JPS6130750B2 - - Google Patents
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- JPS6130750B2 JPS6130750B2 JP17352580A JP17352580A JPS6130750B2 JP S6130750 B2 JPS6130750 B2 JP S6130750B2 JP 17352580 A JP17352580 A JP 17352580A JP 17352580 A JP17352580 A JP 17352580A JP S6130750 B2 JPS6130750 B2 JP S6130750B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- heat sink
- resin
- semiconductor device
- screw hole
- distance
- Prior art date
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- Expired
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 21
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 13
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 13
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims 1
- 239000004519 grease Substances 0.000 description 2
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
- H01L23/3107—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
- H01L23/42—Fillings or auxiliary members in containers or encapsulations selected or arranged to facilitate heating or cooling
- H01L23/433—Auxiliary members in containers characterised by their shape, e.g. pistons
- H01L23/4334—Auxiliary members in encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
- H01L2924/183—Connection portion, e.g. seal
- H01L2924/18301—Connection portion, e.g. seal being an anchoring portion, i.e. mechanical interlocking between the encapsulation resin and another package part
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
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- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、半導体装置、特に外部放熱器等への
取付けのためのネジ止め用穴が設けられた樹脂封
止型高耐圧半導体装置に関するものである。
取付けのためのネジ止め用穴が設けられた樹脂封
止型高耐圧半導体装置に関するものである。
一般に、この種の半導体装置は、その透視平面
図を第１図に示すように、半導体素子搭載部１が
放熱板となり、さらに放熱板には外部放熱器への
取付けのためのネジ止め用穴３が設けられてい
る。そして、樹脂２で封止されるが、このとき、
ネジ止め用穴３の側面にも樹脂が、第２図のよう
に被覆される。この場合、ねじ穴３の樹脂面４と
放熱板１の外部露出面端部５との距離ｌが特に高
耐圧用の半導体装置の信頼性にとつて重要な問題
となる。即ち、この種の半導体装置はねじ穴３に
ねじ等の締め具が挿入されてシヤーシや放熱器等
に実装される。このとき、放熱板１はそのままコ
レクタ電極となるのでマイヤーやグリスを介して
シヤーシ等に取り付けられるが、グリス等のかた
まりにより締め具と放熱板１との間に空間が生じ
る。このため、その空間での放電耐圧を考慮する
必要がある。一方、樹脂２の耐圧は非常に大きい
ので、使用印加電圧による耐圧は問題とならな
い。空気中での放電耐圧は一般に１mmで1KVであ
る。よつて、放熱板１と締め具との間に生じる空
間での放電耐圧が半導体装置の信頼性を左右する
ことになり、よつて1KV以上の印加電圧で使用す
る高耐圧の半導体装置では上述の距離ｌをそれだ
け大きくする必要がある。この場合、単純には穴
３を大きくすればよいが、素子のマウント性や放
熱性を考えると放熱板１全体を大きくする必要が
あり、よつて経済的に不利な設計を余儀なくされ
ていた。
図を第１図に示すように、半導体素子搭載部１が
放熱板となり、さらに放熱板には外部放熱器への
取付けのためのネジ止め用穴３が設けられてい
る。そして、樹脂２で封止されるが、このとき、
ネジ止め用穴３の側面にも樹脂が、第２図のよう
に被覆される。この場合、ねじ穴３の樹脂面４と
放熱板１の外部露出面端部５との距離ｌが特に高
耐圧用の半導体装置の信頼性にとつて重要な問題
となる。即ち、この種の半導体装置はねじ穴３に
ねじ等の締め具が挿入されてシヤーシや放熱器等
に実装される。このとき、放熱板１はそのままコ
レクタ電極となるのでマイヤーやグリスを介して
シヤーシ等に取り付けられるが、グリス等のかた
まりにより締め具と放熱板１との間に空間が生じ
る。このため、その空間での放電耐圧を考慮する
必要がある。一方、樹脂２の耐圧は非常に大きい
ので、使用印加電圧による耐圧は問題とならな
い。空気中での放電耐圧は一般に１mmで1KVであ
る。よつて、放熱板１と締め具との間に生じる空
間での放電耐圧が半導体装置の信頼性を左右する
ことになり、よつて1KV以上の印加電圧で使用す
る高耐圧の半導体装置では上述の距離ｌをそれだ
け大きくする必要がある。この場合、単純には穴
３を大きくすればよいが、素子のマウント性や放
熱性を考えると放熱板１全体を大きくする必要が
あり、よつて経済的に不利な設計を余儀なくされ
ていた。
本発明は、上述した不都合な点を改良して従来
と同一寸法の放熱板で高耐圧用の樹脂封止型半導
体装置を提供することを目的とする。
と同一寸法の放熱板で高耐圧用の樹脂封止型半導
体装置を提供することを目的とする。
本発明によれば、放熱板の外部露出面のねじ穴
部の端部と樹脂面との距離がねじ穴の樹脂内の側
面と樹脂面とのそれよりも長いことを特徴とする
半導体装置を得る。
部の端部と樹脂面との距離がねじ穴の樹脂内の側
面と樹脂面とのそれよりも長いことを特徴とする
半導体装置を得る。
以下、図面を参照して本発明の実施例を詳細に
説明する。
説明する。
第３図は本発明の一実施例による半導体装置の
特にネジ止め部の断面図である。この図から明ら
かなように、放熱板１のネジ穴３の側面に傾斜を
つけることによつて、放熱板１の露出端部５とネ
ジ穴３の樹脂面４との距離l′を大きくしている。
よつて、その傾斜のつけ方で距離l′を２〜３mm程
度することができ、２〜3KVの高電圧に耐えるこ
とができる。しかも、ネジ穴３の樹脂２内での径
は従来と同じであるから、素子のマウントが確実
になされ、かつ放熱効果も満足できる。
特にネジ止め部の断面図である。この図から明ら
かなように、放熱板１のネジ穴３の側面に傾斜を
つけることによつて、放熱板１の露出端部５とネ
ジ穴３の樹脂面４との距離l′を大きくしている。
よつて、その傾斜のつけ方で距離l′を２〜３mm程
度することができ、２〜3KVの高電圧に耐えるこ
とができる。しかも、ネジ穴３の樹脂２内での径
は従来と同じであるから、素子のマウントが確実
になされ、かつ放熱効果も満足できる。
第４図は他の実施例で、放熱板１の露出面端部
に凹部を設け、端部５と樹脂面４との距離l′を長
くしたものである。尚、この凹部の厚さはできる
だけ厚くし、樹脂２の機械的強度を保つようにす
る。
に凹部を設け、端部５と樹脂面４との距離l′を長
くしたものである。尚、この凹部の厚さはできる
だけ厚くし、樹脂２の機械的強度を保つようにす
る。
以上のように、本発明は装置の外形を変更する
ことなく放電耐圧を高め、もつて高出力の半導体
装置を提供できる。
ことなく放電耐圧を高め、もつて高出力の半導体
装置を提供できる。
第１図は一般的な樹脂封止型半導体装置の透視
平面図、第２図は従来構造による第１図のａ−
a′に於ける断面図、第３図は本発明の一実施例に
よる半導体装置の特にネジ穴部の断面図、第４図
は他の実施例の断面図である。 １……樹脂封止型半導体装置の放熱板、２……
樹脂封止型半導体装置の樹脂、３……樹脂封止型
半導体装置の取り付けねじ穴、ｌ，l′……本発明
にかかる放熱板とねじ穴までの距離。
平面図、第２図は従来構造による第１図のａ−
a′に於ける断面図、第３図は本発明の一実施例に
よる半導体装置の特にネジ穴部の断面図、第４図
は他の実施例の断面図である。 １……樹脂封止型半導体装置の放熱板、２……
樹脂封止型半導体装置の樹脂、３……樹脂封止型
半導体装置の取り付けねじ穴、ｌ，l′……本発明
にかかる放熱板とねじ穴までの距離。
Claims (1)
- １ ねじ穴が設けられた放熱板の上面に半導体素
子を搭載すると共に該放熱板の下面が露出するよ
うに上記半導体素子、上記上面、および上記ねじ
穴の側面を被覆する封止樹脂を有する半導体装置
において、上記放熱板の側面は上記ねじ穴の内部
においてのみ上記上面で直径が小さく上記露出面
で直径が大きくなるようにテーパまたは段部が設
けられていることを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17352580A JPS5796559A (en) | 1980-12-09 | 1980-12-09 | Semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17352580A JPS5796559A (en) | 1980-12-09 | 1980-12-09 | Semiconductor device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5796559A JPS5796559A (en) | 1982-06-15 |
| JPS6130750B2 true JPS6130750B2 (ja) | 1986-07-15 |
Family
ID=15962132
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17352580A Granted JPS5796559A (en) | 1980-12-09 | 1980-12-09 | Semiconductor device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5796559A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58170044A (ja) * | 1982-03-31 | 1983-10-06 | Fujitsu Ltd | 半導体素子 |
| IT1252704B (it) * | 1991-12-20 | 1995-06-26 | Sgs Thomson Microelectronics | Struttura di dispositivo a semiconduttore con dissipatore metallico e corpo in plastica avente superfici di contatto a rugosita' controllata e procedimento per la sua fabbricazione |
| JP2531382B2 (ja) * | 1994-05-26 | 1996-09-04 | 日本電気株式会社 | ボ―ルグリッドアレイ半導体装置およびその製造方法 |
-
1980
- 1980-12-09 JP JP17352580A patent/JPS5796559A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5796559A (en) | 1982-06-15 |
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