JPS6139699B2 - - Google Patents

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JPS6139699B2
JPS6139699B2 JP10550777A JP10550777A JPS6139699B2 JP S6139699 B2 JPS6139699 B2 JP S6139699B2 JP 10550777 A JP10550777 A JP 10550777A JP 10550777 A JP10550777 A JP 10550777A JP S6139699 B2 JPS6139699 B2 JP S6139699B2
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JP
Japan
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aluminum
vapor deposition
heating element
film
face plate
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Seihachiro Hayashi
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Mitsubishi Electric Corp
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  • Formation Of Various Coating Films On Cathode Ray Tubes And Lamps (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 この発明はカラー受像管の蒸着膜製作方法に関
するもので、特に、メタルバツク構造のカラー受
像管の螢光面内簿に光反射性金属薄膜を真空蒸着
により形成する方法に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to a method for producing a vapor-deposited film for a color picture tube, and more particularly to a method for forming a light-reflecting metal thin film on the fluorescent surface of a color picture tube having a metal back structure by vacuum deposition. .

通常のカラー受像管の螢光面は、受像管の管体
の一部を構成するガラスフエースプレート(パネ
ルの内面に被着して螢光体膜上に、この螢光体膜
から発した光を有効にカラー受像管前方へ取り出
すための光反射性金属膜を形成することにより実
現されるのが一般的であり、これはメタルバツク
構造と称されるものである。
The phosphor surface of a normal color picture tube is a glass face plate that forms part of the tube body of the picture tube. This is generally achieved by forming a light-reflecting metal film to effectively extract the light to the front of the color picture tube, and this is called a metal back structure.

このメタルパツク螢光面は、カラー受像管の輝
度を増加させるとともに、イオン焼けの現象を防
止するという利点を有していて、その製造工程を
第1図を参照しながら説明する。
This metal pack fluorescent surface has the advantage of increasing the brightness of the color picture tube and preventing the phenomenon of ion burnout, and its manufacturing process will be described with reference to FIG.

第1図はカラー受像管の螢光面部の製造工程を
説明するための断面図である。第1図において、
1はガラスフエースプレート、2はこのプレート
1の内面に被着された螢光体膜、3はこの螢光体
膜2の表面を平滑にするための有機物質を主成分
とするフイルム用ラツカー材料により形成された
中間膜、4はアルミニウム薄膜である。螢光体膜
2はプレート1の内面に一様の厚さに塗布され、
これを乾燥させることにより形成される。また、
アルミニウム薄膜4は、中間膜3上にアルミニウ
ムを真空中で蒸着させて形成されるものである
り、しかる後にベーキング処理により中間膜3は
除去される。
FIG. 1 is a sectional view for explaining the manufacturing process of a fluorescent surface portion of a color picture tube. In Figure 1,
1 is a glass face plate, 2 is a phosphor film adhered to the inner surface of the plate 1, and 3 is a film lacquer material mainly composed of an organic substance for smoothing the surface of the phosphor film 2. The intermediate film 4 formed by the above is an aluminum thin film. The phosphor film 2 is applied to the inner surface of the plate 1 to a uniform thickness,
It is formed by drying this. Also,
The aluminum thin film 4 is formed by depositing aluminum on the intermediate film 3 in a vacuum, and the intermediate film 3 is then removed by baking treatment.

第2図は従来の蒸着装置の一例を示す。この第
2図に示すように、従来、アルミニウム薄膜を蒸
着により形成するには、中間膜3を形成したガラ
スフエースプレート1を、真空外囲器6内の所定
の位置に支持した状態で配置する。真空外囲器6
には、タングステン線の3本または4本撚り線に
よりバスケツト状とした1個または複数個の蒸発
源が設けられ、10-4torrの真空状態に保たれる。
このようにして、中間膜3上にアルミニウムを蒸
着させる方法が用いられているが、蒸発源5とし
てタングテン線からなるコイルを用いているもの
で、寿命が短かいという欠点があつた。
FIG. 2 shows an example of a conventional vapor deposition apparatus. As shown in FIG. 2, conventionally, in order to form an aluminum thin film by vapor deposition, a glass face plate 1 on which an intermediate film 3 is formed is placed in a supported state at a predetermined position within a vacuum envelope 6. . Vacuum envelope 6
The evaporation source is provided with one or more basket-shaped evaporation sources made of three or four strands of tungsten wire and maintained at a vacuum of 10 -4 torr.
Although a method of vapor depositing aluminum on the intermediate film 3 has been used in this manner, a coil made of tungsten wire is used as the evaporation source 5, which has the drawback of short life.

