JPS6141256Y2 - - Google Patents

Info

Publication number
JPS6141256Y2
JPS6141256Y2 JP10447981U JP10447981U JPS6141256Y2 JP S6141256 Y2 JPS6141256 Y2 JP S6141256Y2 JP 10447981 U JP10447981 U JP 10447981U JP 10447981 U JP10447981 U JP 10447981U JP S6141256 Y2 JPS6141256 Y2 JP S6141256Y2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
dewar
photoelectric conversion
lead pin
container
glass
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
JP10447981U
Other languages
English (en)
Other versions
JPS5811260U (ja
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority to JP10447981U priority Critical patent/JPS5811260U/ja
Publication of JPS5811260U publication Critical patent/JPS5811260U/ja
Application granted granted Critical
Publication of JPS6141256Y2 publication Critical patent/JPS6141256Y2/ja
Granted legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Thermally Insulated Containers For Foods (AREA)

Description

【考案の詳細な説明】 この考案は、冷却型光電変換装置の改良に関
し、特に真空デユワー構成の冷却容器をそなえた
赤外線検知用の光電変換装置において、デユワー
容器開口部周辺のガラス器壁を貫通して植設した
リードピン近傍でのクラツクを防止するようにし
た新しい構造に関するものである。
赤外域での輻射線を検知する素子として、水銀
(Hg)カドミウム(Cd)およびテルル(Te)を
素材とした三元半導体等が用いられるが、このよ
うな半導体光電変換素子は液体窒素温度(77〓)
程度に冷却して用いないと正常な検知動作が不能
となる。ここで一般には、上記の半導体光電変換
素子を真空デユワー構成の冷却容器に付設し、デ
ユワー内の液体窒素を充填して動作期間中当該光
電変換素子を所定の低温状態に維持するような手
段が採られている。
第1図はそのような冷却型光電変換装置の従来
の構成を示す分割縦断面図であつて、符号10で
示す冷却容器はコバールガラス製の内管11と外
管12とからなる真空デユワーの構成を有し、外
管12の底部にゲルマニウム製の赤外線透過窓1
3をそなえるとともに、該透過窓に対向した内管
11の底部真空スペース側に半導体光電変換素子
14を設置した形となつている。また光電変換素
子14のリード線15は、デユワー容器開口部1
6に隣接したデユワー上端面17のガラス器壁を
気密に貫通して設けたリードピン18を介して導
出されている。この場合、リードピン18は、直
径1mm程度のコバール線の封着予定部にあらかじ
めガラス巻きしたものを、内管11に連続したデ
ユワー上端面17のステム部に溶着した形で設け
られ、リードピンの基部19では前記ガラス巻き
のガラスとステム部の器壁ガラスとが溶着一体化
して外方にもり上がつた形状となつている。
ところが上記従来の光電変換装置では、デユワ
ー容器10の開口部16から冷却用の液体窒素を
注入する際、該液体窒素がリードピン18の基部
19に触れたり、あるいは液体窒素があふれてリ
ードピン18の基部19が浸たされたりした場
合、リードピン周辺部のガラスにクラツクを生じ
てデユワーの真空度を維持できなくなる問題があ
つた。
この考案は、上記のようなクラツク発生の原因
が、リードピン基部におけるデユワー上端面のも
り上がり形状にあるとの知見から、当該リードピ
ンと接するガラス器壁のデユワー上端面形状を平
坦にした構成を提案し、以つて液体窒素浸漬時の
クラツクの発生を防止しようとするものである。
第2図はこの考案による冷却型光電変換装置の
1実施例構成を示す分割縦断面図であつて、第1
図について先に説明した従来構成と同等部分には
同一符号を付している。この第2図から明らかな
ようにこの考案の装置にあつては、リードピン1
8を封着したデユワー上端面のステム部の外面形
状がフラツトであり、従来例のようなリードピン
基部19でのガラスのもり上がりは見られない。
かくして従来このガラスもり上がり部の局部的な
熱収縮等に起因して発生していた液体窒素浸漬時
のクラツクは皆無となる。このような外面形状を
得るためにはリードピンのガラス巻き部がステム
外面上に出ないようにして溶着すれば良い。なお
この場合、ステム部の外面形状をフラツトにする
ことに加えて、リードピン18をできるだけ細く
するのがクラツク防止上好ましく、例えば直径
0.7mmもしくはそれ以下のコバール線が適当であ
る。
さて、以上の説明から明らかなように、要する
にこの考案は、デユワー構成の冷却容器を使用し
てそのデユワー開口部上端面に光電変換素子のリ
ードピンを植設する場合、リードピン周辺部にお
けるガラス器壁の外面形状を平坦にしたことを特
徴とするものであり、液体窒素注入時の不注意に
よつてリードピン近辺が液体窒素に浸たされるよ
うなことがあつても温度変化に充分耐えることが
でき、従つてクラツクの発生を防止できるので、
この種冷却型光電変換装置の品質向上にきわめて
有益である。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来の冷却型光電変換装置の1例構成
を示す分割縦断面図、第2図はこの考案による冷
却型光電変換装置の1実施例構成を示す分割縦断
面図である。 10:冷却容器、11:内管、12:外管、1
3:赤外線透過窓、14:光電変換素子、15:
リード線、16:容器開口部、17:デユワー上
端面(ステム部)、18:リードピン、19:リ
ードピン基部。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 内管と外管とからなる真空デユワー構成の冷却
    容器を主体とし、内管底部の真空スペース側に配
    置した光電変換素子のリード線を、容器開口部に
    隣接したデユワー上端面のガラス器壁を貫通して
    設けたリードピンを介して気密に導出してなる冷
    却型光電変換装置において、上記リードピンと接
    するガラス器壁のデユワー上端面形状を平坦に整
    形してなることを特徴とする冷却型光電変換装
    置。
JP10447981U 1981-07-13 1981-07-13 冷却型光電変換装置 Granted JPS5811260U (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP10447981U JPS5811260U (ja) 1981-07-13 1981-07-13 冷却型光電変換装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP10447981U JPS5811260U (ja) 1981-07-13 1981-07-13 冷却型光電変換装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS5811260U JPS5811260U (ja) 1983-01-25
JPS6141256Y2 true JPS6141256Y2 (ja) 1986-11-25

