JPS6129048A - インライン型電子銃構体 - Google Patents
インライン型電子銃構体Info
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- JPS6129048A JPS6129048A JP15061884A JP15061884A JPS6129048A JP S6129048 A JPS6129048 A JP S6129048A JP 15061884 A JP15061884 A JP 15061884A JP 15061884 A JP15061884 A JP 15061884A JP S6129048 A JPS6129048 A JP S6129048A
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- magnetic field
- electron beam
- magnetic
- disk
- horizontal
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- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J29/00—Details of cathode-ray tubes or of electron-beam tubes of the types covered by group H01J31/00
- H01J29/46—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the ray or beam, e.g. electron-optical arrangement
- H01J29/70—Arrangements for deflecting ray or beam
- H01J29/701—Systems for correcting deviation or convergence of a plurality of beams by means of magnetic fields at least
- H01J29/707—Arrangements intimately associated with parts of the gun and co-operating with external magnetic excitation devices
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明はカラー陰極線管、特にセルフ・コンバージェン
ス方式のインライン型電子銃に関するものである。
ス方式のインライン型電子銃に関するものである。
（従来の技術）
第３図は従来用いられている動的コンバージェンス補正
を要しない、いわゆるセルフ・コンバージェンス方式の
インライン型電子銃を用いたカラー陰極線管の縦断面図
である。インライン型電子銃１から放射されて同一平面
内にある中央電子ビームＢ１及び一対の両性側電子ビー
ムＢ２．Ｂ３は排気された硝子外囲器２の漏斗状部に配
設された偏向装置５により水平及び垂直に偏向され、硝
子外囲器２の頂面にあり、内側に三色に発光する複数の
譬恍寸寺＋儂０螢光体画素が被着された螢光面４上にこ
れに対設されたシャドウマスク３を通して走査画面を形
成する。このカラー陰極線管を動的コンバージェンス補
正を要しないセルフ−コンバージェンス方式とするには
、偏向装置５の水平偏向磁界を強い糸巻型歪に、垂直偏
向磁界を強い樽型歪にして、第４図に示す様にこれら偏
向磁界により一対の両外側電子ビームＢ２ 、 Ｂ３
（Ｄ ニア ７収差をなくして螢光面４上に一致した走
査画面６を形成する。この場合の中央電子ビームＢ１の
走査画面７は一般に水平、垂直共両外側電子ビームＢ２
．Ｂ３の形成する走査画面６より小さくなる。
を要しない、いわゆるセルフ・コンバージェンス方式の
インライン型電子銃を用いたカラー陰極線管の縦断面図
である。インライン型電子銃１から放射されて同一平面
内にある中央電子ビームＢ１及び一対の両性側電子ビー