この欠点を除去するために、タングステン線コ
イルにかえて、抵抗加熱体を使用する方法が提案
され、すでに実用に供されている。抵抗加熱体と
しては、窒化硼素を主成分とするものが一般に用
いられている。この種の抵抗加熱体の一例は、第
3図に斜視図として示される。この第3図に示す
ように、直方体状の抵抗加熱体7の上面には、凹
部7aが形成されていて、いわゆるボード状の構
造となつている。なお、前記凹部7aを設けず、
単なる平面としたものもある。この窒化硼素を主
成分とするボート状抵抗加熱体蒸発源(以下、
「窒化硼素加熱体」と称する。)を使用した場合の
蒸着膜製作方法を第4図を参照して説明する。
In order to eliminate this drawback, a method of using a resistance heating element instead of a tungsten wire coil has been proposed and has already been put into practical use. As the resistance heating element, one whose main component is boron nitride is generally used. An example of this type of resistance heater is shown in perspective view in FIG. As shown in FIG. 3, a recess 7a is formed on the upper surface of the rectangular parallelepiped resistance heating element 7, forming a so-called board-like structure. Note that the recess 7a is not provided,
Some are just flat surfaces. This boat-shaped resistance heating evaporation source (hereinafter referred to as
It is called a "boron nitride heating element." ) will be described with reference to FIG. 4.

第4図は窒化硼素加熱体を用いた蒸着装置の一
例を概略的に示す構成図である。第4図におい
て、前述した各図に示す部分に相当の部分は同様
の参照符号を付し、その説明は省略する。ここに
示す蒸着装置は、入口室6a、アルミニウム蒸着
室6bおよび出口室6cを備える直空外囲器を含
む。蒸着室6bには、アルミニウム線自動挿入器
8が設けられ、それによつてアルミニウム線9が
供給される。さた、入口室6aと出口室6cに
は、外部雰囲気との間を仕切るための仕切弁1
0,10が設けられ、アルミニウム蒸着室6bと
入口室6aおよび出口室6cとの間を仕切るため
に仕切弁11,11が設けられる。
FIG. 4 is a block diagram schematically showing an example of a vapor deposition apparatus using a boron nitride heating element. In FIG. 4, parts corresponding to those shown in each of the figures described above are given the same reference numerals, and their explanations will be omitted. The vapor deposition apparatus shown here includes a direct air envelope comprising an inlet chamber 6a, an aluminum vapor deposition chamber 6b and an outlet chamber 6c. An aluminum wire automatic inserter 8 is provided in the vapor deposition chamber 6b, and an aluminum wire 9 is supplied by it. Additionally, a gate valve 1 is provided between the inlet chamber 6a and the outlet chamber 6c to separate the external atmosphere from the inlet chamber 6a and the outlet chamber 6c.
0 and 10 are provided, and gate valves 11 and 11 are provided to partition off the aluminum deposition chamber 6b and the inlet chamber 6a and outlet chamber 6c.

上述のような構成において、中間膜3を形成し
たガラスフエースプレート1を真空外囲器の入口
室6aに搬入し、図示しない真空ポンプなどの排
気機器により、真空外囲器入口室6aおよび出口
室6cを0.05〜0.01torrの真空に、アルミニウム
蒸着室6bを1〜2×10-4torrの真空にそれぞれ
する。次に、仕切弁11を開いて、ガラスフエー
スプレート1をアルミニウム着室6bの所定の位
置に搬送し、仕切弁11を閉じる。次に、入口室
6aを大気圧にし、仕切弁10を開いて、中間膜
3を形成した別の、すなわち次に蒸着処理される
べきガラスフエースプレート1を搬入し、再び入
口室6aと出口室6cは0.05〜0.01torrの真空
に、アルミニウム蒸着室6bは1〜2×10-4torr
の真空にされる。
In the above configuration, the glass face plate 1 on which the interlayer film 3 is formed is carried into the inlet chamber 6a of the vacuum envelope, and the inlet chamber 6a and the outlet chamber of the vacuum envelope are removed by an evacuation device such as a vacuum pump (not shown). 6c is evacuated to 0.05 to 0.01 torr, and aluminum deposition chamber 6b is evacuated to 1 to 2×10 −4 torr. Next, the gate valve 11 is opened, the glass face plate 1 is transported to a predetermined position in the aluminum receiving chamber 6b, and the gate valve 11 is closed. Next, the inlet chamber 6a is brought to atmospheric pressure, the gate valve 10 is opened, another glass face plate 1 on which the interlayer film 3 has been formed, that is, the glass face plate 1 to be vapor-deposited next, is carried in, and the inlet chamber 6a and the outlet chamber are opened again. 6c has a vacuum of 0.05 to 0.01 torr, and aluminum deposition chamber 6b has a vacuum of 1 to 2×10 -4 torr.
is made into a vacuum.

