JPS60163330A - 電子管陰極構体 - Google Patents
電子管陰極構体Info
- Publication number
- JPS60163330A JPS60163330A JP59015111A JP1511184A JPS60163330A JP S60163330 A JPS60163330 A JP S60163330A JP 59015111 A JP59015111 A JP 59015111A JP 1511184 A JP1511184 A JP 1511184A JP S60163330 A JPS60163330 A JP S60163330A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- end shield
- filament
- ceramic
- metallized layer
- support
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J1/00—Details of electrodes, of magnetic control means, of screens, or of the mounting or spacing thereof, common to two or more basic types of discharge tubes or lamps
- H01J1/02—Main electrodes
- H01J1/13—Solid thermionic cathodes
- H01J1/15—Cathodes heated directly by an electric current
- H01J1/18—Supports; Vibration-damping arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J23/00—Details of transit-time tubes of the types covered by group H01J25/00
- H01J23/02—Electrodes; Magnetic control means; Screens
- H01J23/04—Cathodes
- H01J23/05—Cathodes having a cylindrical emissive surface, e.g. cathodes for magnetrons
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- Microwave Tubes (AREA)
- Solid Thermionic Cathode (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は電子管陰極構体に係わシ、特にらせん状に巻設
させた熱電子放出用フィラメントの両端部を支持するエ
ンドシールドの構成に関するものである。
させた熱電子放出用フィラメントの両端部を支持するエ
ンドシールドの構成に関するものである。
第１図は従来から用いられている電子管陰極構体として
、例えばマグネトロンの陰極構体の一例を示す断面図で
ある。同図において、熱電子を放出するらせん状のフィ
ラメント１はマグネトロンの管軸と同心に配置され、熱
電子の管軸方向への逸脱を防止する上エンドシールド２
と下エンドシールド３との間に支持固定されている。そ
して、この上エンドシールド２および下エンドシールド
３はエンドシールド２，３をそれぞれ支持しかつフィラ
メント１に所定の電流を通電するセンターサポート４お
よびサイドサポート５に支持固定されている。この場合
、上エンドシールド２は管軸上にあるセンターサポート
４の上端に固定され、下エンドシールド３は円形孔３ａ
の中心をセンターサポート４が通るようにサイドサポー
ト５の上端に固定されている。通常、マグネトロンの動
作中においては、フィラメント１の中央部分で約１８０
０℃、エンドシールド２，３との接合部分て約１２００
℃程度の高温度となるため、エンドシールド２，３およ
びセンターサポート４．サイドサポート５にはそれぞれ
モリブデンやタングステンなどの高融点金属が用いられ
、また、各接合部分の機械的、電気的接続に用いられる
ろう材としては、古くは白金が用いられていたが、極め
て高価であることから、最近ではルテニウムとモリブデ
ンとの共晶合金が用いられるようになってきた。また、
このセンターサポート４およびサイドサポート５の他端
側は電力供給端子６がステムセラミックＩとともに銀ろ
う付され、さらにとのステムセラミック７にはシール部
品８が銀ろう付して固定されている。また、センターサ
ポート４とサイドサポート５との間には、外部からの振
動、衝撃によるフィラメント１およびエンドシールド２
，３の変位を防止させる絶縁スペーサ９が嵌挿され、管
軸方向への位置ずれを防止させる金属リング１０をサイ
ドサポート５にろう付は固定させてマグネトロン陰極構
体が構成あれている。
、例えばマグネトロンの陰極構体の一例を示す断面図で
ある。同図において、熱電子を放出するらせん状のフィ
ラメント１はマグネトロンの管軸と同心に配置され、熱
