JPS6132376A - 正抵抗温度係数を有する発熱体の製造方法 - Google Patents
正抵抗温度係数を有する発熱体の製造方法Info
- Publication number
- JPS6132376A JPS6132376A JP15241784A JP15241784A JPS6132376A JP S6132376 A JPS6132376 A JP S6132376A JP 15241784 A JP15241784 A JP 15241784A JP 15241784 A JP15241784 A JP 15241784A JP S6132376 A JPS6132376 A JP S6132376A
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- JP
- Japan
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- resistance
- kneaded product
- heating element
- temperature coefficient
- positive temperature
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- Resistance Heating (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は正抵抗温度係数を有する発熱体の製造方法に関
し、特にその高温時の安定性に関するものである。
し、特にその高温時の安定性に関するものである。
従来例の構成とその問題点
近年、０巳温度制御用ヒータとして正抵抗温度係数を有
する発熱体が注目されている。
する発熱体が注目されている。
以下、図面を参照しながら、上述したような従来の正抵
抗温度係数を有する発熱体について説明する。
抗温度係数を有する発熱体について説明する。
第１図は従来のポリエチレン樹脂にカーボンを混練した
正抵抗温度係数を有する発熱体の温度と抵抗の変化を示
すものである。第１図において、１は室温より温度の上
昇に伴い、抵抗が増加している部分である。２は樹脂の
副Ｉ点近くで抵抗が急上昇している。３は抵抗が５０〜
５００ＭΩ程度の値を保つ。４は樹脂が溶融状態になシ
、抵抗値が急激に低下し常温初期抵抗値に近づく、Ｓは
常温になった時の抵抗値である。
正抵抗温度係数を有する発熱体の温度と抵抗の変化を示
すものである。第１図において、１は室温より温度の上
昇に伴い、抵抗が増加している部分である。２は樹脂の
副Ｉ点近くで抵抗が急上昇している。３は抵抗が５０〜
５００ＭΩ程度の値を保つ。４は樹脂が溶融状態になシ
、抵抗値が急激に低下し常温初期抵抗値に近づく、Ｓは
常温になった時の抵抗値である。
以上のように従来の正抵抗温度係数を有する発熱体につ
いて、その動作について説明した。
いて、その動作について説明した。
上記の様な特性では、抵抗体が外部の熱の影響により、
１２０〜１６０℃以上になった時は、抵抗が低下し、負
抵抗温度係数の特性となり、更に外部よシの熱で温度が
上昇する危険性を有していた。
１２０〜１６０℃以上になった時は、抵抗が低下し、負
抵抗温度係数の特性となり、更に外部よシの熱で温度が
上昇する危険性を有していた。
発明の目的
本発明は上記欠点に鑑み、高温時、樹脂の溶融により樹
脂内のカーボンが自由に動いて、抵抗を下がるのを、架
橋によって抑制することを目的にしている。カーボンの
含量と電子線照射量を制御することにより発熱体の抵抗
値を高温時、常温時間を可逆、非可逆にすることが出来
る。
脂内のカーボンが自由に動いて、抵抗を下がるのを、架
橋によって抑制することを目的にしている。カーボンの
含量と電子線照射量を制御することにより発熱体の抵抗
値を高温時、常温時間を可逆、非可逆にすることが出来
る。
発明の溝成
この目的を達成するために本発明の正抵抗温度係数を有
する発熱体は、結晶性樹脂に導電性物・を混練した混練
物を熱処理し結晶内と非結晶部分に導電物による導電通
路を得た後に、電子線架橋を行い、導電物を架橋によっ
て、固定することによって、高温時でも容易に導電回路
が安定しており抵抗の低下を押えると同時に熱による変
形をも防止出来る。
する発熱体は、結晶性樹脂に導電性物・を混練した混練
物を熱処理し結晶内と非結晶部分に導電物による導電通
路を得た後に、電子線架橋を行い、導電物を架橋によっ
て、固定することによって、高温時でも容易に導電回路
が安定しており抵抗の低下を押えると同時に熱による変
形をも防止出来る。
実施例の説明
以下本発明の一実施例について図興を参照しながら説明
する。第２図は本発明の第１の実施例における正抵抗温
度係数を有する発熱体の温度と抵抗の特性を示すもので
ある。低密度ポリエチレンに８％のアセチレンプラ、り
を混練し、前記混練物を１９０℃、２時間の雰囲気を保
った後、４°Ｃ／ ｆｆｌ ｉ ｎ の冷却速度で室