窒化硼素加熱体7はアルミニウム蒸着室6b内
の底部の所定の位置に設置されていて、これは通
電により約1350〜1500℃に加熱されるのである。
この窒化硼素加熱体7の凹部(蒸着物質載置部)
7aに、蒸着物質であるアルミニウム線9を自動
挿入器8により挿入し、アルミニウム線9を加熱
体7の発熱による温度上昇により蒸発させ、これ
は上方に飛散する。この蒸発により、中間膜3上
にアルミニウム薄膜4が形成されることになる。
このとき、窒化硼素加熱体7は常時加熱(1350〜
1500℃)され、蒸着時以外はアルミニウム線自動
挿入器8を停止し、したがつてアルミニウム線9
は挿入されない。受像管として必要なアルミニウ
ム蒸着量にコントロールするために、アルミニウ
ム線9の自動挿入時のスピードおよび時間がコン
トロールされる。このようにして、アルミニウム
薄膜4が形成される。
The boron nitride heating element 7 is installed at a predetermined position at the bottom of the aluminum deposition chamber 6b, and is heated to about 1350 to 1500 DEG C. by electricity.
Concave portion of this boron nitride heating body 7 (vapor deposition material placement portion)
An aluminum wire 9, which is a vapor deposition material, is inserted into the tube 7a by an automatic inserter 8, and the aluminum wire 9 is evaporated by the temperature rise caused by the heat generated by the heating element 7, and the aluminum wire 9 is scattered upward. Due to this evaporation, an aluminum thin film 4 is formed on the intermediate film 3.
At this time, the boron nitride heating element 7 is constantly heated (1350~
1500℃), the automatic aluminum wire inserter 8 is stopped except during vapor deposition, and the aluminum wire 9 is
is not inserted. In order to control the amount of aluminum evaporated to the amount necessary for the picture tube, the speed and time of automatic insertion of the aluminum wire 9 are controlled. In this way, the aluminum thin film 4 is formed.

次に、仕切弁11,11を開き、アルミニウム
蒸着室6bのガラスフエースプレート1は出口室
6cへ、入口室6aのガラスフエースプレート1
はアルミニウム蒸着室6bに搬送する。また、入
口室6aおよび出口室6cを大気圧とし、出口室
6cのガラスフエースプレート1は真空外囲器外
に搬出し、蒸着工程を完了する。同時に、入口室
6aには、別のガラスフエースプレート1が搬入
され、上述したような工程が繰り返される。
Next, the gate valves 11, 11 are opened, and the glass face plate 1 of the aluminum deposition chamber 6b is transferred to the outlet chamber 6c, and the glass face plate 1 of the inlet chamber 6a is transferred to the outlet chamber 6c.
is transported to the aluminum deposition chamber 6b. Further, the inlet chamber 6a and the outlet chamber 6c are set to atmospheric pressure, and the glass face plate 1 in the outlet chamber 6c is carried out of the vacuum envelope to complete the vapor deposition process. At the same time, another glass face plate 1 is carried into the entrance chamber 6a, and the steps described above are repeated.

