JPS6145551A - 電子ビ−ム装置 - Google Patents
電子ビ−ム装置Info
- Publication number
- JPS6145551A JPS6145551A JP59166803A JP16680384A JPS6145551A JP S6145551 A JPS6145551 A JP S6145551A JP 59166803 A JP59166803 A JP 59166803A JP 16680384 A JP16680384 A JP 16680384A JP S6145551 A JPS6145551 A JP S6145551A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electron beam
- wiring
- electron
- cross
- sectional shape
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 title claims abstract description 85
- 230000005855 radiation Effects 0.000 abstract 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 4
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 4
- 238000012935 Averaging Methods 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 201000009310 astigmatism Diseases 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 230000008094 contradictory effect Effects 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 230000002123 temporal effect Effects 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/26—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes
- H01J37/266—Measurement of magnetic or electric fields in the object; Lorentzmicroscopy
- H01J37/268—Measurement of magnetic or electric fields in the object; Lorentzmicroscopy with scanning beams
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Tests Of Electronic Circuits (AREA)
- Measurement Of Current Or Voltage (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(1)発明の分野
本発明は電子ビームを被射体に照射する装置に係り、特
に電子ビームを集積回路に照射して電圧の測定を行う電
子ビーム装置に関する。
に電子ビームを集積回路に照射して電圧の測定を行う電
子ビーム装置に関する。
(2)技術の背景
集積回路の動的な電圧変化を測定する手段として、スト
ロボ電子ビーム装置がある。これは集積回路(以下、I
Cで代表する)の被測定部分にパルス状の電子ビームを
照射した時に、該被測定部分の電圧が高ければ、そこか
ら放射される2次電子の量が少なく、電圧が低ければ2
次電子の量が多いことを利用し、該2次電子の量を検出
することにより電圧変化を測定しようというものである
。
ロボ電子ビーム装置がある。これは集積回路(以下、I
Cで代表する)の被測定部分にパルス状の電子ビームを
照射した時に、該被測定部分の電圧が高ければ、そこか
ら放射される2次電子の量が少なく、電圧が低ければ2
次電子の量が多いことを利用し、該2次電子の量を検出
することにより電圧変化を測定しようというものである
。
