JPS6134828A - マグネトロン陰極構体 - Google Patents
マグネトロン陰極構体Info
- Publication number
- JPS6134828A JPS6134828A JP15520284A JP15520284A JPS6134828A JP S6134828 A JPS6134828 A JP S6134828A JP 15520284 A JP15520284 A JP 15520284A JP 15520284 A JP15520284 A JP 15520284A JP S6134828 A JPS6134828 A JP S6134828A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lead
- spacer
- hole
- center lead
- magnetron cathode
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- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J1/00—Details of electrodes, of magnetic control means, of screens, or of the mounting or spacing thereof, common to two or more basic types of discharge tubes or lamps
- H01J1/02—Main electrodes
- H01J1/13—Solid thermionic cathodes
- H01J1/15—Cathodes heated directly by an electric current
- H01J1/18—Supports; Vibration-damping arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J23/00—Details of transit-time tubes of the types covered by group H01J25/00
- H01J23/02—Electrodes; Magnetic control means; Screens
- H01J23/04—Cathodes
- H01J23/05—Cathodes having a cylindrical emissive surface, e.g. cathodes for magnetrons
Landscapes
- Microwave Tubes (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明はマグネトロン陰極構体に係わシ、特にフィラメ
ントの耐振性を向上させたマグネトロン陰極構体に関す
るものである。
ントの耐振性を向上させたマグネトロン陰極構体に関す
るものである。
第１図（ａ） ＃ （ｂ）は従来よシ用いられているマ
グネトロン陰極構体の一例を示す要部断面構成図、その
Ｉ−Ｉ’断面図である。同図において、マグネトロンの
管軸中心に配設された熱電子を放出するフィラメント１
拡、熱電子の管軸方向への逸脱を防止する上エンドシー
ルド２および下エンドシールド３に挾持されておシ、上
エンドシールド２および下エンドシールド３にはそれぞ
れセンターリード４およびサイドリード５が接続されて
いる。また、これらのセンターリード４およびサイドリ
ード５の下端には端子６がステムセラミックγとともに
銀銅ろう付されている。さらにこのセンターリード４お
よびサイドリード５には絶縁体からカシかつ２本のリー
ド４，５が挿通される貫通孔を有する絶縁性のスペーサ
８が配設され、外部からの加振によシ両リード４，５が
共振してフィラメント１が破断されることを防止してい
る。そして、このスペーサ８はスリーブ９をセンターリ
ート４またはサイドリード５のどちらか一方に溶接固着
して位置決めされている。
グネトロン陰極構体の一例を示す要部断面構成図、その
Ｉ−Ｉ’断面図である。同図において、マグネトロンの
管軸中心に配設された熱電子を放出するフィラメント１
拡、熱電子の管軸方向への逸脱を防止する上エンドシー
ルド２および下エンドシールド３に挾持されておシ、上
エンドシールド２および下エンドシールド３にはそれぞ
れセンターリード４およびサイドリード５が接続されて