上述のような工程には、以下に述べるような間
題点が存在する。すなわち、それは窒化硼素加熱
体7が常時加熱されることに起因されるものであ
る。より詳細に述べると、被蒸着物であるガラス
フエースプレート1に対して蒸着する時以外は、
アルミニウム線9を挿入停止し、その挿入時のス
ピードおよび時間で蒸着量をコントロールする方
法において、ガラスフエースプレート1の搬送時
にはアルミニウム線9は停止の状態にある。その
ため、加熱体7の熱により、第5図に示すよう
に、アルミニウム線9の先端が熔融し、玉状とな
る。また、加熱体7は常時加熱されているので、
加熱体7の凹部7aには、アルミニウムの熔融物
が全く残つていない状態となつてしまう。そのた
めに、次の被蒸着物であるガラスフエースプレー
ト1が搬入されたとき、再びアルミニウム線9が
加熱体7の凹部7aに挿入されるが、アルミニウ
ム線9の玉状となつた先端はすぐにはとけにく
く、かつ凹部7aにアルミニウムの熔融物が残存
していないのでアルミニウム線9に熱が伝わりに
くく、それによつてまたアルミニウム線9がすぐ
にはとけにくいことになる。このような理由によ
り、アルミニウム線9を加熱体7の凹部7aに挿
入しても、凹部7aをすべり、熔融蒸着しないま
ま加熱体7より前方まではずれてしまい、蒸着で
きなくなることが生じる。このような場合、その
状態が発生するごとに、蒸着装置の真空状態を大
気圧にもどし、再調整を行なわなければならず。
したがつて調整時間および真空復帰に多くの時間
を費やしていた。また、窒化硼素加熱体7を連続
加熱しているため、寿命が短かくなるという欠点
もあつた。
The above-described process has problems as described below. That is, this is caused by the fact that the boron nitride heating element 7 is constantly heated. To be more specific, except when depositing on the glass face plate 1 which is the object to be deposited,
In the method of stopping the insertion of the aluminum wire 9 and controlling the amount of vapor deposition by the speed and time at which the aluminum wire 9 is inserted, the aluminum wire 9 is in a stopped state when the glass face plate 1 is being transported. Therefore, due to the heat of the heating body 7, the tip of the aluminum wire 9 is melted into a bead shape as shown in FIG. In addition, since the heating element 7 is constantly heated,
No molten aluminum remains in the recess 7a of the heating body 7. Therefore, when the glass face plate 1, which is the next object to be deposited, is carried in, the aluminum wire 9 is again inserted into the recess 7a of the heating element 7, but the beaded tip of the aluminum wire 9 is immediately removed. Since it is difficult to melt and there is no molten aluminum remaining in the recess 7a, heat is difficult to be transferred to the aluminum wire 9, which also makes it difficult for the aluminum wire 9 to melt quickly. For this reason, even if the aluminum wire 9 is inserted into the recess 7a of the heating element 7, it may slip through the recess 7a and come off to the front of the heating element 7 without melting and vapor deposition, making it impossible to perform vapor deposition. In such a case, each time such a situation occurs, the vacuum state of the vapor deposition apparatus must be returned to atmospheric pressure and readjusted.
Therefore, a lot of time is spent on adjustment and returning to vacuum. Furthermore, since the boron nitride heating element 7 is continuously heated, there is also a drawback that the lifespan is shortened.

この発明は上記の欠点に鑑みてなされたもの
で、抵抗加熱体を蒸発源として用いるる真空蒸着
による蒸着膜製作において、蒸着物質としてのた
とえばアルミニウム線が容易に熔融蒸着しうる、
カラー受像管の蒸着膜製作方法を提供しようとす
るものである。
This invention was made in view of the above-mentioned drawbacks, and in the production of a vapor deposited film by vacuum evaporation using a resistance heating element as an evaporation source, for example, an aluminum wire as a vapor deposition material can be easily melt-deposited.
The present invention aims to provide a method for producing a vapor-deposited film for a color picture tube.

この発明は、要約すれば、抵抗加熱体の加熱温
度を蒸着時以外は蒸着時の加熱温度より低い温度
にすることを特徴とするカラー受像管の蒸着膜製
作方法である。
To summarize, this invention is a method for producing a vapor deposited film for a color picture tube, characterized in that the heating temperature of a resistance heating element is set lower than the heating temperature during vapor deposition except during vapor deposition.

この発明のその他の目的と特徴は以下に図面を
参照して行なう詳細な説明から一層明らかとなろ
う。
Other objects and features of the present invention will become more apparent from the detailed description given below with reference to the drawings.

