JPS6134180A - 無電解メツキ方法 - Google Patents
無電解メツキ方法Info
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- JPS6134180A JPS6134180A JP15633584A JP15633584A JPS6134180A JP S6134180 A JPS6134180 A JP S6134180A JP 15633584 A JP15633584 A JP 15633584A JP 15633584 A JP15633584 A JP 15633584A JP S6134180 A JPS6134180 A JP S6134180A
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- Japan
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- plating
- electroless plating
- electrode
- plated
- electrodes
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
- C23C18/1601—Process or apparatus
- C23C18/1633—Process of electroless plating
- C23C18/1655—Process features
- C23C18/1664—Process features with additional means during the plating process
- C23C18/1671—Electric field
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- Organic Chemistry (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明はメッキ的性能を向上するようにした無電解メ
ッキ方法の改良に関するものである。
ッキ方法の改良に関するものである。
従来この種メッキ方法は、無電解メッキ液中にメッキさ
れるべき素材（以下、ワークと称す）を浸せきすること
によりメッキを行っていた。第１図に従来の無電解メッ
キ方法を説明するための構成図を示し説明する。
れるべき素材（以下、ワークと称す）を浸せきすること
によりメッキを行っていた。第１図に従来の無電解メッ
キ方法を説明するための構成図を示し説明する。
第１図において、（１）はメッキ槽、（２）は無電解メ
ッキｌ、＋３１はメッキをつけるべき素材としてのワー
ク、（４）はワーク（３）をつるす吊り具である。
ッキｌ、＋３１はメッキをつけるべき素材としてのワー
ク、（４）はワーク（３）をつるす吊り具である。
次に従来の技術の作用について説明する。メツーＰ糟１
１１に建浴された無電解メッキ液（２）を配置し。
１１に建浴された無電解メッキ液（２）を配置し。
メッキ液（２）中にワーク（３）を吊り具（４）により
浸せきし化学作用によりワーク（３）はめっきがなされ
る。
浸せきし化学作用によりワーク（３）はめっきがなされ
る。
従来のメッキ方法においてはワーク（３）をメッキ液（
２）に浸せきすることによりメッキされる利点があり、
防蝕用メッキ、並びに装飾用メッキには広く使われてい
る。
２）に浸せきすることによりメッキされる利点があり、
防蝕用メッキ、並びに装飾用メッキには広く使われてい
る。
一方、上述した防蝕用並びに装飾用以外の機能をメッキ
層に持たせた１例えばメッキ層により磁性膜の役割を持
たせて電磁変換特性を有する如き。
層に持たせた１例えばメッキ層により磁性膜の役割を持
たせて電磁変換特性を有する如き。
いわゆる機能メッキを考えた場合、従来の化学メッキで
は、メッキ液中のイオンによりメツ゛キがなされるため
メッキ液中イオンの状況によりメッキ状態にバラツキが
生じ、メッキ膜厚及び均一性に問題がめった。
は、メッキ液中のイオンによりメツ゛キがなされるため
メッキ液中イオンの状況によりメッキ状態にバラツキが
