JPS6141706A - 超微粒子の製造方法 - Google Patents
超微粒子の製造方法Info
- Publication number
- JPS6141706A JPS6141706A JP16196584A JP16196584A JPS6141706A JP S6141706 A JPS6141706 A JP S6141706A JP 16196584 A JP16196584 A JP 16196584A JP 16196584 A JP16196584 A JP 16196584A JP S6141706 A JPS6141706 A JP S6141706A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mist
- particles
- substrate
- base material
- atomizer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Manufacture Of Metal Powder And Suspensions Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は真空蒸着法或は真空微粒製造法の改良に係るも
ので１金属１金属酸化物）合金島非金属等を図示しない
真空チャンバー内へ）例えばセラミック製或は高融点金
属製の噴口ｌよシ把持ギヤーｚ、２′＼或はピストン等
によって噴射器３内に圧入された母材４は例へばコイル
５による高周波電界１或は電気抵抗加熱法によって加熱
されて液状化され１高圧下に噴射器３内の溝等で旋回運
動が与えられ噴口１より放射状に噴射粒子はその表面張
力によってミスト状に噴霧される１この時ミストには電
荷が与えられる。
ので１金属１金属酸化物）合金島非金属等を図示しない
真空チャンバー内へ）例えばセラミック製或は高融点金
属製の噴口ｌよシ把持ギヤーｚ、２′＼或はピストン等
によって噴射器３内に圧入された母材４は例へばコイル
５による高周波電界１或は電気抵抗加熱法によって加熱
されて液状化され１高圧下に噴射器３内の溝等で旋回運
動が与えられ噴口１より放射状に噴射粒子はその表面張
力によってミスト状に噴霧される１この時ミストには電
荷が与えられる。
その手段は電子ビーム＼電圧の印加等公知の手段を適用
することが出来る。
することが出来る。
噴射器３と基板６との間には通常数キロボルトの電位差
が与えられ噴射されたミストは１外部電界７，７′・・
・によっても加速され１磁気レンズ８によって集束され
る−その集束された荷電ミストに外部設置した照射器９
からレーザー光１電子ビーム１マイクロ波が照射され急
激に加熱される。
が与えられ噴射されたミストは１外部電界７，７′・・
・によっても加速され１磁気レンズ８によって集束され
る−その集束された荷電ミストに外部設置した照射器９
からレーザー光１電子ビーム１マイクロ波が照射され急
激に加熱される。
負荷されるエネルギーは１従来のルツボ型式等に較べて
ロスが非常に少くなく１受工ネルギー面積が大きくへミ
スト粒子が非常に小さいので＼極めて短時間に高温に達
し蒸発或は分子状態に分散せしめることが出来る。
ロスが非常に少くなく１受工ネルギー面積が大きくへミ
スト粒子が非常に小さいので＼極めて短時間に高温に達
し蒸発或は分子状態に分散せしめることが出来る。
この時噴射器３によって噴射された電荷を有するミスト
は外部電界ｒ、ｒｌｒ″・・磁気レンズ８によって加速
（減速）Ｓ集束を受けるが−例えばトカマク１ステラレ
ータ等でミストに旋回運動を与え）異種の母材や）合金
１添加物等を使用するときＡミスト状で均一に分散混合
することが出来る。
は外部電界ｒ、ｒｌｒ″・・磁気レンズ８によって加速
（減速）Ｓ集束を受けるが−例えばトカマク１ステラレ
ータ等でミストに旋回運動を与え）異種の母材や）合金
１添加物等を使用するときＡミスト状で均一に分散混合
することが出来る。
従って本発明では噴射器３は複数個装備され１異種の母
材をそれぞれの噴射器から同時に１単独ＫＸ又間欠的に
目的に応じて噴射し１混合１積層１部分集積することが
出来る。
材をそれぞれの噴射器から同時に１単独ＫＸ又間欠的に
目的に応じて噴射し１混合１積層１部分集積することが
出来る。
次に第一段階の照射によって完全に超微粒子化出来なか
った粒子は同じ工程を操υ辺えして１次の照射器９’に
よって更に細分化され基板上に集積される。
った粒子は同じ工程を操υ辺えして１次の照射器９’に
よって更に細分化され基板上に集積される。
この間に粒子は冷却（放冷）される。
本発明の主旨は一段階の照射で十分である。
この基板上に集積する粒子の層の機械的強度を高めると
きは電界７’によって粒子加速を強くし１又基板上に粒
子を集積し後粒子状で回収したいときは一電界７′に逆
の電界をつくらせて１粒子゛を減速し弱い衝突力で基板
上に付着集積するようＫすれば良い。
きは電界７’によって粒子加速を強くし１又基板上に粒
子を集積し後粒子状で回収したいときは一電界７′に逆
の電界をつくらせて１粒子゛を減速し弱い衝突力で基板
上に付着集積するようＫすれば良い。
基板６は導電性を有することが望ましいが島電導体上に
絶縁性フィルム１繊維製品を走行させたりして基板とす
ることも出来る。
絶縁性フィルム１繊維製品を走行させたりして基板とす
ることも出来る。
又基板上には超微粒子による薄膜為厚膜滅は磁性粒子等
おいて集積の際に磁界入電界等を作用させて粒子に方向
性を与えることも出来る。
おいて集積の際に磁界入電界等を作用させて粒子に方向
性を与えることも出来る。
又アルゴン等の不活性ガスを導入してイオンプレイテン
グの手法も併用することも出来る。
グの手法も併用することも出来る。
基板の前処理はへ従来の処理法を適用し吸着ガスの放出
等も預備真空チャンバー内で本装置に連続して行い１基
板を連続的或は間欠的に移動させてバッチ又集積膜のパ
ターンの形成には色色な公知の方法が利用出来為異種母
材を任意の厚さで積層したＣ−異種母材を無鉄ｇに混合
（結晶こうしに対して）した薄膜）厚膜Ａ或は母材の選