この発明の一実施例は、前述の第4図を参照し
ながら説明することができる。第4図において、
ガラスフエースプレート1の内面に螢光体を塗布
し、これを乾燥させて螢光体膜2を形成し、され
にこの上に中間膜3を形成する工程は、従来の場
合と同様である。また、蒸着されるべきガラスフ
エースプレート1の搬送や、真空外囲器内の真空
ないし圧力条件の設定タイミングなども従来の場
合と同様である。以下に、従来の場合と異なるこ
の発明の特徴的な工程条件について述べる。
One embodiment of the present invention can be described with reference to FIG. 4 mentioned above. In Figure 4,
The steps of applying a phosphor to the inner surface of the glass face plate 1, drying it to form a phosphor film 2, and then forming an intermediate film 3 thereon are the same as in the conventional case. Further, the transportation of the glass face plate 1 to be vapor-deposited and the timing of setting the vacuum or pressure conditions in the vacuum envelope are the same as in the conventional case. The characteristic process conditions of this invention that are different from the conventional case will be described below.

アルミニウム蒸着室6bにおいて、受像管とし
て必要なアルミニウム蒸着量にコントロールする
手段としては、従来どおり、アルミニウム線9の
自動挿入のスピードおよび時間でコントロールす
る。しかしながら、このアルミニウム線9の自動
挿入停止寸前に、通電により1350〜1500℃に加熱
されている窒化硼素加熱体7の電流値を急激に低
くし、たとえば加熱温度を約900℃にすることが
行なわれる。第6図はこの発明の一実施例を説明
するための図であり、窒化硼素加熱体7の加熱温
度変化を工程順次的に示した図である。この第6
図から明らかなように、ガラスフエースプレート
1の移送の間は、窒化硼素加熱体7に通電される
電流値が低く、したがつてその加熱温度は約900
℃に低下され、その状態を維持する。そして、次
のガラスフエースプレート1にアルミニウム薄膜
4を形成する時に、電流値を再び高くし、その加
熱温度を1350〜1500℃に上昇される。このよう
に、加熱体7の加熱温度を制御することにより、
蒸着工程を繰り返しても加熱体7の凹部7aには
アルミニウム線9の熔融物の残量が常に存在する
ので、再度蒸着時に、アルミニウム線9を自動挿
入しても円滑に加熱体7の凹7aにそれが熔融し
て広がり、蒸着することが理解されるよう。ま
た、ガラスフエースプレート1の移送送時には、
窒化硼素加熱体7の加熱温度を積極的に低くして
いるため、アルミニウム線の先端は、第5図のよ
うに玉状にならず、さらに滑らかなアルミニウム
蒸着が行なえる。
In the aluminum deposition chamber 6b, the amount of aluminum deposited necessary for the picture tube is controlled by the speed and time of automatic insertion of the aluminum wire 9, as in the past. However, just before the automatic insertion of the aluminum wire 9 is stopped, the current value of the boron nitride heating element 7, which is heated to 1350 to 1500°C by electricity, is suddenly lowered to, for example, bring the heating temperature to about 900°C. It can be done. FIG. 6 is a diagram for explaining one embodiment of the present invention, and is a diagram showing the heating temperature change of the boron nitride heating body 7 in the order of steps. This sixth
As is clear from the figure, during the transfer of the glass face plate 1, the value of the current applied to the boron nitride heating element 7 is low, and therefore the heating temperature is approximately 900°C.
°C and maintain that state. Then, when forming the aluminum thin film 4 on the next glass face plate 1, the current value is increased again and the heating temperature is raised to 1350 to 1500°C. In this way, by controlling the heating temperature of the heating element 7,
Even if the vapor deposition process is repeated, there is always a residual amount of the molten aluminum wire 9 in the recess 7a of the heating element 7, so even when the aluminum wire 9 is automatically inserted during vapor deposition again, the recess 7a of the heating element 7 can be smoothly removed. It is understood that it melts, spreads, and evaporates. Also, when transporting the glass face plate 1,
Since the heating temperature of the boron nitride heating element 7 is actively lowered, the tip of the aluminum wire does not become beaded as shown in FIG. 5, and even smoother aluminum evaporation can be performed.

なお、上述した実施例では、ガラスフエースプ
レート1の内面にある中間膜3上にアルミニウム
蒸着する時以外は、窒化硼素加熱体7の加熱温度
を900℃としたが、それ以下の温度にしてもよい
ことはいうまでもない。しかしながら、再び蒸着
する時に温度を復帰させる時間を考えると、900
℃前後の温度であることが望ましい。
In the above embodiment, the heating temperature of the boron nitride heating element 7 was set to 900°C except when aluminum was deposited on the intermediate film 3 on the inner surface of the glass face plate 1. Needless to say, it's a good thing. However, considering the time it takes to restore the temperature when depositing again, it takes 900
It is desirable that the temperature be around ℃.

