances (AREA)
- Treatments Of Macromolecular Shaped Articles (AREA)
- Heating, Cooling, Or Curing Plastics Or The Like In General (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は４ーメチル−１ーベンテン重合体の改質方法に
関する。
関する。
一般にＴＰＸ樹脂とよばれる４ーメチルー１−ペンテン
重合体は、比較的近年に開発されたポリオレフィン・プ
ラスチック材料であって、著しく透明度が高く（光透過
率９０％以上）美麗であることが第一の特徴であり、高
温における機械的特性がすぐれていること（Ｖｉｃａｔ
軟化点１８０ｑＣ以上、融点約２４０００）が第二の特
徴である。
重合体は、比較的近年に開発されたポリオレフィン・プ
ラスチック材料であって、著しく透明度が高く（光透過
率９０％以上）美麗であることが第一の特徴であり、高
温における機械的特性がすぐれていること（Ｖｉｃａｔ
軟化点１８０ｑＣ以上、融点約２４０００）が第二の特
徴である。
従って加熱による滅菌消毒ができ、医療用器具の部品と
して使えるほか、表面硬度が比較的高いこともあって、
多数を一時に取扱う食器などに利用されている。比重が
０．８３と小さいことも一つの利点であり、これはこの
材料をとくに旅客機の機内食用の食器という用途にぴっ
たりなものとしている。このほか、４ーメチルー１ーベ
ンテン重合体は、電気的特性とくに高周波絶縁性や体積
抵抗率が高いという特徴も有し、電気部品としても用い
られる。
して使えるほか、表面硬度が比較的高いこともあって、
多数を一時に取扱う食器などに利用されている。比重が
０．８３と小さいことも一つの利点であり、これはこの
材料をとくに旅客機の機内食用の食器という用途にぴっ
たりなものとしている。このほか、４ーメチルー１ーベ
ンテン重合体は、電気的特性とくに高周波絶縁性や体積
抵抗率が高いという特徴も有し、電気部品としても用い
られる。
化学的特性としては、酸やァルカ川こ耐えるが、有機溶
剤に膨潤し、また界面活性剤によるストレストクラッキ
ング特性は、ポリエチレンよりはよいが、若干問題があ
る。
剤に膨潤し、また界面活性剤によるストレストクラッキ
ング特性は、ポリエチレンよりはよいが、若干問題があ
る。
多数回のくり返し使用および洗浄に耐えることが要求さ
れる食器向けの用途にとっては、これは改善を要する点
である。本発明は、上述したような４−メチル−１−ペ
ンテン重合体の利点を生かす一方で弱点を改善すること
、すなわち高い透明性を維持したまま化学．品耐性およ
び耐ストレスクラッキング性を向上させ、さらには耐熱
性を一層高めるための方策を追求した結果、この重合体
に対して高エネルギー放射線を照射して架橋処理を施す
ことによってそれが実現することを見出した。
れる食器向けの用途にとっては、これは改善を要する点
である。本発明は、上述したような４−メチル−１−ペ
ンテン重合体の利点を生かす一方で弱点を改善すること
、すなわち高い透明性を維持したまま化学．品耐性およ
び耐ストレスクラッキング性を向上させ、さらには耐熱
性を一層高めるための方策を追求した結果、この重合体
に対して高エネルギー放射線を照射して架橋処理を施す
ことによってそれが実現することを見出した。
一般に熱可塑性高分子物質に高エネルギーの放射線たと
えば電子線やｙ線を照射して架橋を行なうことは知られ
ており、電線被覆ポリエチレンの耐熱性向上などの目的
で、一部はすでに実用化されている。
えば電子線やｙ線を照射して架橋を行なうことは知られ
ており、電線被覆ポリエチレンの耐熱性向上などの目的
で、一部はすでに実用化されている。
しかし、４−メチル−１−ペンテン重合体はポリプロピ
レンと同様に分解反応が先行し、劣化することはよく知