いる。また、これらのセンターリード４およびサイドリ
ード５の下端には端子６がステムセラミックγとともに
銀銅ろう付されている。さらにこのセンターリード４お
よびサイドリード５には絶縁体からカシかつ２本のリー
ド４，５が挿通される貫通孔を有する絶縁性のスペーサ
８が配設され、外部からの加振によシ両リード４，５が
共振してフィラメント１が破断されることを防止してい
る。そして、このスペーサ８はスリーブ９をセンターリ
ート４またはサイドリード５のどちらか一方に溶接固着
して位置決めされている。
このようにしてセンターリード４およびサイドリード５
の防振効果は、スペーサ８によってはかられるが、これ
はセンターリード４およびサイドリード５の長さの違い
から共振点が異なっていることに起因している。また、
フィラメント１の熱電子放射効率を向上させるためにそ
の表面が炭化されて極めて脆くなっておシ、センターリ
ード４断する。そこで、スペーサ８はセンターリード４
とサイドリード５とを連結しているので、互いに防振作
用をおよぼし合うよりに機能する。しかしながら、実際
に共振状況を観察すると、センターリード４の方がその
長さが長い分だけ共振周波数が低いので、振幅が大きく
なる。ここで同図（ｂ）に示すように矢印Ａ−Ａ’方向
の振動に対しては、スペーサ８拡防振効果を十分に発揮
するが矢印Ｂ−Ｂ′方向の振動にはスペーサ８はセンタ
ーリード４とサイドリード５とが嵌合されているだけな
ので、どちらか一方の振れていない方のリードを中心と
して例えば矢印ｃ−ｃ’方向に回転するように動いてし
まう。
の防振効果は、スペーサ８によってはかられるが、これ
はセンターリード４およびサイドリード５の長さの違い
から共振点が異なっていることに起因している。また、
フィラメント１の熱電子放射効率を向上させるためにそ
の表面が炭化されて極めて脆くなっておシ、センターリ
ード４断する。そこで、スペーサ８はセンターリード４
とサイドリード５とを連結しているので、互いに防振作
用をおよぼし合うよりに機能する。しかしながら、実際
に共振状況を観察すると、センターリード４の方がその
長さが長い分だけ共振周波数が低いので、振幅が大きく
なる。ここで同図（ｂ）に示すように矢印Ａ−Ａ’方向
の振動に対しては、スペーサ８拡防振効果を十分に発揮
するが矢印Ｂ−Ｂ′方向の振動にはスペーサ８はセンタ
ーリード４とサイドリード５とが嵌合されているだけな
ので、どちらか一方の振れていない方のリードを中心と
して例えば矢印ｃ−ｃ’方向に回転するように動いてし
まう。
以上説明したように従来のマグネトロン陰極構体では、
防振のためのスペーサ８には方向性があ夛、十分な機械
的強度を有したものが得られない。
防振のためのスペーサ８には方向性があ夛、十分な機械
的強度を有したものが得られない。
したがって、モリブデンなど高価な材料によるリードの
径を太くして剛性を保持するとか絶縁体からなるスペー
サ８のリード貫通孔の回シにメタライズ膜を形成し、高
価力銀銅ろう材を用いてリード４．５を固定する表どの
手段が提案されているが、いずれもマグネト買ンの価格
高を招き、好ましくない。
径を太くして剛性を保持するとか絶縁体からなるスペー
サ８のリード貫通孔の回シにメタライズ膜を形成し、高
価力銀銅ろう材を用いてリード４．５を固定する表どの
手段が提案されているが、いずれもマグネト買ンの価格
高を招き、好ましくない。
したがって本発明は、前述した従来の問題に鑑みて々さ
れたものであシ、その目的とするところは、低価格で優
れた防振効果が得られるマグネトロン陰極構体を提供す
ることにある。
れたものであシ、その目的とするところは、低価格で優
れた防振効果が得られるマグネトロン陰極構体を提供す
ることにある。
このよう々目的を達成するために本発明によるマグネト
誼／＃極構体は、絶縁性のスペーサを、サイドリード挿
通用貫通孔を円形状とし、センターリード挿通用貫通孔
を断面が長円形あるいは長方形とし、センターリードの
概ねクランク状に折シ曲げられる少なくとも一部分を挾
持してセンターリードとサイドリードとを保合保持させ
たものである。
誼／＃極構体は、絶縁性のスペーサを、サイドリード挿
通用貫通孔を円形状とし、センターリード挿通用貫通孔
を断面が長円形あるいは長方形とし、センターリードの
概ねクランク状に折シ曲げられる少なくとも一部分を挾
持してセンターリードとサイドリードとを保合保持させ
たものである。
次に図面を用いて本発明の実施例を詳細に説明する。