さらにICは複数クロック数(例えば100クロツク)
を1動作周期として一連の動作を繰り返すことを利用し
、該ICを動作させながら前記電子ビームパルスを被測
定部分に照射させ、しかもその照射タイミングを該IC
の1動作周期目には1クロノクロ、2動作周期口には2
クロツク目、・・・というように少しずつずらしてゆき
、各照射タイミングにおける2次電子量を測定すること
によって、前記被測定部分の動作周期内の電圧の時間的
な変化を測定することができる。(以下、これを波形モ
ードと呼ぶ。)また、前記電子ビームパルスの照射タイ
ミングを前記動作周期中の例えば50クロツク目という
ように固定し、各照射タイミングごとに該IC上におけ
る前記電子ビームパルスの照射点を走査しながらずらし
てゆくことによって、該ICの動作周期内の50クロツ
ク目における各被測定部分の瞬間的な電圧分布像を得る
ことができる。(以下、これを像モードと呼ぶ。)以上
のような機能を有するストロボ電子ビーム装置において
は、前記電子ビームパルスのビーム径が太いと、前記各
被測定部分から放射される2次電子の量が該測定部分の
周囲の部分の電圧変化によるf7j響を受けて変化し、
正しい電圧値を測定できないことがある。
を1動作周期として一連の動作を繰り返すことを利用し
、該ICを動作させながら前記電子ビームパルスを被測
定部分に照射させ、しかもその照射タイミングを該IC
の1動作周期目には1クロノクロ、2動作周期口には2
クロツク目、・・・というように少しずつずらしてゆき
、各照射タイミングにおける2次電子量を測定すること
によって、前記被測定部分の動作周期内の電圧の時間的
な変化を測定することができる。(以下、これを波形モ
ードと呼ぶ。)また、前記電子ビームパルスの照射タイ
ミングを前記動作周期中の例えば50クロツク目という
ように固定し、各照射タイミングごとに該IC上におけ
る前記電子ビームパルスの照射点を走査しながらずらし
てゆくことによって、該ICの動作周期内の50クロツ
ク目における各被測定部分の瞬間的な電圧分布像を得る
ことができる。(以下、これを像モードと呼ぶ。)以上
のような機能を有するストロボ電子ビーム装置において
は、前記電子ビームパルスのビーム径が太いと、前記各
被測定部分から放射される2次電子の量が該測定部分の
周囲の部分の電圧変化によるf7j響を受けて変化し、
正しい電圧値を測定できないことがある。
一方、同しような電子ビーム装置を用いて集積回路の回
路パターンを製造する装置として電子ビーム露光装置が
ある。これはシリコン・ウェーハなどの試料上にレジス
トと呼ばれる保i!膜を形成させた後、該試料上に電子
ビームを走査させながら断続的に照射させ、前記レジス
トを露光することによって所定パターンを焼きつけてゆ
くものである。その後、シリコン・ウェーハ上の露光部
分を現像した後、エツチングを行うことにより酸化膜が
除かれ試料表面上に所定パターンの窓があけられる。そ
してそこに数々の不純物拡散をおこさせたり、電極や配
線用の金属を付着させたりすることによって、複雑な回
路パターンを試料上に形成させることができる。以上の
ような電子ビーム露光装置においても、前記ストロボ電
子ビーム装置の場合と同様に電子ビームのビーム径が太
いと、回路パターンの幅が数ミクロンというようなi&
綱な回路パターンを形成することが難しくなる。
路パターンを製造する装置として電子ビーム露光装置が
ある。これはシリコン・ウェーハなどの試料上にレジス
トと呼ばれる保i!膜を形成させた後、該試料上に電子
ビームを走査させながら断続的に照射させ、前記レジス
トを露光することによって所定パターンを焼きつけてゆ
くものである。その後、シリコン・ウェーハ上の露光部
分を現像した後、エツチングを行うことにより酸化膜が
除かれ試料表面上に所定パターンの窓があけられる。そ
してそこに数々の不純物拡散をおこさせたり、電極や配
線用の金属を付着させたりすることによって、複雑な回
路パターンを試料上に形成させることができる。以上の
ような電子ビーム露光装置においても、前記ストロボ電
子ビーム装置の場合と同様に電子ビームのビーム径が太
いと、回路パターンの幅が数ミクロンというようなi&
綱な回路パターンを形成することが難しくなる。
(2)従来技術と問題点
上記のような背景に対して、従来はストロボ電子ビーム
装置、電子ビーム露光装置共に、使用する電子ビームの