られているが、高照射領域まで照射を行なった例は報告
されていない。放射状の照射が、この樹脂の本来の利点
である透明性を損わずに、他の特性を向上させ得ること
は、従来のポリエチレンなどの放射線架橋技術の知見か
らは予期し得なかったところである。本発明の方法に従
って改質できる４−メチル−１ーベンテンの重合体とし
ては、ポリー４−メチル−１ーベンテンすなわちホモポ
リマ−、および４−メチル−１−ペンテンと他の１ーオ
レフインとくに炭素数５〜１８の１−オレフィンとのコ
ポリマーが中心となるほか、これにビニルモノマーをグ
ラフト共重合させた変性重合体や、これらの重合体を有
機過酸化物または空気の存在下の加熱により減成した重
合体が包含される。この重合体の機械的強度、硬度、耐
熱性、耐溶剤性などの物性は、最終用途ないし製品の使
用目的に従って選択すべきであるが、一般的にいって、
重合体の分子量は〔り〕極限（粘度溶媒デカリン、温度
１３５ｑＣ）が０．２〜４０の範囲に、また硬度はショ
アーＤ硬度４０以上であるものが適当である。
レンと同様に分解反応が先行し、劣化することはよく知
られているが、高照射領域まで照射を行なった例は報告
されていない。放射状の照射が、この樹脂の本来の利点
である透明性を損わずに、他の特性を向上させ得ること
は、従来のポリエチレンなどの放射線架橋技術の知見か
らは予期し得なかったところである。本発明の方法に従
って改質できる４−メチル−１ーベンテンの重合体とし
ては、ポリー４−メチル−１ーベンテンすなわちホモポ
リマ−、および４−メチル−１−ペンテンと他の１ーオ
レフインとくに炭素数５〜１８の１−オレフィンとのコ
ポリマーが中心となるほか、これにビニルモノマーをグ
ラフト共重合させた変性重合体や、これらの重合体を有
機過酸化物または空気の存在下の加熱により減成した重
合体が包含される。この重合体の機械的強度、硬度、耐
熱性、耐溶剤性などの物性は、最終用途ないし製品の使
用目的に従って選択すべきであるが、一般的にいって、
重合体の分子量は〔り〕極限（粘度溶媒デカリン、温度
１３５ｑＣ）が０．２〜４０の範囲に、また硬度はショ
アーＤ硬度４０以上であるものが適当である。
これらの重合体の使用に当っては、上記のように、あら
かじめ滅成するか、またはビニルモノマ‐でグラフト変
性することもできる。
かじめ滅成するか、またはビニルモノマ‐でグラフト変
性することもできる。
グラフト変性に用いるピニルモノマーとしては、アクリ
ル酸、メタクリル酸、マレィン酸、フマル酸、ィタコン
酸などの不飽和カルボン酸があり、またそれらの不飽和
カルボン酸の誘導体として酸無水物、ェステル、アミド
、ィミド、金属塩、アンモニウム塩などを用いることが
できる。
ル酸、メタクリル酸、マレィン酸、フマル酸、ィタコン
酸などの不飽和カルボン酸があり、またそれらの不飽和
カルボン酸の誘導体として酸無水物、ェステル、アミド
、ィミド、金属塩、アンモニウム塩などを用いることが
できる。
例えば無水マレィン酸、無水シトラコン酸、無水ィタコ
ン酸、無水／・ィミツク酸（５ーノルボルネソー２，３
ージカルポン酸無水物）、テトラヒドロ無水フタル酸、
アクリル酸メチル、アクリル酸エチル、メタクリル酸メ
チル、アクリル酸ブチル、アクリル酸グリシジル、メタ
クリル酸グリシジル、アクリル酸２−ヒドロキシェチル
、アクリル酸２−ヒドロキシプロピルメタクリル酸２−
ヒドロキシェチル、メタクリル酸２−ヒドロキシプロピ
ル、Ｎ，Ｎ′−ジメチルアミノエチルメタクリレート、
アクルアミド、アクリル酸ナトリウム、マレィン酸モノ
ェチルェステル、マレィン酸ジェチルェステル、アクリ
ルアミド、マレィン酸モノアミド、マレィン酸ジアミド
、マレィン酸−Ｎーモノェチルアミド、マレィン酸−Ｎ
，Ｎ−ジェチルアミド、マレィン酸−Ｎーモノブチルア
ミド、マレィン酸−Ｎ，Ｎ−ジブチルアミド、フマル酸