電子の管軸方向への逸脱を防止する上エンドシールド２
と下エンドシールド３との間に支持固定されている。そ
して、この上エンドシールド２および下エンドシールド
３はエンドシールド２，３をそれぞれ支持しかつフィラ
メント１に所定の電流を通電するセンターサポート４お
よびサイドサポート５に支持固定されている。この場合
、上エンドシールド２は管軸上にあるセンターサポート
４の上端に固定され、下エンドシールド３は円形孔３ａ
の中心をセンターサポート４が通るようにサイドサポー
ト５の上端に固定されている。通常、マグネトロンの動
作中においては、フィラメント１の中央部分で約１８０
０℃、エンドシールド２，３との接合部分て約１２００
℃程度の高温度となるため、エンドシールド２，３およ
びセンターサポート４．サイドサポート５にはそれぞれ
モリブデンやタングステンなどの高融点金属が用いられ
、また、各接合部分の機械的、電気的接続に用いられる
ろう材としては、古くは白金が用いられていたが、極め
て高価であることから、最近ではルテニウムとモリブデ
ンとの共晶合金が用いられるようになってきた。また、
このセンターサポート４およびサイドサポート５の他端
側は電力供給端子６がステムセラミックＩとともに銀ろ
う付され、さらにとのステムセラミック７にはシール部
品８が銀ろう付して固定されている。また、センターサ
ポート４とサイドサポート５との間には、外部からの振
動、衝撃によるフィラメント１およびエンドシールド２
，３の変位を防止させる絶縁スペーサ９が嵌挿され、管
軸方向への位置ずれを防止させる金属リング１０をサイ
ドサポート５にろう付は固定させてマグネトロン陰極構
体が構成あれている。
しかしながら、前述した構成によるマグネトロン陰極構
体は、センターサポート４およびサイドサポート５の下
端部側をステムセラミックＴに支持固定させ、その先端
部側は上、下エンドシールド２，３対向間にらせん状の
フィラメント１を挾持させて支持固定する構成を有して
おシ、そしてとのフィラメント１は例えばトリウムタン
グステン線をらせん状に成形加工しその表面を炭化させ
て熱電子の放射効率を高める処理を施して形成されてい
るので、センターサポート４とサイドサポート５との間
の間隔は絶縁スペーサ９によシ一定に維持されるが、管
軸に対する周方向の回転運動となる外部からの振動ある
いは衝撃によってフィラメント１が破断してしまうとい
う問題があった。
体は、センターサポート４およびサイドサポート５の下
端部側をステムセラミックＴに支持固定させ、その先端
部側は上、下エンドシールド２，３対向間にらせん状の
フィラメント１を挾持させて支持固定する構成を有して
おシ、そしてとのフィラメント１は例えばトリウムタン
グステン線をらせん状に成形加工しその表面を炭化させ
て熱電子の放射効率を高める処理を施して形成されてい
るので、センターサポート４とサイドサポート５との間
の間隔は絶縁スペーサ９によシ一定に維持されるが、管
軸に対する周方向の回転運動となる外部からの振動ある
いは衝撃によってフィラメント１が破断してしまうとい
う問題があった。
このような問題を改善したものとしては、第２図に示す
ようなマグネトロ／陰極構体が提案されている。すなわ
ち同図において、下エンドシールド３の円形孔３＆には
中央をセンターサポート４が貫通するようにアルミナな
どからなるセラミックスペーサ１１を挿入し、管軸方向
への位置ずれを防止させる金属製Ｅリング１２を、七ン
ｊ−サポート４に溝４ａを設け、この溝４＆に嵌入し、
セラミックスペーサ１１を保持固定させ、前述した外部
からの周方向の回転運動による振動あるいは衝撃によっ
てもろいフィラメント１の破断を防止させている。
ようなマグネトロ／陰極構体が提案されている。すなわ
ち同図において、下エンドシールド３の円形孔３＆には
中央をセンターサポート４が貫通するようにアルミナな
どからなるセラミックスペーサ１１を挿入し、管軸方向
への位置ずれを防止させる金属製Ｅリング１２を、七ン
ｊ−サポート４に溝４ａを設け、この溝４＆に嵌入し、
セラミックスペーサ１１を保持固定させ、前述した外部
からの周方向の回転運動による振動あるいは衝撃によっ
てもろいフィラメント１の破断を防止させている。
しかしながら前述した構成によるマグネトロン陰極構体
は、組立部品点数が多く、また機械的。
は、組立部品点数が多く、また機械的。
電気的接続個所が多いことから、組立工数が大きくなり
、生産性を低下させ、製造コストが高価となるなどの欠
点があった。また、センターサポート４にセラミックス
ペーサ１１を保持するＥす／グ係止用溝４ＩＬを形成す
るため、センターサポート４が折れ易くなシ、耐振動強
度が低下するという欠点があった。
、生産性を低下させ、製造コストが高価となるなどの欠
点があった。また、センターサポート４にセラミックス
ペーサ１１を保持するＥす／グ係止用溝４ＩＬを形成す
るため、センターサポート４が折れ易くなシ、耐振動強
度が低下するという欠点があった。
したがって、本発明は、前述した従来の欠点を解消する
ためになされたものであシ、その目的とするところは、
組立部品のコスト、組立工数を低減させ、耐振動強度を
向上させた電子管陰極構体を提供することにある。
ためになされたものであシ、その目的とするところは、
