JPS6135572A - 太陽電池 - Google Patents
太陽電池Info
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- JPS6135572A JPS6135572A JP59155534A JP15553484A JPS6135572A JP S6135572 A JPS6135572 A JP S6135572A JP 59155534 A JP59155534 A JP 59155534A JP 15553484 A JP15553484 A JP 15553484A JP S6135572 A JPS6135572 A JP S6135572A
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Classifications
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
- H01L31/048—Encapsulation of modules
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- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0224—Electrodes
- H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/022425—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、太陽電池に関し、特に太陽電池の製造におい
て電極上に絶縁樹脂をコートして保護膜を作成し湿度及
び温度変化による性能の低下の防止効果があシ、同素子
の強度を高め、ＣｄＳの溶出も阻止マきる効果もあるす
ぐれた太陽電池を提供しようとするものである。
て電極上に絶縁樹脂をコートして保護膜を作成し湿度及
び温度変化による性能の低下の防止効果があシ、同素子
の強度を高め、ＣｄＳの溶出も阻止マきる効果もあるす
ぐれた太陽電池を提供しようとするものである。
従来例の構成とその問題点
すでに知られているこの種の太１陽電池は、透明ガラス
基板上にはＣｄＳ焼結膜が形成され、その上にＣｄＴｅ
焼結膜を構成し、さらにその上にＣ（カーボン）があシ
、その上には、抵抗損失を減少させるためにＡ ｑ（制
動電極を形成した構造を有する。以上のような構造の太
陽電池は耐湿、耐熱の加速試験を加えると特性劣化が生
じる欠点があった。
基板上にはＣｄＳ焼結膜が形成され、その上にＣｄＴｅ
焼結膜を構成し、さらにその上にＣ（カーボン）があシ
、その上には、抵抗損失を減少させるためにＡ ｑ（制
動電極を形成した構造を有する。以上のような構造の太
陽電池は耐湿、耐熱の加速試験を加えると特性劣化が生
じる欠点があった。
かかる問題に対して従来の対策は、ポリカーボネートや
アクリルのような熱可塑性樹脂で作られたケース中に太
陽電池素子を入れ、その上から紫外線硬化樹脂で素子全
体が包埋された構造とするものである。
アクリルのような熱可塑性樹脂で作られたケース中に太
陽電池素子を入れ、その上から紫外線硬化樹脂で素子全
体が包埋された構造とするものである。
第１図はこの従来例を示し、透明な紫外線硬化樹脂で素
子全体が包埋された従来の太陽電池の断面図である。第
１図において１はガラス基板、２はＣｃｌＳ膜、３はＣ
ｄＴｅ膜、４はＣ（カーボン）電極、６はＡｇ、Ｉｎ電
極、６はＡｑ電極、７は紫外線硬化性の透明樹脂である
。
子全体が包埋された従来の太陽電池の断面図である。第
１図において１はガラス基板、２はＣｃｌＳ膜、３はＣ
ｄＴｅ膜、４はＣ（カーボン）電極、６はＡｇ、Ｉｎ電
極、６はＡｑ電極、７は紫外線硬化性の透明樹脂である
。
しかも、この第１図の構成では太陽電池素子全体が包埋
されるため構造が大きくなる欠点がある。
されるため構造が大きくなる欠点がある。
又樹脂コートの厚みが大きくなると温度変化による収縮
によって素子の割れが生じる恐れがある。
によって素子の割れが生じる恐れがある。
さらに−太陽光の入射を妨げないため拓透明樹脂が必要
とされ樹脂の劣化及び汚れを生じると透明度が悪くなシ
太陽電池の特性値が悪化するおそれもある。又紫外線硬
化樹脂で被膜する構成は素子の加熱が省かれる利点はあ
るが、耐湿、耐熱においてその効果は充分なものとは言
えない。
とされ樹脂の劣化及び汚れを生じると透明度が悪くなシ
太陽電池の特性値が悪化するおそれもある。又紫外線硬
化樹脂で被膜する構成は素子の加熱が省かれる利点はあ
るが、耐湿、耐熱においてその効果は充分なものとは言
えない。
発明の目的
本発明の目的は、前述の従来の欠点を除去して、耐湿、
耐熱に対して素子に悪影響を与えず、特性値劣化を阻止
し、さらにＣｄ材の溶出を防ぐことのできる構造の太陽
電池を提供することにある。
耐熱に対して素子に悪影響を与えず、特性値劣化を阻止
し、さらにＣｄ材の溶出を防ぐことのできる構造の太陽
電池を提供することにある。
発明の構成
本発明の太陽電池は、ガラス等の絶縁基植上にＣｄＳ、
ＣｄＴｅの焼結膜、前記焼結膜上にカーボン電極、前記
カーボン電極上に銀補助電極が形成され、前記銀補助・
電極側にスクリーン印刷による絶縁膜を作成するもので