モノアミド、フマル酸ジアミド、フマル酸一Ｎ−モノェ
チルアミド、フマル酸−Ｎ，Ｎージェチルアミド、フマ
ル酸−Ｎ−モノブチルアミド、フマル酸−Ｎ，Ｎージブ
チルアミド、マレイミド、Ｎーブチルマレイミド、Ｎ−
フエニルマレイミド等をあげることができる。これ以外
のビニルモノマーとしては、特にここで例示したモノマ
ーに限定されないが、例えばアクリロニトリル、４ービ
ニルピリジン、スチレン、酢酸ビニル、ビニレンカーボ
ネート、アリルグリシジルエーテルなど分子内に重合可
能な炭素−炭素二重結合を有する化合物を用いることが
できる。これらは一種あるいは二種以上併用することも
行なわれる。本発明においては、とくに無水マレィン酸
を用いることが好ましい。４−メチル−１ーベンテンの
改質のために照射する放射線としては、高エネルギー電
子線、中性子線、Ｑ線およびｙ線などが利用でき、この
中では電子線およびｙ線が適用が容易である。
ン酸、無水／・ィミツク酸（５ーノルボルネソー２，３
ージカルポン酸無水物）、テトラヒドロ無水フタル酸、
アクリル酸メチル、アクリル酸エチル、メタクリル酸メ
チル、アクリル酸ブチル、アクリル酸グリシジル、メタ
クリル酸グリシジル、アクリル酸２−ヒドロキシェチル
、アクリル酸２−ヒドロキシプロピルメタクリル酸２−
ヒドロキシェチル、メタクリル酸２−ヒドロキシプロピ
ル、Ｎ，Ｎ′−ジメチルアミノエチルメタクリレート、
アクルアミド、アクリル酸ナトリウム、マレィン酸モノ
ェチルェステル、マレィン酸ジェチルェステル、アクリ
ルアミド、マレィン酸モノアミド、マレィン酸ジアミド
、マレィン酸−Ｎーモノェチルアミド、マレィン酸−Ｎ
，Ｎ−ジェチルアミド、マレィン酸−Ｎーモノブチルア
ミド、マレィン酸−Ｎ，Ｎ−ジブチルアミド、フマル酸
モノアミド、フマル酸ジアミド、フマル酸一Ｎ−モノェ
チルアミド、フマル酸−Ｎ，Ｎージェチルアミド、フマ
ル酸−Ｎ−モノブチルアミド、フマル酸−Ｎ，Ｎージブ
チルアミド、マレイミド、Ｎーブチルマレイミド、Ｎ−
フエニルマレイミド等をあげることができる。これ以外
のビニルモノマーとしては、特にここで例示したモノマ
ーに限定されないが、例えばアクリロニトリル、４ービ
ニルピリジン、スチレン、酢酸ビニル、ビニレンカーボ
ネート、アリルグリシジルエーテルなど分子内に重合可
能な炭素−炭素二重結合を有する化合物を用いることが
できる。これらは一種あるいは二種以上併用することも
行なわれる。本発明においては、とくに無水マレィン酸
を用いることが好ましい。４−メチル−１ーベンテンの
改質のために照射する放射線としては、高エネルギー電
子線、中性子線、Ｑ線およびｙ線などが利用でき、この
中では電子線およびｙ線が適用が容易である。
電子線は大規模な装置を必要とするが高エネルギーの線
を一時に多量に照射することが可能であるから大量処理
に適し、一方ｙ線は線源として的Ｃｏや１３７Ｃｓなど
入手しやすい放射性アイソトープを使用できるので好都
合である。必要な照射量は、被照射体の形状や大きさ、
あるいは行なおうとする架橋の程度によっても異なるが
、ｙ線の場合、通常は数メガラドないし１０メガラドの
オーダーである。高分子物質の放射線による架橋におい
ては、空気中におけるよりも真空中または不活性ガス雰
囲気中における処理がより効果的であると一般にいわれ
ており、このことは、４ーメチルー１ーベンテンの重合
体に対する放射線架橋についてもあてはまることを本発
明者は確認した。
を一時に多量に照射することが可能であるから大量処理
に適し、一方ｙ線は線源として的Ｃｏや１３７Ｃｓなど
入手しやすい放射性アイソトープを使用できるので好都
合である。必要な照射量は、被照射体の形状や大きさ、
あるいは行なおうとする架橋の程度によっても異なるが
、ｙ線の場合、通常は数メガラドないし１０メガラドの
オーダーである。高分子物質の放射線による架橋におい