組立部品のコスト、組立工数を低減させ、耐振動強度を
向上させた電子管陰極構体を提供することにある。
このような目的を達成するために本発明は、らせん状フ
ィラメントの一端側を支持する下エンドシールドをセラ
ミック材によシ構成し、このセラミック裏下エンドシー
ルドの表面にメタライズ層を形成してこのメタライズ層
にフィラメントおよびサイドサポートを接合固定するも
のである。
ィラメントの一端側を支持する下エンドシールドをセラ
ミック材によシ構成し、このセラミック裏下エンドシー
ルドの表面にメタライズ層を形成してこのメタライズ層
にフィラメントおよびサイドサポートを接合固定するも
のである。
次に図面を用いて本発明の実施例を詳細に説明する。
第３図および第４図は本発明による電子管陰極構体をマ
グネトロン陰極構体に適用した一実施例を示す断面図で
あシ、前述の図と同一部分は同一符号を付しその説明は
省略する。両図において、３′ｂえばアルミナ等からな
るセラミック製の下エンドシールドであシ、この下エン
ドシールド３′の上エンドシールド２との対向面および
らせん状フィラメント１の内側外接面にはモリブデンか
らなるメタライズ層１３が被着形成されている。また、
このセラミック裏下エンドシーにド３′の円形孔３ａに
は、センターサポート４がその外径が接触する程度の嵌
合度合で挿通されている。また、このセラミック裏下エ
ンドシールド３′の周端側には円形孔３ｂが形成され、
この円形孔３ｂにサイドサポート５の先端部が挿通され
ているＱそして、このメタライズ層１３上にはルテニウ
ム、モリブデンおよびニッケル材からなる三元合金（Ｒ
ｕ−Ｍ ｏ −Ｎ ｉ ）ろう材１４が塗布、焼成して
固着され、フィラメント１およびサイドサポート５はそ
れぞれメタライズ層１３へ固定配置されている。
グネトロン陰極構体に適用した一実施例を示す断面図で
あシ、前述の図と同一部分は同一符号を付しその説明は
省略する。両図において、３′ｂえばアルミナ等からな
るセラミック製の下エンドシールドであシ、この下エン
ドシールド３′の上エンドシールド２との対向面および
らせん状フィラメント１の内側外接面にはモリブデンか
らなるメタライズ層１３が被着形成されている。また、
このセラミック裏下エンドシーにド３′の円形孔３ａに
は、センターサポート４がその外径が接触する程度の嵌
合度合で挿通されている。また、このセラミック裏下エ
ンドシールド３′の周端側には円形孔３ｂが形成され、
この円形孔３ｂにサイドサポート５の先端部が挿通され
ているＱそして、このメタライズ層１３上にはルテニウ
ム、モリブデンおよびニッケル材からなる三元合金（Ｒ
ｕ−Ｍ ｏ −Ｎ ｉ ）ろう材１４が塗布、焼成して
固着され、フィラメント１およびサイドサポート５はそ
れぞれメタライズ層１３へ固定配置されている。
このような構成によれば、セラミック裏下エンドシール
ド３′と前述したスペーサ９．１１（第１図、第２図参
照）とが一体化された構成となるので、前述の如き固定
用の金属リング１０．Ｅリング１２が不要となシ、部品
点数を低減させるとともに、構成が簡素化されるので、
組立コストが低減できる。ｔた、下エンドシールド３′
をアルミナ等のセラミック成形体で構成することによυ
、フィラメント１．センターサポート４およびサイドサ
ポート５が寸法的に極めて良好な嵌合状態で組立てがで
きるので、組立精度が高くなシ、安定かつ均一な電気的
特性が得られるとともに、高能率、高歩留シの生産が可
能となる。また、これに伴なって耐振性、耐衝撃性を向
上させることができる０ 第５図は本発明に係わるマグネトロン陰樹構体の他の実
施例を示す要部断面構成図であシ、第３図、第４図と同
一部分は同一符号を付しその説明は省略する。同図にお
いて、第４図と異なる点は、セラミック裏下エンドシー
ルド３′のセンタ−サポート４挿入用円形孔３ａの上エ
ンドシールド２側にはリング状の凹部３ｃが形成されて
いる。
ド３′と前述したスペーサ９．１１（第１図、第２図参
照）とが一体化された構成となるので、前述の如き固定
用の金属リング１０．Ｅリング１２が不要となシ、部品
点数を低減させるとともに、構成が簡素化されるので、
組立コストが低減できる。ｔた、下エンドシールド３′
をアルミナ等のセラミック成形体で構成することによυ
、フィラメント１．センターサポート４およびサイドサ
ポート５が寸法的に極めて良好な嵌合状態で組立てがで
きるので、組立精度が高くなシ、安定かつ均一な電気的
特性が得られるとともに、高能率、高歩留シの生産が可
能となる。また、これに伴なって耐振性、耐衝撃性を向
上させることができる０ 第５図は本発明に係わるマグネトロン陰樹構体の他の実
施例を示す要部断面構成図であシ、第３図、第４図と同
一部分は同一符号を付しその説明は省略する。同図にお
いて、第４図と異なる点は、セラミック裏下エンドシー
ルド３′のセンタ−サポート４挿入用円形孔３ａの上エ
ンドシールド２側にはリング状の凹部３ｃが形成されて
いる。
このような構成においても前述と全く同様の効果が得ら
れるとともに、リング状凹部３ｃを設けたことによシ、
フィラメント１からの蒸発物（金属微粉末）の堆積によ
る絶縁性の低下を防止することができる。
れるとともに、リング状凹部３ｃを設けたことによシ、