ムＢ２．Ｂ３は排気された硝子外囲器２の漏斗状部に配
設された偏向装置５により水平及び垂直に偏向され、硝
子外囲器２の頂面にあり、内側に三色に発光する複数の
譬恍寸寺＋儂０螢光体画素が被着された螢光面４上にこ
れに対設されたシャドウマスク３を通して走査画面を形
成する。このカラー陰極線管を動的コンバージェンス補
正を要しないセルフ−コンバージェンス方式とするには
、偏向装置５の水平偏向磁界を強い糸巻型歪に、垂直偏
向磁界を強い樽型歪にして、第４図に示す様にこれら偏
向磁界により一対の両外側電子ビームＢ２ 、 Ｂ３
（Ｄ ニア ７収差をなくして螢光面４上に一致した走
査画面６を形成する。この場合の中央電子ビームＢ１の
走査画面７は一般に水平、垂直共両外側電子ビームＢ２
．Ｂ３の形成する走査画面６より小さくなる。
この走査画面の不整合は偏向装置５０コマ収差によるも
のであり、コマ収差を除去して各走査画面を一致させる
ために、偏向装置５の後部漏洩磁界が及、）テ電子銃１
の先端に取付けられた非磁性材で有底円筒状に形成され
た集中磁極１ｏの底面１１に高透磁率の磁性部材からな
る磁界制御素子を配設している。第５図は集中磁極１０
の底面１１に配設された磁界制御素子の一例を示してい
る。集中磁極１０の底面１１に穿設された中央電子ビー
ムＪ透過開孔１２を螢光面４の短軸である垂直軸Ｙ−Ｙ
上で挾むように対設された一対の円盤状磁気増強素子１
５．１６と、螢光面４の長軸である水平軸Ｘ−Ｘ上に穿
設された両外側電子ビーム透過開孔１３，１４を囲む様
に配設された環状磁気遮蔽素子１７．１８から構成され
ている。磁気増強素子１５．１６は中央電子ビームＢ１
に対して、偏向装置５の水平偏向磁界ＰＨの偏向感度を
両外側電子ビーム１３２ 、 Ｂ３より増加させる作用
をする。一方、環状磁気遮蔽素子１７．１８は両外側電
子ビームＢ２、Ｂ３に対して、偏向装置５の水平、垂直
偏向磁界ＦＨ，Ｆｖの偏向感度を中央電子ビームＢ１よ
り低下させ、又中央電子ビームＢ】に対して垂直偏向磁
界Ｆｖの偏向感度を両外側電子ビームより増加させる働
きをする。
のであり、コマ収差を除去して各走査画面を一致させる
ために、偏向装置５の後部漏洩磁界が及、）テ電子銃１
の先端に取付けられた非磁性材で有底円筒状に形成され
た集中磁極１ｏの底面１１に高透磁率の磁性部材からな
る磁界制御素子を配設している。第５図は集中磁極１０
の底面１１に配設された磁界制御素子の一例を示してい
る。集中磁極１０の底面１１に穿設された中央電子ビー
ムＪ透過開孔１２を螢光面４の短軸である垂直軸Ｙ−Ｙ
上で挾むように対設された一対の円盤状磁気増強素子１
５．１６と、螢光面４の長軸である水平軸Ｘ−Ｘ上に穿
設された両外側電子ビーム透過開孔１３，１４を囲む様
に配設された環状磁気遮蔽素子１７．１８から構成され
ている。磁気増強素子１５．１６は中央電子ビームＢ１
に対して、偏向装置５の水平偏向磁界ＰＨの偏向感度を
両外側電子ビーム１３２ 、 Ｂ３より増加させる作用
をする。一方、環状磁気遮蔽素子１７．１８は両外側電
子ビームＢ２、Ｂ３に対して、偏向装置５の水平、垂直
偏向磁界ＦＨ，Ｆｖの偏向感度を中央電子ビームＢ１よ
り低下させ、又中央電子ビームＢ】に対して垂直偏向磁
界Ｆｖの偏向感度を両外側電子ビームより増加させる働
きをする。
従がって磁界制御素子１５．１６及び１７．１８により
中央電子ビームＢ１の走査画面７は水平、垂直方向共拡
大され、逆に両外側電子と一ムＢ２．Ｂ３の走査画面６
は縮少され、偏向磁界によるコマ収差が除去されて走査
画面６，７を完全に一致させることが可能となる。
中央電子ビームＢ１の走査画面７は水平、垂直方向共拡
大され、逆に両外側電子と一ムＢ２．Ｂ３の走査画面６
は縮少され、偏向磁界によるコマ収差が除去されて走査
画面６，７を完全に一致させることが可能となる。
（発明が解決しようとする問題点）
最近は、各種の情報を表示するためカラー陰極線管に高
解像度特性を持たせた一所謂デイスプレイ用カラー陰極
線管が用いられておシ、これにより英数字、記号、漢字
及び図表等が高密度表示される。高密度表示を行うには
、カラー陰極線管の解像度が高く、フォーカス特性が均
一であること、表示画面の水平方向解像度を高めるため
