JPS61290747A - 電子回路装置 - Google Patents
電子回路装置Info
- Publication number
- JPS61290747A JPS61290747A JP60131851A JP13185185A JPS61290747A JP S61290747 A JPS61290747 A JP S61290747A JP 60131851 A JP60131851 A JP 60131851A JP 13185185 A JP13185185 A JP 13185185A JP S61290747 A JPS61290747 A JP S61290747A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- test
- pads
- bonding
- pad
- circuit device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/02—Bonding areas ; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L24/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/02—Bonding areas ; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L24/06—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of a plurality of bonding areas
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/023—Redistribution layers [RDL] for bonding areas
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L2224/04042—Bonding areas specifically adapted for wire connectors, e.g. wirebond pads
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
- H01L2224/0554—External layer
- H01L2224/0555—Shape
- H01L2224/05552—Shape in top view
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
- H01L2224/0554—External layer
- H01L2224/0555—Shape
- H01L2224/05552—Shape in top view
- H01L2224/05554—Shape in top view being square
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
- H01L2224/0554—External layer
- H01L2224/0555—Shape
- H01L2224/05556—Shape in side view
- H01L2224/05558—Shape in side view conformal layer on a patterned surface
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4807—Shape of bonding interfaces, e.g. interlocking features
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/484—Connecting portions
- H01L2224/4845—Details of ball bonds
- H01L2224/48451—Shape
- H01L2224/48453—Shape of the interface with the bonding area
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/484—Connecting portions
- H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
本発明は電子回路装置、特に半導体集積回路装置におけ
るボンディングパッド構造に関し主として消去ならび忙
書きこみ可能な、記憶装置(EJec−tricall
yヱrogrammable Read 0nly M
em−ory以下FPROMと称す)を対象とする。
るボンディングパッド構造に関し主として消去ならび忙
書きこみ可能な、記憶装置(EJec−tricall
yヱrogrammable Read 0nly M
em−ory以下FPROMと称す)を対象とする。
一般にIC,LSI々どの半導体集積回路装置において
は、第6図に示すように半導体基体(チップ)1の主面
に内部回路2を構成する素子群が形成され、これら素子
の外端子を接続するボンディングパッド3がチップ周辺
部にそって形成される。
は、第6図に示すように半導体基体(チップ)1の主面
に内部回路2を構成する素子群が形成され、これら素子
の外端子を接続するボンディングパッド3がチップ周辺
部にそって形成される。
ところでデータ(情報信号)書込み可能な半導体装置と
してサイエンス・フォーラム社発行[超LSIデバイス
ハンドブック11983年11月28日発行、314頁
書き込み試験(テスト)を必ず行ない、製品の良、不良
を判定し、良品のみを出荷する様にしている。
してサイエンス・フォーラム社発行[超LSIデバイス
ハンドブック11983年11月28日発行、314頁
書き込み試験(テスト)を必ず行ない、製品の良、不良
を判定し、良品のみを出荷する様にしている。
これまで本発明者らは、データ書込み試験は通常、各ボ
ンディングパッドに対して、専用機によるデータ書込み
と汎用テスタによる試験の2回のプローブテストを行い
テスト時間の短縮、及びテストコストの低減を計ってい
る。その後でワイヤボンディングを行ってICを組立て
る。上記テストに用いるグローブ針はタングステンカー
バイドのごとき超硬合金を使用し、一方、ボンディング
パッドはAA’のごとき軟質の金属からなり、所定のプ
ローブ圧で数回のプローブ針車てを行うと、第7図に示
すようにパッド3表面が凹凸4に変形し、又はせん孔な
どの破壊を生じ、その上にワイヤ5をワイヤボンディン
グする場合に、ボンダビイリティーの低下を来たしボン
ディング不良を生じることが問題となることが、本発明
者によシあきらかとされた。
ンディングパッドに対して、専用機によるデータ書込み
と汎用テスタによる試験の2回のプローブテストを行い
テスト時間の短縮、及びテストコストの低減を計ってい
る。その後でワイヤボンディングを行ってICを組立て
る。上記テストに用いるグローブ針はタングステンカー
バイドのごとき超硬合金を使用し、一方、ボンディング
パッドはAA’のごとき軟質の金属からなり、所定のプ
ローブ圧で数回のプローブ針車てを行うと、第7図に示
