JPS6140058A - 電荷量演算装置 - Google Patents
電荷量演算装置Info
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- JPS6140058A JPS6140058A JP16054884A JP16054884A JPS6140058A JP S6140058 A JPS6140058 A JP S6140058A JP 16054884 A JP16054884 A JP 16054884A JP 16054884 A JP16054884 A JP 16054884A JP S6140058 A JPS6140058 A JP S6140058A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は信号媒体が電荷である半導体デバイスに設けら
れ、時系列的に供給される電荷に対して所定のアナログ
演算処理を行なう電荷量演算装置に関する。
れ、時系列的に供給される電荷に対して所定のアナログ
演算処理を行なう電荷量演算装置に関する。
〔発明の技術的背景〕 □゛
一般に、信号媒体として電荷を用いるC0D(電荷結合
素子)などの半導体デバイスにおいて、時系列的に供給
される電荷バケツ)Ql、Ql。
素子)などの半導体デバイスにおいて、時系列的に供給
される電荷バケツ)Ql、Ql。
Qs FQ4 r’:・(時間的にはQ□が最初に供給
され、次にQ、・・・の順序で供給される)について時
間的に隣シ合う電荷対の電荷量の差の総和に対応した出
力信号■。
され、次にQ、・・・の順序で供給される)について時
間的に隣シ合う電荷対の電荷量の差の総和に対応した出
力信号■。
VOQC(Ql −Qz )+(Qm −Q4 )+−
・・を発生させたい場合がある。たとえばQl、Qxの
対については、tlぼ一定のバイアス電荷QBIにそれ
ぞれ変化分q**q*が加算されておシ(Ql−QB1
+qs +Q* −QB□+q、 )、Qs + Qa
の対については前記QB1とは必らずしも同一ではない
バイアス電圧QB2にそれぞれ変化分qs*qaが加算
されておシ(Qs =QB2+qs 1Q4=QB2”
(14)、以下の電荷対についても上記と同様にバイア
ス電荷に変化分が加算されている場合、隣り合う電荷対
の電荷量の差の総和は隣シ合う電荷対の変化分、の差の
総和 (q□−Ql )+(qa qa )+・・・に等し
い。また、上記変化分の差の総和は、時系列的に供給さ
れる各電荷を供給順番によシ識別表示するものとすれば
、1,3.5・・・番目(奇数系列)の電荷の各電荷量
の累算和と2.4゜6・・・番目(偶数系列)の電荷の
各電荷量の累算和との差に等しい。
・・を発生させたい場合がある。たとえばQl、Qxの
対については、tlぼ一定のバイアス電荷QBIにそれ
ぞれ変化分q**q*が加算されておシ(Ql−QB1
+qs +Q* −QB□+q、 )、Qs + Qa
の対については前記QB1とは必らずしも同一ではない
バイアス電圧QB2にそれぞれ変化分qs*qaが加算
されておシ(Qs =QB2+qs 1Q4=QB2”
(14)、以下の電荷対についても上記と同様にバイア
ス電荷に変化分が加算されている場合、隣り合う電荷対
の電荷量の差の総和は隣シ合う電荷対の変化分、の差の
総和 (q□−Ql )+(qa qa )+・・・に等し
い。また、上記変化分の差の総和は、時系列的に供給さ
れる各電荷を供給順番によシ識別表示するものとすれば
、1,3.5・・・番目(奇数系列)の電荷の各電荷量
の累算和と2.4゜6・・・番目(偶数系列)の電荷の
各電荷量の累算和との差に等しい。
上記したような2つの系列それぞれにおける電荷量累算
和の差を求めるための従来の演算装置は第7図に示すよ
うに構成されていた。即ち、CODレジスタ1から時系
列的に供給される信号電荷を電荷電圧変換部2で電圧徊
号に変換し、この電圧信号をA/D変換器3によシデジ
タルデータに変換したのち半導体メモリ4に一旦格納し
、このメモリ4の格納データをマイクロプロセッサ(M
PU) 5によシ演算処理するものである。
和の差を求めるための従来の演算装置は第7図に示すよ
うに構成されていた。即ち、CODレジスタ1から時系
列的に供給される信号電荷を電荷電圧変換部2で電圧徊
号に変換し、この電圧信号をA/D変換器3によシデジ
タルデータに変換したのち半導体メモリ4に一旦格納し
、このメモリ4の格納データをマイクロプロセッサ(M
PU) 5によシ演算処理するものである。
しかし、第7図に示した従来例の装置構成は複雑であシ
、1チツプ上に集積回路化しようとすると、多大な面積
を必要とするだけでなく消費電力の増大や歩留シの低下
をもたらし、高価ガものとなってしまうという欠点がお
る。
、1チツプ上に集積回路化しようとすると、多大な面積
を必要とするだけでなく消費電力の増大や歩留シの低下
をもたらし、高価ガものとなってしまうという欠点がお
る。
本発明は上記の事情に鑑みてなされたもので、時系列的
に供給される電荷について2つの系列それぞれにおける
電荷量累算和の差を求めるアナログ演算処理が可能であ
シ、lチップ上に集積回路化し易い簡単な構成により実
現可能な電荷量演算装置を提供するものである。
に供給される電荷について2つの系列それぞれにおける
電荷量累算和の差を求めるアナログ演算処理が可能であ
シ、lチップ上に集積回路化し易い簡単な構成により実
現可能な電荷量演算装置を提供するものである。
即ち、本発明の電荷量演算装置は、電荷転送チャネルの
他端を中間部に接合して閉゛ルーグ部を形成し、このチ
ャネルの一端に信号電荷供給手段から時系列的に供給さ
れる電荷を入力させ、上記チャネルの閉ループ接合部上
にフローティングゲート電極、その他の部分上に一定方
向の電荷転送制御用の転送電極群を設け、前記閉ループ