以上のように、この発明によれば、抵抗加熱体
の加熱温度を蒸着時以外は蒸着時の加熱温度より
低い温度にするという簡単な手段でありながら、
挿入される蒸着物質と発熱した抵抗加熱体とのな
じみがよくなり、したがつて再調整のための時間
やそれに伴う真空復帰のための時間を大幅に減少
させることができる。また、抵抗加熱体の加熱は
連続的でないため、その寿命を約1.5倍と長くす
ることができる。
As described above, according to the present invention, although it is a simple means of keeping the heating temperature of the resistance heating element lower than the heating temperature during vapor deposition except during vapor deposition,
The inserted evaporation material and the heated resistance heating element become compatible, and therefore the time for readjustment and the associated time for return to vacuum can be significantly reduced. Furthermore, since the heating of the resistance heating element is not continuous, its lifespan can be extended by approximately 1.5 times.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図はカラー受像管の螢光面部の製造工程を
説明するための断面図である。第2図は従来の蒸
着装置の一例を示し、蒸発源にタングステンコイ
ルを用いた場合の概略的構成図である。第3図は
窒化硼素を主成分とするボード状抵抗加熱体の斜
視図である。第4図は蒸発源に窒化硼素を主成分
とするボード状低抗加熱体を用いた蒸着装置の一
例を概略的に示す構成図である。第5図はアルミ
ニウム線の先端が抵抗加熱体の発熱により熔融し
玉状となつたものを示す。第6図はこの発明の一
実施例を説明するための図であり、窒化硼素を主
成分とするボート状抵抗加熱体の加熱温度変化を
工程順次的に示す図である。 図において、1はガラスフエースプレート、2
は螢光体膜、3は中間膜、4はアルミニウム薄
膜、6aは真空外囲器入口室、6bは蒸着室、6
cは出口室、7は窒化硼素を主成分とするボート
状抵抗加熱体、7aは蒸着物質載置部としての凹
部、8はアルミニウム線自動挿入器、9は蒸着物
質としてのアルミニウム線、10,11は仕切弁
である。
FIG. 1 is a sectional view for explaining the manufacturing process of a fluorescent surface portion of a color picture tube. FIG. 2 shows an example of a conventional evaporation apparatus, and is a schematic configuration diagram when a tungsten coil is used as an evaporation source. FIG. 3 is a perspective view of a board-shaped resistance heating body containing boron nitride as a main component. FIG. 4 is a block diagram schematically showing an example of an evaporation apparatus using a board-shaped low resistance heating element containing boron nitride as a main component as an evaporation source. FIG. 5 shows the tip of the aluminum wire melted into a bead shape by the heat generated by the resistance heating element. FIG. 6 is a diagram for explaining an embodiment of the present invention, and is a diagram sequentially showing the heating temperature change of a boat-shaped resistance heating body containing boron nitride as a main component. In the figure, 1 is a glass face plate, 2
3 is a phosphor film, 3 is an intermediate film, 4 is an aluminum thin film, 6a is a vacuum envelope entrance chamber, 6b is a vapor deposition chamber, 6
c is an exit chamber, 7 is a boat-shaped resistance heating body mainly composed of boron nitride, 7a is a recess as a deposition material placement part, 8 is an aluminum wire automatic inserter, 9 is an aluminum wire as a deposition material, 10, 11 is a gate valve.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1 蒸着物質載置部を有する低抗加熱体を蒸発源
として、カラー受像管の螢光面部の中間膜上に光
反射性金属薄膜を真空蒸着させる蒸着膜製作方法
において、 前記低抗加熱体の加熱温度を蒸着時以外は蒸着
時の加熱温度より低い温度にすることを特徴とす
る、カラー受像管の蒸着膜製作方法。
[Scope of Claims] 1. A method for producing a vapor deposited film in which a light reflective metal thin film is vacuum vapor deposited on an intermediate film of a fluorescent surface portion of a color picture tube using a low heating resistance body having a vapor deposition material placement portion as an evaporation source, A method for producing a vapor deposited film for a color picture tube, characterized in that the heating temperature of the low resistance heating element is set to a temperature lower than the heating temperature during vapor deposition except during vapor deposition.
JP10550777A 1977-09-01 1977-09-01 Formation method for evaporation film of color pickup tube Granted JPS5438760A (en)

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