すようにパッド3表面が凹凸4に変形し、又はせん孔な
どの破壊を生じ、その上にワイヤ5をワイヤボンディン
グする場合に、ボンダビイリティーの低下を来たしボン
ディング不良を生じることが問題となることが、本発明
者によシあきらかとされた。
このパッドへのボンディングを含む電子装置の組立工程
におけるポンダビイティを維持する必要から、プロープ
工程での針当ては制限され、プローブテストは1回だけ
忙限られるのが普通である。
におけるポンダビイティを維持する必要から、プロープ
工程での針当ては制限され、プローブテストは1回だけ
忙限られるのが普通である。
本発明は上記した問題Kかんがみなされたものであシ、
その目的とするところは、複数回のプローブテストが許
容され、しかも品質のよいボンディングが得られるパッ
ド構造を有する電子回路装置の提供にある。
その目的とするところは、複数回のプローブテストが許
容され、しかも品質のよいボンディングが得られるパッ
ド構造を有する電子回路装置の提供にある。
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は本明
細書の記載及び添付図面から明らかになるであろう。
細書の記載及び添付図面から明らかになるであろう。
EFROMのごとき電気的にデータの消去ならびに書き
込み可能な半導体装置において、基体主面周辺部に形成
されたボンディングパッド群は、それぞれにテスト用パ
ッドとワイヤボンディング用パッドが接続されているこ
とによシ、グローブテストとクイ1ヤボノデインクとを
別々のパッドで行うことができ、かつ、品質の良いボン
ディングが可能となる。
込み可能な半導体装置において、基体主面周辺部に形成
されたボンディングパッド群は、それぞれにテスト用パ
ッドとワイヤボンディング用パッドが接続されているこ
とによシ、グローブテストとクイ1ヤボノデインクとを
別々のパッドで行うことができ、かつ、品質の良いボン
ディングが可能となる。
第1図は本発明の一実施例を示すものであって、EFR
OMなどの半導体装置のチップ周辺の一部平面図である
。
OMなどの半導体装置のチップ周辺の一部平面図である
。
同図において、前に従来例として掲げた第6図と共通す
る構成部分は同じ指示記号を用いである。
る構成部分は同じ指示記号を用いである。
すなわち、1は半導体チップ、2は内部回路、3はボン
ディングパッドである。6は内部回路における各素子と
ボンディングパッドを接続する配線である。
ディングパッドである。6は内部回路における各素子と
ボンディングパッドを接続する配線である。
7はテスト用のパッドであって、各ボンディングパッド
に隣接して接続される。
に隣接して接続される。
これらテスト用パッドはボンディングパッドの内部配線
に接続する配線6の反対側に短い配線8を介し、又は2
つのパッドが一体となるように形成される。
に接続する配線6の反対側に短い配線8を介し、又は2
つのパッドが一体となるように形成される。
EPROMICの場合、書き込み後の試験のためのプロ
ーブテストはテスト用パッド7に対して行い、その後、
組立工程に入り、@2図に示すようにボンディングパッ
ド3に対してワイヤ5をボンディングする。
ーブテストはテスト用パッド7に対して行い、その後、
組立工程に入り、@2図に示すようにボンディングパッ
ド3に対してワイヤ5をボンディングする。
以上実施例で述べた本発明によれば下記のように効果が
得られる。
得られる。
(1) ボンディング用のパッドとテスト用のパッド
が芥離して個別に設けられることによシ、プローブテス
トのための針当てが組立工程でのボンダビィリティ忙影
響を与えない。したがって品質のよいボンディングが得
られる。
が芥離して個別に設けられることによシ、プローブテス
トのための針当てが組立工程でのボンダビィリティ忙影
響を与えない。したがって品質のよいボンディングが得
られる。
(2)テスト用のパッドで針当てを行うため、複数回の
プローブテストの実行が可能である。したがって、テス
ト内容に見合ったテストの機器を選択することができ、
テストのためのコストを低減できる。
プローブテストの実行が可能である。したがって、テス
ト内容に見合ったテストの機器を選択することができ、
テストのためのコストを低減できる。
以上本発明者によってなされた発明を実施例にもとづき
具体的に説明したが、本発明は上記実施例に限定される
ものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可
能であることはいうまで°もない。
具体的に説明したが、本発明は上記実施例に限定される
ものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可
能であることはいうまで°もない。
たとえばボンディング用パッドとテスト用パッドは第3
図に示すように短いアルミニウム配線で接続する以外に
、第4図に示すように12つのパッドを一体的に形成し
てもよい。あるいは、2つのパッドの形状を変える。た
とえば第5図に示すようにテスト用パッドを45回転す
る形状とす慝ε1IiiH両者を識別できるようにする
・〔利用分野〕 本発明はEPROM等の多数回のプローブテストを必要
とする電子装置に適用することができる。
図に示すように短いアルミニウム配線で接続する以外に
、第4図に示すように12つのパッドを一体的に形成し
てもよい。あるいは、2つのパッドの形状を変える。た
とえば第5図に示すようにテスト用パッドを45回転す
る形状とす慝ε1IiiH両者を識別できるようにする
・〔利用分野〕 本発明はEPROM等の多数回のプローブテストを必要
とする電子装置に適用することができる。
第1図は本発明の一実施例を示す半導体チップの一部平
面図である。 第2図は第1図におけるパッド部分断面図である。 第3図乃至第5図は本発明の他の実施例であって、パッ
ドの変形例を示す拡大平面図である。 第6図は半導体装置の一例を示すチップ周辺部の一部平
面図である。 第7図は第6図におけるパッド部分の断面図である。 1・・・チップ、2・・・内部回路、3・・・ボンディ
ングパッド、4・・・凹凸、5・・・ワイヤ(ボール)
、6・・・配線、7・・・テスト用パッド。 第 1 図 第 2EJ 第 3 図 第 4 図 第 5 図 第 6 図 第 7 図
面図である。 第2図は第1図におけるパッド部分断面図である。 第3図乃至第5図は本発明の他の実施例であって、パッ
ドの変形例を示す拡大平面図である。 第6図は半導体装置の一例を示すチップ周辺部の一部平
面図である。 第7図は第6図におけるパッド部分の断面図である。 1・・・チップ、2・・・内部回路、3・・・ボンディ
ングパッド、4・・・凹凸、5・・・ワイヤ(ボール)
、6・・・配線、7・・・テスト用パッド。 第 1 図 第 2EJ 第 3 図 第 4 図 第 5 図 第 6 図 第 7 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、半導体基体主面に内部回路を構成する素子群が形成
され、内部回路を囲んで基体周辺部にそって各素子の外
端子に接続するボンディングパッド群が形成された電子
回路装置であって、上記各パッドにそれぞれテスト用パ
ッドが接続されていることを特徴とする電子回路装置。 2、上記テスト用パッドはボンディングパッドの配線側
と反対の側に接続されている特許請求の範囲第1項に記
載の電子回路装置。 3、上記テスト用パッドはボンディングパッドと一体的
に形成されている特許請求の範囲第2項に記載の電子回
路装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60131851A JPS61290747A (ja) | 1985-06-19 | 1985-06-19 | 電子回路装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60131851A JPS61290747A (ja) | 1985-06-19 | 1985-06-19 | 電子回路装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS61290747A true JPS61290747A (ja) | 1986-12-20 |
Family
ID=15067597
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP60131851A Pending JPS61290747A (ja) | 1985-06-19 | 1985-06-19 | 電子回路装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS61290747A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001338955A (ja) * | 2000-05-29 | 2001-12-07 | Texas Instr Japan Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
US6856022B2 (en) | 2003-03-31 | 2005-02-15 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor device |
EP3396709A1 (en) | 2017-04-27 | 2018-10-31 | Renesas Electronics Corporation | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
-
1985
- 1985-06-19 JP JP60131851A patent/JPS61290747A/ja active Pending
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001338955A (ja) * | 2000-05-29 | 2001-12-07 | Texas Instr Japan Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
US6856022B2 (en) | 2003-03-31 | 2005-02-15 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor device |
EP3396709A1 (en) | 2017-04-27 | 2018-10-31 | Renesas Electronics Corporation | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
KR20180120598A (ko) | 2017-04-27 | 2018-11-06 | 르네사스 일렉트로닉스 가부시키가이샤 | 반도체 장치 및 그 제조 방법 |
US10515877B2 (en) | 2017-04-27 | 2019-12-24 | Renesas Electronics Corporation | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
US10777490B2 (en) | 2017-04-27 | 2020-09-15 | Renesas Electronics Corporation | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US6617692B2 (en) | Apparatus for implementing selected functionality on an integrated circuit device | |
US5428298A (en) | Probe structure for testing a semiconductor chip and a press member for same | |
US20070045828A1 (en) | Semiconductor device package | |
JP2010278471A (ja) | 半導体装置とモジュール | |
US6351405B1 (en) | Pad for integrated circuit device which allows for multiple probing and reliable bonding and integrated circuit device including the pad | |
JPS6080264A (ja) | 半導体装置 | |
JPS61290747A (ja) | 電子回路装置 | |
US6573113B1 (en) | Integrated circuit having dedicated probe pads for use in testing densely patterned bonding pads | |
JPH11243120A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
KR100886716B1 (ko) | 스트립 기판 | |
JPS63244853A (ja) | 半導体集積回路装置 | |
JPH10178073A (ja) | 検査方法および半導体装置の製造方法 | |
JPS62183134A (ja) | 半導体装置 | |
JPH04254342A (ja) | 半導体集積回路装置 | |
KR100665843B1 (ko) | 반도체 장치에서의 패드 배치 구조 및 방법 | |
KR100621760B1 (ko) | 반도체 칩 테스트용 프로브 카드 | |
JP4056252B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP2809208B2 (ja) | Tabテープキャリア | |
US8436480B2 (en) | Semiconductor package | |
JPS6231148A (ja) | 半導体装置 | |
JP2972473B2 (ja) | 半導体装置 | |
JPH10339741A (ja) | ウェーハ・プローブカード | |
JP4627306B2 (ja) | 半導体装置 | |
JPH0358426A (ja) | Tab方式半導体装置 | |
TW424309B (en) | Substrate for multi-chip packaging with non-sticking inspection structure |