JPS6145613A - 集積回路 - Google Patents
集積回路Info
- Publication number
- JPS6145613A JPS6145613A JP16747484A JP16747484A JPS6145613A JP S6145613 A JPS6145613 A JP S6145613A JP 16747484 A JP16747484 A JP 16747484A JP 16747484 A JP16747484 A JP 16747484A JP S6145613 A JPS6145613 A JP S6145613A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- transistor
- emitter
- circuit
- base
- emitters
- Prior art date
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- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/45—Differential amplifiers
- H03F3/45071—Differential amplifiers with semiconductor devices only
- H03F3/45076—Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of implementation of the active amplifying circuit in the differential amplifier
- H03F3/45179—Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of implementation of the active amplifying circuit in the differential amplifier using MOSFET transistors as the active amplifying circuit
- H03F3/45197—Pl types
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
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- H03F3/45071—Differential amplifiers with semiconductor devices only
- H03F3/45076—Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of implementation of the active amplifying circuit in the differential amplifier
- H03F3/4508—Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of implementation of the active amplifying circuit in the differential amplifier using bipolar transistors as the active amplifying circuit
- H03F3/45098—PI types
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F2203/00—Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
- H03F2203/45—Indexing scheme relating to differential amplifiers
- H03F2203/45458—Indexing scheme relating to differential amplifiers the CSC comprising one or more capacitors
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F2203/00—Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
- H03F2203/45—Indexing scheme relating to differential amplifiers
- H03F2203/45464—Indexing scheme relating to differential amplifiers the CSC comprising one or more coils
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は高周波差動増幅回路、特に集積回路における高
周波差動増幅回路に関するものであるつ（従来技術） 従来、アナログ広帯域増幅器を実現する基本的回路構成
