JPS6025759Y2 - 磁気バブル素子 - Google Patents
磁気バブル素子Info
- Publication number
- JPS6025759Y2 JPS6025759Y2 JP1984029914U JP2991484U JPS6025759Y2 JP S6025759 Y2 JPS6025759 Y2 JP S6025759Y2 JP 1984029914 U JP1984029914 U JP 1984029914U JP 2991484 U JP2991484 U JP 2991484U JP S6025759 Y2 JPS6025759 Y2 JP S6025759Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic
- bubble
- magnetic bubble
- disk
- pattern
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Description
【考案の詳細な説明】
本考案は磁気バブル素子に関し、特にコンテイギユアス
ディスクデバイスの新規な磁区伸長手段を有する磁気バ
ブル素子に関する。
ディスクデバイスの新規な磁区伸長手段を有する磁気バ
ブル素子に関する。
最近の磁気バブルメモリ技術の急速な進歩に判なって磁
気バブルメモリの大容量化が図られつつある。
気バブルメモリの大容量化が図られつつある。
この磁気バブルの高密度化、大容量化の一環としてコン
テイギユアスディスクデバイス(以後CDDデバイスと
記述する)がある。
テイギユアスディスクデバイス(以後CDDデバイスと
記述する)がある。
CDDデバイスは一軸異方性を有する磁気バブル結晶に
イオン(Ne十、Ne十、H十等)を注入し、非注入領
域を円形パターンに作製すると、その円形パターンの周
辺に磁気バブルがくっつき、このイオン注入バブル結晶
の磁化容易軸方向に回転磁界を印加すると、くっついた
磁気バブルが円形パターンの周辺に沿って転送する。
イオン(Ne十、Ne十、H十等)を注入し、非注入領
域を円形パターンに作製すると、その円形パターンの周
辺に磁気バブルがくっつき、このイオン注入バブル結晶
の磁化容易軸方向に回転磁界を印加すると、くっついた
磁気バブルが円形パターンの周辺に沿って転送する。
このような円形パターン伝播素子CDDデバイスはもつ
。
。
従来からCDDデバイスが磁気バブルの高密度化に有効
であり脚光あびながら実用上使用の少ないのは転送の原
理上、磁気バブルの磁区伸長に困難が伴うからである。
であり脚光あびながら実用上使用の少ないのは転送の原
理上、磁気バブルの磁区伸長に困難が伴うからである。
その一例を次に示す。
第1図が従来のCDDデバイスにおける磁気バブルの磁
区伸長をなす説明図であり、第1図において1は磁気バ
ブル、2は磁気バブルの磁区伸長用導体、3はイオン非
理領域のディスクである。
区伸長をなす説明図であり、第1図において1は磁気バ
ブル、2は磁気バブルの磁区伸長用導体、3はイオン非
理領域のディスクである。
このCDDデバイスにfなる周波数を有する回転磁界を
結晶面内方向に印加し磁気バブルを矢印方向に転送する
場合に、磁気バブル1の磁区を矢印と直交する方向に伸
長せしめるに一般的に伸長用導体2にパルス電流を印加
して磁区を伸長するが磁気バブル1が第1図の1の位置
に存在する時間TI は犬略百−コであり、此の磁区を伸長と、縮める時間は
約ましか時間余裕がなく、当時間中に磁区4 が伸長するのはjTX磁気バブル速度となり伸長しうる
磁区長さに制限が生じる。
結晶面内方向に印加し磁気バブルを矢印方向に転送する
場合に、磁気バブル1の磁区を矢印と直交する方向に伸
長せしめるに一般的に伸長用導体2にパルス電流を印加
して磁区を伸長するが磁気バブル1が第1図の1の位置
に存在する時間TI は犬略百−コであり、此の磁区を伸長と、縮める時間は
約ましか時間余裕がなく、当時間中に磁区4 が伸長するのはjTX磁気バブル速度となり伸長しうる
磁区長さに制限が生じる。
逆に磁区検出に必要な磁区長を得る為に回転磁界の周波
数を少くせねばならないという欠点がある。
数を少くせねばならないという欠点がある。
本考案の目的は磁気バブルの磁区を伸長する動作に制限
されずにコンテイギユアスディスクデバイス本来の転送
