JPS6146022A - X線リソグラフイ装置 - Google Patents

X線リソグラフイ装置

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Publication number
JPS6146022A
JPS6146022A JP59166441A JP16644184A JPS6146022A JP S6146022 A JPS6146022 A JP S6146022A JP 59166441 A JP59166441 A JP 59166441A JP 16644184 A JP16644184 A JP 16644184A JP S6146022 A JPS6146022 A JP S6146022A
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JP
Japan
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chamber
ray
bellows
lithography apparatus
substrate
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Application number
JP59166441A
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English (en)
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JPH0442817B2 (ja
Inventor
Yukio Kurosawa
黒沢 幸夫
Hiroshi Arita
浩 有田
Kunio Hirasawa
平沢 邦夫
Yoshio Watanabe
渡辺 良男
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Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP59166441A priority Critical patent/JPS6146022A/ja
Publication of JPS6146022A publication Critical patent/JPS6146022A/ja
Publication of JPH0442817B2 publication Critical patent/JPH0442817B2/ja
Granted legal-status Critical Current

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Landscapes

  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • X-Ray Techniques (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明は大規模集積回路製造用のリソグラフィ装置に係
り、特にXiを用いたりソグラフイ装置に関する。
〔発明の背景〕
今日、大規模集積回路の製造には光や紫外線を用いたリ
ングラフィ装置が使用されている。ところで、近い将来
さらに集積度を上げるためにパターンの加工幅を1ミク
ロン以下にすることが望まれている。1ミクロン以下の
幅になると光自身の波長の領域に近くなり、光を使った
りソグラフイで最早鮮明な像を得ることは困難である。
そこで、最近光源として軟X線を使うことが、雑誌[応
用物理」第53巻、第1号(1984)の「シンクロト
ロン放射光りソグラフイ」と題する記事や、5PIN!
  Vol、  279  υ1七raviolet 
 and  Vacunmυ1traviolet  
Systems   (1981)のrUL七ravi
olet、  andX−ray lithograp
hyjと題する記事にて紹介されている。軟X線源とし
ては、シンクロトロン放射光や、プラズマフォーカス、
ガスパフ並びに真空スパークなどの放電ピンチを利用し
た七のが紹介されている。シンクロトロン放射光は装置
があまりにも大形で高価すぎ、生産設備として適してお
らず、線源としてはプラズマフォーカス、ガスパフ並び
に真空スパークが有望と考えられている。しかし、これ
らの放電ピンチ現象を利用してX線を得る方式は、数1
00kAの大電流を流すため。
配線系での電磁力が巨大なものになり、装置に酎して振
動を与えやすい、第4図はガスパフの例である。vA源
室11は通常インピーダンスを小さくするため同軸状に
形成され、真空ポンプ2によって真空に排気されている
。また対を棒状の電極3゜4のうちの一方には高速動作
バルブ5を介して、Ar、Na、Kr、Xs、Rnなど
のガスを充満したガス源室6がつながれている。電極3
,4はパルス大電流源7に放電開始スイッチ8を介して
リード線9a、9bにより接続されている。高速バルブ
5を開いて、電極3,4間にガス分子を導入した後、放
電開始スイッチ8を閉じ数100kAのパルス大電流放
電を生じさせる。電極3゜4間に発生したアークはこの
アーク自身の磁界で互いに磁気的に吸引し合うピンチを
生じ高温のプラズマ状態となりX線を放射する。このと
きリード線9a、9b間には巨大な電磁力Fが作用し、
リード線の支持系および線源室1に強力な衝撃力を与え
る。その結果g源室lに直結される露光室にも衝撃力が
伝わり、ミクロンの単位で精密な位置調整をしたマスク
と基板間の位置関係を狂わしてしまうという欠点があっ
た。
〔発明の目的〕
本発明は上述の点に鑑みてなされたもので、その目的と
するところは、精密な位置制御の可能なX線リソグラフ
ィ装置を提供するにある。
cJl!明の概要〕 本発明はX線リソグラフィ装置の線源室と露光室とをベ
ローズで結合することにより所期の目的を達成するよう
にしたものである。
〔発明の実施例〕
以下本発明に係るX線リソグラフィ装置の一実施例を図
面を参照して説明する。
第1図に本発明の一実施例を示す、該図において第4図
に示す部分と同一または同等の部分は同一符号にて示す