ビーム径が最小で、かつその断面形状が円形になるよう
に非点収差を調整し、被照射点の周囲の影響を極力抑え
るようにしていた。
装置、電子ビーム露光装置共に、使用する電子ビームの
ビーム径が最小で、かつその断面形状が円形になるよう
に非点収差を調整し、被照射点の周囲の影響を極力抑え
るようにしていた。
しかし、近年LSIなどはますます集積化される方向に
向かっており、それによって試料のパターンが微細にな
るにつれて、電子ビームのビーム径の大きさが相対的に
大きくなってしまい、円形ビームでは周囲の影響を取り
除くことが困難になってきているという問題点があった
。第2図はその一例である。今、22.23.24は配
線パターンでありストロボ電子ビーム装置によって配線
パターン23上の25の斜線部分の電圧を測定したいと
する。その場合、円形の電子ビームは同図のように照射
されるがその照射部分は周囲の配線パターン22及び2
4の近くに達するため、得られる2次電子の量はそれら
周囲の部分の電圧値の影響を受けて変化してしまい、2
5の斜線部分の正しい電圧値に応した量にならない。同
様に、配線パターン23上の26の斜線部分では配線パ
ターン24の部分の電圧値の影響を受けてしまう。
向かっており、それによって試料のパターンが微細にな
るにつれて、電子ビームのビーム径の大きさが相対的に
大きくなってしまい、円形ビームでは周囲の影響を取り
除くことが困難になってきているという問題点があった
。第2図はその一例である。今、22.23.24は配
線パターンでありストロボ電子ビーム装置によって配線
パターン23上の25の斜線部分の電圧を測定したいと
する。その場合、円形の電子ビームは同図のように照射
されるがその照射部分は周囲の配線パターン22及び2
4の近くに達するため、得られる2次電子の量はそれら
周囲の部分の電圧値の影響を受けて変化してしまい、2
5の斜線部分の正しい電圧値に応した量にならない。同
様に、配線パターン23上の26の斜線部分では配線パ
ターン24の部分の電圧値の影響を受けてしまう。
また、ストロボ電子ビーム装置において、試料を破壊す
ることなく電圧測定を行うために、電子ビームの加速電
圧を低くし、試料と電子レンズとの距離を長くとること
が多いため、それによってさらにビーム径が大きくなっ
てしまうという問題点があった。さらに、ストロボ電子
ビーム装置において、逆にビーム径を小さくすると試料
表面の凸凹などによって2次電子の量にばらつきを生し
てしまう (特にパターンのかどでその1頃向が強い)
という矛盾した問題点があった。
ることなく電圧測定を行うために、電子ビームの加速電
圧を低くし、試料と電子レンズとの距離を長くとること
が多いため、それによってさらにビーム径が大きくなっ
てしまうという問題点があった。さらに、ストロボ電子
ビーム装置において、逆にビーム径を小さくすると試料
表面の凸凹などによって2次電子の量にばらつきを生し
てしまう (特にパターンのかどでその1頃向が強い)
という矛盾した問題点があった。
(3)発明の目的
本発明は上記問題点を除くために、試料の各被照射点に
おける配線の方向によって電子ビームの形状を変化させ
、配線と直角方向にはビーム径が小さく、同一方向には
ビーム径が大きくなるように電子ビームを照射すること
により、配線と直角方向の分解能を向上させ、かつ同一
方向に対しては表面の凸凹などによる影響を平均化する
ことによって、精度の高いビーム照射を行うことのでき
る電子ビーム装置を提供することを目的とする。
おける配線の方向によって電子ビームの形状を変化させ
、配線と直角方向にはビーム径が小さく、同一方向には
ビーム径が大きくなるように電子ビームを照射すること
により、配線と直角方向の分解能を向上させ、かつ同一
方向に対しては表面の凸凹などによる影響を平均化する
ことによって、精度の高いビーム照射を行うことのでき
る電子ビーム装置を提供することを目的とする。
(4)発明の構成
上記目的を達成するために、電子ビームの断面図形状を
1lla整する形状調整手段と、前記電子ビームが照射
される試料上の各被照射点において、咳各被照射点にお
ける配線の長手方向と同一方向に前記電子ビームの断面
形状のビーム径が太くなるように前記形状調整手段を制
御する制御手段ををすることを特徴とする電子ビーム装
置。
1lla整する形状調整手段と、前記電子ビームが照射
される試料上の各被照射点において、咳各被照射点にお