ある。
ＣｄＴｅの焼結膜、前記焼結膜上にカーボン電極、前記
カーボン電極上に銀補助電極が形成され、前記銀補助・
電極側にスクリーン印刷による絶縁膜を作成するもので
ある。
実施例の説明
以下本発明の一実施例について図面を参照しながら説明
する。
する。
第２図は本発明の一実施例における太陽電池の断面図で
ある。第２図においては、８はガラス基板、９はＣｄＳ
膜、１０はＣｄＴｅ膜、１１はＣ（カーボン）電極、１
２はＡｇ、Ｉｎ電極、１３はＡｑ電極、１４はスクリー
ン印刷でコーティングをした絶縁樹脂である。
ある。第２図においては、８はガラス基板、９はＣｄＳ
膜、１０はＣｄＴｅ膜、１１はＣ（カーボン）電極、１
２はＡｇ、Ｉｎ電極、１３はＡｑ電極、１４はスクリー
ン印刷でコーティングをした絶縁樹脂である。
以上のように構成された本実姉例について以下その効果
を説明する。まずスクリーン印刷ＣｄＳ／ＣｄＴｅの太
陽電池素子の電極面に電極端子数シ出し部分のみ除いた
形のスクリーン印刷パターンで色相に関係なく絶縁樹脂
を用いて約２０μｍの厚みでスクリーン印刷を行う。そ
の後乾燥機で温度硬化をする。硬化温度は本太陽電池の
性質上１５０Ｃで行なった。印刷方式であるから太陽電
池素子−面に均一なコーティングができ、かつ薄膜で気
泡がなく作業性が良い。
を説明する。まずスクリーン印刷ＣｄＳ／ＣｄＴｅの太
陽電池素子の電極面に電極端子数シ出し部分のみ除いた
形のスクリーン印刷パターンで色相に関係なく絶縁樹脂
を用いて約２０μｍの厚みでスクリーン印刷を行う。そ
の後乾燥機で温度硬化をする。硬化温度は本太陽電池の
性質上１５０Ｃで行なった。印刷方式であるから太陽電
池素子−面に均一なコーティングができ、かつ薄膜で気
泡がなく作業性が良い。
以上のような方法で構成された太陽電池と、樹脂コート
をしない太陽電池、紫外線硬化樹脂でコートをした太陽
電池をそれぞれ耐湿耐熱試験を行ないその効果を調べた
。
をしない太陽電池、紫外線硬化樹脂でコートをした太陽
電池をそれぞれ耐湿耐熱試験を行ないその効果を調べた
。
第３図は、樹脂コートをしない太陽電池素子と紫外線硬
化樹脂でコートをした太陽電池素子及び本発明の実施例
のエポキシ樹脂コートをした太陽電池をそれぞれ耐熱試
験し、その結果の寿命特性図である。
化樹脂でコートをした太陽電池素子及び本発明の実施例
のエポキシ樹脂コートをした太陽電池をそれぞれ耐熱試
験し、その結果の寿命特性図である。
第４図は、上記と同様の太陽電池をそれぞれ耐湿試験を
行なった結果の寿命特性図である。
行なった結果の寿命特性図である。
図で明らかなように、本発明の実施例のエポキシ樹脂で
コートした太陽電池は、耐湿耐熱試験において、その効
果を発揮し、９０日間の放置でも特性劣化は見られない
。これらの理由は６層の膜からなる太陽電池は、エポキ
シ樹脂によって各層の密着性を高めて耐湿耐熱による劣
化を小さくしたものと考えられる。その他フェノール系
、ポリエステル系、シリコン系の各絶縁樹脂についても
全く同様の結果を得た。
コートした太陽電池は、耐湿耐熱試験において、その効
果を発揮し、９０日間の放置でも特性劣化は見られない
。これらの理由は６層の膜からなる太陽電池は、エポキ
シ樹脂によって各層の密着性を高めて耐湿耐熱による劣
化を小さくしたものと考えられる。その他フェノール系
、ポリエステル系、シリコン系の各絶縁樹脂についても
全く同様の結果を得た。
以上のように太陽電池の電極面に絶縁樹脂を印刷方式に
よってコーティングするこ、とにより従来問題とされて
いた本太陽電池の湿度、温度による特性劣化を防止する
ことができるものである。又紫外線硬化樹脂はある程度
の効果を見られるが、さらに本発明の実施例の太陽電池
の構造の方がよい結果を得られた。表はＣｄＳ溶出試験
の数値を示している。
よってコーティングするこ、とにより従来問題とされて
いた本太陽電池の湿度、温度による特性劣化を防止する
ことができるものである。又紫外線硬化樹脂はある程度
の効果を見られるが、さらに本発明の実施例の太陽電池
の構造の方がよい結果を得られた。表はＣｄＳ溶出試験
の数値を示している。
表
次に表に示すように、本太陽電池のＣｄ材の溶出を防ぐ
ことができ、公害防止になることが確認できた。この実
験方法は、ビー力に５００ ＃［／の蒸留水を入れてそ
の中に１０×１０Ｃｎｉのガラス基板上に作られた太陽
電池を入れてＣｄの溶出量を測定した・その結果樹脂コ
ートをしない素子では、水中放置６０日でＣｄの溶出は
、１．１２１＋＋ｙであったが、本実抱例の樹脂コート
をした素子では、ｏ、ｏｓｑすかなりの効果があること
がわかった。
ことができ、公害防止になることが確認できた。この実
験方法は、ビー力に５００ ＃［／の蒸留水を入れてそ
の中に１０×１０Ｃｎｉのガラス基板上に作られた太陽
電池を入れてＣｄの溶出量を測定した・その結果樹脂コ
ートをしない素子では、水中放置６０日でＣｄの溶出は
、１．１２１＋＋ｙであったが、本実抱例の樹脂コート
をした素子では、ｏ、ｏｓｑすかなりの効果があること
がわかった。
なお本実確例の樹脂材料は、エポキシ系樹脂であるが、
これに限定されるものではなく、フェノール系、ポリエ
ステル系、シリコン系からなる樹脂でも同じ結果を得た
。
これに限定されるものではなく、フェノール系、ポリエ