部の中間部のチャネル内電荷を排出してイニシャライズ
し、前記フローティングゲート電極を所定のタイミング
でリセット電位またはフーーティ/グ状態に選択的に設
定し、このフローティングゲート電極の電位を検出する
ように構成してカることを特徴とするものでおる。
他端を中間部に接合して閉゛ルーグ部を形成し、このチ
ャネルの一端に信号電荷供給手段から時系列的に供給さ
れる電荷を入力させ、上記チャネルの閉ループ接合部上
にフローティングゲート電極、その他の部分上に一定方
向の電荷転送制御用の転送電極群を設け、前記閉ループ
部の中間部のチャネル内電荷を排出してイニシャライズ
し、前記フローティングゲート電極を所定のタイミング
でリセット電位またはフーーティ/グ状態に選択的に設
定し、このフローティングゲート電極の電位を検出する
ように構成してカることを特徴とするものでおる。
これによって、前記時系列的に供給される電荷のうち、
たとえは奇数系列の各電荷の累算和信号電荷と偶数系列
の各電荷の累算和信号電荷とを時系列的に前記フローテ
ィングダート電極下に蓄積し、この2系列の累算和信号
電荷の差に対応した電位を検出することが可能になる。
たとえは奇数系列の各電荷の累算和信号電荷と偶数系列
の各電荷の累算和信号電荷とを時系列的に前記フローテ
ィングダート電極下に蓄積し、この2系列の累算和信号
電荷の差に対応した電位を検出することが可能になる。
〔発明の実施例〕
先ず、本発明における3つの基本動作について述べてお
く。
く。
(1) Ql 、Qt −Qs 、Qa・・・の時系
列信号入力から、2つの系列(たとえば奇数系列、偶数
系列)の電荷量の累算和信号を時系列的に作る。即もQ
l * Q2 + Qt +Qs + Q2 +
Q4 r Ql + Q3 +QB +Q* +
Qa +Qs +・・・の如く、奇数系列電荷の累算和
信号QO(=Q、 、Q□+QB r・・・)と偶数系
列電荷の累算和信号Qz (=Q* 、QO+Q4 、
・・・)を時系列的に発生する。
列信号入力から、2つの系列(たとえば奇数系列、偶数
系列)の電荷量の累算和信号を時系列的に作る。即もQ
l * Q2 + Qt +Qs + Q2 +
Q4 r Ql + Q3 +QB +Q* +
Qa +Qs +・・・の如く、奇数系列電荷の累算和
信号QO(=Q、 、Q□+QB r・・・)と偶数系
列電荷の累算和信号Qz (=Q* 、QO+Q4 、
・・・)を時系列的に発生する。
(2)各系列の累積和信号の電荷量が大きくなシ過ぎて
扱い得る信号電荷量の最大値を越えることがないように
、上記累積和信号の大きさを監視(非破壊的に検出)し
、それが予め定められた大きさよシ大きい場合には各系
列の累積和信号からそれぞれ一定の電荷量QTHを取り
去る。
扱い得る信号電荷量の最大値を越えることがないように
、上記累積和信号の大きさを監視(非破壊的に検出)し
、それが予め定められた大きさよシ大きい場合には各系
列の累積和信号からそれぞれ一定の電荷量QTHを取り
去る。
このようにある時点でQO,QIl信号からのQTHを
取り去りても、最終的なQO,Q、信号の差に影響を及
ぼすことはない。
取り去りても、最終的なQO,Q、信号の差に影響を及
ぼすことはない。
(3) 最終的なQO,Qつ信号の差に対応した電圧
信号を出力する。との場合、フローティンググー )
(FG)の動作原理を用いておシ、前記(1)、(2)
の動作に必要なFGにおける電荷の流入、流出を行なう
ために電荷転送装置の原理を用いている。即ち、第2図
(a)、(b)において、20は半導体基板、21は上
記基板上のダート絶縁膜、22は上記ダート絶縁膜上に
形成されたFG電極、23は上記FG電極とリセット電
源vR8との間に接続されたMOS トランジスタから
なシ、そのダート電極にリセッ) p4ルスR8が印加
されることKよジオンになるリセット用スイッチ、24
は前記FG電極22の電位を検出して電圧信号を出力す
るソース・フォロワ回路である。いま、第2図(−)に
示すように、基板20内のFG電極22下(FG )I
c電荷QXを流入させて蓄積した状態でリセット用スイ
ッチ23によ、9FG電極22をリセット電源電位にリ
セットしたときの電圧信号出力電位をvあで表わすと、
こののち上記F’G電極22をフローティング状態に設
定してFG電極22下の電荷Qxを電荷QYに置換(Q
xを流出させたのぢQYを流入させる)したときの電圧
信号出力電位V、は Vi−V、十K(Qx−QY) となる。ここで、Kは比例定数でh D 、V、は■a
を基準として(Qx−QY)に比例した値になる。
信号を出力する。との場合、フローティンググー )
(FG)の動作原理を用いておシ、前記(1)、(2)
の動作に必要なFGにおける電荷の流入、流出を行なう
ために電荷転送装置の原理を用いている。即ち、第2図
(a)、(b)において、20は半導体基板、21は上
記基板上のダート絶縁膜、22は上記ダート絶縁膜上に
形成されたFG電極、23は上記FG電極とリセット電
源vR8との間に接続されたMOS トランジスタから
なシ、そのダート電極にリセッ) p4ルスR8が印加
されることKよジオンになるリセット用スイッチ、24
は前記FG電極22の電位を検出して電圧信号を出力す
るソース・フォロワ回路である。いま、第2図(−)に
示すように、基板20内のFG電極22下(FG )I
c電荷QXを流入させて蓄積した状態でリセット用スイ
ッチ23によ、9FG電極22をリセット電源電位にリ
セットしたときの電圧信号出力電位をvあで表わすと、
こののち上記F’G電極22をフローティング状態に設
定してFG電極22下の電荷Qxを電荷QYに置換(Q
xを流出させたのぢQYを流入させる)したときの電圧
信号出力電位V、は Vi−V、十K(Qx−QY) となる。ここで、Kは比例定数でh D 、V、は■a
を基準として(Qx−QY)に比例した値になる。