ける配線の長手方向と同一方向に前記電子ビームの断面
形状のビーム径が太くなるように前記形状調整手段を制
御する制御手段ををすることを特徴とする電子ビーム装
置。
(5)発明の実施例
以下、本発明の実施例について詳細に説明を行う。
第1図は本発明によるストロボ電子ビーム装置の全体的
な構成図である。電子銃1から発射されたffi子ビー
ム2は電子レンズ3、パルスビームR生器4、偏向器5
、X方向ステイグメータ6、Y方向ステイグメータ7の
間を通過し、被測定[C8上へ照射される。それにより
発生した2次電子9は、エネルギー分析器19を介して
2次電子検出器10で検出される。2次電子検出器は信
号処理回rlI!r14に接続され、信号処理回路14
は、制御装置1Gに接続される。被/llす定JCBは
ICドライバ15に接続され、ICドライバ15は信号
処理回路14、及び制御装置16に接続される。一方、
ストロボユニット13はパルスビーム発生器4、信号処
理回路14、及び制御装置16に接続される。制御装置
16はディスプレイ17、及び計算機18に接続される
。また、制御装置16はDA変換器11及び12に接続
され、DA変換器11及び12のアナログ出力は各々、
X方向ステイグメータドライバ20、及びY方向ステイ
グメータドライバ21に接続され、X方向ステイグメー
タドライバ20、及びY方向ステイグメークドライバ2
1は各々、X方向ステイグメータ6及びY方向ステイグ
メータ7に接続される。
な構成図である。電子銃1から発射されたffi子ビー
ム2は電子レンズ3、パルスビームR生器4、偏向器5
、X方向ステイグメータ6、Y方向ステイグメータ7の
間を通過し、被測定[C8上へ照射される。それにより
発生した2次電子9は、エネルギー分析器19を介して
2次電子検出器10で検出される。2次電子検出器は信
号処理回rlI!r14に接続され、信号処理回路14
は、制御装置1Gに接続される。被/llす定JCBは
ICドライバ15に接続され、ICドライバ15は信号
処理回路14、及び制御装置16に接続される。一方、
ストロボユニット13はパルスビーム発生器4、信号処
理回路14、及び制御装置16に接続される。制御装置
16はディスプレイ17、及び計算機18に接続される
。また、制御装置16はDA変換器11及び12に接続
され、DA変換器11及び12のアナログ出力は各々、
X方向ステイグメータドライバ20、及びY方向ステイ
グメータドライバ21に接続され、X方向ステイグメー
タドライバ20、及びY方向ステイグメークドライバ2
1は各々、X方向ステイグメータ6及びY方向ステイグ
メータ7に接続される。
以上のような構成のストロボ電子ビーム装置において、
まず電子銃1から発射された電子ビーム2は電子レンズ
3によって細いビームに収束される。偏向器5は電子ビ
ーム2を被測定IC8上の所定の位置に走査させるため
のもので、その位置制御及びタイミング制御などは特に
は図示しないが、制御装置16があらかじめ計算器18
に記憶させである被測定IC8の回路パターン情報、及
びICドライバI5からの動作クロックパルスなどを基
に+l;+l 1ffIlする。パルスビーム発生器4
は、電子ビーム2をパルス化するための偏向器であり、
そのパルス(ヒタイミングはストロボユニット13によ
って制御される。ストロボユニット13は制御装置16
からのタイミング信号、及び制御装置16を介したIC
ドライバ15からの動作クロックパルスをもとにストロ
ボパルスを発生し、パルスビーム発生器4をドライブす
る。上記のように制御釦された電子ビーム2は被測定I
Ca上の特定部分に照射される。被測定IC8はICド
ライバ15からの動作クロックパルスによりドライブさ
れているので、該特定照射部分からはそのタイミングに
おける電圧に応じた2次電子が放射される。
まず電子銃1から発射された電子ビーム2は電子レンズ
3によって細いビームに収束される。偏向器5は電子ビ
ーム2を被測定IC8上の所定の位置に走査させるため
のもので、その位置制御及びタイミング制御などは特に
は図示しないが、制御装置16があらかじめ計算器18
に記憶させである被測定IC8の回路パターン情報、及
びICドライバI5からの動作クロックパルスなどを基
に+l;+l 1ffIlする。パルスビーム発生器4
は、電子ビーム2をパルス化するための偏向器であり、
そのパルス(ヒタイミングはストロボユニット13によ