として、平衡形差動構成、負帰還カスケード構成等が用
いられている。その中でも比較的簡単な回路構成で、広
帯域、ハイゲイン、良好な直線性を得ることができるの
が平衡形差動構成である。
周波差動増幅回路に関するものであるつ（従来技術） 従来、アナログ広帯域増幅器を実現する基本的回路構成
として、平衡形差動構成、負帰還カスケード構成等が用
いられている。その中でも比較的簡単な回路構成で、広
帯域、ハイゲイン、良好な直線性を得ることができるの
が平衡形差動構成である。
従来、モノリシック集積回路で実現できるバイポーラ・
トランジスタを２個、ベアで用いた平衡形差動増幅回路
構成の代表的なものに、第１図のものがある。この平衡
形差動増幅回路は、同じ特性の２個のトランジスタ１及
びトランジスタ２な対称的に組み合わせて使用するもの
で、２組の入力端子がありそれぞれの入力端子に供給さ
れる電圧の差を増幅し、トランジスタ１及びトランジス
タ２のコレクタ間から出力を取り出す。それぞれのトラ
ンジスタのコレクタ抵抗３及びコレクタ抵抗４はトラン
ジスタｌ及びトランジスタ２の動作点を決定する。また
抵抗５及び抵抗６は定電流源としての抵抗であり、比較
的大きな値の抵抗が用いられる。抵抗７は低周波側にお
いて利得を抑える働きをし、利得の平坦化を行っている
。
トランジスタを２個、ベアで用いた平衡形差動増幅回路
構成の代表的なものに、第１図のものがある。この平衡
形差動増幅回路は、同じ特性の２個のトランジスタ１及
びトランジスタ２な対称的に組み合わせて使用するもの
で、２組の入力端子がありそれぞれの入力端子に供給さ
れる電圧の差を増幅し、トランジスタ１及びトランジス
タ２のコレクタ間から出力を取り出す。それぞれのトラ
ンジスタのコレクタ抵抗３及びコレクタ抵抗４はトラン
ジスタｌ及びトランジスタ２の動作点を決定する。また
抵抗５及び抵抗６は定電流源としての抵抗であり、比較
的大きな値の抵抗が用いられる。抵抗７は低周波側にお
いて利得を抑える働きをし、利得の平坦化を行っている
。
ところで第１図の様な回路において、より広帯域化を実
現しようとした場合、トランジスタ１及びトランジスタ
２のエミッタ間にコンデンサを挿入することにより高周
波側においてピーキングを行な５ことが可能である。例
えばコンデンサをＭＯ８容量により形成する。しかしモ
ノリシック集積回路構成上、コンデンサ等の受動素子を
形成する場合、能動素子であるトランジスタに比べ、そ
の占有面積は非常に大きくなるので好ましくなく、より
広帯域化の実現には大きな制限となっている。
現しようとした場合、トランジスタ１及びトランジスタ
２のエミッタ間にコンデンサを挿入することにより高周
波側においてピーキングを行な５ことが可能である。例
えばコンデンサをＭＯ８容量により形成する。しかしモ
ノリシック集積回路構成上、コンデンサ等の受動素子を
形成する場合、能動素子であるトランジスタに比べ、そ
の占有面積は非常に大きくなるので好ましくなく、より
広帯域化の実現には大きな制限となっている。
（発明の目的）
本発明の目的は上記欠点を改善し、高周波特性の向上を
可能にした広帯域増幅回路を有する集積回路を提供する
ものである。
可能にした広帯域増幅回路を有する集積回路を提供する
ものである。
（発明の構成）
本発明による集積回路は、差動対を形成する第１のトラ
ンジスタ及び第２のトランジスタのエミッタのいずれか
一方に第３のトランジスタのコレクタ及びベースを接続
し、他方に第３のトランジスタのエミッタを接続するこ
とにより、第３のトランジスタのベース・エミッタ間の
接合容量をピーキング用コンデンサとして働かせ、高周
波特性を改善するものである。
ンジスタ及び第２のトランジスタのエミッタのいずれか
一方に第３のトランジスタのコレクタ及びベースを接続
し、他方に第３のトランジスタのエミッタを接続するこ
とにより、第３のトランジスタのベース・エミッタ間の
接合容量をピーキング用コンデンサとして働かせ、高周
波特性を改善するものである。
（実施例）
以下、本発明の実施例を図を参照しながら説明する。第
２図は本発明の実施例に係る平衡形差動増幅器であり、
トランジスタ１及びトランジスタ２は増幅部を構成して
いる。トランジスタ１及びトランジスタ２０ベースは入
力端子であり、それぞれの入力端子に供給される電圧の
差を増幅し、トランジスタ１及びトランジスタ２のコレ
クタ間より出力を取り出す。この時の出力電圧は入力電
圧の差に比例する。トランジスタｌ及びトランジスタ２
のコレクタ抵抗３及びコレクタ抵抗４は、トランジスタ
ｌ及びトランジスタ２の動作点を決定している。抵抗５
及び抵抗６は、高抵抗値を使用して定電流源回路を構成
している。抵抗７は低周波側において利得を抑える働き
をし、利得の平坦化を行っている。またトランジスタ８
のコレクタ及びベースをトランジスタｌ又はトランジス
タ２のエミッタの一方に接続し、トランジスタ８のエミ
ッタをトランジスタ１又はトランジスタ２のエミッタの
他方に接続することにより、トランジスタ８のベース・
エミッタ間の接合容量なピーキング用コンデンサとし℃
働かせ、より広帯域化の実現を可能にするものである。