フィラメント１からの蒸発物（金属微粉末）の堆積によ
る絶縁性の低下を防止することができる。
第６図は本発明に係わるマグネトロン陰極構体のさらに
他の実施例を示す要部断面図でアシ、前述の図と同一部
分は同一符号を付し、その説明は省略する。同図におい
て、第４図と異なる点は、セラミック裏下エンドシール
ド３′の上エンドシールド２と対向する平面部のみにメ
タライズ層１３が形成されている。
他の実施例を示す要部断面図でアシ、前述の図と同一部
分は同一符号を付し、その説明は省略する。同図におい
て、第４図と異なる点は、セラミック裏下エンドシール
ド３′の上エンドシールド２と対向する平面部のみにメ
タライズ層１３が形成されている。
このような構成においても前述と全く同様の効果が得ら
れるとともに、セラミック裏下エンドシールド３′の凸
部３ｄがフィラメント１の位置出しに寄与でき、しかも
メタライズ層１３の端部の電界集中に対して有効な絶縁
効果が得られる。
れるとともに、セラミック裏下エンドシールド３′の凸
部３ｄがフィラメント１の位置出しに寄与でき、しかも
メタライズ層１３の端部の電界集中に対して有効な絶縁
効果が得られる。
第７図は本発明に係わるマグネトロン陰極構体を構成す
る下エンドシールドの他の実施例を示す断面図である。
る下エンドシールドの他の実施例を示す断面図である。
同図において、セラミック裏下エンドシールド３′は、
その全体を浸漬法によジメタライズ層１３を形成した後
、その上下方向両端面のみを研磨もしくは研削して絶縁
部分を形成したものである。このような構成による下エ
ンドシールド３′を用いても前述と全く同様の効果が得
られる０ また、第８図および第９図に示すようにセラミック剥下
エンドシールド３１を断面カ；凹形欣入方スように構成
しても前述と全く同様の効果が得られることは言うまで
もない。
その全体を浸漬法によジメタライズ層１３を形成した後
、その上下方向両端面のみを研磨もしくは研削して絶縁
部分を形成したものである。このような構成による下エ
ンドシールド３′を用いても前述と全く同様の効果が得
られる０ また、第８図および第９図に示すようにセラミック剥下
エンドシールド３１を断面カ；凹形欣入方スように構成
しても前述と全く同様の効果が得られることは言うまで
もない。
さらに、第６図、第７図、第８図および第９図に示した
実施例において、セラミック裏下エンドシールド３′の
センタ−サポート４挿入用円形孔３ａの上エンドシール
ド２側に、第５図および第９図で示したようなリング状
凹部３Ｃを形成することによシ、フィラメント１からの
蒸発物の堆積による絶縁性の低下を防止できることは勿
論である。
実施例において、セラミック裏下エンドシールド３′の
センタ−サポート４挿入用円形孔３ａの上エンドシール
ド２側に、第５図および第９図で示したようなリング状
凹部３Ｃを形成することによシ、フィラメント１からの
蒸発物の堆積による絶縁性の低下を防止できることは勿
論である。
以上説明したように本発明によれば、組立部品のコスト
および組立工数を低減できるとともに、耐振動性、耐衝
撃性の高い電子管陰極構体が得られるという極めて優れ
た効果を有する。
および組立工数を低減できるとともに、耐振動性、耐衝
撃性の高い電子管陰極構体が得られるという極めて優れ
た効果を有する。
第１図は従来のマグネトロン陰極構体の一例を示す断面
図、第２図は近年提案されているマグネトロン陰極構体
の一例を示す断面図、第３図は本発明による電子管陰極
構体の一実施例を示すマグネトロン陰極構体の断面図、
第４図は第３図の要部拡大断面図、第５図ないし第９図
は本発明による電子管陰極構体の他の実施例を示すマグ
ネトロン陰極構体の要部拡大断面図である。 １會・争・フィラメント、２・・・・上エンドシールド
、３′・・・−セラミック下エンドシールド、３ａ、３
ｂ・Ｑ・９円形孔、３ｃ・・・拳凹部、４・・・・セン
ターサポート、５・・拳・サイドサポート、６・・・・
電力供給端子、７・・・・ステムセラミック、８１１・
・・シール部品、１３・・−・メタライズ層、１４１Ｉ
・・会三元合金ろう材。 代理人弁理士 高橋明夫 第１図 第２図 第３図 第４図 第５図 第６図 第７図 第８図 第９図
図、第２図は近年提案されているマグネトロン陰極構体
の一例を示す断面図、第３図は本発明による電子管陰極
構体の一実施例を示すマグネトロン陰極構体の断面図、
第４図は第３図の要部拡大断面図、第５図ないし第９図
は本発明による電子管陰極構体の他の実施例を示すマグ
ネトロン陰極構体の要部拡大断面図である。 １會・争・フィラメント、２・・・・上エンドシールド
、３′・・・−セラミック下エンドシールド、３ａ、３
ｂ・Ｑ・９円形孔、３ｃ・・・拳凹部、４・・・・セン
ターサポート、５・・拳・サイドサポート、６・・・・
電力供給端子、７・・・・ステムセラミック、８１１・
・・シール部品、１３・・−・メタライズ層、１４１Ｉ
・・会三元合金ろう材。 代理人弁理士 高橋明夫 第１図 第２図 第３図 第４図 第５図 第６図 第７図 第８図 第９図
Claims (1)
- 熱電子を放出するフィラメントと、前記フィラメントの
上、下端を支持する高融点金属からなる上、下エンドシ
ールドと、前記上、下エンドシールドをそれぞれ支持し
