JPS61295369A - スパツタリング装置 - Google Patents
スパツタリング装置Info
- Publication number
- JPS61295369A JPS61295369A JP13816385A JP13816385A JPS61295369A JP S61295369 A JPS61295369 A JP S61295369A JP 13816385 A JP13816385 A JP 13816385A JP 13816385 A JP13816385 A JP 13816385A JP S61295369 A JPS61295369 A JP S61295369A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- target
- permanent magnet
- sputtering
- parallel
- movable
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、スパッタリング装置の改良に関し、特にター
ゲット材料の利用効率を向上したプレーナ型マグネトロ
ンス・ぐツタリング装置に関する。
ゲット材料の利用効率を向上したプレーナ型マグネトロ
ンス・ぐツタリング装置に関する。
従来、マグネトロンスノＪ？ツタリング装置において広
く用いられているスパッタリング電極は第２図に示すよ
うに、平板状陰極（以下、ターゲットという）２１の背
後に３個の永久磁石２２，２２．２２を一定間隔で配置
し、ターゲット２１の表面近傍に、該表面に少なくとも
平行な成分を持つ磁場２３を形成させる。該磁場２３は
ターグツト２１上でトロイダル（ｔｒｏｉｄａｌ）型の
一種のトンネルをつくシ、放電プラズマはほぼこのトン
ネルの周辺に拘束される（例えば「スパッリング現象」
金原簗著、東京大学、出版会Ｐ１６１〜Ｐ１６２ ）。
く用いられているスパッタリング電極は第２図に示すよ
うに、平板状陰極（以下、ターゲットという）２１の背
後に３個の永久磁石２２，２２．２２を一定間隔で配置
し、ターゲット２１の表面近傍に、該表面に少なくとも
平行な成分を持つ磁場２３を形成させる。該磁場２３は
ターグツト２１上でトロイダル（ｔｒｏｉｄａｌ）型の
一種のトンネルをつくシ、放電プラズマはほぼこのトン
ネルの周辺に拘束される（例えば「スパッリング現象」
金原簗著、東京大学、出版会Ｐ１６１〜Ｐ１６２ ）。
上述した従来のゾレーナ型マグネトロンスパッタリング
装置におけるスパッタリング電極は一般にター２２５表
面の磁極と磁極の間に対応する部分が大きくスパッタリ
ングされるため、該当部分の寿命がターゲット全体の寿
命を決め、ターゲツト材の利用効率が３０ｔ％程度しか
得られないという問題点がある〇 本発明の目的はかかる問題点を除去し、ターゲツト材の
利用効率を向上したスパッタリング電極を具備したプレ
ーナ型マグネトロンスパッタリング装置を提供すること
にある。
装置におけるスパッタリング電極は一般にター２２５表
面の磁極と磁極の間に対応する部分が大きくスパッタリ
ングされるため、該当部分の寿命がターゲット全体の寿
命を決め、ターゲツト材の利用効率が３０ｔ％程度しか
得られないという問題点がある〇 本発明の目的はかかる問題点を除去し、ターゲツト材の
利用効率を向上したスパッタリング電極を具備したプレ
ーナ型マグネトロンスパッタリング装置を提供すること
にある。
本発明はターゲツト面と平行な面内に少なくと、も１組
の磁極を固定して設けるとともに、別の磁極をターゲッ
トの背後に沿い移動可能に設けたことを特徴とするプレ
ーナ型マグネトロンスノ臂ツタリング装置である。
の磁極を固定して設けるとともに、別の磁極をターゲッ
トの背後に沿い移動可能に設けたことを特徴とするプレ
ーナ型マグネトロンスノ臂ツタリング装置である。
次に本発明の実施例について図面を用いて説明する。
第１図（ａ）、（ｂ）、（ｅ）は本発明の一実施例の断
面図である。本実施例はターグツ）１の背後に１組の永
久磁石２，２を固定して設けるとともに、別の永久磁石
３をターゲット１の背後に沿い移動可能に設けたもので
ある。４はポールピースである。
面図である。本実施例はターグツ）１の背後に１組の永
久磁石２，２を固定して設けるとともに、別の永久磁石
３をターゲット１の背後に沿い移動可能に設けたもので
ある。４はポールピースである。
本実施例では固定された永久磁石２と可動する永久磁石
３によシ、ターグツトの表面近傍に閉じた例えばドーナ
ツ状の磁場を形成している。該磁場とターグツト１の面
に垂直に印加した電場５によシ、雰囲気圧力が１０ 〜
ＩＰａ程度の時、いわゆるマグネトロン放電によシ該ド
ーナツ状空間に高密度プラズマが発生し、該プラズマに
よシ、ターゲット１の表面上の該磁場の例えば中央近傍
が大きくスパッタリングされて、たたき出されたターゲ
ット原子は付近の面に付着し、薄膜を形成させることが
できる。この時、該スパッタリングされたターゲット１
の表面は侵食されてゆく。
３によシ、ターグツトの表面近傍に閉じた例えばドーナ
ツ状の磁場を形成している。該磁場とターグツト１の面
に垂直に印加した電場５によシ、雰囲気圧力が１０ 〜
ＩＰａ程度の時、いわゆるマグネトロン放電によシ該ド
ーナツ状空間に高密度プラズマが発生し、該プラズマに
よシ、ターゲット１の表面上の該磁場の例えば中央近傍
が大きくスパッタリングされて、たたき出されたターゲ
ット原子は付近の面に付着し、薄膜を形成させることが
できる。この時、該スパッタリングされたターゲット１
の表面は侵食されてゆく。
本発明による注目すべき機能について、さらに詳しく説
明する〇 第１図（、）は可動する永久磁石３がターゲット１の背
後の中央付近にある場合の断面図である。永久磁石２と
永久磁石３とによシ形成された閉じた磁場６ａ、６ｂの
中央付近に対応するターゲット１の表面は大きくス・ぐ
ツタリングされて侵食部７ａ、７ｂが形成される。