第２図は本発明によるマグネトロ有極構体の一実施例を
示す図で、同図（龜）は要部断面図、同図（ｂ）は同図
−）のｍ−Ｐ断面図であシ、第１図と同一部分は同一符
号を付しその説明は省略する。同図において、絶縁体と
して例えばセラミック成形体からなるスペーサ１１は、
サイドリード５を挿通する断面が円形の貫通孔１１ｍと
センターリード４のクランク状の折シ曲げ部４ａの折シ
曲げ幅寸法Ｗに長手方向が一致する断面が長円形もしく
杜長方形の貫通孔１１ｂとを有してセンターリード４と
サイドリード５とを係合保持している。
示す図で、同図（龜）は要部断面図、同図（ｂ）は同図
−）のｍ−Ｐ断面図であシ、第１図と同一部分は同一符
号を付しその説明は省略する。同図において、絶縁体と
して例えばセラミック成形体からなるスペーサ１１は、
サイドリード５を挿通する断面が円形の貫通孔１１ｍと
センターリード４のクランク状の折シ曲げ部４ａの折シ
曲げ幅寸法Ｗに長手方向が一致する断面が長円形もしく
杜長方形の貫通孔１１ｂとを有してセンターリード４と
サイドリード５とを係合保持している。
このような構成按よれば、センターリード４が矢印ｃ−
ｃ’方向に動こうとすると、センターリード４は撚られ
るととになシ、その抗力が生じて矢印ｃ−ｃ’方向の振
れが阻止されることになる。ことにおいて、第１図の例
ではスペーサ１１の軸方向の移動防止は、一方社サイド
リード５と下エンドシールド３との突き合わせ溶接によ
って生じているサイドリード５の溶は出し部３凰で止め
られ、他方はスリーブ９によって止められるが、仁のス
リーブ９の代シに例えばセンターリード４に図示し々い
突起を設けて止めても良い。
ｃ’方向に動こうとすると、センターリード４は撚られ
るととになシ、その抗力が生じて矢印ｃ−ｃ’方向の振
れが阻止されることになる。ことにおいて、第１図の例
ではスペーサ１１の軸方向の移動防止は、一方社サイド
リード５と下エンドシールド３との突き合わせ溶接によ
って生じているサイドリード５の溶は出し部３凰で止め
られ、他方はスリーブ９によって止められるが、仁のス
リーブ９の代シに例えばセンターリード４に図示し々い
突起を設けて止めても良い。
第３図は本発明によるマグネトロン陰極構体の他の実施
例を示す要部断面図であジ、前述の図と同一部分は同一
符号を付す。同図において、第２図と異なる点状、絶縁
体として例えばセラミック成形体からなるスペーサ１２
はその断面が長円形もしくＬ長方形の貫通孔１２ｍの寸
法を、センターリード４の折シ曲げ幅寸法Ｗよシも若干
小さくすることによシ、スペーサ１２をステムセラミッ
ク７側へ移動することを防止するので、第２図に示すよ
うなスリーブ９が不要となる利点がある。
例を示す要部断面図であジ、前述の図と同一部分は同一
符号を付す。同図において、第２図と異なる点状、絶縁
体として例えばセラミック成形体からなるスペーサ１２
はその断面が長円形もしくＬ長方形の貫通孔１２ｍの寸
法を、センターリード４の折シ曲げ幅寸法Ｗよシも若干
小さくすることによシ、スペーサ１２をステムセラミッ
ク７側へ移動することを防止するので、第２図に示すよ
うなスリーブ９が不要となる利点がある。
第４図は本発明によるマグネトロン陰極構体のさらに他
の実施例を示す要部断面構成図であシ、前述の図と同一
部分は同一符号を付す。同図において、絶縁体として例
えばセラミック成形体からなるスペーサ１３は、第３図
の例とは反対にスペーサ１３の下エンドシールド３側へ
の移動を防止するセンターリード４の折シ曲げ部４ａに
スペーサ１３の断面が長円形もしくは長方形の貫通孔１
３ｍを当接して構成されている。
の実施例を示す要部断面構成図であシ、前述の図と同一
部分は同一符号を付す。同図において、絶縁体として例
えばセラミック成形体からなるスペーサ１３は、第３図
の例とは反対にスペーサ１３の下エンドシールド３側へ
の移動を防止するセンターリード４の折シ曲げ部４ａに
スペーサ１３の断面が長円形もしくは長方形の貫通孔１
３ｍを当接して構成されている。
このような構成によれば、第２図、第３図の例に比べて
スペーサ１３の位置決めに、前述した寸法が変動しやす
い溶接溶は出し部３１を用いないので、スペーサ１３の
位置が変動することなく、位置決めできる利点がある。
スペーサ１３の位置決めに、前述した寸法が変動しやす
い溶接溶は出し部３１を用いないので、スペーサ１３の
位置が変動することなく、位置決めできる利点がある。
第５図は本発明によるマグネトロン陰極構体の他の実施