ては、空気中におけるよりも真空中または不活性ガス雰
囲気中における処理がより効果的であると一般にいわれ
ており、このことは、４ーメチルー１ーベンテンの重合
体に対する放射線架橋についてもあてはまることを本発
明者は確認した。
従って、本発明方法による政質も、真空中または不活性
ガス雰囲気中で行なう。熱可塑性重合体の架橋は反応の
進行に伴ってその熱可塑性が低下して塑性加工が困難に
なるから、以後の加工を必要としないように可能であれ
ばあらかじめ最終製品の形状に成形しておいて、放射線
の照射を行なうべきである。
ガス雰囲気中で行なう。熱可塑性重合体の架橋は反応の
進行に伴ってその熱可塑性が低下して塑性加工が困難に
なるから、以後の加工を必要としないように可能であれ
ばあらかじめ最終製品の形状に成形しておいて、放射線
の照射を行なうべきである。
実施例
ポリー４−メチル−１ーベンテンの粉末に対して、空気
中および真空中（１０‐６柳Ｈｇ）で、６℃ｏを線源と
するｙ線を種々の線量照射した。
中および真空中（１０‐６柳Ｈｇ）で、６℃ｏを線源と
するｙ線を種々の線量照射した。
照射前および照射後の各試料について、下記の物性を測
定した。還元比粘度（ＲＳＶ）：デリカン中、１３５０
０で測定極限粘度〔り〕： 〃数平均分子量Ｍ
ｎ：ＶＰＯにより測定、トリクレン７０ｑＯ溶融温度Ｔ
ｍ（００）：ＤＳＣにより測定、２０ｑｏ／ｎｎｌｎゲ
ル分率（％）：トリクレンに７５００で溶解したのち、
１．０仏のフイルターで炉過したときの不溶分の量。
定した。還元比粘度（ＲＳＶ）：デリカン中、１３５０
０で測定極限粘度〔り〕： 〃数平均分子量Ｍ
ｎ：ＶＰＯにより測定、トリクレン７０ｑＯ溶融温度Ｔ
ｍ（００）：ＤＳＣにより測定、２０ｑｏ／ｎｎｌｎゲ
ル分率（％）：トリクレンに７５００で溶解したのち、
１．０仏のフイルターで炉過したときの不溶分の量。
以上の結果を表１に示す。
参照例
ポリメチルメタクリレートの粉末に対して、空気中およ
び真空中（１０‐４側Ｈｇ）において同様の照射を行な
って、照射前後の各試料の物性を測定した。
び真空中（１０‐４側Ｈｇ）において同様の照射を行な
って、照射前後の各試料の物性を測定した。
ただし、この場合のＲＳＶおよび〔刀〕はアセトン中３
０午０で測定し、またＭｎは、〔り〕＝７．７×１０‐
５Ｍｎぃ７ｏの式に従って算出した。以上の結果を表２
表に示す。表１および表２の比較から、ポリメチルメタ
クリレートの架橋が進まない条件下においても、ポリ−
４ーメチルー１−ペンテンは架橋され改質が実現するこ
とがわかる。表１ポリー４ーメチル−１ーベンテン表２
ボリメチルメタクリレート
０午０で測定し、またＭｎは、〔り〕＝７．７×１０‐
５Ｍｎぃ７ｏの式に従って算出した。以上の結果を表２
表に示す。表１および表２の比較から、ポリメチルメタ
クリレートの架橋が進まない条件下においても、ポリ−
４ーメチルー１−ペンテンは架橋され改質が実現するこ
とがわかる。表１ポリー４ーメチル−１ーベンテン表２
ボリメチルメタクリレート
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ ４−メチル−１−ペンテン重合体に対し、真空中ま
たは不活性ガス雰囲気中で、γ線、電子線などの高エネ
ルギーの放射線を照射することにより、透明性を維持し
たまま重合体の特性を向上させることを特徴とする改質
方法。 ２ ４−メチル−１−ペンテン重合体がポリ−４−メチ
ル−１−ペンテンまたは４−メチル−１−ペンテンと炭
素数５〜１８の１−オレフインとのコポリマーであるこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項の改質方法。 ３ ４−メチル−１−ペンテン重合体を所望の最終製品
の形状に成形してのち照射を行なうことを特徴とする特