速度迄使用し得る磁気バブル素子を提供するにある。
されずにコンテイギユアスディスクデバイス本来の転送
速度迄使用し得る磁気バブル素子を提供するにある。
本考案を概略すれば、一軸異方性を有する磁性体薄板に
イオンを注入して形成された非注入領域からなるディス
ク状パターンを有し、該ディスク状パターンに沿って磁
気バブルが転送されるコンテイギユアスディスクデバイ
スにおいて、該デバイスは前記ディスク状パターンとは
別に前記磁気バブルを伸長せしめる高透磁率磁性材料か
らなる磁性パターンによって形成された磁区伸長手段を
少なくとも備えていることを特徴とする磁気バブル素子
である。
イオンを注入して形成された非注入領域からなるディス
ク状パターンを有し、該ディスク状パターンに沿って磁
気バブルが転送されるコンテイギユアスディスクデバイ
スにおいて、該デバイスは前記ディスク状パターンとは
別に前記磁気バブルを伸長せしめる高透磁率磁性材料か
らなる磁性パターンによって形成された磁区伸長手段を
少なくとも備えていることを特徴とする磁気バブル素子
である。
本考案を実施するのに最も好適な具体的一実施例を図を
用いて詳細に説明する。
用いて詳細に説明する。
第2図は本考案による磁気バブル素子を示す構成図であ
り、3はコンテイギユアスディスク、4は第1段伸長素
子、5は第2段伸長素子、・・・・・・第n段伸長素子
である。
り、3はコンテイギユアスディスク、4は第1段伸長素
子、5は第2段伸長素子、・・・・・・第n段伸長素子
である。
一軸異方性を有する磁気バブル結晶上にレジスト或いは
Au蒸着膜で覆われたディスク3を作製し、ディスク3
の部分にイオンが注入しないようにして磁気バブル結晶
上にイオンを注入してコンテイギユアスディスク3を作
製する。
Au蒸着膜で覆われたディスク3を作製し、ディスク3
の部分にイオンが注入しないようにして磁気バブル結晶
上にイオンを注入してコンテイギユアスディスク3を作
製する。
磁気バブル径を1μ乳とすればディスク径はコンテイギ
ユアスディスクのパターン周期(第2図A)が4μ汎に
なる所要寸法である。
ユアスディスクのパターン周期(第2図A)が4μ汎に
なる所要寸法である。
バブル結晶の磁気バブル転送方向の任意位置第2図3′
にて磁気バブルの磁区を転送方向に直交する方向に伸長
する場合、3′に予定されたディスクの円周に内接して
、3′直前のディスクと磁気バブル転送方向に接して高
透磁率性材料(以後パーマロイと称す)にて“へ゛の字
形状パターン4を蒸着し、第1段伸長素子とする。
にて磁気バブルの磁区を転送方向に直交する方向に伸長
する場合、3′に予定されたディスクの円周に内接して
、3′直前のディスクと磁気バブル転送方向に接して高
透磁率性材料(以後パーマロイと称す)にて“へ゛の字
形状パターン4を蒸着し、第1段伸長素子とする。
次に磁気バブル転送方向に、前記パターン4と1μ肌の
間隔を有し、基部共通にして転送方向に二岐を有するパ
ターン5をパターン周期Bにてパーマロイを蒸着し作製
する。
間隔を有し、基部共通にして転送方向に二岐を有するパ
ターン5をパターン周期Bにてパーマロイを蒸着し作製
する。
なおパターン5は磁気バブル転送方向と直交する方向に
所要数だけ1μ乳間隔で作製腰これらパターン5の群は
第2段階伸長素子となる、更に磁気バブル転送方向に同
様な群をパターン周期Bて作製し、第3段階伸長素子と
し同様に第n段伸長素子を設ける。
所要数だけ1μ乳間隔で作製腰これらパターン5の群は
第2段階伸長素子となる、更に磁気バブル転送方向に同
様な群をパターン周期Bて作製し、第3段階伸長素子と
し同様に第n段伸長素子を設ける。
以上の如く作製された本考案による磁気バブルの磁区伸
長は段階的に実行され第n段伸長手段にて所要とする磁
区伸長を完了する。
長は段階的に実行され第n段伸長手段にて所要とする磁
区伸長を完了する。
本考案による伸長手段の動作マージンを第3図に示す。
第3図において磁気バブル径は1μ肌であり、一点鎖線
はパターン5の周期を8μ汎とし、実線パターン5の周
期16μ肌であり、斜線領域がパターン周期8μ肌の動
作マージン領域である。
はパターン5の周期を8μ汎とし、実線パターン5の周
期16μ肌であり、斜線領域がパターン周期8μ肌の動
作マージン領域である。
本考案によれば磁気バブルの磁区伸長の動作に制限され