例を示す要部断面構成図でオシ、前、述の図と同一部分
は同一符号を付す。同図において、絶縁体として例えば
セラきツク成形体からなるスペーサ１４は、そのセンタ
ーリード４が挿通する断面形状が長円形もしくは長方形
の貫通孔１４＆に深さｄなる段部１４ｂを設けてスペー
サ１４の下エンドシールド３側の移動をセンターリード
４（Ｄ折シ曲げ部４ａにて保持固定させている。この場
合、スペーサ１４においては、スペーサ１４の段部１４
ｂの寸法を全高さＨに対して１／４以下の寸法とするこ
とによってスペーサ１４をセラミック粉体の一段押しの
プレス成形で形成することができるので、スペーサ１４
を極めて低コストで製作することができる。なお、前述
したスペーサ１４の全高さＨと段部１４ｂの寸法ｄとの
関係式ｄ≦＋Ｈは、セラミック粉体の成形時に金型の心
金（図示せカが貫通孔１４１を形成するが、ｄ≦十Ｈで
あると、セラミック粉体の流れに支障をきたさず、深さ
ｄの部分と、全高さＨと深さｄとの差（Ｈ−ａ）の部分
との間に成形密度の差が生じないことになる。
例を示す要部断面構成図でオシ、前、述の図と同一部分
は同一符号を付す。同図において、絶縁体として例えば
セラきツク成形体からなるスペーサ１４は、そのセンタ
ーリード４が挿通する断面形状が長円形もしくは長方形
の貫通孔１４＆に深さｄなる段部１４ｂを設けてスペー
サ１４の下エンドシールド３側の移動をセンターリード
４（Ｄ折シ曲げ部４ａにて保持固定させている。この場
合、スペーサ１４においては、スペーサ１４の段部１４
ｂの寸法を全高さＨに対して１／４以下の寸法とするこ
とによってスペーサ１４をセラミック粉体の一段押しの
プレス成形で形成することができるので、スペーサ１４
を極めて低コストで製作することができる。なお、前述
したスペーサ１４の全高さＨと段部１４ｂの寸法ｄとの
関係式ｄ≦＋Ｈは、セラミック粉体の成形時に金型の心
金（図示せカが貫通孔１４１を形成するが、ｄ≦十Ｈで
あると、セラミック粉体の流れに支障をきたさず、深さ
ｄの部分と、全高さＨと深さｄとの差（Ｈ−ａ）の部分
との間に成形密度の差が生じないことになる。
第６図は本発明によるマグネトロン陰極構体のさらに他
の実施例を説明するための図であシ、前述の図と同一部
分は同一符号を付す。同図において、第５図と異なる点
は、絶縁体として例えばセラミック成形体から力るスペ
ーサ１５は、センターリード４を挿通する長円形もしく
は長方形の貫通孔１５＆の段部１５ｂがセンターリード
４の折シ曲げ部４＆の勾配にほぼ沿った傾斜部を有して
構成されている。このような構成においても前述と全く
同様の効果が得られる。
の実施例を説明するための図であシ、前述の図と同一部
分は同一符号を付す。同図において、第５図と異なる点
は、絶縁体として例えばセラミック成形体から力るスペ
ーサ１５は、センターリード４を挿通する長円形もしく
は長方形の貫通孔１５＆の段部１５ｂがセンターリード
４の折シ曲げ部４＆の勾配にほぼ沿った傾斜部を有して
構成されている。このような構成においても前述と全く
同様の効果が得られる。
第７図は本発明によるマグネトロン陰極構体の他の実施
例を示す要部断面構成図であシ、前述の図と同一部分は
同一符号を付す。同図において、絶縁体としての例えば
セラミック成形体からなるスペーサ１６は、ステムセラ
ミックＴ側への移動防止としてセンターリード４の折シ
曲げ部４ａを受は止める段部１６ｍを設けたものである
。この場合もスペーサ１６の全高さＨと段部１６ａの寸
法ｄはｄ≦＋Ｈの関係を有して形成されてお、？、１６
ｂはセンターリード４を挿通する長円形もしくは長方形
の貫通孔である。このような構成においても前述と全く
同様の効果が得られるものである。
例を示す要部断面構成図であシ、前述の図と同一部分は
同一符号を付す。同図において、絶縁体としての例えば
セラミック成形体からなるスペーサ１６は、ステムセラ
ミックＴ側への移動防止としてセンターリード４の折シ
曲げ部４ａを受は止める段部１６ｍを設けたものである
。この場合もスペーサ１６の全高さＨと段部１６ａの寸
法ｄはｄ≦＋Ｈの関係を有して形成されてお、？、１６
ｂはセンターリード４を挿通する長円形もしくは長方形
の貫通孔である。このような構成においても前述と全く
同様の効果が得られるものである。
なお、前述した多数の実施例のうち、第２図。
第３図および第７図のものは、セラミックスペーサ１１
，１２および１Ｂの下に下エンドシールド３側への止め
としてそれぞれ溶は出し部３ａを利用した場合について