映像回路の周波数帯域が広いこと、表示画面の垂直方向
解像度を高めるためには走査線数が多いことが必要とな
る。
解像度特性を持たせた一所謂デイスプレイ用カラー陰極
線管が用いられておシ、これにより英数字、記号、漢字
及び図表等が高密度表示される。高密度表示を行うには
、カラー陰極線管の解像度が高く、フォーカス特性が均
一であること、表示画面の水平方向解像度を高めるため
映像回路の周波数帯域が広いこと、表示画面の垂直方向
解像度を高めるためには走査線数が多いことが必要とな
る。
通常、高密度表示の一手段として走査線数を増加させる
ため、水平偏向周波数ｆ、を現行の標準カラーＴＶ方式
の１５．７３４ ＫＨｚ以上に高めることが打力われて
いる。この場合、水平偏向周波数１ｈ＝１５．７３４Ｋ
Ｈｚ程度では全く問題がなかった水平偏向磁界による周
外側及び中央電子ビームが形成する走査画面にコマ収差
が生じ、第６図に示す様に中央電子ビームの走査画面７
′に対し両外側電子ビームの走査画面６′が水平方向で
若干拡大され。
ため、水平偏向周波数ｆ、を現行の標準カラーＴＶ方式
の１５．７３４ ＫＨｚ以上に高めることが打力われて
いる。この場合、水平偏向周波数１ｈ＝１５．７３４Ｋ
Ｈｚ程度では全く問題がなかった水平偏向磁界による周
外側及び中央電子ビームが形成する走査画面にコマ収差
が生じ、第６図に示す様に中央電子ビームの走査画面７
′に対し両外側電子ビームの走査画面６′が水平方向で
若干拡大され。
且つその拡大の割合が螢光面４の左右で相違し。
左側の拡大寸法ｄ、の方が右側の拡大寸法ｄ、より大き
くなる非対称性が生じる。この走査画面のずれが水平偏
向周波数に依存するコンバージェンス誤差となり、螢光
面上受像画像品位を著しく劣化さ−５〜 せる。例えば、２０インチ９０度偏向力２−陰極線管に
於て、水平偏向周波数ｆ ｈ ” １．５．７３ＫＨｚ
が２倍のｆ ｂ”３１．５に’Ｈｚとすると上述のず
れｄ、、ｄ２は有効螢光面の最外周部近くで”＋ ”’
０．７ Ｍ’ｌＲ、ｄｔ ＝＝０．３」となる。この様
に水平偏向周波数、ｆ ｈの増加と共に両外側電子ビー
ムと中央電子ビームが形成する走査画面６／、 ７／に
水平方向でコマ収差によるずれが生じる原因は次の通シ
である。
くなる非対称性が生じる。この走査画面のずれが水平偏
向周波数に依存するコンバージェンス誤差となり、螢光
面上受像画像品位を著しく劣化さ−５〜 せる。例えば、２０インチ９０度偏向力２−陰極線管に
於て、水平偏向周波数ｆ ｈ ” １．５．７３ＫＨｚ
が２倍のｆ ｂ”３１．５に’Ｈｚとすると上述のず
れｄ、、ｄ２は有効螢光面の最外周部近くで”＋ ”’
０．７ Ｍ’ｌＲ、ｄｔ ＝＝０．３」となる。この様
に水平偏向周波数、ｆ ｈの増加と共に両外側電子ビー
ムと中央電子ビームが形成する走査画面６／、 ７／に
水平方向でコマ収差によるずれが生じる原因は次の通シ
である。
先ず第一に、有底円筒状の集中磁極１０の画面垂直軸Ｙ
−Ｙ方向の筒側部を貫通する水平偏向磁界の磁束により
、この磁束頁通面に渦電流が生じ、これにより水平偏向
磁界の磁束変化を妨げる磁束が発生して、磁束を減殺さ
せ、中央及び両外側電子ビームＢ１ ｒ Ｂｔ ｒ Ｂ
１の偏向感度を低下させてその水平方向の偏向振幅を減
少させ、磁束の減少は環状磁気遮蔽素子１７．１８の磁
気遮蔽効果を減少させる。この渦電流による磁束の損失
は従来の水平偏向周波数ｆ ｈ ＝１５．７３ＫＨｚ
程度では全く無視出来たが、周波数の増加に従がって渦
電流による磁束損失は無視出来なぐなシ、第６図に示す
様に６一 両外側電子ビームの走査画面６′が中央電子ビームの走
査画面７′に対し左右方向で広がることになる。
−Ｙ方向の筒側部を貫通する水平偏向磁界の磁束により
、この磁束頁通面に渦電流が生じ、これにより水平偏向
磁界の磁束変化を妨げる磁束が発生して、磁束を減殺さ
せ、中央及び両外側電子ビームＢ１ ｒ Ｂｔ ｒ Ｂ
１の偏向感度を低下させてその水平方向の偏向振幅を減
少させ、磁束の減少は環状磁気遮蔽素子１７．１８の磁
気遮蔽効果を減少させる。この渦電流による磁束の損失
は従来の水平偏向周波数ｆ ｈ ＝１５．７３ＫