JPS61291907A - 微粒子製造装置 - Google Patents
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- JPS61291907A JPS61291907A JP60135075A JP13507585A JPS61291907A JP S61291907 A JPS61291907 A JP S61291907A JP 60135075 A JP60135075 A JP 60135075A JP 13507585 A JP13507585 A JP 13507585A JP S61291907 A JPS61291907 A JP S61291907A
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- B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B22—CASTING; POWDER METALLURGY
- B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
- B22F9/00—Making metallic powder or suspensions thereof
- B22F9/02—Making metallic powder or suspensions thereof using physical processes
- B22F9/14—Making metallic powder or suspensions thereof using physical processes using electric discharge
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- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
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- F27B—FURNACES, KILNS, OVENS, OR RETORTS IN GENERAL; OPEN SINTERING OR LIKE APPARATUS
- F27B3/00—Hearth-type furnaces, e.g. of reverberatory type; Tank furnaces
- F27B3/08—Hearth-type furnaces, e.g. of reverberatory type; Tank furnaces heated electrically, with or without any other source of heat
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- H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
- H05H1/00—Generating plasma; Handling plasma
- H05H1/24—Generating plasma
- H05H1/26—Plasma torches
- H05H1/32—Plasma torches using an arc
- H05H1/34—Details, e.g. electrodes, nozzles
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- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F27—FURNACES; KILNS; OVENS; RETORTS
- F27D—DETAILS OR ACCESSORIES OF FURNACES, KILNS, OVENS, OR RETORTS, IN SO FAR AS THEY ARE OF KINDS OCCURRING IN MORE THAN ONE KIND OF FURNACE
- F27D99/00—Subject matter not provided for in other groups of this subclass
- F27D99/0001—Heating elements or systems
- F27D99/0006—Electric heating elements or system
- F27D2099/0031—Plasma-torch heating
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- H—ELECTRICITY
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- H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本願発明は次に述べる問題点の解決を目的とする。
（産業上の利用分野） この発明は、プラズマ溶融炉に
関し、尚詳しくは、金属等の原材料がプラズマによる加
熱の結果、溶湯と化し、これから形成される金属微粒子
が極めて効率的に生成かつ補集されるような微粒子製造
装置に係わる。
関し、尚詳しくは、金属等の原材料がプラズマによる加
熱の結果、溶湯と化し、これから形成される金属微粒子
が極めて効率的に生成かつ補集されるような微粒子製造
装置に係わる。
（従来の技術） 従来知られているこの種の微粒子製造
装置においては金属原料が炉体内下方に供給され、炉体
上部の一定位置に形成されるプラズマアークにより加熱
溶融され、金属微粒子となる。
装置においては金属原料が炉体内下方に供給され、炉体
上部の一定位置に形成されるプラズマアークにより加熱
溶融され、金属微粒子となる。
この場合、一般には原料の加熱領域が狭くかつ空間的に
固定されているので原料全体が溶融されるためには、溶
融原料中を熱が伝導するか、溶融原料が加熱領域から流
出し、未溶融原料がそこに入り込まねばならない。この
結果、微粒子収量レヘルは一般に低く、一定量の微粒子
の生産に長時間を要し、しかも得られた微粒子の均−性
等の品質は保証されない。プラズマトーチの向きを成る
程度調整できる装置も知られているが、このような装置
においても、プラズマトーチの向きの調整は作業者がま
れに行う程度で、微粒子の生成過程では、基本的にはプ
ラズマアークは空間的に固定されている。
固定されているので原料全体が溶融されるためには、溶
融原料中を熱が伝導するか、溶融原料が加熱領域から流
出し、未溶融原料がそこに入り込まねばならない。この
結果、微粒子収量レヘルは一般に低く、一定量の微粒子
の生産に長時間を要し、しかも得られた微粒子の均−性
等の品質は保証されない。プラズマトーチの向きを成る
程度調整できる装置も知られているが、このような装置
においても、プラズマトーチの向きの調整は作業者がま
れに行う程度で、微粒子の生成過程では、基本的にはプ
ラズマアークは空間的に固定されている。
一方、このような従来の装置においては、金属微粒子は
狭い溶融領域において発生され、炉体側面に設けられる
少数の排出口から離散的に取り出される。プラズマ化用
中性ガス流に乗る生成微粒子の運動は単純ではなくしか
も炉壁側面に向けられるので微粒子は、排出口に達する
までに炉体内を漂遊する。この結果微粒子が、炉体内壁
面に付着して電気絶縁不良等のトラブルを引き起こし、
あるいは炉体の角部に堆積して、収量の一層の減少をも
たらす。
狭い溶融領域において発生され、炉体側面に設けられる
少数の排出口から離散的に取り出される。プラズマ化用
中性ガス流に乗る生成微粒子の運動は単純ではなくしか
も炉壁側面に向けられるので微粒子は、排出口に達する
までに炉体内を漂遊する。この結果微粒子が、炉体内壁
面に付着して電気絶縁不良等のトラブルを引き起こし、
あるいは炉体の角部に堆積して、収量の一層の減少をも
たらす。
（発明が解決しようとする問題点） この発明は上記従
来の問題点を除き、加熱領域が空間的に移動して、実効
的に広い加熱領域が得られ、微粒子の高い収量と高品質
が保証される微粒子製造装置を提供しようとするもので
ある。
来の問題点を除き、加熱領域が空間的に移動して、実効
的に広い加熱領域が得られ、微粒子の高い収量と高品質
が保証される微粒子製造装置を提供しようとするもので
ある。
本願発明の構成は次の通りである。
（問題点を解決する為の手段） 本願発明は前記請求の
範囲記載の通りの手段を講じたものであってその作用は
次の通りである。
範囲記載の通りの手段を講じたものであってその作用は
次の通りである。
（作用） 炉体下部に設けられた環状の原料に対して、
炉体上部でこれと事実上同軸位置に設けられたリングプ
ラズマトーチにより発生されるプラズマアークが斜下方
に向けられる。このプラズマアークは装置の主軸のまわ
りを円周方向に駆動され、上記環状の原料の任意部分を
均等に一定の周期でもって加熱する。即ち、実効的に広
い環状の加熱領域が得られると共にプラズマアークが向
けられていない非加熱領域では、微粒子が同時的に生成
される。一方プラズマトーチの動作ガスは環状原料の主
軸部分に設けられた排出口に向かって半径方向内向きに
流れ、これに運ばれる生成微粒子が効率よく捕集される
。
炉体上部でこれと事実上同軸位置に設けられたリングプ
ラズマトーチにより発生されるプラズマアークが斜下方
に向けられる。このプラズマアークは装置の主軸のまわ
りを円周方向に駆動され、上記環状の原料の任意部分を
均等に一定の周期でもって加熱する。即ち、実効的に広
い環状の加熱領域が得られると共にプラズマアークが向
けられていない非加熱領域では、微粒子が同時的に生成
される。一方プラズマトーチの動作ガスは環状原料の主
軸部分に設けられた排出口に向かって半径方向内向きに
流れ、これに運ばれる生成微粒子が効率よく捕集される
。
（実施例）以下本願の実施例を示す図面について説明す
る。環状の基体１に取り付けられた環状のルツボ２は原
料溜り３を区画形成し、中央部には排出口４が具備され
ている。このルツボ２は通水路５、給水口６、排水ロア
からなる水冷システムを備える。排出管８はその上端に
おいてルツボ２の排出口４に連通されており、通水路９
、給水口１０、排水口１１からなる水冷システムを備え
る。排出管８の他端は図に示さない周知の微粒子捕集装
置に連通されている。電気絶縁環１４、リングプラズマ
トーチ１５、もう一つの電気絶縁環１６、蓋体１７はす
べてルツボ２の上方で装置主軸のまわりに同軸位置に配
置され、締付ボルト１８により一体化され、かつ上記基
体１に対して固定されている。中空の炉体は主に上記基
体１、ルツボ２、プラズマトーチ１５、蓋体１７により
区画形成されている。プラズマトーチ１５は一対の環状
ノズル要素２０．２１、環状の陰極２３からなる。環状
のノズル口２２が、ノズル要素２０．２１の対向する下
縁の間に形成される。
る。環状の基体１に取り付けられた環状のルツボ２は原
料溜り３を区画形成し、中央部には排出口４が具備され
ている。このルツボ２は通水路５、給水口６、排水ロア
からなる水冷システムを備える。排出管８はその上端に
おいてルツボ２の排出口４に連通されており、通水路９
、給水口１０、排水口１１からなる水冷システムを備え
る。排出管８の他端は図に示さない周知の微粒子捕集装
置に連通されている。電気絶縁環１４、リングプラズマ
トーチ１５、もう一つの電気絶縁環１６、蓋体１７はす
べてルツボ２の上方で装置主軸のまわりに同軸位置に配
置され、締付ボルト１８により一体化され、かつ上記基
体１に対して固定されている。中空の炉体は主に上記基
体１、ルツボ２、プラズマトーチ１５、蓋体１７により
区画形成されている。プラズマトーチ１５は一対の環状
ノズル要素２０．２１、環状の陰極２３からなる。環状
のノズル口２２が、ノズル要素２０．２１の対向する下
縁の間に形成される。
このノズル口２２の直径は上記原料溜り３の平均直径よ
りもやや大きく定められており、ノズル要素２０、２１
の間に位置する陰極２３から伸長するプラズマアーク４
０がこのノズル口２２を通して、斜下方へ原料溜り３に
正しく向けられるようになっている陰極２３の下部縁は
高耐熱性金属からなる耐弧部材２４として形成されてい
る。ノズル要素２０．２１、陰極２３の相互の電気絶縁
および位置決めは、電気絶縁環２５．２６により実現さ
れている。プラズマ化用中性ガス供給口２７は絶縁環２
５．２６を通して形成されている。この中性ガスとして
は、水素、アルゴン、窒素、ヘリウム等の種々のガスが
目的に応じて選択される。２８．２９は電気絶縁性の耐
火構造部材である。搬送ガス供給筒３３は、蓋体１７の
中心を貫通してこれに固定され、装置の主軸に沿って垂
直に設けられている。搬送ガス供給筒３３の下端として
形成された搬送ガス吹出口３４は上記排出口４に近く対
向させである。この供給筒３３はまた、通水路３５、給
水口３６、排水口３７からなる水冷システムにより取り
囲まれている。プラズマ回転用磁界発生装置３８はプラ
ズマトーチ１５と同軸位置に炉体上方に設けられた円形
コイルからなり、ノズル口２２の近傍において、矢印Ｈ
で示されるように、軸、方向および主半径方向の成分を
有する磁界を発生するようになっている。この磁界は、
特開昭５５−４６２６６号公報に開示されているように
ノズル口２２から噴出するプラズマアーク４０に対して
垂直な成分を有し、プラズマアークを環状の耐弧部材２
４に沿って円周方向に電磁的に駆動するに適した分布を
有している。
りもやや大きく定められており、ノズル要素２０、２１
の間に位置する陰極２３から伸長するプラズマアーク４
０がこのノズル口２２を通して、斜下方へ原料溜り３に
正しく向けられるようになっている陰極２３の下部縁は
高耐熱性金属からなる耐弧部材２４として形成されてい
る。ノズル要素２０．２１、陰極２３の相互の電気絶縁
および位置決めは、電気絶縁環２５．２６により実現さ
れている。プラズマ化用中性ガス供給口２７は絶縁環２
５．２６を通して形成されている。この中性ガスとして
は、水素、アルゴン、窒素、ヘリウム等の種々のガスが
目的に応じて選択される。２８．２９は電気絶縁性の耐
火構造部材である。搬送ガス供給筒３３は、蓋体１７の
中心を貫通してこれに固定され、装置の主軸に沿って垂
直に設けられている。搬送ガス供給筒３３の下端として
形成された搬送ガス吹出口３４は上記排出口４に近く対
向させである。この供給筒３３はまた、通水路３５、給
水口３６、排水口３７からなる水冷システムにより取り
囲まれている。プラズマ回転用磁界発生装置３８はプラ
ズマトーチ１５と同軸位置に炉体上方に設けられた円形
コイルからなり、ノズル口２２の近傍において、矢印Ｈ
で示されるように、軸、方向および主半径方向の成分を
有する磁界を発生するようになっている。この磁界は、
特開昭５５−４６２６６号公報に開示されているように
ノズル口２２から噴出するプラズマアーク４０に対して
垂直な成分を有し、プラズマアークを環状の耐弧部材２
４に沿って円周方向に電磁的に駆動するに適した分布を
有している。
上記構成のものにあってはすべての通水路に冷却水が流
通され、搬送ガスが搬送ガス供給筒３３を通して、排出
口４に向けて吹出口３４から噴出される。この搬送ガス
はプラズマ化用中性ガスと同一種類であることが好まし
いが、製造微粒子の純度を損なわない限りにおいて、他
の種類のガスであってもよい。原料供給装置３２は原料
供給路３１を通して製品微粒子の原料である粉体を原料
溜り３に供給する。上記原料は一般に導電性で、例えば
、鉄、ニッケル、クロム、銅あるいはこれらの合金等の
金属材料あるいは炭化硅素、炭化タングステン等の非金
属材料である４゜プラズマ化用中性ガスはガス供給口２
７からノズル口２２を通して、原料溜り３に向けて供給
され、周知の手順によりプラズマトーチ１５が点弧され
、ノズル口２２からプラズマアーク４０が伸長すると共
にプラズマ化用中性ガスの一部、その解離ガス、電離ガ
スからなる混合気体のプラズマ動作ガスとして噴出する
。この結果ノズル口２２から原料溜り３に向かって斜下
方にプラズマアークが伸長される。このプラズマアーク
は、よく知られているように、即ち第３図の参照符号４
０で示されるように、環状のノズル口２２から突出し、
プラズマ回転用磁界発生装置３８が生ずる磁界のアーク
４０に垂直な成分によって駆動され円周方向に回転し続
ける。この回転プラズマアーク４０は原料溜り３に堆積
している粒状の原料を加熱して溶湯４１と化す。溶湯４
１の任意部分は上記回転アークプラズマ４０により、一
定周期で間欠的に加熱される。この様な加熱の過程と同
時に、溶湯表面より微粒子が生成される。即ち、溶湯４
１のある一定の部分は、そこにプラズマアーク４０が向
けられている加熱過程と、プラズマアーク４０がそこか
ら外れている非加熱過程とを必ず受ける。加熱過程にお
いては溶湯表面の温度は相対的に高くなり、例えば鉄の
溶湯の場合には２０００℃程度に達する。
通され、搬送ガスが搬送ガス供給筒３３を通して、排出
口４に向けて吹出口３４から噴出される。この搬送ガス
はプラズマ化用中性ガスと同一種類であることが好まし
いが、製造微粒子の純度を損なわない限りにおいて、他
の種類のガスであってもよい。原料供給装置３２は原料
供給路３１を通して製品微粒子の原料である粉体を原料
溜り３に供給する。上記原料は一般に導電性で、例えば
、鉄、ニッケル、クロム、銅あるいはこれらの合金等の
金属材料あるいは炭化硅素、炭化タングステン等の非金
属材料である４゜プラズマ化用中性ガスはガス供給口２
７からノズル口２２を通して、原料溜り３に向けて供給
され、周知の手順によりプラズマトーチ１５が点弧され
、ノズル口２２からプラズマアーク４０が伸長すると共
にプラズマ化用中性ガスの一部、その解離ガス、電離ガ
スからなる混合気体のプラズマ動作ガスとして噴出する
。この結果ノズル口２２から原料溜り３に向かって斜下
方にプラズマアークが伸長される。このプラズマアーク
は、よく知られているように、即ち第３図の参照符号４
０で示されるように、環状のノズル口２２から突出し、
プラズマ回転用磁界発生装置３８が生ずる磁界のアーク
４０に垂直な成分によって駆動され円周方向に回転し続
ける。この回転プラズマアーク４０は原料溜り３に堆積
している粒状の原料を加熱して溶湯４１と化す。溶湯４
１の任意部分は上記回転アークプラズマ４０により、一
定周期で間欠的に加熱される。この様な加熱の過程と同
時に、溶湯表面より微粒子が生成される。即ち、溶湯４
１のある一定の部分は、そこにプラズマアーク４０が向
けられている加熱過程と、プラズマアーク４０がそこか
ら外れている非加熱過程とを必ず受ける。加熱過程にお
いては溶湯表面の温度は相対的に高くなり、例えば鉄の
溶湯の場合には２０００℃程度に達する。
この結果、プラズマアーク４０の動作ガスが溶湯４１中
へ活発に吸蔵される。プラズマ動作ガスを構成する電離
粒子および解離粒子は、付着、親和等の点で活性化され
ており、プラズマアーク動作ガスの吸蔵を・一層助長す
る。一方非加熱過程にあっては、溶湯４１の温度は水冷
ルツボへの熱伝導のために相対的に低下し、例えば鉄の
溶湯の場合１３５０℃程度となる。この結果、加熱過程
で吸蔵されたガスは、溶湯４１内で過飽和の状態になり
、従ってこの過飽和を解消するに必要なガス量が溶湯４
１上方の空間に放出される。放出ガスと共に溶湯４１内
溶融原料も空間に放出され、急冷却のために、微粒子の
形に凝固される。
へ活発に吸蔵される。プラズマ動作ガスを構成する電離
粒子および解離粒子は、付着、親和等の点で活性化され
ており、プラズマアーク動作ガスの吸蔵を・一層助長す
る。一方非加熱過程にあっては、溶湯４１の温度は水冷
ルツボへの熱伝導のために相対的に低下し、例えば鉄の
溶湯の場合１３５０℃程度となる。この結果、加熱過程
で吸蔵されたガスは、溶湯４１内で過飽和の状態になり
、従ってこの過飽和を解消するに必要なガス量が溶湯４
１上方の空間に放出される。放出ガスと共に溶湯４１内
溶融原料も空間に放出され、急冷却のために、微粒子の
形に凝固される。
搬送ガスは搬送ガス供給筒３３の吹出口３４から排出口
４に向けて圧送されており、搬送ガスの流速のため排出
口近傍の静圧が溶湯４１上方の静圧より低くなり、いわ
ゆるサクション効果が生ずる。加えて、環状のノズル口
２２の全周からは、プラズマ化用中性ガスが定常的に溶
湯４１の表面に向けて噴出され、その後排出口４に流れ
る。溶湯４１の上方空間に形成された微粒子は、上記サ
クション効果とプラズマ化用中性ガス流とにより、排出
口４に向けて装置の半径方向に沿って、積極的に移動さ
れ、さらに排出管８を介して捕集装置に送られる。
４に向けて圧送されており、搬送ガスの流速のため排出
口近傍の静圧が溶湯４１上方の静圧より低くなり、いわ
ゆるサクション効果が生ずる。加えて、環状のノズル口
２２の全周からは、プラズマ化用中性ガスが定常的に溶
湯４１の表面に向けて噴出され、その後排出口４に流れ
る。溶湯４１の上方空間に形成された微粒子は、上記サ
クション効果とプラズマ化用中性ガス流とにより、排出
口４に向けて装置の半径方向に沿って、積極的に移動さ
れ、さらに排出管８を介して捕集装置に送られる。
このように生成微粒子の移動が迅速かつ積極的であるの
で、微粒子は二次的な相互結合、焼結を受けたり、炉内
へ堆積する時間的余裕を持たない。
で、微粒子は二次的な相互結合、焼結を受けたり、炉内
へ堆積する時間的余裕を持たない。
このように生成微粒子の捕集は極めて効率的である。
プラズマアーク４０が磁界Ｈによりノズル口２２に沿っ
て円周方向に駆動されているので、微粒子は溶湯４１の
任意部分から一定の周期で反復して放出され、溶湯各部
からの微粒子の生成割合は、環状の溶湯全体にわたり均
一となる。プラズマアーク４０は磁界Ｈに起因する電磁
力により滑らかに駆動されるので、溶湯表面のアークス
ポットは滑らかに移動する。これも微粒子の生成速度お
よびその粒径の均一性に大いに寄与する。プラズマアー
ク４０が回動しているので、プラズマアーク４０により
加熱されて高温になっている溶湯のある領域がガスを吸
蔵している期間に、溶湯４１の他の部分ではガスの放出
が行われる。ガスのこのような同時的な吸蔵と放出とは
、溶湯４１全体にわたる微粒子の生成を連続的かつ多量
にする。
て円周方向に駆動されているので、微粒子は溶湯４１の
任意部分から一定の周期で反復して放出され、溶湯各部
からの微粒子の生成割合は、環状の溶湯全体にわたり均
一となる。プラズマアーク４０は磁界Ｈに起因する電磁
力により滑らかに駆動されるので、溶湯表面のアークス
ポットは滑らかに移動する。これも微粒子の生成速度お
よびその粒径の均一性に大いに寄与する。プラズマアー
ク４０が回動しているので、プラズマアーク４０により
加熱されて高温になっている溶湯のある領域がガスを吸
蔵している期間に、溶湯４１の他の部分ではガスの放出
が行われる。ガスのこのような同時的な吸蔵と放出とは
、溶湯４１全体にわたる微粒子の生成を連続的かつ多量
にする。
この種の装置においては、プラズマアーク４０は一般的
に毎秒０．１〜１００回の回転速度で回転でき、微粒子
生成にとっては、毎秒１〜２０回の回転速度が望ましい
。実際にはこの回転速度は次のような要求を満足するよ
うに決定される。微粒子原料の熱伝導率、アークパワー
、水冷ルツボ２の溶湯４１への冷却能力に対して、アー
ク４ｏの回転速度が溶湯の加熱領域ではプラズマアーク
の活性化粒子が多量に溶湯４１中に吸蔵されるような原
料の融点以上の温度を与え、一方非加熱領域では、溶湯
４１から十分な吸蔵ガスと共に多量の微粒子が放出され
るような原料の凝固点近くの温度を与えるべきである。
に毎秒０．１〜１００回の回転速度で回転でき、微粒子
生成にとっては、毎秒１〜２０回の回転速度が望ましい
。実際にはこの回転速度は次のような要求を満足するよ
うに決定される。微粒子原料の熱伝導率、アークパワー
、水冷ルツボ２の溶湯４１への冷却能力に対して、アー
ク４ｏの回転速度が溶湯の加熱領域ではプラズマアーク
の活性化粒子が多量に溶湯４１中に吸蔵されるような原
料の融点以上の温度を与え、一方非加熱領域では、溶湯
４１から十分な吸蔵ガスと共に多量の微粒子が放出され
るような原料の凝固点近くの温度を与えるべきである。
効率的な微粒子生成の目的からは、プラズマトーチ１５
のノズル口２２はルツボ２に対して次のように位置決め
されるのが望ましい。陰極２３の下縁とノズル口２２の
中心を結ぶ直線２２ａが、溶湯表面のほぼ中心部と、溶
湯表面に対してα−６０″の角度で交叉する。αが１５
″〜７５＠の範囲にあれば、微粒子の生成そのものは可
能である。
のノズル口２２はルツボ２に対して次のように位置決め
されるのが望ましい。陰極２３の下縁とノズル口２２の
中心を結ぶ直線２２ａが、溶湯表面のほぼ中心部と、溶
湯表面に対してα−６０″の角度で交叉する。αが１５
″〜７５＠の範囲にあれば、微粒子の生成そのものは可
能である。
前述のサクシラン効果と吹出口３４からの高速の大ｉｔ
搬送ガス流とによって、微粒子は少しも停滞することな
く、排出管８中を輸送される。しかしながら、ノズル口
から比較的多量のプラズマ化用中性ガスが噴出される場
合には、排出口８の下端に連通された任意の吸引装置に
より、搬送ガスとプラズマ化用中性ガスとの混合流の代
わりに、プラズマ化用中性ガス流のみに乗って輸送され
ることもできる。
搬送ガス流とによって、微粒子は少しも停滞することな
く、排出管８中を輸送される。しかしながら、ノズル口
から比較的多量のプラズマ化用中性ガスが噴出される場
合には、排出口８の下端に連通された任意の吸引装置に
より、搬送ガスとプラズマ化用中性ガスとの混合流の代
わりに、プラズマ化用中性ガス流のみに乗って輸送され
ることもできる。
（発明の効果） 以上のように本発明にあっては炉体内
で微粒子原料が広い表面のある環状に溜められ、かつプ
ラズマアーク４０がこの表面上を円周方向に回動するか
ら、微粒子の生成領域が実効的に広くなり、微粒子の生
産性が高められる。
で微粒子原料が広い表面のある環状に溜められ、かつプ
ラズマアーク４０がこの表面上を円周方向に回動するか
ら、微粒子の生成領域が実効的に広くなり、微粒子の生
産性が高められる。
また、環状の原料とプラズマトーチ１５の原料に対応す
る環状のノズル口２２との間で円周方向に連続的に回動
するプラズマアーク４０は、原料の一定部分に対しては
加熱と非加熱との過程を交互がっ周期的に達成し、原料
全体に対してはこれらの両過程を同時に可能にしている
ので、微粒子の発生は一層促進されると共に、生成微粒
子の均一性が高められる。
る環状のノズル口２２との間で円周方向に連続的に回動
するプラズマアーク４０は、原料の一定部分に対しては
加熱と非加熱との過程を交互がっ周期的に達成し、原料
全体に対してはこれらの両過程を同時に可能にしている
ので、微粒子の発生は一層促進されると共に、生成微粒
子の均一性が高められる。
さらに、上記のように環状の原料の広い表面から生成さ
れる多量の微粒子は炉壁側面がら離れて、装置中心部に
向かうプラズマ化用中性ガスの単純な径方向流に運ばれ
るので、微粒子は不用意に散逸したり、炉壁内面に付着
することを妨げられ、微粒子収率がさらに向上する。
れる多量の微粒子は炉壁側面がら離れて、装置中心部に
向かうプラズマ化用中性ガスの単純な径方向流に運ばれ
るので、微粒子は不用意に散逸したり、炉壁内面に付着
することを妨げられ、微粒子収率がさらに向上する。
図面は本願の実施例を示すもので、第１図は微粒子製造
装置の縦断面図、第２図は第１図における線ｎ−ｎに沿
う水平断面図、第３図は溶湯、リングプラズマトーチお
よびプラズマアークとの関係を示す一部破断の部分斜視
図である。 １５・・・リングプラズマトーチ、４０・・・プラズマ
アーク、４・・・排出口。
装置の縦断面図、第２図は第１図における線ｎ−ｎに沿
う水平断面図、第３図は溶湯、リングプラズマトーチお
よびプラズマアークとの関係を示す一部破断の部分斜視
図である。 １５・・・リングプラズマトーチ、４０・・・プラズマ
アーク、４・・・排出口。
Claims (1)
- 炉体内下方に滞溜させる微粒子原料を環状に形成し、上
記環状の原料表面に向けられる回転プラズマアークを形
成するリングプラズマトーチを上記環状の原料の上方に
配設し、さらに上記環状の原料の主軸部分には上記原料
から生成される微粒子をプラズマトーチのプラズマ化用
中性ガスと共に補集するための排出口を設けている微粒
子製造装置。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60135075A JPH062882B2 (ja) | 1985-06-20 | 1985-06-20 | 微粒子製造装置 |
| GB8519242A GB2176582B (en) | 1985-06-20 | 1985-07-31 | Apparatus for producing fine grains |
| DE19853529233 DE3529233A1 (de) | 1985-06-20 | 1985-08-14 | Vorrichtung zum herstellen feinkoernigen materials |
| US06/767,245 US4638488A (en) | 1985-06-20 | 1985-08-20 | Fine grains producing apparatus |
| FR858512671A FR2583663B1 (fr) | 1985-06-20 | 1985-08-23 | Appareil de production de grains fins |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60135075A JPH062882B2 (ja) | 1985-06-20 | 1985-06-20 | 微粒子製造装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61291907A true JPS61291907A (ja) | 1986-12-22 |
| JPH062882B2 JPH062882B2 (ja) | 1994-01-12 |
Family
ID=15143256
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60135075A Expired - Lifetime JPH062882B2 (ja) | 1985-06-20 | 1985-06-20 | 微粒子製造装置 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4638488A (ja) |
| JP (1) | JPH062882B2 (ja) |
| DE (1) | DE3529233A1 (ja) |
| FR (1) | FR2583663B1 (ja) |
| GB (1) | GB2176582B (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013189705A (ja) * | 2012-02-16 | 2013-09-26 | Toshiba Mitsubishi-Electric Industrial System Corp | 微粒子生成装置および微粒子生成方法 |
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|---|---|---|---|---|
| US4882465A (en) * | 1987-10-01 | 1989-11-21 | Olin Corporation | Arcjet thruster with improved arc attachment for enhancement of efficiency |
| CH676681A5 (ja) * | 1988-06-13 | 1991-02-28 | Battelle Memorial Institute | |
| ATE258092T1 (de) * | 2000-02-10 | 2004-02-15 | Tetronics Ltd | Plasmareaktor zur herstellung von feinem pulver |
| GB2365876A (en) * | 2000-08-15 | 2002-02-27 | Tetronics Ltd | Making nano-sized powder using a plasma arc reactor |
| GB0004845D0 (en) | 2000-02-29 | 2000-04-19 | Tetronics Ltd | A method and apparatus for packaging ultra fine powders into containers |
| IL152119A0 (en) | 2000-04-10 | 2003-05-29 | Tetronics Ltd | Twin plasma torch apparatus |
| GB2364875A (en) * | 2000-07-10 | 2002-02-06 | Tetronics Ltd | A plasma torch electrode |
| DE102012016225A1 (de) | 2012-08-14 | 2014-03-13 | Jürgen Blum | Elektro-Feldenergie auf der Basis von zweidimensionalen Elektronensystemen, mit der Energiemasse in dem koaxialen Leitungs- und Spulensystem des koaxialen Generators und Transformators |
| CN105565655A (zh) * | 2015-04-29 | 2016-05-11 | 四川点石玄武纤维科技有限公司 | 玄武岩等离子体熔化炉 |
| EP3768450A4 (en) * | 2018-03-17 | 2021-07-14 | Pyrogenesis Canada Inc. | PROCESS AND APPARATUS FOR THE PRODUCTION OF HIGH PURITY SPHERICAL METAL POWDERS FROM A LIQUID FEED LOAD |
| DE102020202484A1 (de) | 2020-02-26 | 2021-08-26 | Technische Universität Bergakademie Freiberg | Vorrichtung zum Schmelzen von Metallen |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPS5546266A (en) * | 1978-09-28 | 1980-03-31 | Daido Steel Co Ltd | Plasma torch |
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|---|---|---|---|---|
| GB1136732A (en) * | 1966-04-29 | 1968-12-18 | Brunswick Corp | Method and apparatus for producinginorganic non glass-former filaments or shot |
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-
1985
- 1985-06-20 JP JP60135075A patent/JPH062882B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1985-07-31 GB GB8519242A patent/GB2176582B/en not_active Expired
- 1985-08-14 DE DE19853529233 patent/DE3529233A1/de active Granted
- 1985-08-20 US US06/767,245 patent/US4638488A/en not_active Expired - Fee Related
- 1985-08-23 FR FR858512671A patent/FR2583663B1/fr not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPS5546266A (en) * | 1978-09-28 | 1980-03-31 | Daido Steel Co Ltd | Plasma torch |
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| JP2013189705A (ja) * | 2012-02-16 | 2013-09-26 | Toshiba Mitsubishi-Electric Industrial System Corp | 微粒子生成装置および微粒子生成方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| FR2583663B1 (fr) | 1990-01-19 |
| FR2583663A1 (fr) | 1986-12-26 |
| GB2176582B (en) | 1989-07-12 |
| GB8519242D0 (en) | 1985-09-04 |
| DE3529233A1 (de) | 1987-01-02 |
| GB2176582A (en) | 1986-12-31 |
| US4638488A (en) | 1987-01-20 |
| DE3529233C2 (ja) | 1992-06-04 |
| JPH062882B2 (ja) | 1994-01-12 |
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