生じ、メッキ膜厚及び均一性に問題がめった。
この発明は、従来の欠点を解消するためになされたもの
で、ワークに対抗させて電極を設け、電極とワークとの
間を導体でつなぐことにより閉回路を構成し、電極とワ
ーク間に無電解メッキ液を介して微少電流を流すように
しながら無電解メッキをすることにより、特に機能メッ
キに有効な無電解メッキ方法を提供するものである。
で、ワークに対抗させて電極を設け、電極とワークとの
間を導体でつなぐことにより閉回路を構成し、電極とワ
ーク間に無電解メッキ液を介して微少電流を流すように
しながら無電解メッキをすることにより、特に機能メッ
キに有効な無電解メッキ方法を提供するものである。
以下この発明の一実施例を第２図に示し詳細に説明する
。第２図において、ｔ１υは無電解メッキ槽。
。第２図において、ｔ１υは無電解メッキ槽。
０２は無電解メッキ液、０国はメッキをつけるべき素
。
。
材としてのワークであり、従来のメッキ槽（１）、メッ
キ１（２１，ワーク（３）と同様なものである。α４は
導体の吊り具、αすθＱは電極であり、ａηα枠はワー
ク０罎と電極Ｈ顧問に微少電流を流す電源である。
キ１（２１，ワーク（３）と同様なものである。α４は
導体の吊り具、αすθＱは電極であり、ａηα枠はワー
ク０罎と電極Ｈ顧問に微少電流を流す電源である。
ここで、より具体的な材料２組成について説明する。こ
の実施例は、ワーク０３としてアルミ円板にＮ１−Ｐメ
ッキがほどこされたものを使用し。
の実施例は、ワーク０３としてアルミ円板にＮ１−Ｐメ
ッキがほどこされたものを使用し。
その表面に機能メッキとしてＮｉ −Ｃｏ −Ｐメッキ
を主体とした磁気記録ｊ−を形成するものである。
を主体とした磁気記録ｊ−を形成するものである。
吊り具Ｉとしてはアルミ、チタンのほかその他の金属材
料でも良く、また電極ａｓ ｔｌｓとしてはワーク（３
）の材料と異なる第３図に示された如き材料を用い、吊
り具（Ｉ４と同様な金属材料を使用しても良い。
料でも良く、また電極ａｓ ｔｌｓとしてはワーク（３
）の材料と異なる第３図に示された如き材料を用い、吊
り具（Ｉ４と同様な金属材料を使用しても良い。
次に第２図に示したものの動作について説明する。ワー
クＱ３）と電極ａｓ （＋６１が電源＋１７１ （１１
９で接続されることにより、ワーク０階と電極（１５１
ａｅ間にメッキ液ａのを介して微少電流が流れ、無電解
メッキ時にこの助けをかりてワーク０１表面に均一にメ
ッキがなされるものである。
クＱ３）と電極ａｓ （＋６１が電源＋１７１ （１１
９で接続されることにより、ワーク０階と電極（１５１
ａｅ間にメッキ液ａのを介して微少電流が流れ、無電解
メッキ時にこの助けをかりてワーク０１表面に均一にメ
ッキがなされるものである。
即ち、磁性メッキを行なう磁気ディスクを例にとると、
磁性メッキ時にＮｉ −Ｃｏ −ｆ Ｐが成膜されるが
、メッキ液がＮｉ−Ｃｏを主体とした液であるので第３
図よりＮ１（−０，２２Ｖ ） 、 Ｃ！ｏ（−０，２
９Ｖ）となり、電極Ｑ’９ＨＧ！ Ａ４ （１，３４Ｖ
） 、 Ａｕ（十ｔｅａ ｖ ）の直からいずれも良
く、この様にすることになりメッキ時に付着する粒子が
電極電位差を利用するため均一化された安定した磁性皮
膜を得ることができ、さらに従来のメッキ生成速度がｏ
、ｏｌｏ Ｃｍ／時〕に対してこの発明の実施例によれ
ば０．０３ ［Ｂ／ｖｆ：ｌの早さであり、短時間にメ
ッキ層が生成できる。
磁性メッキ時にＮｉ −Ｃｏ −ｆ Ｐが成膜されるが
、メッキ液がＮｉ−Ｃｏを主体とした液であるので第３
図よりＮ１（−０，２２Ｖ ） 、 Ｃ！ｏ（−０，２
９Ｖ）となり、電極Ｑ’９ＨＧ！ Ａ４ （１，３４Ｖ
） 、 Ａｕ（十ｔｅａ ｖ ）の直からいずれも良
く、この様にすることになりメッキ時に付着する粒子が
電極電位差を利用するため均一化された安定した磁性皮
膜を得ることができ、さらに従来のメッキ生成速度がｏ
、ｏｌｏ Ｃｍ／時〕に対してこの発明の実施例によれ
ば０．０３ ［Ｂ／ｖｆ：ｌの早さであり、短時間にメ
ッキ層が生成できる。
ここで、電源Ｑ７）（ＩＳの挿入方向について検討する
に、その方向は＋、−をどちらに接続するかに促成にお
