JPS6134908A - 消磁方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （ａ）　　発明の技術分野 この発明は、磁気シールド体に残留する微量の磁気を取
り去る消磁方法に関する。特に高度の消磁を必要とする
原子もしくは分子ビーム装置の磁気シールド消磁に係る
。

（ｂ）　　従来技術と問題点 我々の最も身近に消磁を必要とするのは、カラーＴＶ受
像機のシャドウマスクの消磁であり、電子を目標の蛍光
体に衝突させるため精密な制御をしているので、これを
例にとって説明する。シャドウマスクはステンレスでで
きているので受像機の据付は位置で決まる地磁気の方向
に磁化され、特に画面の周辺部で電子ビームの着面位置
がずれ消磁を十分にしないと色純度を悪くする。これは
受像機の向きを変えるだけでも地磁気と残留磁気によ、
δて電子ビームの着面位置が変化するので受像機には電
源スィッチと連動する消磁回路を設けて、電源投入毎に
シャドウマスクの消磁を行なっている。　　。

一般に磁化された材料から磁気を抜く（消磁する）には
、最初消磁物体に強い交流で磁界を与え次にこの磁界の
強さを徐々に弱くしていって、最後にゼロにする方法が
用いられる。

第４図はカラーＴＶ受像器のシャドウマスクの消磁回路
例を示すもので消磁コイルは直流電源回路に組込んであ
る。Ｐは目的の消磁コイル、■はバリスタ、Ｑはサーミ
スタ、Ｓｉは整流素子、Ｃ１゜Ｃ２は電源フィルタコン
デンサ、８は電源スィッチである。

図においてバリスタ■は自己素子への印加電圧に対して
負の抵抗、特性を示、じ１．電圧が印加７されると一抵
抗値が小°さくなる性質をし有し−で起り・、サーミス
タＱは自己温度に負の温度係数、すなわち温度が上昇す
ると抵抗値が小さくなる性質をもっている。電源スィッ
チ８が投入された直後には室内温度と等しく、冷えてい
るサーミスタＱの抵抗値が例えば１２０Ω程度と高く、
これに対して整流器の順方向抵抗およびＣ１，Ｃ，のり
アクタンスと電源インピーダンスは無視できる程低いの
で電源のＡ（３電圧は殆んどサーミスタＱの両端に現れ
る。

この比較的に大きな電圧が消磁コイルＰを通してバリス
タＶに加わると、大きい電圧のかかつた状態のバリスタ
は抵抗が小さいので電流の大部分がコイルＰとバリスタ
Ｖ側を流れ直列に接続された）。

消磁コイルには＠５図における■１のごとく大きな振幅
の電流が流れ消磁を開始する。時間の経過と共に負の温
度係数をもったサーミスタＱにも何サイクルもの小さく
とも電流が流れ、自己発熱によって遂次温度が上ってく
ると、内部抵抗値が低くなり直列に接続されたバリスタ
■と消磁コイルＰに加わる端子電圧が低下し、ただちに
バリスタＶの内部抵抗が増大するために←消磁コイルＰ
を流れる電流はｉ５図Ａ部のように減少して遂次消磁を
遂行する。

通電後しばらく経過して、加熱されたサーミスタの抵抗
は数オーム以下になり、短絡したような状態になって消
磁電流は消磁コイルを流れずに殆んどサーミスタＱを流
れる。

このようにして、消磁コイルＰを流れる電流は第５図Ｂ
部のように時間と共に減衰して、無限大時間後にはサー
ミスタとバリスタの飽和抵抗値で定まる一定微小電流値
　△ｉ＝δに落着く。このように、この方式では最終消
磁電流が小さいながらも完全には零ｔこならず、ＴＶで
は実用上十分な消磁であっても原子ビーム管の磁気シー
ルドに対してはまだ残留磁気が大きすぎる。

（Ｃ）　　発明の目的 この発明は、周波数標準など高度の消磁状態を必要とす
る原子ビーム装置の磁気シールドに関しており、前記磁
気シールドの消磁をより完全に実施することを目的とし
ている。

（ｄ）　　発明の構成 この発明は、消磁すべき負荷と直列に接続した正の温度
特性を持つ温度抵抗素子と、 前記温度抵抗素子とは直列に接続し、且つ消磁すべき負
荷とは並列に接続した可変インピーダンス素子と、 上記素子類の結合回路網に消磁電流を供給しつつ可変イ
ンピーダンス素子のインピーダンスを変化せしめるシー
ケンス制御部とから構成される。

