JPS6139724B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6139724B2 JPS6139724B2 JP55150148A JP15014880A JPS6139724B2 JP S6139724 B2 JPS6139724 B2 JP S6139724B2 JP 55150148 A JP55150148 A JP 55150148A JP 15014880 A JP15014880 A JP 15014880A JP S6139724 B2 JPS6139724 B2 JP S6139724B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resistor
- output
- transformer
- circuit
- voltage
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 238000004804 winding Methods 0.000 claims description 8
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 4
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical group [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PMVSDNDAUGGCCE-TYYBGVCCSA-L Ferrous fumarate Chemical group [Fe+2].[O-]C(=O)\C=C\C([O-])=O PMVSDNDAUGGCCE-TYYBGVCCSA-L 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F38/00—Adaptations of transformers or inductances for specific applications or functions
- H01F38/20—Instruments transformers
- H01F38/40—Instruments transformers for dc
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Transformers For Measuring Instruments (AREA)
- Emergency Protection Circuit Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、電圧および電流等を検出する場合
に使用するスリツトレス式直流変成器に関するも
のである。
に使用するスリツトレス式直流変成器に関するも
のである。
従来、この種のスリツトレス式直流変成器とし
て、第1図に示す回路構成からなるものが知られ
ている。すなわち、第1図に示すスリツトレス式
直流変成器は、一対の変成器T1,T2の2次巻線
間に交流電圧源eを介してダイオードD1,D2,
D3,D4をブリツジ接続すると共に抵抗器R1,R2
を接続した構成からなり、変成器T1,T2の1次
巻線に流れる直流電流I1に対し抵抗器R2の端子間
において直流出力電圧Vを発生するものである。
て、第1図に示す回路構成からなるものが知られ
ている。すなわち、第1図に示すスリツトレス式
直流変成器は、一対の変成器T1,T2の2次巻線
間に交流電圧源eを介してダイオードD1,D2,
D3,D4をブリツジ接続すると共に抵抗器R1,R2
を接続した構成からなり、変成器T1,T2の1次
巻線に流れる直流電流I1に対し抵抗器R2の端子間
において直流出力電圧Vを発生するものである。
このように構成される従来のスリツトレス式直
流変成器は、第2図に示すような、入出力特性を
有する。すなわち、従来の直流変成器では、変成
器T1,T2の2次巻線に供給される交流電圧源e
からの励磁電流Ieにより、出力端に出力の誤差
(+Ie・R2)を生じる難点がある(第2図の破線
で示す特性)。従来、このような誤差を小さくす
るため、変成器T1,T2の鉄心に励磁電流の極め
て少ないものを使用したり、変成器T1,T2の2
次巻線の巻回数を増す等の手段により解決してい
た。しかしながら、この種の手段等によれば、鉄
心の価格が増大したり、装置が大型化する等の難
点があり満足すべきものではなかつた。
流変成器は、第2図に示すような、入出力特性を
有する。すなわち、従来の直流変成器では、変成
器T1,T2の2次巻線に供給される交流電圧源e
からの励磁電流Ieにより、出力端に出力の誤差
(+Ie・R2)を生じる難点がある(第2図の破線
で示す特性)。従来、このような誤差を小さくす
るため、変成器T1,T2の鉄心に励磁電流の極め
て少ないものを使用したり、変成器T1,T2の2
次巻線の巻回数を増す等の手段により解決してい
た。しかしながら、この種の手段等によれば、鉄
心の価格が増大したり、装置が大型化する等の難
点があり満足すべきものではなかつた。
そこで、本発明者等は、前述した従来のスリツ
トレス式直流変成器の問題点を全て克服すべく
種々検討を重ねた結果、従来の出力を検出するた
めに設けた抵抗器と並列にダイオードと出力検出
用抵抗器との直列回路を接続することにより、前
記ダイオードにより従来の出力端において発生す