許請求の範囲第１項の改質方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP53127259A JPS6030339B2 (ja) | 1978-10-18 | 1978-10-18 | ４↓−メチル↓−１↓−ペンテン重合体の改質方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP53127259A JPS6030339B2 (ja) | 1978-10-18 | 1978-10-18 | ４↓−メチル↓−１↓−ペンテン重合体の改質方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5554332A JPS5554332A (en) | 1980-04-21 |
| JPS6030339B2 true JPS6030339B2 (ja) | 1985-07-16 |
Family
ID=14955609
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP53127259A Expired JPS6030339B2 (ja) | 1978-10-18 | 1978-10-18 | ４↓−メチル↓−１↓−ペンテン重合体の改質方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6030339B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102021004048A1 (de) | 2020-08-06 | 2022-02-10 | Mitutoyo Corporation | Regel- bzw. steuerverfahren eines formmessapparats |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104169359A (zh) | 2012-01-17 | 2014-11-26 | 大日本印刷株式会社 | 电子束固化性树脂组合物、反射器用树脂框架、反射器、半导体发光装置、及成形体的制造方法 |
| JP2015023099A (ja) * | 2013-07-17 | 2015-02-02 | 大日本印刷株式会社 | 半導体発光装置の製造方法、成形体の製造方法、電子線硬化性樹脂組成物、リフレクター用樹脂フレーム、およびリフレクター |
| JP6155928B2 (ja) * | 2013-07-17 | 2017-07-05 | 大日本印刷株式会社 | 半導体発光装置の製造方法、半導体発光装置用部品の製造方法、反射体の製造方法及び反射体形成用組成物 |
| JP6155929B2 (ja) * | 2013-07-17 | 2017-07-05 | 大日本印刷株式会社 | 半導体発光装置、半導体発光装置用部品及びそれらの製造方法、並びに反射体及びその製造方法 |
-
1978
- 1978-10-18 JP JP53127259A patent/JPS6030339B2/ja not_active Expired
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102021004048A1 (de) | 2020-08-06 | 2022-02-10 | Mitutoyo Corporation | Regel- bzw. steuerverfahren eines formmessapparats |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5554332A (en) | 1980-04-21 |
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