（ｅ）　　発明の実施例 ％１図は本発明による消磁方法の一実施例である。１は
この消磁系に消磁電流を供給すると共に該電流の終息時
の大きさを後述の抵抗器３を操作することによって円滑
に実施するシーケンス制御部、２は正の温度特性を持つ
温度抵抗素子、ＦＴ（３サーミスｐ　（、Ｐｏ５ｉｔｉ
ｖｅ　Ｔｃｎｙ。ｒａｔ裂ｒ。（３０ｅｆｉｃｉｅｎｔ
　Ｔｈｅｒ−ｍｉｓｔｅｒλ３は消磁電流を分流させる
ことによって減少せしめる可変抵抗器であり、消磁コイ
ルの内部抵抗値に比べて十分大きい最大抵抗値と、十分
小さい最小抵抗値を持つ可変抵抗であり、抵抗可変の操
作をシーケンス制御部１の出力で行うようになっている
。４は消磁すべき磁性体に捲回された消磁コイルである
。

消磁に供する交流入力は一般に商用電源が使われている
が、これがシーケンス制御部１を径由して正の温度係数
を持つ温度制御素子、ＰＴＯサーミスタ２を流れ、消磁
コイルの抵抗値よりも十分大きい値の最大抵抗に設定し
た状態の可変抵抗器８と、それに並り■に接続された消
磁コイル４とに流れる。したがって消磁電流は大部分が
消磁コイル４に流れ、消磁に必要な磁界を発生する。

−万、ＰＴＣサーミスタ２を流れる消磁電流はジュール
熱によるサーミスタの自己発熱によって正の温度係数を
持つＰＴ（３サーミスタ２の内部抵抗を大きくし、図３
に示す時間ｔ１の間に単調に消磁電流を減衰せしめる。

その減衰がほぼ落着いた時刻Ｔ１において、第１図に示
した可変抵抗器３の可動子をシーケンス制御部１の出力
によって可変抵抗３の合成全抵抗が小さくなる方向に調
節すると、電流の大部分が可変抵抗３に流れ、消磁電流
の消磁コイル４への分流値を小さくし、可変抵抗３の合
成全抵抗をゼロにすれば、消磁コイル４への分流値は完
全にゼロとなる。

上述のように、本発明によれば、消磁電流を微小値まで
任意に調節でき、残留磁気を極微小値に減衰できる。

具体的には、回転形の可変抵抗器軸に、０．１〜ｌ　ｒ
ｐｍ程度の例えば定速回転モータを結合させて抜群な消
磁性能を得ることができる。

（ｆ）　　発明の効果 この消磁方法は、最初の消磁電流の荒い減衰部分には、
在来から存在する方法、例えば消磁コイルに直列に挿入
した正極性抵抗変化サーミスタに受は持たせ、前記サー
ミスタの抵抗変化が飽和して抵抗値がほぼ一定値に達し
てから、本発明による該消磁コイルｌこ並列に接続した
可変抵抗器の全抵抗値を減少させることで、単純ながら
確実に該消磁コイルを流れる電流を限りなく小さく、滑
らかに制御することができる。

消磁動作最後の消磁電流が限りなく小さくできるために
、残留磁気を在来の可変温度抵抗素子のする装置の磁気
シールドを消磁するのに適用して効果抜群である。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明を示す一実施例であり、第２図は本発明
で使用するＦＴ（３サーミスタ、２の一温度抵抗特性例
であり、第３図は本発明による消磁コイルを流れる消磁
電流を示し、第４図は在来の消磁回路を示し、第５図は
上記在来の消磁電流の一例である。 図において、 １はシーケンス制御部 ２はＰＴＯサーミスタ ３は可変抵抗 ４は消磁コイル ｔｌはＰＴＯサーミスタ２による消磁期間幅は可変抵抗
３の動作期間 ｉは消磁電流 △ｉは残留消磁ｍ流である。 第１図 第２図 （０Ｃ）

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 消磁作用回路に消磁すべき負荷を組込み、消磁電流を供
   給する消磁方法において、 正の温度特性を持つ温度抵抗素子を消磁すべき負荷と直
   列に接続し、 可変インピーダンス素子を前記温度抵抗素子と直列でか
   つ消磁すべき負荷とは並列に接続し、上記素子の接続網
   に交流電流を供給し、この流通電力によって上記温度抵
   抗素子が飽和抵抗値付近に達した後、前記可変インピー
   ダンス素子のインピーダンスを調整して、該素子と並列
   に接続された消磁すべき負荷に流れる消磁電流をより小
   さく減衰させるようにしたことを特徴とする消磁方法。