ないパターン製作上製作し易い磁気バブル素子となり、
高密度、大容量メモリデバイス作製上火なる功積を奏す
。
ないパターン製作上製作し易い磁気バブル素子となり、
高密度、大容量メモリデバイス作製上火なる功積を奏す
。
第1図は従来のCDDデバイスにおける磁気バブルの磁
区伸長の説明図、第2図は本考案による磁気バブル素子
を示す構成図、第3図は本考案動作マージンを示す図で
ある。 3;コンティギュアス、4,5;高透磁率性伸長素子。
区伸長の説明図、第2図は本考案による磁気バブル素子
を示す構成図、第3図は本考案動作マージンを示す図で
ある。 3;コンティギュアス、4,5;高透磁率性伸長素子。
Claims (2)
- (1)一軸異方性を有する磁性体薄板にイオンを注入し
て形成された非注入領域からなるディスク状パターンを
有し、該ディスク状パターンに沿って磁気バブルが転送
されるコンテイギユアスディスクデバイスにおいて、該
デバイスは前記ディスク状パターンとは別に前記磁気バ
ブルを伸長せしめる高透磁率磁性材料からなる磁性パタ
ーンによって形成された磁区伸長手段を少なくとも備え
ていることを特徴とする磁気バブル素子。 - (2)前記磁区伸長手段は前記磁気バブルの転送方向に
対し直交する方向に該磁気バブルを伸長させてなること
を特徴とした実用新案登録請求の範囲第1項記載の磁気
バブル素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1984029914U JPS6025759Y2 (ja) | 1984-03-01 | 1984-03-01 | 磁気バブル素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1984029914U JPS6025759Y2 (ja) | 1984-03-01 | 1984-03-01 | 磁気バブル素子 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS60796U JPS60796U (ja) | 1985-01-07 |
JPS6025759Y2 true JPS6025759Y2 (ja) | 1985-08-02 |
Family
ID=30160786
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1984029914U Expired JPS6025759Y2 (ja) | 1984-03-01 | 1984-03-01 | 磁気バブル素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6025759Y2 (ja) |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4086572A (en) * | 1974-08-23 | 1978-04-25 | Texas Instruments Incorporated | Magnetic bubble domain replicator |
JPS54116850A (en) * | 1978-03-03 | 1979-09-11 | Hitachi Ltd | Magnetic bubble stretcher |
-
1984
- 1984-03-01 JP JP1984029914U patent/JPS6025759Y2/ja not_active Expired
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4086572A (en) * | 1974-08-23 | 1978-04-25 | Texas Instruments Incorporated | Magnetic bubble domain replicator |
JPS54116850A (en) * | 1978-03-03 | 1979-09-11 | Hitachi Ltd | Magnetic bubble stretcher |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS60796U (ja) | 1985-01-07 |
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