って制御される。ストロボユニット13は制御装置16
からのタイミング信号、及び制御装置16を介したIC
ドライバ15からの動作クロックパルスをもとにストロ
ボパルスを発生し、パルスビーム発生器4をドライブす
る。上記のように制御釦された電子ビーム2は被測定I
Ca上の特定部分に照射される。被測定IC8はICド
ライバ15からの動作クロックパルスによりドライブさ
れているので、該特定照射部分からはそのタイミングに
おける電圧に応じた2次電子が放射される。
該2次電子はエネルギー分析p:f19で分析された後
、2次電子検出器10でアナログ信号として検出され信
号処理回路14に取り込まれる。2次電子信号はパルス
ビーム発生器4でパルス化された電子ビーム2が被測定
IC8に照射されてから所定の遅延の後に検出されるの
で、信号処理回路4においてはストロボユニット13か
らのストローブ信号に所定の遅延をかけたタイミングで
2次電子信号のAD変換を行う。このようにしてディジ
タル値に変換された2次電子信号は被測定IC8の複数
の動作周期にわたって加算平均処理などを行なった後、
制御装置16に出力される。なお、該加算平均処理など
はICドライバ15からの各動作周期毎の周期パルスに
よってit;11御される。最後に制御装置1Gにおい
ては信号処理回路14からのディジタル2次電子信号を
もとに電圧計算を行い、その結果をディスプレイ17に
表示する。
、2次電子検出器10でアナログ信号として検出され信
号処理回路14に取り込まれる。2次電子信号はパルス
ビーム発生器4でパルス化された電子ビーム2が被測定
IC8に照射されてから所定の遅延の後に検出されるの
で、信号処理回路4においてはストロボユニット13か
らのストローブ信号に所定の遅延をかけたタイミングで
2次電子信号のAD変換を行う。このようにしてディジ
タル値に変換された2次電子信号は被測定IC8の複数
の動作周期にわたって加算平均処理などを行なった後、
制御装置16に出力される。なお、該加算平均処理など
はICドライバ15からの各動作周期毎の周期パルスに
よってit;11御される。最後に制御装置1Gにおい
ては信号処理回路14からのディジタル2次電子信号を
もとに電圧計算を行い、その結果をディスプレイ17に
表示する。
なお、全体的な制御(波形モード又は像モードの指定な
ど)は計算機18によって行われる。
ど)は計算機18によって行われる。
次に、本発明によるX方向ステイグメータ6、及びY方
向スティグメータフの部分について説明する。原理につ
いて説明すると、まず被測定rc8において被照射点付
近の配線パターンが第3図の27.28及び29に示し
たパターンであるとする。この時、紙面横方向をX方向
、縦方向をY方向とする。そして被照射点が第3図中、
斜線部分30のようにY方向に配線が伸びている部分に
おいては、照射する電子ビームの断面形状を同図のよう
にY方向に匿い楕円形にする。同様に被照射点が斜線部
分31のようにX方向に配線が伸びている部分において
は、照射する電子ビームの断面形状をX方向に長い楕円
形にする。また、斜線部分32のように角の部分では従
来通り円形にする。以上のような電子ビームの断面形状
の調整がX方向ステイグメータ6、及びY方向ステイグ
メータ7によって行われる。
向スティグメータフの部分について説明する。原理につ
いて説明すると、まず被測定rc8において被照射点付
近の配線パターンが第3図の27.28及び29に示し
たパターンであるとする。この時、紙面横方向をX方向
、縦方向をY方向とする。そして被照射点が第3図中、
斜線部分30のようにY方向に配線が伸びている部分に
おいては、照射する電子ビームの断面形状を同図のよう
にY方向に匿い楕円形にする。同様に被照射点が斜線部
分31のようにX方向に配線が伸びている部分において
は、照射する電子ビームの断面形状をX方向に長い楕円
形にする。また、斜線部分32のように角の部分では従
来通り円形にする。以上のような電子ビームの断面形状
の調整がX方向ステイグメータ6、及びY方向ステイグ
メータ7によって行われる。
X方向ステイグメータ6は電子ビーム2に直角な断面内
で第3図の被測定IC8のX方向と同方向に設置された
磁界発生コイルであり、Y方向ステイグメータ7は同じ
くY方向と同方向に設置されたものである。そして、第
3図の例の場合、制御される電子ビームの断面形状は第