択によって膜形成後の化学処理によってＡ極めて微細な
細孔を有する半透膜分子フルイ為吸着膜等を造ることも
出来る。
等も預備真空チャンバー内で本装置に連続して行い１基
板を連続的或は間欠的に移動させてバッチ又集積膜のパ
ターンの形成には色色な公知の方法が利用出来為異種母
材を任意の厚さで積層したＣ−異種母材を無鉄ｇに混合
（結晶こうしに対して）した薄膜）厚膜Ａ或は母材の選
択によって膜形成後の化学処理によってＡ極めて微細な
細孔を有する半透膜分子フルイ為吸着膜等を造ることも
出来る。
又集積された膜は熱処理を施して部分的に結晶を成長さ
せたシ＼基板との接着強度高めることも可能である。又
本発明は為従来の電気メツキー塗装等にがわって物体の
表面処理法として利用すること等従来にない特殊な効果
を有すると共に為蒸着むらをなくすること（外部電磁界
によって走査出来ること）。
せたシ＼基板との接着強度高めることも可能である。又
本発明は為従来の電気メツキー塗装等にがわって物体の
表面処理法として利用すること等従来にない特殊な効果
を有すると共に為蒸着むらをなくすること（外部電磁界
によって走査出来ること）。
蒸着面積を大きくすることが出来ること。
集積効率１集積速度の早いこと。異種積層合金−同構造
非金属）ガラス状分子構造の金属環１又分子１原子レベ
ルの超微粒子を効率よく得られる等特異な効果を有する
ものである。
非金属）ガラス状分子構造の金属環１又分子１原子レベ
ルの超微粒子を効率よく得られる等特異な効果を有する
ものである。
第１図は本発明の説明図である。
１・・・噴口 ２７２′・・・押込みギヤー３・
・・噴射器 ４・・・ 母材 ５・・・コイル ６・・・ 基板 ７〜７・外部電界 ８，８′・・ 磁気レンズ９〜９
′・照射器 第１図
・・噴射器 ４・・・ 母材 ５・・・コイル ６・・・ 基板 ７〜７・外部電界 ８，８′・・ 磁気レンズ９〜９
′・照射器 第１図
Claims (1)
- 母材となる単数又は複数の金属、非金属の単体又は化合
物、合金を、それぞれ熔融して液状化する工程、該液状
化物に高圧を負荷し、噴口より連続的或は間欠的にミス
ト状に噴霧すると同時に該ミストに電荷を与える工程、
該ミストに電磁界の作用で加速、（うず巻状）ビーム状
に集束する工程、前記集束されたビームにレーザー光、
電子ビーム、マイクロ波等の手段で加熱して蒸気、分子
、原子状の超微粒子状にして冷却する工程、該超微粒子
を自己の有する電荷と外部電磁界の作用で特定の基板上
に集積せしめる工程の結合を特徴とする超微粒子の製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16196584A JPS6141706A (ja) | 1984-07-31 | 1984-07-31 | 超微粒子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16196584A JPS6141706A (ja) | 1984-07-31 | 1984-07-31 | 超微粒子の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6141706A true JPS6141706A (ja) | 1986-02-28 |
Family
ID=15745436
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16196584A Pending JPS6141706A (ja) | 1984-07-31 | 1984-07-31 | 超微粒子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6141706A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6365004A (ja) * | 1986-09-05 | 1988-03-23 | Takeshi Masumoto | 高圧ガス噴霧法による微粒子製造装置 |
| JPH01122197A (ja) * | 1987-11-06 | 1989-05-15 | Seiko Epson Corp | シールド材の製造方法 |
| JP2014529010A (ja) * | 2011-08-11 | 2014-10-30 | エイティーアイ・プロパティーズ・インコーポレーテッド | 噴霧化された金属および合金から製品を形成するためのプロセス、システム、および装置 |
| US9453681B2 (en) | 2007-03-30 | 2016-09-27 | Ati Properties Llc | Melting furnace including wire-discharge ion plasma electron emitter |
-
1984
- 1984-07-31 JP JP16196584A patent/JPS6141706A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6365004A (ja) * | 1986-09-05 | 1988-03-23 | Takeshi Masumoto | 高圧ガス噴霧法による微粒子製造装置 |
| JPH01122197A (ja) * | 1987-11-06 | 1989-05-15 | Seiko Epson Corp | シールド材の製造方法 |
| US9453681B2 (en) | 2007-03-30 | 2016-09-27 | Ati Properties Llc | Melting furnace including wire-discharge ion plasma electron emitter |
| JP2014529010A (ja) * | 2011-08-11 | 2014-10-30 | エイティーアイ・プロパティーズ・インコーポレーテッド | 噴霧化された金属および合金から製品を形成するためのプロセス、システム、および装置 |
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