以下、図面を参照して本発明の一実施例を□詳細に説明
する。
する。
第1図に示す電荷量演算装置は半導体基板10上に集積
化されて形成されてお)、1は時系列的な信号電荷を供
給する手段(たとえばCODレジスタ)、30は上記C
ODレジスタ1から時系的に電荷が供給される信号電荷
移動用の電荷転送チャネルである。このチャネル30は
、第3図に示すようにチャネル一端部の電荷入力部31
と、この電荷入力部31に入力し喪電荷が閉ループ状に
循環する閉ループ部32と、この閉ループ部32の中間
部A、B間を結んで側路を形成する側路部33と、上記
中間部Aから電荷を□排出するための第1の排出部34
と、前記側路部33の中間部Cから電荷を排出するため
の第2の排出部35とを有□する。上記各排出部34゜
35に隣接して第1のドレイン領域11、第2のドレイ
ン領域12が形成されている。23はリセット/4′ル
スR8の印加の有無に応じてFG電極(後述の1,3)
を外部電圧(直流のリセット電源電圧VRs)またはフ
ローティング状態に選択設定するための電位設定手段(
たとえばリセット用スイッチ)、24は上記FG電極1
3の電位を検出して電圧信号を出力する手段(たとえば
ソースフォロワ回路)である。
化されて形成されてお)、1は時系列的な信号電荷を供
給する手段(たとえばCODレジスタ)、30は上記C
ODレジスタ1から時系的に電荷が供給される信号電荷
移動用の電荷転送チャネルである。このチャネル30は
、第3図に示すようにチャネル一端部の電荷入力部31
と、この電荷入力部31に入力し喪電荷が閉ループ状に
循環する閉ループ部32と、この閉ループ部32の中間
部A、B間を結んで側路を形成する側路部33と、上記
中間部Aから電荷を□排出するための第1の排出部34
と、前記側路部33の中間部Cから電荷を排出するため
の第2の排出部35とを有□する。上記各排出部34゜
35に隣接して第1のドレイン領域11、第2のドレイ
ン領域12が形成されている。23はリセット/4′ル
スR8の印加の有無に応じてFG電極(後述の1,3)
を外部電圧(直流のリセット電源電圧VRs)またはフ
ローティング状態に選択設定するための電位設定手段(
たとえばリセット用スイッチ)、24は上記FG電極1
3の電位を検出して電圧信号を出力する手段(たとえば
ソースフォロワ回路)である。
ところで、前記チャネル30上にはデート絶縁膜(図示
せず)を介して各種の電極が設けられている。即ち、電
荷入力部31上にはバリアゲート用の転送電極14.が
設けられておシ、閉ループ部32上には電荷入力部31
との接合部分上にFG電極13が設けられると共に上記
接合部分以外の部分上に転送電極14□〜148が設け
られている。ここで、転送電極14.、z4’、は各対
応して閉ループ部32め中間部A、B(側路部゛33と
の接合部)上に設けられている。側路部33上には転□
送電極151〜15.が設けられてお夛、第1の排出部
34上には第1のクリアゲート電極J6が設けられ、第
2の排出部35上には転送電極111+17.および第
2のクリアダート電極18が設けられている。そして、
前記転送電極141 +144 +1dll+14B
+15B +154および第2のクリアダート電極18
には適当な大きさの直流電位(後述する各a4ルスの振
幅の半分程度の大きさが望ましい)が印加されている。
せず)を介して各種の電極が設けられている。即ち、電
荷入力部31上にはバリアゲート用の転送電極14.が
設けられておシ、閉ループ部32上には電荷入力部31
との接合部分上にFG電極13が設けられると共に上記
接合部分以外の部分上に転送電極14□〜148が設け
られている。ここで、転送電極14.、z4’、は各対
応して閉ループ部32め中間部A、B(側路部゛33と
の接合部)上に設けられている。側路部33上には転□
送電極151〜15.が設けられてお夛、第1の排出部
34上には第1のクリアゲート電極J6が設けられ、第
2の排出部35上には転送電極111+17.および第
2のクリアダート電極18が設けられている。そして、
前記転送電極141 +144 +1dll+14B
+15B +154および第2のクリアダート電極18
には適当な大きさの直流電位(後述する各a4ルスの振
幅の半分程度の大きさが望ましい)が印加されている。
転送電極(14,,14ヨ)および(J4.。
147 + 156 )はそれぞれ共通結線されてクロ
ック・9ルスφが印加され、転送電極(151+ 15
x )は共通接線されて第1のタイミング/4′ルスφ
、が印加されζ転送電極C171,17,)は共通結線
されて第2のタイミング−9ルスφ3が印加され、第1
のクリアダート電極16にはクリアパルスCLRが印加
される。
ック・9ルスφが印加され、転送電極(151+ 15
x )は共通接線されて第1のタイミング/4′ルスφ
、が印加されζ転送電極C171,17,)は共通結線
されて第2のタイミング−9ルスφ3が印加され、第1
のクリアダート電極16にはクリアパルスCLRが印加
される。
なお、上記チャネル3oは適当な閾値制御が行なわれて
おシ、各電極に同一電圧が印加された場合でも各電極下
の電位井戸が所定の深さ関係となる・即ち、各電極に同
一電圧が印加された場合、転送電極141 t 14g
+ 144 + 146 +14B + 151 +
IJ + 156 # 171および各クリアゲート
電極16.#8の下にはそれぞれ#t#!同一の浅い電
位井戸が形成され、残シの転送電極J4..14.17
4. e15..15. e17.およびFG電極13
の下にはそれぞれはぼ同一の深い電位井戸が形成される
。このような異なる電位井戸を形成することによって、
チャネル3o内で電荷の逆流を防ぎつつ電荷を第3図中
点線で示すように一定方向に転送することが可能になっ
ている。また、第1図には表示を分シ易くするために、