いても動作が異なる。すなわち微少電流を流す方向によ
り膜形成は遅いが、結晶が細かくなる場合（電極間電位
差を打ち消す方向の場合）と。
に、その方向は＋、−をどちらに接続するかに促成にお
いても動作が異なる。すなわち微少電流を流す方向によ
り膜形成は遅いが、結晶が細かくなる場合（電極間電位
差を打ち消す方向の場合）と。
膜形成が早いが結晶が荒くなる場合（電極間電位差を増
強する方向の場合）があり１機能メッキの用途並びに目
的により選択すれば良い。
強する方向の場合）があり１機能メッキの用途並びに目
的により選択すれば良い。
例えば、磁性メッキの場合は、結晶が細かい方が良いこ
とから、電源αηα神をコントロールしてより微弱な微
少電流とすること罠より、所望の磁気特性が得られるこ
ととなる。
とから、電源αηα神をコントロールしてより微弱な微
少電流とすること罠より、所望の磁気特性が得られるこ
ととなる。
以上磁性メッキについて述べたが１機能メッキには本方
法が有用であることは明らかである。なお、この発明は
電極電位差を利用するので従来より安定的：て短時間で
機能メッキが可能となるものであるが、メッキ時の条件
により従来方法とこの発明方法との同異は表１の如くな
る。
法が有用であることは明らかである。なお、この発明は
電極電位差を利用するので従来より安定的：て短時間で
機能メッキが可能となるものであるが、メッキ時の条件
により従来方法とこの発明方法との同異は表１の如くな
る。
表 １
なおこの発明の一実施例の説明中、ワーク（ｌ■をはさ
んで一対の電極ａｓ ａｓを対抗配置したものとして説
明したが、電極の配置としては電極ａ９だけ。
んで一対の電極ａｓ ａｓを対抗配置したものとして説
明したが、電極の配置としては電極ａ９だけ。
又は電極ａＯだけでもこの発明を実施することができる
。また１％電解メッキ槽１ｌｌ）をアースと絶縁された
等の金属材料で少なくともその浴槽表面を構成して電極
とし、このメッキ槽とワークとを一台の可変電源で結ぶ
ことにより、この発明を実施することもできる。すなわ
ち、無電解メッキ槽の少なくともその浴槽表面（全体で
あっても良い）を電極ＱＦＨＩＱの代替とすることであ
る。
。また１％電解メッキ槽１ｌｌ）をアースと絶縁された
等の金属材料で少なくともその浴槽表面を構成して電極
とし、このメッキ槽とワークとを一台の可変電源で結ぶ
ことにより、この発明を実施することもできる。すなわ
ち、無電解メッキ槽の少なくともその浴槽表面（全体で
あっても良い）を電極ＱＦＨＩＱの代替とすることであ
る。
さらにこの発明は１以上述べたように解電解メッキの特
性に応じて、可変電源の極性を＋、−のどちらを選んで
も良いものである。
性に応じて、可変電源の極性を＋、−のどちらを選んで
も良いものである。
次にこの発明の他の実施例を第４図に示し詳細に説明す
る。第４図において、第２図と同一符号は同−又は相当
部分を示すものであり、この実施例の可変直流電源Ｑ？
ｌ Ｏｓを取外し、ワークα四と電極Ｑ！９ ａｎとを
構成する材料により生ずる電極間電位差を利用してワー
ク０階と電極ａ９αＱ間に無電解メッキ液α２を介して
微少電流を流すようにしたものである。なお、（１１は
ワークαＱと電極０５１（ＩＱとを電気的に接続するた
めの導体である。
る。第４図において、第２図と同一符号は同−又は相当
部分を示すものであり、この実施例の可変直流電源Ｑ？
ｌ Ｏｓを取外し、ワークα四と電極Ｑ！９ ａｎとを
構成する材料により生ずる電極間電位差を利用してワー
ク０階と電極ａ９αＱ間に無電解メッキ液α２を介して
微少電流を流すようにしたものである。なお、（１１は
ワークαＱと電極０５１（ＩＱとを電気的に接続するた
めの導体である。
次に、第３図に示したものの動作について説明する。ワ
ークαＱと電極−＋ｌｆ９が導体０９α９並びに導体で
構成された吊り具（４）を介して接続されることにより
、ワーク０階と電極Ｑ！９ ｆＩＱ間に電位差による微
少電流が流れ、無電解メッキ時にこの助けをかりて先の
実施例とはゾ同様にツー２０１表面に均一にメッキがな
されるものである。
ークαＱと電極−＋ｌｆ９が導体０９α９並びに導体で