る励磁電流による誤差出力をダイオードドロツプ
作用により略確実に打消すことができ、前記問題
点を一挙に解消し得ることを突き止めた。
トレス式直流変成器の問題点を全て克服すべく
種々検討を重ねた結果、従来の出力を検出するた
めに設けた抵抗器と並列にダイオードと出力検出
用抵抗器との直列回路を接続することにより、前
記ダイオードにより従来の出力端において発生す
る励磁電流による誤差出力をダイオードドロツプ
作用により略確実に打消すことができ、前記問題
点を一挙に解消し得ることを突き止めた。
従つて、本発明の目的は、簡単な構成で誤差出
力の発生を防止し、小形で信頼性の高いスリツト
レス式直流変成器を提供するにある。
力の発生を防止し、小形で信頼性の高いスリツト
レス式直流変成器を提供するにある。
前記の目的を達成するため、本発明において
は、変成器の2次巻線側に交流電源を介してダイ
オードブリツジ回路を接続すると共に出力検出用
抵抗器を接続し、変成器の1次巻線側入力を前記
抵抗器を介して出力するよう構成したスリツトレ
ス式直流変成器において、前記抵抗器と並列にダ
イオードドロツプ用ダイオードと出力を検出する
ための第2の抵抗器との直列回路を接続すること
を特徴とする。
は、変成器の2次巻線側に交流電源を介してダイ
オードブリツジ回路を接続すると共に出力検出用
抵抗器を接続し、変成器の1次巻線側入力を前記
抵抗器を介して出力するよう構成したスリツトレ
ス式直流変成器において、前記抵抗器と並列にダ
イオードドロツプ用ダイオードと出力を検出する
ための第2の抵抗器との直列回路を接続すること
を特徴とする。
次に、本発明に係るスリツトレス式直流変成器
の実施例につき添付図面を参照しながら以下詳細
に説明する。なお、説明の便宜上、第1図に示す
従来の回路構成と同一の構成部分については同一
の参照符号を付してその詳細な説明は省略する。
の実施例につき添付図面を参照しながら以下詳細
に説明する。なお、説明の便宜上、第1図に示す
従来の回路構成と同一の構成部分については同一
の参照符号を付してその詳細な説明は省略する。
第3図は、本発明に係るスリツトレス式直流変
成器の実施例を示す回路図である。すなわち、本
実施例回路は、第1図に示す従来の回路におい
て、抵抗器R2と並列にダイオードD5と負荷抵抗
器R5の直列回路を接続したものである。従つ
て、本実施例回路では、抵抗器R5の端子間にお
いて出力電圧を検出するよう構成される。
成器の実施例を示す回路図である。すなわち、本
実施例回路は、第1図に示す従来の回路におい
て、抵抗器R2と並列にダイオードD5と負荷抵抗
器R5の直列回路を接続したものである。従つ
て、本実施例回路では、抵抗器R5の端子間にお
いて出力電圧を検出するよう構成される。
次に、このように構成される本実施例回路の動
作につき、第4図および第5図の動作波形と共に
説明する。
作につき、第4図および第5図の動作波形と共に
説明する。
まず、変成器T1,T2の1次巻線における直流
電源I1がI1=O〔A〕の場合、交流電源電圧e、
抵抗器R3の端子電圧V1および抵抗器R5の端子電
圧(出力電圧)Vは、それぞれ第4図1〜3に示
すようになる。なお、抵抗器R3の端子電圧V1は
従来回路の出力電圧に相当する。この場合、端子
電圧V1には、第4図2に示すように、励磁電流
Ieによる電圧△V(=IeR3)が正方向だけに発
生するが、この電圧△VはダイオードD5のダイ
オードドロツプで略打消すことができ、この結果
出力には励磁電流の影響が殆んど現われなくなる
〔第4図3参照〕。
電源I1がI1=O〔A〕の場合、交流電源電圧e、
抵抗器R3の端子電圧V1および抵抗器R5の端子電
圧(出力電圧)Vは、それぞれ第4図1〜3に示
すようになる。なお、抵抗器R3の端子電圧V1は
従来回路の出力電圧に相当する。この場合、端子
電圧V1には、第4図2に示すように、励磁電流
Ieによる電圧△V(=IeR3)が正方向だけに発
生するが、この電圧△VはダイオードD5のダイ
オードドロツプで略打消すことができ、この結果
出力には励磁電流の影響が殆んど現われなくなる
〔第4図3参照〕。
次に、直流電源I1がI1=100〔%〕の場合、交流
電源電圧e、抵抗器R3の端子電圧V1および抵抗
器R5の端子電圧(出力電圧)Vはそれぞれ第5
図1〜3に示すようになる。この場合、端子電圧
V1には、第5図2に示すように、励磁電流Ieに
よる電圧△Vが真値に対して正負両方向に発生す
る。しかるに、本実施例回路では、前述したよう
に正の電圧△VはダイオードD5のダイオードド
ロツプで略打消すことができる。これに対し、負
の電圧△Vに対しては、真値に対し若干低くな
る。しかし、通常の測定範囲では、変成器T1,
T2におけるt1(一方の鉄心のセツト期間)≫t2
(他方の鉄心のリセツト期間)であるため、励磁
電流による負の電圧誤差△Vは非常に小さくな
り、実用上は殆んど問題ない。このような特性結
果から明らかなように、本実施例回路の入出力特
性は、第6図に示す通りとなる。すなわち、本実
施例回路によれば、直流電流I1が増大するに従つ
て、若干出力電圧が真値よりも低くなる傾向を示
すことが諒解されよう。
電源電圧e、抵抗器R3の端子電圧V1および抵抗
器R5の端子電圧(出力電圧)Vはそれぞれ第5
図1〜3に示すようになる。この場合、端子電圧
V1には、第5図2に示すように、励磁電流Ieに
よる電圧△Vが真値に対して正負両方向に発生す
る。しかるに、本実施例回路では、前述したよう