各電極間の平面方向に間隙を設けて表示しているが、通
常は隣接電極の端部相互が二層構造とし、平面方向にオ
ーバーラツプ部が生じるように形成することが一般的で
ある。
おシ、各電極に同一電圧が印加された場合でも各電極下
の電位井戸が所定の深さ関係となる・即ち、各電極に同
一電圧が印加された場合、転送電極141 t 14g
+ 144 + 146 +14B + 151 +
IJ + 156 # 171および各クリアゲート
電極16.#8の下にはそれぞれ#t#!同一の浅い電
位井戸が形成され、残シの転送電極J4..14.17
4. e15..15. e17.およびFG電極13
の下にはそれぞれはぼ同一の深い電位井戸が形成される
。このような異なる電位井戸を形成することによって、
チャネル3o内で電荷の逆流を防ぎつつ電荷を第3図中
点線で示すように一定方向に転送することが可能になっ
ている。また、第1図には表示を分シ易くするために、
各電極間の平面方向に間隙を設けて表示しているが、通
常は隣接電極の端部相互が二層構造とし、平面方向にオ
ーバーラツプ部が生じるように形成することが一般的で
ある。
次に、上記チャネル30の側路部33の一部と第2の排
出部36とに沿うA −A’線断面構造を第4図(、)
を参照して説明する。1oはたとえばp型のシリコン基
板、30は上記基板の表面の一部に形成された′n型(
基板とは逆導電型)の不純物領域からなる電荷転送≠ヤ
ネル、2ノは基板表面上に形成されたケ゛−ト絶縁膜、
14.。
出部36とに沿うA −A’線断面構造を第4図(、)
を参照して説明する。1oはたとえばp型のシリコン基
板、30は上記基板の表面の一部に形成された′n型(
基板とは逆導電型)の不純物領域からなる電荷転送≠ヤ
ネル、2ノは基板表面上に形成されたケ゛−ト絶縁膜、
14.。
151’g15z 、15B +1547171127
! +18および12は前述した転送電極、第2のクリ
アで一ト電極および第2のドレイン領域(n+型)であ
る041は上記チャネル3.0の表面の一部(前記転送
電極151N153117□および第2のクリアゲート
電極18の下方)に形成されたn−型(前記n型よシネ
鈍物濃度が薄い)不純物領域であって、前述したように
閾値制御のために設けられている。この場合、各電極に
同一電圧を印加したとすると、チャネル内電位は電極1
5□115B +171.1B下が残シの電極14.。
! +18および12は前述した転送電極、第2のクリ
アで一ト電極および第2のドレイン領域(n+型)であ
る041は上記チャネル3.0の表面の一部(前記転送
電極151N153117□および第2のクリアゲート
電極18の下方)に形成されたn−型(前記n型よシネ
鈍物濃度が薄い)不純物領域であって、前述したように
閾値制御のために設けられている。この場合、各電極に
同一電圧を印加したとすると、チャネル内電位は電極1
5□115B +171.1B下が残シの電極14.。
IJ’+154 +17□下よルも低く(電位井戸が浅
い)なる。
い)なる。
次に、上記電荷量演算装置の動作を第5図及び第6図を
参照して説明する。以下、nチャネルデバイス(信号電
荷が電子)の場合を想定するが、pチャネルデバイスの
場合も同様である。
参照して説明する。以下、nチャネルデバイス(信号電
荷が電子)の場合を想定するが、pチャネルデバイスの
場合も同様である。
また、CCDレジスタ1の駆動相数は特に限定す4るも
のではないが、所要・臂ルス数を減らすという意味では
単相駆動が望ましいので、単相CODレジスタを想定し
、これに前記り、ロック−fルスφを供給するものとし
て説明する。
のではないが、所要・臂ルス数を減らすという意味では
単相駆動が望ましいので、単相CODレジスタを想定し
、これに前記り、ロック−fルスφを供給するものとし
て説明する。
第5図において、クロック・臂ルスφとリセットパルス
R8とは同一周期であって位相がずれてオシ、クロック
パルスφの後縁(ハイレベルからロウレベルへの変化時
)とリセット/4ルスR8との中間のタイミングをクロ
ック/4ルス発1[K t、 l tIIl t、・・
・とする。このタイミングt1y+ 、+1 、t@・
・・直前の各クロック/4ルスφをφ、。
R8とは同一周期であって位相がずれてオシ、クロック
パルスφの後縁(ハイレベルからロウレベルへの変化時
)とリセット/4ルスR8との中間のタイミングをクロ
ック/4ルス発1[K t、 l tIIl t、・・
・とする。このタイミングt1y+ 、+1 、t@・
・・直前の各クロック/4ルスφをφ、。
φ8.φ、・・・と称すると、φ、とφ8との間(φ。
とφ、との間)およびφ2とφ、との間(φ。
とφ1゜との間)でクリアパルスCLRが供給される。
したがって、CCDレジスタ1からクロックパルスφ、
、φ2.φ3・りがロウレベルK & ル毎に供給され
る電荷をQa = Qs 、Qx・・・で表わすと、各
タイミングにおけるFG電極13下の電荷、閉ループ部
中間部A上の転送電極14.下の電荷およびソースフォ
ロク回路24の電圧信号出方電位v0は第5図中に示す
ようにi化する。即ち、t1時点では、クロックル4ル
スφ、にょfi CCDレジスタ1から電荷Q0が転送
電極141下を経てFG電極13下に供給されておシ、
転送電極14.下の電荷はクリアパルスCLRによシ第
1のクリアr−1電極16下を経て第1のドレイン領域
11に排出されて零になっている。次に、FG電極13
がリセットされてリセット電位になシ、このときのソー
スフォロワ回路24の出力電位V。は基準電位になる。
、φ2.φ3・りがロウレベルK & ル毎に供給され
る電荷をQa = Qs 、Qx・・・で表わすと、各
タイミングにおけるFG電極13下の電荷、閉ループ部
中間部A上の転送電極14.下の電荷およびソースフォ
ロク回路24の電圧信号出方電位v0は第5図中に示す