明する〇 第１図（、）は可動する永久磁石３がターゲット１の背
後の中央付近にある場合の断面図である。永久磁石２と
永久磁石３とによシ形成された閉じた磁場６ａ、６ｂの
中央付近に対応するターゲット１の表面は大きくス・ぐ
ツタリングされて侵食部７ａ、７ｂが形成される。
第１図（ｂ）は可動する永久磁石３がターゲット１の背
後の右方に移動した場合の断面図である。磁場８ｍ、８
ｂに対応した侵食部９ａ、９ｂが形成される。
後の右方に移動した場合の断面図である。磁場８ｍ、８
ｂに対応した侵食部９ａ、９ｂが形成される。
侵食部９は、侵食部７に比べて右方にある。
第１図（ｃ）は、同様に永久磁石３が左方に移動した場
合の断面図でらシ、磁場１０ｍ、１０ｂに対応した侵食
部１１ａ、ｌｌｂが形成される。侵食部１１は、侵食部
７に比べて左方にある。
合の断面図でらシ、磁場１０ｍ、１０ｂに対応した侵食
部１１ａ、ｌｌｂが形成される。侵食部１１は、侵食部
７に比べて左方にある。
このように、永久磁石３を所定の周期でターゲット１の
背後をターゲット１の面と平行に可動させることによシ
、ターゲット１の表面のスパッタリングされる場所が移
動し、侵食部も永久磁石３の可動する距離に対応して、
ターグツ）ｌの表面に広がシ、シたがってターゲツト材
の利用効率が向上する。
背後をターゲット１の面と平行に可動させることによシ
、ターゲット１の表面のスパッタリングされる場所が移
動し、侵食部も永久磁石３の可動する距離に対応して、
ターグツ）ｌの表面に広がシ、シたがってターゲツト材
の利用効率が向上する。
以上説明したように本発明は永久磁石を可動させること
で、スパッタリングによるターゲット表面の侵食部を広
げることができ、ターゲツト材の利用効率を向上できる
という効果がある。
で、スパッタリングによるターゲット表面の侵食部を広
げることができ、ターゲツト材の利用効率を向上できる
という効果がある。
第１図（、）〜（ｃ）は本発明の実施例を示す断面図、
第２図は従来のスパッタリング電極の一部を示す斜視図
である。
第２図は従来のスパッタリング電極の一部を示す斜視図
である。
Claims (1)
- （１）ターゲット面と平行な面内に少なくとも１組の磁
極を固定して設けるとともに、別の磁極をターゲットの
背後に沿い移動可能に設けたことを特徴とするプレーナ
型マグネトロンスパッタリング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13816385A JPS61295369A (ja) | 1985-06-25 | 1985-06-25 | スパツタリング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13816385A JPS61295369A (ja) | 1985-06-25 | 1985-06-25 | スパツタリング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61295369A true JPS61295369A (ja) | 1986-12-26 |
Family
ID=15215496
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13816385A Pending JPS61295369A (ja) | 1985-06-25 | 1985-06-25 | スパツタリング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61295369A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04128372A (ja) * | 1990-09-18 | 1992-04-28 | Shinku Kikai Kogyo Kk | スパッタリング方法および装置 |
| US5282947A (en) * | 1992-08-13 | 1994-02-01 | Vlsi Technology, Inc. | Magnet assembly for enhanced sputter target erosion |
| US5399253A (en) * | 1992-12-23 | 1995-03-21 | Balzers Aktiengesellschaft | Plasma generating device |
| US8273221B2 (en) | 2005-12-13 | 2012-09-25 | Oerlikon Solar Ag, Trubbach | Sputter target utilization |
-
1985
- 1985-06-25 JP JP13816385A patent/JPS61295369A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04128372A (ja) * | 1990-09-18 | 1992-04-28 | Shinku Kikai Kogyo Kk | スパッタリング方法および装置 |
| US5282947A (en) * | 1992-08-13 | 1994-02-01 | Vlsi Technology, Inc. | Magnet assembly for enhanced sputter target erosion |
| US5399253A (en) * | 1992-12-23 | 1995-03-21 | Balzers Aktiengesellschaft | Plasma generating device |
| US8273221B2 (en) | 2005-12-13 | 2012-09-25 | Oerlikon Solar Ag, Trubbach | Sputter target utilization |
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