温迄冷却する。
する。第２図は本発明の第１の実施例における正抵抗温
度係数を有する発熱体の温度と抵抗の特性を示すもので
ある。低密度ポリエチレンに８％のアセチレンプラ、り
を混練し、前記混練物を１９０℃、２時間の雰囲気を保
った後、４°Ｃ／ ｆｆｌ ｉ ｎ の冷却速度で室
温迄冷却する。
前記熱処理した混練物を１０メガラツドの電子線照射を
行って得られた発熱体の特性図である。
行って得られた発熱体の特性図である。
１は室温よシ昇温するとともに上昇する抵抗値を示す、
２は低密度ポリエチレンの軟化点である。
２は低密度ポリエチレンの軟化点である。
軟化点で急激に抵抗は上昇し３．１．０００ＭΩ程度の
値になシ、１９０℃迄の昇温にも抵抗の低下は見られな
い４゜発熱体を冷却して行って室温迄下げても上記条件
で作成したものは非可逆性で室温になっても５．１．０
００ ＭΩの値を示す。
値になシ、１９０℃迄の昇温にも抵抗の低下は見られな
い４゜発熱体を冷却して行って室温迄下げても上記条件
で作成したものは非可逆性で室温になっても５．１．０
００ ＭΩの値を示す。
以下本発明の第２の実施例について第３図を参照しなが
ら説明する。低密度ポリエチレンに８チのアセチレンプ
ラックを混練し、０１１記混練物を１９０℃、２時間の
雰囲気を保った後、４°ｑ。
ら説明する。低密度ポリエチレンに８チのアセチレンプ
ラックを混練し、０１１記混練物を１９０℃、２時間の
雰囲気を保った後、４°ｑ。
の冷却速度で室温迄冷却、前記熱処理した混練物を５メ
ガラツドの電子線照射を行って得られた発熱体の特性図
である。１は室温より昇温抵抗増加を示す。２は低密度
ポリエチレンの軟化点で急激に抵抗増加し、３で１００
０ＭΩの値を示す１８０°Ｃ迄４、抵抗は高抵抗を示す
。冷却は軟化点１００℃を過ぎると低下し室温迄もどる
と可逆性を示す。高温部では完全な高抵抗を示すが初期
の熱上げ前よシもやや高目の抵抗を示す特徴がある。
ガラツドの電子線照射を行って得られた発熱体の特性図
である。１は室温より昇温抵抗増加を示す。２は低密度
ポリエチレンの軟化点で急激に抵抗増加し、３で１００
０ＭΩの値を示す１８０°Ｃ迄４、抵抗は高抵抗を示す
。冷却は軟化点１００℃を過ぎると低下し室温迄もどる
と可逆性を示す。高温部では完全な高抵抗を示すが初期
の熱上げ前よシもやや高目の抵抗を示す特徴がある。
以下本発明の第３の実施例について第４図を参照しなが
ら説明する。低密度ポリエチレンに１２チのアセチレン
ブラックを混練し、前記混練物を１９０℃、２時間の雰
囲気を保った後、４℃フイ、ｉｎの冷却速度で室温迄冷
却、前記熱処理した混練物を５メガランドの電子線照射
を行って得られた特性図である。１は室温よシ昇温、抵
抗の増加を示す。２は低密度ポリエチレンの軟化点で急
激な抵抗増加を示す３・・・１０００ＭΩ、４は温度上
昇にともなって、１８０℃近辺になると抵抗は数メガオ
ームの値を示す。１０００ＭΩの値よりは低いかＭΩオ
ーダであるので電気的にはほとんど電流は流れない、冷
却では常温で期抵抗値５とほぼ同一の値を得る。
ら説明する。低密度ポリエチレンに１２チのアセチレン
ブラックを混練し、前記混練物を１９０℃、２時間の雰
囲気を保った後、４℃フイ、ｉｎの冷却速度で室温迄冷
却、前記熱処理した混練物を５メガランドの電子線照射
を行って得られた特性図である。１は室温よシ昇温、抵
抗の増加を示す。２は低密度ポリエチレンの軟化点で急
激な抵抗増加を示す３・・・１０００ＭΩ、４は温度上
昇にともなって、１８０℃近辺になると抵抗は数メガオ
ームの値を示す。１０００ＭΩの値よりは低いかＭΩオ
ーダであるので電気的にはほとんど電流は流れない、冷
却では常温で期抵抗値５とほぼ同一の値を得る。
発明の効果
以上のように本発明は、結晶性樹脂に導電物の混入の割
合と熱処理条件及び電子線照射量を制御することによっ
て高温時に安定でかつ抵抗の可逆性のもの、非可逆性の
ものが得られ、正温度係数を有する発熱体の信頼性（高
温時の）が飛躍的向上することが出来、その効果は大な
るものがある。
合と熱処理条件及び電子線照射量を制御することによっ
て高温時に安定でかつ抵抗の可逆性のもの、非可逆性の
ものが得られ、正温度係数を有する発熱体の信頼性（高
温時の）が飛躍的向上することが出来、その効果は大な
るものがある。
第１図は従来の発熱体の温度と抵抗の特性図、第２図、
第３図、第４図はそれぞれ本発明の各実施例の発熱体の
温度と抵抗の特性図である。 １・・・・・・室温よシ昇温している抵抗変化、２・川
・・樹脂の軟化点で抵抗が急上昇する抵抗値、３・山・
・高温部で抵抗無限（１０００ＭΩ）になった状態、４
・・・・・・１８０℃迄到達した抵抗値、５・・・・・
・高温よシ冷却して室温迄もどした発熱体の抵抗値。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 第２図 Ｔｔ−戸（’ｅ） 第３図 Ｔｅみ １・
第３図、第４図はそれぞれ本発明の各実施例の発熱体の