構成された吊り具（４）を介して接続されることにより
、ワーク０階と電極Ｑ！９ ｆＩＱ間に電位差による微
少電流が流れ、無電解メッキ時にこの助けをかりて先の
実施例とはゾ同様にツー２０１表面に均一にメッキがな
されるものである。
即ち、磁気ディスクを例にとると、磁性メッキ時に付着
する粒子が均一化され安定した磁性成豚性能を得るよう
に同一浴組成、同一温度、同一濃度、同一攪拌、同一時
間で、従来方法とこの発明の一実施例である電極０９０
０がＡｔで、ツー２０句がＮ１−Ｐメッキが加・された
ものと銅線導体αｌで接続した実験例を表２に示す。
する粒子が均一化され安定した磁性成豚性能を得るよう
に同一浴組成、同一温度、同一濃度、同一攪拌、同一時
間で、従来方法とこの発明の一実施例である電極０９０
０がＡｔで、ツー２０句がＮ１−Ｐメッキが加・された
ものと銅線導体αｌで接続した実験例を表２に示す。
表 ２
上記実験結果から判断してこの発明の方法により、実用
周波数ＩＦ、及び２Ｆの出力が増大しており、メッキ膜
厚を一般に増した場合実用周波数１Ｆの出力が増し、２
Ｆで下がるのと現象が異なっており、結果として分解能
（ＲｅＳ、）が向上している。これはこの発明を実施す
ることにより１粒子が均一化され特性のトゾれたメッキ
膜が形成されていることを示すことになる。
周波数ＩＦ、及び２Ｆの出力が増大しており、メッキ膜
厚を一般に増した場合実用周波数１Ｆの出力が増し、２
Ｆで下がるのと現象が異なっており、結果として分解能
（ＲｅＳ、）が向上している。これはこの発明を実施す
ることにより１粒子が均一化され特性のトゾれたメッキ
膜が形成されていることを示すことになる。
なおこの発明の他の実施例の説明中、ワークＱ３）をは
さんで一対の電極ｔｉ９α０を対抗配置したものとして
説明したが、電極の配置としては電極α９だけ又は電極
Ｏｅだけでもこの発明を実施することができる。また無
電解メッキ槽を電極材料で構成することにより電極とし
、このメッキ浴とワークを導体で結ぶことにより、この
発明を実施することができる。すなわち、無電解メッキ
槽０１）を電極αω００の代替とすることである。
さんで一対の電極ｔｉ９α０を対抗配置したものとして
説明したが、電極の配置としては電極α９だけ又は電極
Ｏｅだけでもこの発明を実施することができる。また無
電解メッキ槽を電極材料で構成することにより電極とし
、このメッキ浴とワークを導体で結ぶことにより、この
発明を実施することができる。すなわち、無電解メッキ
槽０１）を電極αω００の代替とすることである。
以上のようにこの発明は、簡単な構成で１％性について
厳しい機能メッキが容易にできる効果を有するものであ
る。
厳しい機能メッキが容易にできる効果を有するものであ
る。
第１図は従来のメッキ方法を説明するための図。
第２図は、この発明の実施例によるメッキ方法を説明す
るための図、第３図は電極材料並びにその電位を示す図
、第４図はこの発明の他の実施例による機能メッキ方法
を説明するための図である。 ａυ・・・メッキ槽、 ［１２＋・・・メッキｉ 、
（１３１・・・ワー−り、０４）・・・吊り具ｔ’ ＋
ｌα０・・・電極、Ｑ７）（ＩＩ・・・電源、ａＩ・・
・導体。 なお図中、同一符号は同−又は相当部分を示す。
るための図、第３図は電極材料並びにその電位を示す図
、第４図はこの発明の他の実施例による機能メッキ方法
を説明するための図である。 ａυ・・・メッキ槽、 ［１２＋・・・メッキｉ 、
（１３１・・・ワー−り、０４）・・・吊り具ｔ’ ＋
ｌα０・・・電極、Ｑ７）（ＩＩ・・・電源、ａＩ・・
・導体。 なお図中、同一符号は同−又は相当部分を示す。
Claims (5)
- （１）無電解メッキ液中にメッキされる素材を浸せきし
てメッキするようにした無電解メッキ方法に於て、上記
素材と対抗させて電極を設け、この電極と上記素材間に
上記メッキ液を介して微少電流を流しながらメッキする
ようにしたことを特徴とする無電解メッキ方法。 - （２）微少電流は、メッキされる素材と電極を構成する
材料とにより生ずる電位差に基づく程度の微少電流とし
たことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の無電解