4図(al (bl (C1に示すように3種類である
。第4図1blのように円形の場合は、制御装置16か
らDA変換器11及び12に同じ磁界設定値が与えられ
るため、X方向ステイグメータドライバ20、及びY方
向ステイグメータドライバ21で発生される設定磁界制
御値は同じとなるので、X方向ステイグメータ6及びY
方向ステイグメータによって発生される磁界ば等しくな
り、そこを通過する電子ビーム2の断面形状が円形とな
る。
で第3図の被測定IC8のX方向と同方向に設置された
磁界発生コイルであり、Y方向ステイグメータ7は同じ
くY方向と同方向に設置されたものである。そして、第
3図の例の場合、制御される電子ビームの断面形状は第
4図(al (bl (C1に示すように3種類である
。第4図1blのように円形の場合は、制御装置16か
らDA変換器11及び12に同じ磁界設定値が与えられ
るため、X方向ステイグメータドライバ20、及びY方
向ステイグメータドライバ21で発生される設定磁界制
御値は同じとなるので、X方向ステイグメータ6及びY
方向ステイグメータによって発生される磁界ば等しくな
り、そこを通過する電子ビーム2の断面形状が円形とな
る。
同様に第4図1blのようにY方向に長い楕円形の場合
は、DA変換器12に与えられる磁界設定値の方がDA
変換器11に与えられる磁界設定値よよも大きい値が与
えられ、それによってY方向ステイグメータ7によって
発生される磁界の方が大きくなり、そこを通過する電子
ビーム2の断面形状がY方向に長い楕円形となる。第4
図1blのようにX方向に長い楕円形の場合は、逆にD
A変換器11の方により大きな磁界設定値が与えられ、
それによりX方向ステイグメータ6によって発生される
磁界の方が大きくなり、そこを通過する電子ビーム2の
断面形状がX方向に長い楕円形となる。
は、DA変換器12に与えられる磁界設定値の方がDA
変換器11に与えられる磁界設定値よよも大きい値が与
えられ、それによってY方向ステイグメータ7によって
発生される磁界の方が大きくなり、そこを通過する電子
ビーム2の断面形状がY方向に長い楕円形となる。第4
図1blのようにX方向に長い楕円形の場合は、逆にD
A変換器11の方により大きな磁界設定値が与えられ、
それによりX方向ステイグメータ6によって発生される
磁界の方が大きくなり、そこを通過する電子ビーム2の
断面形状がX方向に長い楕円形となる。
従って第4図1bl (bl tC)のように3種類の
断面形状を作るためのDA変換器11及び12に与える
磁界設定値の組は3種類となる。そして、各照射点ごと
に被a1定IC8の配線形状が第3図の3種類(X方向
に伸びているか、Y方向に伸びているか、角であるか)
のうちどれであるかを計算機18が記憶しており、その
情報をもとに制御装置16は各照射点への電子ビーム2
の照射のつど、上記3種類の磁界設定値のうち1組を決
定して、第4図fa) fbl (elのうち1つの断
面形状の1f[をX方向ステイグメータ6、及びY方向
ステイグメーク7によって行う。
断面形状を作るためのDA変換器11及び12に与える
磁界設定値の組は3種類となる。そして、各照射点ごと
に被a1定IC8の配線形状が第3図の3種類(X方向
に伸びているか、Y方向に伸びているか、角であるか)
のうちどれであるかを計算機18が記憶しており、その
情報をもとに制御装置16は各照射点への電子ビーム2
の照射のつど、上記3種類の磁界設定値のうち1組を決
定して、第4図fa) fbl (elのうち1つの断
面形状の1f[をX方向ステイグメータ6、及びY方向
ステイグメーク7によって行う。
上記のような動作によって第3図に示すように、例えば
斜線部分30に電子ビームを照射する場合、その照射部
分は同図に示すように周囲の配線パターン27及び29
などの部分に近くならないため、これによって得られる
2次電子の借はそれら周囲の部分の電圧値の影響を受け
ることがなく、斜線部分30の電圧値に応した量の2次
電子が検出され、それにより正確な電圧測定を行うこと
ができる。また、この場合、電子ビーム2の照射部分は
同図に示すように配線と同一方向には比較的長いので、
その付近の凸凹による2次電子信号量のばらつきを平均
化することができる。なお上記効果は前述の波形モード
のように同一配線上での空間分解をあまり問題としない
場合に有効に現れるが、像モードの場合には同一配線上