温度と抵抗の特性図である。 １・・・・・・室温よシ昇温している抵抗変化、２・川
・・樹脂の軟化点で抵抗が急上昇する抵抗値、３・山・
・高温部で抵抗無限（１０００ＭΩ）になった状態、４
・・・・・・１８０℃迄到達した抵抗値、５・・・・・
・高温よシ冷却して室温迄もどした発熱体の抵抗値。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 第２図 Ｔｔ−戸（’ｅ） 第３図 Ｔｅみ １・
Claims (4)
- （１）結晶性樹脂に導電物を混練した混練物を熱処理し
て得られた発熱体に電子線を照射し、前記結晶性樹脂の
内の非結晶部分を架橋した正抵抗温度係数を有する発熱
体の製造方法。 - （２）ポリエチレンにカーボンを混練して混練物を作り
、前記混練物を融点以上で加熱し冷却を行った際、前記
混練物に電子線照射し非結晶部分を架橋した特許請求の
範囲第１項記載の正抵抗温度係数を有する発熱体の製造
方法。 - （３）低密度ポリエチレンに６〜１０％のアセチレンブ
ラックカーボンを混練し、前記混練物を１５０〜１９０
℃、１〜２時間熱処理し、８℃／ｍｉｎ以下の冷却速度
で冷却後、８メガラッド以上の電子線照射し、非結晶部
分を架橋し高温時安定と、非可逆性とした特許請求の範
囲第１項記載の正抵抗温度係数を有する発熱体の製造方
法。 - （４）低密度ポリエチレンに１０〜２０％のアセチレン
ブラックカーボンを混練して混練物を作り、前記混練物
を１５０〜１９０℃、１〜２時間熱処理し、８℃／ｍｉ
ｎ以下の冷却速度で冷却後、１０メガラッド以下の電子
線照射し、非結晶部分の架橋した高温時安定と可逆性と
した特許請求の範囲第１項記載の正抵抗温度係数を有す
る発熱体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15241784A JPS6132376A (ja) | 1984-07-23 | 1984-07-23 | 正抵抗温度係数を有する発熱体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15241784A JPS6132376A (ja) | 1984-07-23 | 1984-07-23 | 正抵抗温度係数を有する発熱体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6132376A true JPS6132376A (ja) | 1986-02-15 |
Family
ID=15540052
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15241784A Pending JPS6132376A (ja) | 1984-07-23 | 1984-07-23 | 正抵抗温度係数を有する発熱体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6132376A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61218117A (ja) * | 1985-03-14 | 1986-09-27 | レイケム・コーポレイシヨン | 導電性架橋ポリマーを含む電気デバイスの製造方法 |
| JPS6357701U (ja) * | 1986-10-02 | 1988-04-18 | ||
| JPS63278303A (ja) * | 1987-05-11 | 1988-11-16 | Nippon Mektron Ltd | Ｐｔｃ素子 |
| JPH02109252A (ja) * | 1988-10-19 | 1990-04-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電池用ｐｔｃ装置 |
-
1984
- 1984-07-23 JP JP15241784A patent/JPS6132376A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61218117A (ja) * | 1985-03-14 | 1986-09-27 | レイケム・コーポレイシヨン | 導電性架橋ポリマーを含む電気デバイスの製造方法 |
| JPS6357701U (ja) * | 1986-10-02 | 1988-04-18 | ||
| JPS63278303A (ja) * | 1987-05-11 | 1988-11-16 | Nippon Mektron Ltd | Ｐｔｃ素子 |
| JPH02109252A (ja) * | 1988-10-19 | 1990-04-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電池用ｐｔｃ装置 |
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