かつ前記フィラメントに所定の電流を通電するセンター
サポート、サイドサポートとを少なくとも備えた電子管
陰極構体において、前記下エンドシールドをセラミック
によシ形成するとともに該下エンドシールドの表面にメ
タライズ層を設け、該メタライズ層に前記フィラメント
と前記サイドサポートとを各接合部においてろう付けし
て機械的に固定すると同時に電気的に接続することを特
徴とした電子管陰極構体。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59015111A JPS60163330A (ja) | 1984-02-01 | 1984-02-01 | 電子管陰極構体 |
| KR1019840007615A KR890002358B1 (ko) | 1984-02-01 | 1984-12-03 | 전자관 음극 구체 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59015111A JPS60163330A (ja) | 1984-02-01 | 1984-02-01 | 電子管陰極構体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60163330A true JPS60163330A (ja) | 1985-08-26 |
| JPH0552011B2 JPH0552011B2 (ja) | 1993-08-04 |
Family
ID=11879717
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59015111A Granted JPS60163330A (ja) | 1984-02-01 | 1984-02-01 | 電子管陰極構体 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60163330A (ja) |
| KR (1) | KR890002358B1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2275462B (en) * | 1992-05-19 | 1996-05-22 | Komatsu Mfg Co Ltd | Apparatus for limiting the operating envelope of a working tool |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0734107U (ja) * | 1993-12-07 | 1995-06-23 | 株式会社河合楽器製作所 | 防音パネルの支持構造 |
| JP2009118830A (ja) * | 2007-11-19 | 2009-06-04 | Iseki & Co Ltd | 歩行型の苗移植機 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5258481A (en) * | 1975-11-10 | 1977-05-13 | Hitachi Ltd | Ion generator |
| JPS5291355A (en) * | 1976-01-28 | 1977-08-01 | Hitachi Ltd | Cathode structure for electron tube |
-
1984
- 1984-02-01 JP JP59015111A patent/JPS60163330A/ja active Granted
- 1984-12-03 KR KR1019840007615A patent/KR890002358B1/ko not_active IP Right Cessation
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5258481A (en) * | 1975-11-10 | 1977-05-13 | Hitachi Ltd | Ion generator |
| JPS5291355A (en) * | 1976-01-28 | 1977-08-01 | Hitachi Ltd | Cathode structure for electron tube |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2275462B (en) * | 1992-05-19 | 1996-05-22 | Komatsu Mfg Co Ltd | Apparatus for limiting the operating envelope of a working tool |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0552011B2 (ja) | 1993-08-04 |
| KR850006245A (ko) | 1985-10-02 |
| KR890002358B1 (ko) | 1989-07-01 |
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