での空間分解能も良くする必要があるので、その場合は
電子ビーム2の断面形状は従来通り富に円形とする。
斜線部分30に電子ビームを照射する場合、その照射部
分は同図に示すように周囲の配線パターン27及び29
などの部分に近くならないため、これによって得られる
2次電子の借はそれら周囲の部分の電圧値の影響を受け
ることがなく、斜線部分30の電圧値に応した量の2次
電子が検出され、それにより正確な電圧測定を行うこと
ができる。また、この場合、電子ビーム2の照射部分は
同図に示すように配線と同一方向には比較的長いので、
その付近の凸凹による2次電子信号量のばらつきを平均
化することができる。なお上記効果は前述の波形モード
のように同一配線上での空間分解をあまり問題としない
場合に有効に現れるが、像モードの場合には同一配線上
での空間分解能も良くする必要があるので、その場合は
電子ビーム2の断面形状は従来通り富に円形とする。
なお、第3図及び第4図の例の場合は電子ビームの断面
形状を3種類としたがステイグメータの配置及び数を変
えることにより45度の方向の楕円形状なども加えるこ
とも可能である。
形状を3種類としたがステイグメータの配置及び数を変
えることにより45度の方向の楕円形状なども加えるこ
とも可能である。
第5図は電子ビームの断面形状を楕円ではなく矩形とし
た例である。これば、2枚のスリ7l−を電子ビーム経
路上に配置し、両者を組み合せることにより、あるいは
、ステイグメータの設定を変えることにより実現できる
。
た例である。これば、2枚のスリ7l−を電子ビーム経
路上に配置し、両者を組み合せることにより、あるいは
、ステイグメータの設定を変えることにより実現できる
。
以上はストロボ電子ビーム装置に関する実施例であるが
、電子ビーム露光装置などの場合にも全く同様に考える
ことができ、その場合、配線パタ−ンなどを正6(Fに
Vεきつける必要上、第5図のような矩形の断面形状を
持つ電子ビームを用いるのが、特に有効である。
、電子ビーム露光装置などの場合にも全く同様に考える
ことができ、その場合、配線パタ−ンなどを正6(Fに
Vεきつける必要上、第5図のような矩形の断面形状を
持つ電子ビームを用いるのが、特に有効である。
(6)効果
本発明によれば試料の配線パターンの方向に応して、電
子ビームの断面形状を配線と直角方向には短かく、同一
方向には長くなるように照射することができ、配線と直
角方向の分解能を向上させることができる。また、配線
と同一方向では照射部分が比較的長いので、該照射部分
における細かい凸凹による2次電子の量のばらつきを平
均化することができ、正確な電圧測定を行うことができ
る。
子ビームの断面形状を配線と直角方向には短かく、同一
方向には長くなるように照射することができ、配線と直
角方向の分解能を向上させることができる。また、配線
と同一方向では照射部分が比較的長いので、該照射部分
における細かい凸凹による2次電子の量のばらつきを平
均化することができ、正確な電圧測定を行うことができ
る。
第1図は本発明によるストロボ電子ビーム装Wの全体的
な構成図、第2図は従来の電子ビーム装置の問題点の説
明図、第3図は本発明による電子ビーム装置の原理説明
図、第4図は電−子ビームの断面形状の種類の説明図、
第5図は電子ビームの他の断面形状の説明図である。 6・・・X方向ステイグメータ、 7・・・Y方
向ステイグメータ、 11.12・・・DΔ変換
器、 16・・・制御装置、17・・・計算機、
20・・・X方向ステイグメータドライバ、
21・・・Y方向ステイグメークドライバ。 第4図 Y方向
な構成図、第2図は従来の電子ビーム装置の問題点の説
明図、第3図は本発明による電子ビーム装置の原理説明
図、第4図は電−子ビームの断面形状の種類の説明図、
第5図は電子ビームの他の断面形状の説明図である。 6・・・X方向ステイグメータ、 7・・・Y方
向ステイグメータ、 11.12・・・DΔ変換
器、 16・・・制御装置、17・・・計算機、
20・・・X方向ステイグメータドライバ、
21・・・Y方向ステイグメークドライバ。 第4図 Y方向
Claims (3)
- (1)電子ビームの断面形状を調整する形状調整手段と
、前記電子ビームが照射される試料上の各被照射点にお
いて、該各被照射点における配線の長手方向と同一方向
に前記電子ビームの断面形状のビーム径が太くなるよう
