JPS6137699B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は特定の磁気異方性を有する連接デイス
クパターンに間隙を設けメモリデバイスからの不
要バブルを排出し、外部からのバブルの進入を阻
止するようにしたガードレールを設けたバブルメ
モリ素子に関するものである。

最近、バブルメモリの高密度化に関連し、イオ
ン注入技術の導入による新しい転送回路パターン
の形成方法が提案された。すなわち、第１図ａは
従来多用されている転送回路パターンの１例であ
り、磁気バブル用結晶基板上にパーマロイ等によ
るハーフデイスク形の複数の転送パターンが配列
されている。この場合リソグラフイ技術による最
小制限寸法Ｗは磁気バブル径ｄに対しＷ２／３ｄであ り、従つて図示のパターン端部や間隙はこの寸法
Ｗで制限され、最小の磁気バブル径はこの1.5倍
位である。これに対し同図ｂはイオン注入法によ
るパターン形成法の１例である。すなわち、円形
を連接した形状のパターンに金属マスクを被せて
イオン注入を行ないこのパターン以外の結晶基板
面にイオン打込層を形成する。このような構成で
バイアス，回転磁界を与えて磁気バブルを駆動す
ると、磁気バブルは連接デイスクパターンの外周
に沿つて転送される。この場合のパターンの最小
制限寸法と磁気バブル径ｄの関係はＷ＝2dとな
り、たとえば図示の円形パターン端部の寸法Ｗに
対し磁気バブルの径を半分程度まで減少させても
よいから、磁気バブルを微小化することができ、
バブルメモリの高密度化が可能となる。

通常、メモリデバイスから不要バブルを排出す
る従来のガードレールの方式は、第１図ｃのよう
なパターンより成るメモリデバイスを囲み環状の
転送パターンが何段かに構成されており、逐次外
側に送られ最も外側のガードレールから排出され
る。一方、第１図ｂのパターンより成るガードレ
ールの方式は前述の連接デイスクパターンを用い
たメモリデバイスにはそのままでは適用できな
い。これは環状にした場合磁気バブルは内側から
外側に連接デイスクパターンを越えることができ
ないからである。この場合１ビツト以上の間隙を
設ければよいが、これでは外側の磁気バブルが自
由に進入してくる。

本発明の目的は連接デイスクパターンより成る
ガードレールでメモリデイスクを内部に囲むよう
にしメモリデイスク側からの不要バブルを排出
し、外部からのバブルの進入を阻止するようなバ
ブルメモリ素子を提供することである。

前記目的を達成するため、本発明のバブルメモ
リ素子は磁気バブル用結晶基板上に連接デイスク
パターンを形成し、該パターン以外の結晶基板に
イオン注入を行ないバブル駆動層を形成するバブ
ルメモリ素子において、該メモリデバイスを内部
に囲んで前記連接デイスクパターンより成るガー
ドレールを設け、該デイスクパターン面の結晶方
位によりメモリデバイス側が転送困難で外側が転
送容易となる連接デイスクパターン列の１部に間
隙を設け、該間隙を通してメモリデバイスからの
不要バブルを排出し、外部からのバブルの進入を
阻止することを特徴とするものである。

以下、本発明の原理と実施例につき詳述する。

第２図ａ，ｂ，ｃは本発明の原理説明図であ
る。

磁性体基板はたとえばガーネツトGGG面に成
長させたエピタキシヤル結晶膜面に金属等をマス
クとして連接デイスクパターンが形成され、該パ
ターン以外の結晶面にイオン注入を行ない駆動層
としたものである。この連接デイスクパターンの
結晶面における磁気異方性の方位は第２図ａに示
すように120゜おきの３回対称であることはよく
知られている。このような結晶方位を有するデイ
スクパターンを連接する場合、その連接する方向
と３回対称の方向の関係が異なるため、その側面
における転送の容易さが異なる。

同図ｂの関係として連接を行なつた場合には、
下側では連接部の２方位が各デイスクの接線方向
に生じるから、磁気バブルはこの外側に沿い非常
に容易に転送される。これに対して上側では１方
向が真上に生じるだけであるから転送が非常に困
難である。前者はスーパトラツク、後者はバツド
トラツクと称する。次に同図ｃの関係で連接を行
なうと、両側とも連接部で１方位が各デイスクの
接線方向に生じている。これはグツトトラツクと
称し、転送の容易さは前２者の中間に位する。本
発明ではこれらの特性を利用する。

第３図は本発明の要部の説明図である。すなわ
ち、第２図ａの結晶方位を有するデイスクパター
ン１を同図ｂに示したように連接し、その１部に
約磁気バブルの２倍位の間隙２をあけたものであ
る。このようにするとスーパトラツク側の磁気バ
ブルは間隙２があつてもこれに進入することなく
進行方向３に従つて転送される。これに対しバツ
ドトラツク側の磁気バブルは間隙２があると直ち
に間隙２に進入し進行方向４に従つて転送されス
ーパトラツク側に移され、間隙２は一方通行とな
る。そこでバツドトラツク側にメモリデバイス
を、スーパトラツク側を外側として構成すれば、
メモリデバイス側の不要パターンを外側に排出し
外側のバブルの進入を阻止することができる。

第４図は本発明の実施例の構成説明図である。
同図でメモリデバイス１１を囲むように、第２図
ａと同じ結晶方位を有するデイスクパターン１よ
り成る方形のガードレール１２を設ける。そして
方形に形成した連接デイスクパターン列のうち、
下部のパターン列ではメモリデイスク側がバツト
ラツク側、外側がスパートラツク側となるから、
ここに間隙２を設ければ、この間隙２を通しメモ
リデバイス１１からの不要バブルを排出すること
ができ、しかも外部からはバブルが進入できな
い。

以上説明したように、本発明によれば、磁気バ
ブル用結晶基板上に連接デイスクパターンを形成
し該パターン以外の結晶板にイオン注入層を形成
してバブル駆動層として用いるバブルメモリ素子
において、メモリデバイスを囲むように連接デイ
スクパターンより成るガードレールに結晶方位を
考慮して間隙を設けたものである。このように単
に間隙の位置を選択することにより簡単にかつ有
効にメモリデバイス側からの不要バブルの排出
と、外部からのバブルの進入を阻止することがで
きるものである。

【図面の簡単な説明】

第１図ａ〜ｃは従来の磁気バブルの転送パター
ンの一般説明図、第２図ａ〜ｃは本発明の原理説
明図、第３図は本発明の要部の説明図、第４図は
本発明の実施例の構成説明図であり、図中１は連
接デイスクパターン、２は間隙、３はスーパトラ
ツク側進行方向、４はバツドトラツク側進行方
向、１１はメモリデバイス、１２はガードレール
を示す。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １ 磁気バブル用結晶基板上に連接デイスクパタ
   ーンを形成し、該パターン以外の結晶基板にイオ
   ン注入を行ないバブル駆動層を形成するバブルメ
   モリ素子において、該メモリデバイスを内部に囲
   んで前記連接デイスクパターンより成るガードレ
   ールを設け、該デイスクパターン面の結晶方位に
   よりメモリデバイス側が転送困難で外側が転送容
   易となる連接デイスクパターン列の１部に間隙を
   設け、該間隙を通してメモリデバイスからの不要
   バブルを排出し、外部からのバブルの進入を阻止
   することを特徴とするバブルメモリ素子。