、線源室lにはガスパフ方式のX線源が用いられており
、この電源室1内に同軸上に一定の間隙を介して対向す
る電極3.4が同軸状に設けられており、この軸方向と
直角をなす方向に前記間隙に対応する位置にX線取出し
口10が設けられている。このX線取出し口10の先端
部にはベローズ13並びに受は窓14を介して露光室1
5が設けられている。取り出し口10には線源室に導入
したガス分子の移動を防止するためにX線の透過するベ
リリウムから成るX線透過窓11が設けられている。露
光室内は、X線吸収の小さいH8ガスを充填するか、又
は真空に排気されて構成される。線源室lにて発生した
X線12は、X線透過窓を通過し、マスク1Gを介して
レジスト膜を塗った半導体基板17に照射される。
この方式では大電流放電による電磁衝撃力はベローズに
よって緩衝され、露光室には伝わらない。
従ってマスク16と基1fi17の間の位置関係が衝撃
力により狂わされることがなくなり、精度の高い露光が
可能になる。
第2図および第3図に本発明の他の実施例を示す。
第2図は線源に真空スパークを用いた例であり線源室2
0は、ガスパフの場合と同じような構成にされるが、高
速バルブ2とガス源室6の代りに、ガリウムなどの液体
金属室19と液体金舅供給機#118とからなり、液体
金属をまき込んだ大電流放電ピンチによりX線を発生す
るものであり、これに本発明を適用した例である。
第3図は線源にプラズマフォーカスを用いた例であり、
線源室21はやはり同軸状に構成される。
この場合、放電は線源室21の絶縁部材22の沿面で生
じ、放電プラズマ23は電磁力で駆動されて第3図右側
の方に移動し、ついには棒状電極24の先端部でフォー
カスされてピンチを生じX線を発生する。この場合も、
線源室21と露光室はベローズを介して接続されている
第2図および第3図に示す実施例においても、第1図に
示す実施例と全く同様の効果を有する。
またベローズ13の代りにダイアフラムを用いても本発
明の効果は損われない。
〔発明の効果〕
上記のように本発明によれば、大電流放電ピンチを利用
したXiリソグラフィ装置の線源室と露光室とをベロー
ズを介して連結したものであるから、放電時の電磁衝撃
力が線源室に加わっても。
露光室には何ら電磁衝撃力は加わらず、マスクと基板間
の位置関係が狂わされることがなく、精度の高い露光が
できる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明に係るX線リソグラフィ装置の一実施例
を示す説明図、第2図および第3図は本発明の他の実施
例を示す説明図、第4図は従来のX線リソグラフィ装置
を示す説明図である。 1.20,21・・・線源室、2・・・真空ポンプ、3
゜4.24・・・電極、5・・・高速バルブ、6・・・
ガス源室。 7・・・パルス大電流源、10・・・xi取出口、11
・・・)l透過窓、12・・・X線、13・・・ベロー
ズ、14・・・受は窓、15・・・露光室、17・・・
半導体基板。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、電極間の放電によるピンチ現象を利用したX線源と
    露光室とよりなるX線リソグラフィ装置において、前記
    X線源を収納する線源室と前記露光室とをベローズを介
    して結合したことを特徴とするX線リソグラフィ装置。 2、前記線源室の下部には前記電極の軸方向に対してほ
    ぼ直角方向にX線取出し口が設けられ、このX線取出し
    口と前記ベローズとを介して前記露光室が該線源室下方
    に配設されたことを特徴とする特許請求の範囲第1項記
    載のX線リソグラフィ装置。
JP59166441A 1984-08-10 1984-08-10 X線リソグラフイ装置 Granted JPS6146022A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP59166441A JPS6146022A (ja) 1984-08-10 1984-08-10 X線リソグラフイ装置

Applications Claiming Priority (1)

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JP59166441A JPS6146022A (ja) 1984-08-10 1984-08-10 X線リソグラフイ装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS6146022A true JPS6146022A (ja) 1986-03-06
JPH0442817B2 JPH0442817B2 (ja) 1992-07-14

Family

ID=15831457

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JP59166441A Granted JPS6146022A (ja) 1984-08-10 1984-08-10 X線リソグラフイ装置

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JP (1) JPS6146022A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102561393B1 (ko) * 2023-01-30 2023-07-31 주식회사 지씨이 비접촉식 수직연속에칭설비의 에칭액 석션 회수 순환장치

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR102561393B1 (ko) * 2023-01-30 2023-07-31 주식회사 지씨이 비접촉식 수직연속에칭설비의 에칭액 석션 회수 순환장치

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JPH0442817B2 (ja) 1992-07-14

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