に前記形状調整手段を制御する制御手段を有することを
特徴とする電子ビーム装置。 - (2)前記電子ビーム装置はストロボ電子ビーム装置で
あり、該電子ビーム装置における前記形状調整手段によ
って調整される前記電子ビームの断面形状は、円形又は
楕円形であることを特徴とする特許請求の範囲第1項記
載の電子ビーム装置。 - (3)前記電子ビーム装置は電子ビーム露光装置であり
、該電子ビーム装置における前記形状調整手段によって
調整される前記電子ビームの断面形状は、矩形であるこ
とを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の電子ビーム
装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59166803A JPS6145551A (ja) | 1984-08-09 | 1984-08-09 | 電子ビ−ム装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59166803A JPS6145551A (ja) | 1984-08-09 | 1984-08-09 | 電子ビ−ム装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6145551A true JPS6145551A (ja) | 1986-03-05 |
Family
ID=15837967
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP59166803A Pending JPS6145551A (ja) | 1984-08-09 | 1984-08-09 | 電子ビ−ム装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6145551A (ja) |
-
1984
- 1984-08-09 JP JP59166803A patent/JPS6145551A/ja active Pending
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPS59163506A (ja) | 電子ビ−ム測長装置 | |
JPH0794562A (ja) | 微細パターンの測定装置 | |
US4264822A (en) | Electron beam testing method and apparatus of mask | |
JP3330382B2 (ja) | 集積回路の試験・修復装置 | |
JPS6145551A (ja) | 電子ビ−ム装置 | |
JPS6231931A (ja) | 電子ビ−ム照射装置および該装置による試験、測定方法 | |
JPH03254053A (ja) | 一次電子着地誤差の補正方法 | |
JP2000162286A (ja) | 電子ビームテスタ及び画像処理装置 | |
JP2934266B2 (ja) | Icの荷電粒子ビームによる試験方法 | |
JPH10172895A (ja) | 荷電粒子露光方法及びその装置 | |
JPH0773039B2 (ja) | 電子ビーム加工装置 | |
JPH049682A (ja) | 集積回路の導電路上の電位測定方法 | |
JP3291096B2 (ja) | 電子ビーム露光装置のビーム制御方法 | |
JPH03188616A (ja) | 電子ビーム露光装置 | |
JPH063725B2 (ja) | ストロボ電子ビ−ム装置における電子ビ−ムの位置決め方法 | |
JP3450437B2 (ja) | 電子ビーム露光方法、現像方法及び装置 | |
JPH07286842A (ja) | 寸法検査方法及びその装置 | |
JPH0291507A (ja) | 微細パターンの測定装置 | |
JPS62191Y2 (ja) | ||
JPH11224642A (ja) | 電子ビーム露光装置および電子ビーム露光方法 | |
JPS6378443A (ja) | 電子ビ−ム焦点合せ装置 | |
JP2837935B2 (ja) | 電子ビーム装置 | |
JPS61294749A (ja) | パタン寸法測定方法 | |
JPS63243809A (ja) | 微細パタ−ンの測定方法及び装置 | |
JPH0417250A (ja) | 電子ビーム装置 |