２図は本発明の実施例に係る平衡形差動増幅器であり、
トランジスタ１及びトランジスタ２は増幅部を構成して
いる。トランジスタ１及びトランジスタ２０ベースは入
力端子であり、それぞれの入力端子に供給される電圧の
差を増幅し、トランジスタ１及びトランジスタ２のコレ
クタ間より出力を取り出す。この時の出力電圧は入力電
圧の差に比例する。トランジスタｌ及びトランジスタ２
のコレクタ抵抗３及びコレクタ抵抗４は、トランジスタ
ｌ及びトランジスタ２の動作点を決定している。抵抗５
及び抵抗６は、高抵抗値を使用して定電流源回路を構成
している。抵抗７は低周波側において利得を抑える働き
をし、利得の平坦化を行っている。またトランジスタ８
のコレクタ及びベースをトランジスタｌ又はトランジス
タ２のエミッタの一方に接続し、トランジスタ８のエミ
ッタをトランジスタ１又はトランジスタ２のエミッタの
他方に接続することにより、トランジスタ８のベース・
エミッタ間の接合容量なピーキング用コンデンサとし℃
働かせ、より広帯域化の実現を可能にするものである。
第３図は従来例の回路と実施例回路の利得の周波特性を
示す図であり、ｌＯは従来例、１１は実施例によるもの
である。
示す図であり、ｌＯは従来例、１１は実施例によるもの
である。
なおピーキング用トランジスタとして、さらにトランジ
スタ８と並列で、かつ逆方向にトランジスタ９接続する
ことＫより、回路のバランスを一層良好にすることが可
能である。
スタ８と並列で、かつ逆方向にトランジスタ９接続する
ことＫより、回路のバランスを一層良好にすることが可
能である。
（発明の効果）
以上説明したよ５に本発明によれば、トランジスタのベ
ース−エミッタ間の接合容量をピーキング用コンデンサ
として利用するものであるから、集積回路に適した高周
波差動増幅が可能となる。
ース−エミッタ間の接合容量をピーキング用コンデンサ
として利用するものであるから、集積回路に適した高周
波差動増幅が可能となる。
第１図は、従来例に係るモノリシック集積回路用平衡形
差動増幅回路の回路図、第２図は本発明の実施例にかか
るモノリシック集積回路用平衡形差動増幅回路の回路図
、第３図は本発明の実施例回路と従来例回路の利得の周
波数特性を示す図である。 １・・・トランジスタ１ ２・・・トランジスタ２ ３・・・トランジスタ１のコレクタ抵抗４・・・トラン
ジスタ２のコレクタ抵抗５・・・定電流源としての抵抗 ６・・・定電流源としての抵抗 ７・・・トランジスタｌ及びトランジスタ２のエミッタ
間ヲ結合する抵抗
差動増幅回路の回路図、第２図は本発明の実施例にかか
るモノリシック集積回路用平衡形差動増幅回路の回路図
、第３図は本発明の実施例回路と従来例回路の利得の周
波数特性を示す図である。 １・・・トランジスタ１ ２・・・トランジスタ２ ３・・・トランジスタ１のコレクタ抵抗４・・・トラン
ジスタ２のコレクタ抵抗５・・・定電流源としての抵抗 ６・・・定電流源としての抵抗 ７・・・トランジスタｌ及びトランジスタ２のエミッタ
間ヲ結合する抵抗
Claims (2)
- （１）各エミツタに抵抗が接続された第１のトランジス
タと第２のトランジスタと、前記エミツタ間を接続する
抵抗と、 前記いずれかのトランジスタのエミツタにベースとコレ
クタを接続し、他方のトランジスタのエミツタにエミツ
タを接続する第３のトランジスタとによつて構成された
差動増幅回路を有することを特徴とする集積回路。 - （２）前記第３のトランジスタと並列で、かつ逆方向に
前記トランジスタのエミツタ間に接続された第４のトラ
ンジスタを備えた差動増幅回路を有することを特徴とす
る特許請求の範囲第１項に記載の集積回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16747484A JPS6145613A (ja) | 1984-08-10 | 1984-08-10 | 集積回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16747484A JPS6145613A (ja) | 1984-08-10 | 1984-08-10 | 集積回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6145613A true JPS6145613A (ja) | 1986-03-05 |
Family
ID=15850347
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16747484A Pending JPS6145613A (ja) | 1984-08-10 | 1984-08-10 | 集積回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6145613A (ja) |
-
1984
- 1984-08-10 JP JP16747484A patent/JPS6145613A/ja active Pending
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