Family

ID=29899066

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP10447981U Granted JPS5811260U (ja) 1981-07-13 1981-07-13 冷却型光電変換装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS5811260U (ja)

Also Published As

Publication number Publication date
JPS5811260U (ja) 1983-01-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US3375417A (en) Semiconductor contact diode
JPS6141256Y2 (ja)
CN1053804C (zh) 金属真空双壁容器及其制造方法
US2835615A (en) Method of producing a semiconductor alloy junction
JPS5940312B2 (ja) 光半導体用レンズキヤツプの製造方法
JPH0519773Y2 (ja)
JPH0314800B2 (ja)
GB2196430A (en) Probe for measuring in molten metal
US3117179A (en) Transistor capsule and header therefor
JPH0238208B2 (ja)
JPS604390Y2 (ja) 気密端子
KR950007689Y1 (ko) 밀폐형 육류구이기용 세라믹히터
KR100671113B1 (ko) 불순물 감지 센서
KR800001520B1 (ko) 기밀단자의 제조방법
JPH0245779Y2 (ja)
JPS6333370Y2 (ja)
JPS5811685A (ja) 高温液体容器
EP0261737A2 (en) Probe for measuring in molten metal
KR800001154Y1 (ko) 압입형 스템
JPS5449070A (en) Container for semiconductor device
JPS5813726Y2 (ja) 炉況計測装置の断熱容器
JPS6349231Y2 (ja)
JPS5915483Y2 (ja) 固体電解コンデンサ
JPH0719171Y2 (ja) 電 極
SU494557A1 (ru) Устройство дл герметизации вакуумируемых емкостей