メッキ方法。 - （３）微少電流を３メッキされる素材と電極との間の電
源により制御するようにしたことを特徴とする特許請求
の範囲第１項記載の無電解メッキ方法。 - （４）微少電流を、メッキされる素材と電極との間を導
体で接続することにより流すようにしたことを特徴とす
る特許請求の範囲第１項記載の無電解メッキ方法。 - （５）電極を、無電解メッキ液槽としたことを特徴とす
る特許請求の範囲第１項記載の無電解メッキ方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15633584A JPS6134180A (ja) | 1984-07-26 | 1984-07-26 | 無電解メツキ方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15633584A JPS6134180A (ja) | 1984-07-26 | 1984-07-26 | 無電解メツキ方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6134180A true JPS6134180A (ja) | 1986-02-18 |
Family
ID=15625523
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15633584A Pending JPS6134180A (ja) | 1984-07-26 | 1984-07-26 | 無電解メツキ方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6134180A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2007148785A1 (ja) * | 2006-06-23 | 2007-12-27 | Neomax Materials Co., Ltd. | 無電解Ｎｉ－Ｐめっき法および電子部品用基板 |
| JP2009087660A (ja) * | 2007-09-28 | 2009-04-23 | Fujifilm Corp | 導電性材料の製造方法 |
| US8268400B2 (en) | 2007-09-28 | 2012-09-18 | Fujifilm Corporation | Method and apparatus for producing conductive material |
-
1984
- 1984-07-26 JP JP15633584A patent/JPS6134180A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2007148785A1 (ja) * | 2006-06-23 | 2007-12-27 | Neomax Materials Co., Ltd. | 無電解Ｎｉ－Ｐめっき法および電子部品用基板 |
| US8101867B2 (en) | 2006-06-23 | 2012-01-24 | Neomax Materials Co., Ltd. | Electroless Ni-P plating method and substrate for electronic component |
| JP4870761B2 (ja) * | 2006-06-23 | 2012-02-08 | 株式会社Ｎｅｏｍａｘマテリアル | 無電解Ｎｉ−Ｐめっき法および電子部品用基板 |
| JP2009087660A (ja) * | 2007-09-28 | 2009-04-23 | Fujifilm Corp | 導電性材料の製造方法 |
| US8268400B2 (en) | 2007-09-28 | 2012-09-18 | Fujifilm Corporation | Method and apparatus for producing conductive material |
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