ステル系、シリコン系からなる樹脂でも同じ結果を得た
。
発明の効果
以上に述べたように、本発明の太陽電池はＣｄＳ。
ＣｄＴｅ層の上の電極面上に樹脂コートされた構造であ
り５つの層（ＣｄＳ、ＣｄＴｅ、Ｃ，ＡｇＩｎ、Ａｇ）
の密着性を高めたことによシ信頼性が高いというすぐれ
た特長を有する。
り５つの層（ＣｄＳ、ＣｄＴｅ、Ｃ，ＡｇＩｎ、Ａｇ）
の密着性を高めたことによシ信頼性が高いというすぐれ
た特長を有する。
第１図は、透明色の紫外線硬化樹脂で素子全面を包埋さ
れた従来の太陽電池の断面図、第２図は本発明の実砲例
のスクリーン印刷で電極側に樹脂コートをした太陽電池
の断面図、第３図は、本発明の実施例と従来例の耐熱試
験の劣化特性を比較して示した図、第４図は本発明の実
施と従来例の耐湿試験の劣化特性を比較して示した図で
ある。 ８・・・・・・ガラス基板、９・・・・・・ＣｄＳ膜、
１０・・・・・・ＣｄＴｅ膜、１１・・・・・・カーボ
ン電極、１２・・・・・・Ａ（Ｊ。 Ｉｎ、１３・・・・・・Ａｑ電極、１４・・・・・・電
極側の樹脂コート。 特許出願人 工業技術院長 川 １）裕 部名
８
れた従来の太陽電池の断面図、第２図は本発明の実砲例
のスクリーン印刷で電極側に樹脂コートをした太陽電池
の断面図、第３図は、本発明の実施例と従来例の耐熱試
験の劣化特性を比較して示した図、第４図は本発明の実
施と従来例の耐湿試験の劣化特性を比較して示した図で
ある。 ８・・・・・・ガラス基板、９・・・・・・ＣｄＳ膜、
１０・・・・・・ＣｄＴｅ膜、１１・・・・・・カーボ
ン電極、１２・・・・・・Ａ（Ｊ。 Ｉｎ、１３・・・・・・Ａｑ電極、１４・・・・・・電
極側の樹脂コート。 特許出願人 工業技術院長 川 １）裕 部名
８
Claims (3)
- （１）絶縁基板上に、ＣｄＳ、ＣｄＴｅの焼結膜、前記
焼結膜上にカーボン電極、前記カーボン電極上に銀補助
電極が形成され、前記銀補助電極側に絶縁膜を有するこ
とを特徴とする太陽電池。 - （２）絶縁膜が、エポキシ系、フェノール系、ポリエス
テル系、シリコン系樹脂の少なくとも一つからなること
を特徴とする特許請求の範囲第１項記載の太陽電池。 - （３）絶縁膜がスクリーン印刷膜であることを特徴とす
る特許請求の範囲第１項または第２項記載の太陽電池。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59155534A JPS6135572A (ja) | 1984-07-27 | 1984-07-27 | 太陽電池 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59155534A JPS6135572A (ja) | 1984-07-27 | 1984-07-27 | 太陽電池 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6135572A true JPS6135572A (ja) | 1986-02-20 |
Family
ID=15608165
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59155534A Pending JPS6135572A (ja) | 1984-07-27 | 1984-07-27 | 太陽電池 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6135572A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0855749A1 (en) * | 1997-01-21 | 1998-07-29 | Canon Kabushiki Kaisha | Photovoltaic device having increased electrostatic breakdown voltage |
| JP2013222762A (ja) * | 2012-04-13 | 2013-10-28 | Sharp Corp | 化合物半導体層およびその製造方法、ならびに化合物薄膜太陽電池およびその製造方法 |
-
1984
- 1984-07-27 JP JP59155534A patent/JPS6135572A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0855749A1 (en) * | 1997-01-21 | 1998-07-29 | Canon Kabushiki Kaisha | Photovoltaic device having increased electrostatic breakdown voltage |
| KR100376896B1 (ko) * | 1997-01-21 | 2003-07-16 | 캐논 가부시끼가이샤 | 광기전력소자 |
| JP2013222762A (ja) * | 2012-04-13 | 2013-10-28 | Sharp Corp | 化合物半導体層およびその製造方法、ならびに化合物薄膜太陽電池およびその製造方法 |
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