ようにi化する。即ち、t1時点では、クロックル4ル
スφ、にょfi CCDレジスタ1から電荷Q0が転送
電極141下を経てFG電極13下に供給されておシ、
転送電極14.下の電荷はクリアパルスCLRによシ第
1のクリアr−1電極16下を経て第1のドレイン領域
11に排出されて零になっている。次に、FG電極13
がリセットされてリセット電位になシ、このときのソー
スフォロワ回路24の出力電位V。は基準電位になる。
次に、クロック/母ルスφ、によfiFG電極13下の
電荷Q0が転送電極142 +14g +144を経て
転送電極14.下に転送されるが、この電荷Q0はクリ
アパルスCLRによシ第1のドレイン領域11Vc排出
されて零になる。また、上記クロック/4ルスφ、によ
シ、FG電極13下へ電荷Q1が供給されると共に前記
転送電極14.下の電荷(排出されて零である)が転送
電極14@l J4. T 14.下を経てFG電極1
3下に転送される。したがって、t2時点では、出力電
位v0はFG電極13下の電荷Q1の流入に見合う分だ
け低下しているが、次のリセット・量ルスR8でリセッ
トされる。次のクロ、りI4ルスφ、でFG電極13下
の電荷Q□が転送電極14□814..14.下を経て
転送電極14.下に転送され、同時に転送電極14.下
の電荷(排出されて零である)が転送電極146゜14
1 + 14m下を経てFG電極13下に転送されると
共にFG電極13下へCCDレジスタ1から電荷Q、が
供給される。したがって、出力電位voはFG電極13
下の電荷Q、の流出に見合う分だけ高くなったのち電荷
Q、の流入に見合う分だけ低くなjj+ 、t8時点で
は電荷量(Ql −Q* )に対応した電位であ夛、次
のリセット/マルスR8でリセットされる。
電荷Q0が転送電極142 +14g +144を経て
転送電極14.下に転送されるが、この電荷Q0はクリ
アパルスCLRによシ第1のドレイン領域11Vc排出
されて零になる。また、上記クロック/4ルスφ、によ
シ、FG電極13下へ電荷Q1が供給されると共に前記
転送電極14.下の電荷(排出されて零である)が転送
電極14@l J4. T 14.下を経てFG電極1
3下に転送される。したがって、t2時点では、出力電
位v0はFG電極13下の電荷Q1の流入に見合う分だ
け低下しているが、次のリセット・量ルスR8でリセッ
トされる。次のクロ、りI4ルスφ、でFG電極13下
の電荷Q□が転送電極14□814..14.下を経て
転送電極14.下に転送され、同時に転送電極14.下
の電荷(排出されて零である)が転送電極146゜14
1 + 14m下を経てFG電極13下に転送されると
共にFG電極13下へCCDレジスタ1から電荷Q、が
供給される。したがって、出力電位voはFG電極13
下の電荷Q、の流出に見合う分だけ高くなったのち電荷
Q、の流入に見合う分だけ低くなjj+ 、t8時点で
は電荷量(Ql −Q* )に対応した電位であ夛、次
のリセット/マルスR8でリセットされる。
以後、上記クロック・ぐルスφ3人力に伴なう一連の動
作と同様な動作がクロックパルスφ3〜φ、までそれぞ
れ図示の如く行なわれ、結果としてtの時点では奇数系
列電荷の累算和(Ql+ Q B + Q s )と偶
数系外電荷の累算和CQs +Qa +Q、 )との差
に対応した出力電位が得られる。上記クロックパルスφ
1〜φ、入力に伴なう電荷量演算動作が時系列的に供給
される電荷列に対して繰シ返し行なわれるものでアシ、
図中φ、。
作と同様な動作がクロックパルスφ3〜φ、までそれぞ
れ図示の如く行なわれ、結果としてtの時点では奇数系
列電荷の累算和(Ql+ Q B + Q s )と偶
数系外電荷の累算和CQs +Qa +Q、 )との差
に対応した出力電位が得られる。上記クロックパルスφ
1〜φ、入力に伴なう電荷量演算動作が時系列的に供給
される電荷列に対して繰シ返し行なわれるものでアシ、
図中φ、。
φ9.φ、。は次回の電荷量演算動作におけるクロック
パルスφ1 、φ3.φ、に相当するものである。
パルスφ1 、φ3.φ、に相当するものである。
なお、上述したように電荷量演算動作にあっては、各回
の演算動作が終才する毎に不要となった電荷をクリアパ
ルスCLRによシ第1のドレイン領域11に排出してイ
ニシャライズを行なっているが、演算動作の途中で取り
扱い電荷量が電荷転送チーネル30の取り扱い量を越え
る、おそれが生じることがある。この場合には、前記出
力電位V。を監視して一定値を越えたときに第1のタイ
ミングパルスφ、および第2のタイミングパルスφ、を
発生させて電荷転送チャネルの側路部33および第2の
排出部34を制御することによって、各系列電荷から一
定電荷量Q’rHを抜き取る必要があシ、そのときの動
作を第6図を参照して説明する。即ち、たとえば、クロ
ックパルスφ1〜φ、まで前述同様の動作が行なわれた
とき、クロ、り・9ルスφ5時点でのF”G電極13下
の電荷は(Ql +Ql )であり、これに対応する出
力電位V。が予め定められた一定値を越えたとすると、
上記クロックパルスφ、の扱で次のクロックパルスφ6
が発生する前に第1のタイミングパルスφ、お°よび第
2のタイミングφ、を順次発生させると共にその次のク
ロック−fルスφ7が発生する前に同様にφ、、φ、を
順次発回路24の出力電位v0を比較回路に導いて基準
電圧vRと比較し、とのvRを越えたときの検出出力お
よびクロック/4ルスφをタイミングパルス発生回路に
導いて上記φλ、φ、を前記タイミングで発生させれば
よい。上記タイミングパルスφ□が転送電極15,81
5.に印加されると、転送電Q、ra )が転送電極1
51# 15. + 15’、下を経ぞ転送電極154
下に転送され、φ、が転送電極171゜77、に印加さ
れると上記転送電極15.下の電荷QTHが転送電極1
7=17.下および゛第2゛のクリアゲート電極18下