説明したが、サイドリード５に突起を設けて止めてよシ
精度を高めるようにしても良い。
，１２および１Ｂの下に下エンドシールド３側への止め
としてそれぞれ溶は出し部３ａを利用した場合について
説明したが、サイドリード５に突起を設けて止めてよシ
精度を高めるようにしても良い。
以上説明したように本発明によるマグネトロン構体は、
センターリードおよびサイドリードを係合するセラミッ
クスペーサがセンターリードのクランク状折）曲げ部を
挾持する貫通孔を有するので、全ての方向の振動に対し
ても防振効果が得られ、しかもスペーサ自体の作シ易さ
も損ねまい簡潔な構造で得られ、ひいては耐振強度のあ
る信頼性の高いマグネトロンを廉価に得られるという極
めて優れた効果を奏する。
センターリードおよびサイドリードを係合するセラミッ
クスペーサがセンターリードのクランク状折）曲げ部を
挾持する貫通孔を有するので、全ての方向の振動に対し
ても防振効果が得られ、しかもスペーサ自体の作シ易さ
も損ねまい簡潔な構造で得られ、ひいては耐振強度のあ
る信頼性の高いマグネトロンを廉価に得られるという極
めて優れた効果を奏する。
第１図は従来のマグネトロン構体の一例を説明するため
の図、第２図ないし第７図は本発明によるマグネト□ロ
ン陰極構体の実施例を説明するための図である。 １・・・・フィラメント、２・・・・上エンドシールド
、３・ｅ・・下エンドシールド、３ａ・・・・溶は出し
部、４・・―・センターリード、４ａ ・・・・折シ
曲げ部、５・・・・サイドリード、６・・・・端子、７
・・・・ステムセラミック、９ＩＩ・・惨スリーブ、１
１・・・−セラミックスペーサ、１１１Ｌ・・・・長円
形もしくは長方形の貫通孔、１１ｂ、・・・・長円形も
しくは長方形の貫通孔、１２・・・φ′セラミックスペ
ーサ、１２ａ・・・・長円形もしくは長方形の貫通孔、
１３や一φ・セラミックスペーサ、１３ａ１１・拳・長
円形もしくは長方形の貫通孔、１４・・・中セラミック
スペーサ、１４ａ・・・・長円形もしくは長方形の貫通
孔、１４ｂ・・・・段部、１５・・・・セラミックスペ
ーサ、１５ａ・・・・長円形もしくは長方形の貫通孔、
１５ｂ・・・・段部、１６・・・・セラミックスペーサ
、１６ａ・・・・段部、１６ｂ・・・・長円形もしくは
長方形の貫通孔。 第１図 （Ｑ） （ｂ） 第２図 （ａ） （ｂ） 第３図 第４図 第５図 第６− 第７図
の図、第２図ないし第７図は本発明によるマグネト□ロ
ン陰極構体の実施例を説明するための図である。 １・・・・フィラメント、２・・・・上エンドシールド
、３・ｅ・・下エンドシールド、３ａ・・・・溶は出し
部、４・・―・センターリード、４ａ ・・・・折シ
曲げ部、５・・・・サイドリード、６・・・・端子、７
・・・・ステムセラミック、９ＩＩ・・惨スリーブ、１
１・・・−セラミックスペーサ、１１１Ｌ・・・・長円
形もしくは長方形の貫通孔、１１ｂ、・・・・長円形も
しくは長方形の貫通孔、１２・・・φ′セラミックスペ
ーサ、１２ａ・・・・長円形もしくは長方形の貫通孔、
１３や一φ・セラミックスペーサ、１３ａ１１・拳・長
円形もしくは長方形の貫通孔、１４・・・中セラミック
スペーサ、１４ａ・・・・長円形もしくは長方形の貫通
孔、１４ｂ・・・・段部、１５・・・・セラミックスペ
ーサ、１５ａ・・・・長円形もしくは長方形の貫通孔、
１５ｂ・・・・段部、１６・・・・セラミックスペーサ
、１６ａ・・・・段部、１６ｂ・・・・長円形もしくは
長方形の貫通孔。 第１図 （Ｑ） （ｂ） 第２図 （ａ） （ｂ） 第３図 第４図 第５図 第６− 第７図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、熱電子を放出するフィラメントと、前記フィラメン
トの上下端に固定された上エンドシールドおよび下エン
ドシールドと、前記上エンドシールドに接続固定された
センターリードと、前記下エンドシールドに接続固定さ
れたサイドリードと、前記センターリードおよびサイド
リードが挿通された絶縁性セラミックスペーサとを備え
たマグネトロン陰極構体において、前記セラミックスペ
ーサの前記サイドリード貫通孔が直状の円筒貫通孔を有
し、かつ前記センターリード貫通孔が断面が長円形もし
くは長方形の貫通孔を有することを特徴としたマグネト
ロン陰極構体。 ２、前記セラミックスペーサのセンターリードが挿通さ
れる貫通孔が、センターリードの折り曲げ斜辺に当接す
る段部を有することを特徴とした特許請求の範囲第１項