に正の電圧△VはダイオードD5のダイオードド
ロツプで略打消すことができる。これに対し、負
の電圧△Vに対しては、真値に対し若干低くな
る。しかし、通常の測定範囲では、変成器T1,
T2におけるt1(一方の鉄心のセツト期間)≫t2
(他方の鉄心のリセツト期間)であるため、励磁
電流による負の電圧誤差△Vは非常に小さくな
り、実用上は殆んど問題ない。このような特性結
果から明らかなように、本実施例回路の入出力特
性は、第6図に示す通りとなる。すなわち、本実
施例回路によれば、直流電流I1が増大するに従つ
て、若干出力電圧が真値よりも低くなる傾向を示
すことが諒解されよう。
前述した実施例から明らかなように、本発明に
よれば、励磁電流による出力の誤差をダイオード
ドロツプを利用して簡便に消去することができ
る。従つて、本発明スリツトレス式直流変成器
は、従来回路に若干の回路素子を付加するだけで
実現することができるため、小形かつ廉価に従来
回路の性能並びに信頼性の向上を図ることができ
る。
よれば、励磁電流による出力の誤差をダイオード
ドロツプを利用して簡便に消去することができ
る。従つて、本発明スリツトレス式直流変成器
は、従来回路に若干の回路素子を付加するだけで
実現することができるため、小形かつ廉価に従来
回路の性能並びに信頼性の向上を図ることができ
る。
以上、本発明の好適な実施例につい説明した
が、本発明はスリツトレス式直流変成器を使用し
て、電圧、電流等を検出する回路全般に応用する
ことができるばかりでなく、その他本発明の精神
を逸脱しない範囲内において種々の設計変更をな
し得ることは勿論である。
が、本発明はスリツトレス式直流変成器を使用し
て、電圧、電流等を検出する回路全般に応用する
ことができるばかりでなく、その他本発明の精神
を逸脱しない範囲内において種々の設計変更をな
し得ることは勿論である。
第1図は従来のスリツトレス式直流変成器の回
路図、第2図は第1図に示す回路の入出力特性線
図、第3図は本発明に係るスリツトレス式直流変
成器の回路図、第4図1〜3および第5図1〜3
は第3図に示す回路の各動作特性波形図、第6図
は第3図に示す回路の入出力特性線図である。 T1,T2…変成器、D1,D2,D3,D4…ダイオー
ド、e…交流電圧電源、R1,R2…抵抗器、D5…
ダイオードドロツプ用ダイオード、R3…出力検
出用抵抗器、R5…負荷抵抗器。
路図、第2図は第1図に示す回路の入出力特性線
図、第3図は本発明に係るスリツトレス式直流変
成器の回路図、第4図1〜3および第5図1〜3
は第3図に示す回路の各動作特性波形図、第6図
は第3図に示す回路の入出力特性線図である。 T1,T2…変成器、D1,D2,D3,D4…ダイオー
ド、e…交流電圧電源、R1,R2…抵抗器、D5…
ダイオードドロツプ用ダイオード、R3…出力検
出用抵抗器、R5…負荷抵抗器。
Claims (1)
- 1 変成器の2次巻線側に交流電源を介してダイ
オードブリツジ回路を接続すると共に出力検出用
抵抗器を接続し、変成器の1次巻線側入力を前記
抵抗器を介して出力するよう構成したスリツトレ
ス式直流変成器において、前記抵抗器と並列にダ
イオードドロツプ用ダイオードと出力を検出する
ための第2の抵抗器との直列回路を接続すること
を特徴とするスリツトレス式直流変成器。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP55150148A JPS5773920A (en) | 1980-10-28 | 1980-10-28 | Slitless-type dc transformer |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP55150148A JPS5773920A (en) | 1980-10-28 | 1980-10-28 | Slitless-type dc transformer |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5773920A JPS5773920A (en) | 1982-05-08 |
JPS6139724B2 true JPS6139724B2 (ja) | 1986-09-05 |
Family
ID=15490539
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP55150148A Granted JPS5773920A (en) | 1980-10-28 | 1980-10-28 | Slitless-type dc transformer |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5773920A (ja) |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS53141322U (ja) * | 1977-04-15 | 1978-11-08 |
-
1980
- 1980-10-28 JP JP55150148A patent/JPS5773920A/ja active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS5773920A (en) | 1982-05-08 |
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