を経て第2のビレ4ン領域12へ排出される。これによ
って、クロック−臂ルスφ、直後の25時点での奇数系
列電荷の累算和から一定量の電荷QTHが抜き取られた
ことになシ、上記φ3後のtI′時□点では、前記転送
電極14.下の電荷は(Qi ”Qs’ −Qt’u
)になっており、FG電極13下の電荷は(Qw +Q
4 )のままで一定4゜である。そして、次のクロック
/やルスφ、によシ、FG電極13下の電荷が転送電極
14.下へ転送され、同時に転送電極14.下の電荷が
FG電極13下へ転送されると共にFG電極13下へC
ODレジスタ1から電荷Q、が供給されるので、t6時
点ではFG電極13下の電荷は(’;h +Qs−QT
□)+Q、となっておシ、転送電極14.下の電荷は(
Qt+Q4)になっている。再び、タイミング/9ルス
φ□、φ8が発生して、前述したような一定量の電荷Q
THが(Q2 +Q4 )から抜き取られる。これによ
って、前記25時点での偶数系列累算和から一定量の電
荷QT□が抜き取られたことになり、上記φ、後のt6
′時点では、前記転送電極14.下の電荷は(Qt +
94 ’Q□)となっておシ、FG電極13下の電荷u
(Q1+Qs −Q7B”& )のままで一定である
。そして、次のクロックパルスφ、後のt7時点ではF
G電極13下の電荷は(Q、+Q4−QTH+Qs )
となっておシ、転送電極14.下のは第5図を参照して
前述したt7時点の出力電位に等しい。
の演算動作が終才する毎に不要となった電荷をクリアパ
ルスCLRによシ第1のドレイン領域11に排出してイ
ニシャライズを行なっているが、演算動作の途中で取り
扱い電荷量が電荷転送チーネル30の取り扱い量を越え
る、おそれが生じることがある。この場合には、前記出
力電位V。を監視して一定値を越えたときに第1のタイ
ミングパルスφ、および第2のタイミングパルスφ、を
発生させて電荷転送チャネルの側路部33および第2の
排出部34を制御することによって、各系列電荷から一
定電荷量Q’rHを抜き取る必要があシ、そのときの動
作を第6図を参照して説明する。即ち、たとえば、クロ
ックパルスφ1〜φ、まで前述同様の動作が行なわれた
とき、クロ、り・9ルスφ5時点でのF”G電極13下
の電荷は(Ql +Ql )であり、これに対応する出
力電位V。が予め定められた一定値を越えたとすると、
上記クロックパルスφ、の扱で次のクロックパルスφ6
が発生する前に第1のタイミングパルスφ、お°よび第
2のタイミングφ、を順次発生させると共にその次のク
ロック−fルスφ7が発生する前に同様にφ、、φ、を
順次発回路24の出力電位v0を比較回路に導いて基準
電圧vRと比較し、とのvRを越えたときの検出出力お
よびクロック/4ルスφをタイミングパルス発生回路に
導いて上記φλ、φ、を前記タイミングで発生させれば
よい。上記タイミングパルスφ□が転送電極15,81
5.に印加されると、転送電Q、ra )が転送電極1
51# 15. + 15’、下を経ぞ転送電極154
下に転送され、φ、が転送電極171゜77、に印加さ
れると上記転送電極15.下の電荷QTHが転送電極1
7=17.下および゛第2゛のクリアゲート電極18下
を経て第2のビレ4ン領域12へ排出される。これによ
って、クロック−臂ルスφ、直後の25時点での奇数系
列電荷の累算和から一定量の電荷QTHが抜き取られた
ことになシ、上記φ3後のtI′時□点では、前記転送
電極14.下の電荷は(Qi ”Qs’ −Qt’u
)になっており、FG電極13下の電荷は(Qw +Q
4 )のままで一定4゜である。そして、次のクロック
/やルスφ、によシ、FG電極13下の電荷が転送電極
14.下へ転送され、同時に転送電極14.下の電荷が
FG電極13下へ転送されると共にFG電極13下へC
ODレジスタ1から電荷Q、が供給されるので、t6時
点ではFG電極13下の電荷は(’;h +Qs−QT
□)+Q、となっておシ、転送電極14.下の電荷は(
Qt+Q4)になっている。再び、タイミング/9ルス
φ□、φ8が発生して、前述したような一定量の電荷Q
THが(Q2 +Q4 )から抜き取られる。これによ
って、前記25時点での偶数系列累算和から一定量の電
荷QT□が抜き取られたことになり、上記φ、後のt6
′時点では、前記転送電極14.下の電荷は(Qt +
94 ’Q□)となっておシ、FG電極13下の電荷u
(Q1+Qs −Q7B”& )のままで一定である
。そして、次のクロックパルスφ、後のt7時点ではF
G電極13下の電荷は(Q、+Q4−QTH+Qs )
となっておシ、転送電極14.下のは第5図を参照して
前述したt7時点の出力電位に等しい。
なお、前記転送電極14.下から一定の電荷量QTHを
抜き取るために、1回のタイミング・ぐルスで直接に第
2の排出部35側へ抜き取るようにしてもよいが、上記
例では先ず第1のタイミングパルスφ□によ多チャネル
側路部33側へ抜き取り、さらに第2のタイミング・マ
ルスφ3によりこのチャネル側路部33から第2の排出
部35側へ抜き取っている。そして、転送電極14、下
に残った電荷・および転送電極154下に使った電荷と
を次のダロック・ぐルスによシ転送電極146下および
転送電極15.下を経て転送電極14.714.下から
F’G電極13下へ転送しておシ、これによりて上記2
つの残りの電荷が加算されると結果的に転送電極146
.下の抜き取υ前の電荷から一定量の電荷Q□を抜き取
ったも、のが得られる。第4図(b)輪筒4図0)の抜
き取り系統の電荷転送構造に対応する基板内電位の変化
および電荷転送の様子を示している。ここで、vlは転
送電極14.下の電位、(v2□、v3□)および(v
2L、■、L)はタイミングパルスφ□の印加時(ハイ
レベル)、非印加時(ロウレベル)に対応する転送電極
(zs、 、15□)下の電位、■4は転送電極!5.
下の電位、vsは転送電極154下の電位、(v6H9
■71K)オヨび(v6L、■7、L)はタイミン、グ
/法スφ8の印加時(ハイレベル)、非印加時(口2レ
ベル)に対応する転送電極(J41゜17食)下の電位
、v8は第2のクリアダート電極18下の電位、■、は
第2のドレイン領域12の電位である。そして、(io
が転送電極14.下の尊き取υ前の電荷量、qlが転送
電極(151゜15、)による抜き取り電荷量(これは
電極15□。
抜き取るために、1回のタイミング・ぐルスで直接に第
2の排出部35側へ抜き取るようにしてもよいが、上記
例では先ず第1のタイミングパルスφ□によ多チャネル
側路部33側へ抜き取り、さらに第2のタイミング・マ
ルスφ3によりこのチャネル側路部33から第2の排出
部35側へ抜き取っている。そして、転送電極14、下
に残った電荷・および転送電極154下に使った電荷と
を次のダロック・ぐルスによシ転送電極146下および
転送電極15.下を経て転送電極14.714.下から
F’G電極13下へ転送しておシ、これによりて上記2
つの残りの電荷が加算されると結果的に転送電極146
.下の抜き取υ前の電荷から一定量の電荷Q□を抜き取
ったも、のが得られる。第4図(b)輪筒4図0)の抜
き取り系統の電荷転送構造に対応する基板内電位の変化
および電荷転送の様子を示している。ここで、vlは転
送電極14.下の電位、(v2□、v3□)および(v
2L、■、L)はタイミングパルスφ□の印加時(ハイ
レベル)、非印加時(ロウレベル)に対応する転送電極
(zs、 、15□)下の電位、■4は転送電極!5.
下の電位、vsは転送電極154下の電位、(v6H9
■71K)オヨび(v6L、■7、L)はタイミン、グ
/法スφ8の印加時(ハイレベル)、非印加時(口2レ
ベル)に対応する転送電極(J41゜17食)下の電位
、v8は第2のクリアダート電極18下の電位、■、は
第2のドレイン領域12の電位である。そして、(io
が転送電極14.下の尊き取υ前の電荷量、qlが転送
電極(151゜15、)による抜き取り電荷量(これは
電極15□。
15意の電位差と電極15!の容量との積に対応する)
、q、が転送電極(17□、77、)による抜き取り電
荷量(これは電極17..17□の電位差と電極17.
の容量との積に対応する)であシ、こののち転送電極1
45下に残った電荷量(qo−(it )と転送電極1
54下に残った電荷量(qt 7qt )とが合流され
て加算されることによって(qo−ql)+(qt −
qs )=qa Qtが残ったことになる。
、q、が転送電極(17□、77、)による抜き取り電
荷量(これは電極17..17□の電位差と電極17.
の容量との積に対応する)であシ、こののち転送電極1
45下に残った電荷量(qo−(it )と転送電極1
54下に残った電荷量(qt 7qt )とが合流され
て加算されることによって(qo−ql)+(qt −
qs )=qa Qtが残ったことになる。
このような2段抜き取りおよび残りの加算処理によれば
、転送電極14.下の抹き取り前の電荷量q0の大小に
よって抜き取り電荷量q□が多少異なっても、この電荷
量q8から正確に一定の電荷量q、の抜き取υが可能に
なυ、qz(前記QTHに相当)は前記q(1(前記実
施例のQ、+QsあるいはQ 虚、 + Q aに相当
)の大きさには殆んど無関係に一定になる。
、転送電極14.下の抹き取り前の電荷量q0の大小に
よって抜き取り電荷量q□が多少異なっても、この電荷
量q8から正確に一定の電荷量q、の抜き取υが可能に
なυ、qz(前記QTHに相当)は前記q(1(前記実
施例のQ、+QsあるいはQ 虚、 + Q aに相当
)の大きさには殆んど無関係に一定になる。
なお、上記実施例では、時系列的に供給される6個の電
荷(Q、〜Q、)について演算したが、この個数は限走
されるものではない。また、上記実施例では、2つの系
列として奇数系列、偶数系列の場合を示したが、これに
限らず他の任意の2系列、たとえば等差数数的な系列の
電荷の差(Ql −cas ) 、 (Ql +Q4
)−(Ql +Q6 ) 、 (Q1十Qa +Q?
) (Ql +Qll +Q11 )+・・・に対応
する出力電位を得るように転送電極数、転送タイミング
とかFG電極リセットタイミング等を変えることも可能
である。
荷(Q、〜Q、)について演算したが、この個数は限走
されるものではない。また、上記実施例では、2つの系
列として奇数系列、偶数系列の場合を示したが、これに
限らず他の任意の2系列、たとえば等差数数的な系列の
電荷の差(Ql −cas ) 、 (Ql +Q4
)−(Ql +Q6 ) 、 (Q1十Qa +Q?
) (Ql +Qll +Q11 )+・・・に対応
する出力電位を得るように転送電極数、転送タイミング
とかFG電極リセットタイミング等を変えることも可能
である。
上述したように本発明の電荷量演算装置によれば、時系
列的に供給される電荷について2つの系列それぞれにお
ける電荷量累算和の差を求めるアナログ演算処理を簡易
な構成によシ実現可能であシ、1チツプ上に集積回路化
することが容易であシ、歩留シが高くなるのでコストダ
ウンが可能であシ、シかも消費電力は少なくて済むなど
の諸々の利点がある。
列的に供給される電荷について2つの系列それぞれにお
ける電荷量累算和の差を求めるアナログ演算処理を簡易
な構成によシ実現可能であシ、1チツプ上に集積回路化
することが容易であシ、歩留シが高くなるのでコストダ
ウンが可能であシ、シかも消費電力は少なくて済むなど
の諸々の利点がある。
第1図は本発明に係る電荷量演算装置の一実施例を示す
構成説明図、第2図0、(b)は第1図の装置に採用し
た基本動作原理の1つを説明するために示す図、第3図
は第1図の電荷転送チャネルを取り出して示す平面・9
タ一ン図、第4図(、)は第1図のA −A’線に沿う
断面構造を概略的に示す図、第4図(b)は同図(、)
の動作説明のために基板内電位変化および電荷転送の様
子を示す図、第5図および第6図は第1図の動作説明の
ために各タイミングにおける信号電圧および電荷の状態
を示す図、第7図は従来の電荷量演算装置を示す構成説
明図である。 1・・・CODレジスタ、10.20・・・半導体基板
、11.12・・・ドレイン領域、13.22・・・フ
ローティングダート電極、141〜14゜、151〜1
5B +1711171・・・転送電極、16.18・
・・クリアゲート電極、21・・・ゲート絶縁膜、23
・・・リセット用スイッチ、24・・・ソースフォロワ
回路、30・・・電荷転送チャネル、32・・・閉ルー
プ部O 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第1図 第2 門 (a) (b)
構成説明図、第2図0、(b)は第1図の装置に採用し
た基本動作原理の1つを説明するために示す図、第3図
は第1図の電荷転送チャネルを取り出して示す平面・9
タ一ン図、第4図(、)は第1図のA −A’線に沿う
断面構造を概略的に示す図、第4図(b)は同図(、)
の動作説明のために基板内電位変化および電荷転送の様
子を示す図、第5図および第6図は第1図の動作説明の
ために各タイミングにおける信号電圧および電荷の状態
を示す図、第7図は従来の電荷量演算装置を示す構成説
明図である。 1・・・CODレジスタ、10.20・・・半導体基板
、11.12・・・ドレイン領域、13.22・・・フ
ローティングダート電極、141〜14゜、151〜1
5B +1711171・・・転送電極、16.18・
・・クリアゲート電極、21・・・ゲート絶縁膜、23
・・・リセット用スイッチ、24・・・ソースフォロワ
回路、30・・・電荷転送チャネル、32・・・閉ルー
プ部O 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第1図 第2 門 (a) (b)
Claims (2)
- (1)信号電荷供給手段から時系列的に供給される電荷
が一端から入力し、他端と中間部とが接合されて形成さ
れた閉ループ部を有する電荷転送チャネルと、この電荷
転送チャネルの上記接合された部分上にゲート絶縁膜を
介して設けられたフローティングゲート電極と、同じく
上記電荷転送チャネル内で一定方向に電荷を転送させる
ように制御するために上記電荷転送チャオル上にゲート
絶縁膜を介して設けられた転送電極群と、前記閉ループ
部の中間部のチャネル内の電荷を所定のタイミングでド
レイン領域に排出する電荷排出手段と、前記フローティ
ングゲート電極を所定のタイミングでリセット電位また
はフローティング状態に選択的に設定するリセット手段
と、上記フローティングゲート電極の電位を検出する電
位検出手段とを具備し、前記時系列的に供給される電荷
のうち所定の第1系列の各電荷の累算和信号電荷および
所定の第2の系列の各電荷の累算和信号電荷を時系列的
に前記フローティングゲート電極下のチャネル部に蓄積
し、前記フローティングゲート電極を所定のタイミング
でリセットして上記第1の系列と第2の系列との累算和
信号電荷の差に対応した電位を検出するようにしてなる
ことを特徴とし、半導体基板上に集積回路化されてなる
電荷量演算装置。 - (2)前記閉ループ部の中間部のチャネル内における前
記各系列の累算和信号電荷からそれぞれ一定量の電荷を
所定のタイミングで時系列的に閉ループ部外へ抜き取る
電荷抜き取り手段と、前記電位検出手段から得られる前
記フローティングゲート電極の電位を監視し、所定値を
越えたときに所定のタイミングで上記電荷抜き取り手段
を駆動する手段とをさらに具備してなることを特徴とす
る特許請求の範囲第1項記載の電荷量演算装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP16054884A JPH0697670B2 (ja) | 1984-07-31 | 1984-07-31 | 電荷量演算装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP16054884A JPH0697670B2 (ja) | 1984-07-31 | 1984-07-31 | 電荷量演算装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6140058A true JPS6140058A (ja) | 1986-02-26 |
JPH0697670B2 JPH0697670B2 (ja) | 1994-11-30 |
Family
ID=15717366
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP16054884A Expired - Lifetime JPH0697670B2 (ja) | 1984-07-31 | 1984-07-31 | 電荷量演算装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0697670B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5164807A (en) * | 1988-03-15 | 1992-11-17 | U.S. Philips Corp. | Charge-coupled devices with locally widened electrodes |
-
1984
- 1984-07-31 JP JP16054884A patent/JPH0697670B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5164807A (en) * | 1988-03-15 | 1992-11-17 | U.S. Philips Corp. | Charge-coupled devices with locally widened electrodes |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0697670B2 (ja) | 1994-11-30 |
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