記載のマグネトロン陰極構体。 ３、前記段部の深さ寸法ｄを、スペーサの高さＨに対し
て１／４以下としたことを特徴とする特許請求の範囲第
２項記載のマグネトロン陰極構体。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15520284A JPS6134828A (ja) | 1984-07-27 | 1984-07-27 | マグネトロン陰極構体 |
| US06/728,825 US4684845A (en) | 1984-05-07 | 1985-04-30 | Magnetron cathode assembly with grooved insulating spacer |
| KR1019850003007A KR900009073B1 (ko) | 1984-05-07 | 1985-05-03 | 마그네트론 음극구체 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15520284A JPS6134828A (ja) | 1984-07-27 | 1984-07-27 | マグネトロン陰極構体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6134828A true JPS6134828A (ja) | 1986-02-19 |
| JPH0556615B2 JPH0556615B2 (ja) | 1993-08-20 |
Family
ID=15600727
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15520284A Granted JPS6134828A (ja) | 1984-05-07 | 1984-07-27 | マグネトロン陰極構体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6134828A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2489220A (en) * | 2011-03-17 | 2012-09-26 | E2V Tech Uk Ltd | Magnetron |
| US10416716B2 (en) | 2017-07-06 | 2019-09-17 | Lenovo (Singapore) Pte Ltd | Docking station |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102013223809A1 (de) | 2013-11-21 | 2015-05-21 | Robert Bosch Gmbh | Elektrische Maschine und Verfahren zur Herstellung einer elektrischen Maschine |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58109143U (ja) * | 1982-01-21 | 1983-07-25 | 株式会社東芝 | マグネトロンの陰極支持構体 |
-
1984
- 1984-07-27 JP JP15520284A patent/JPS6134828A/ja active Granted
Patent Citations (1)
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| US9318296B2 (en) | 2011-03-17 | 2016-04-19 | E2V Technologies (Uk) Limited | Magnetron |
| GB2489220B (en) * | 2011-03-17 | 2018-02-07 | E2V Tech (Uk) Limited | Magnetron |
| US10416716B2 (en) | 2017-07-06 | 2019-09-17 | Lenovo (Singapore) Pte Ltd | Docking station |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0556615B2 (ja) | 1993-08-20 |
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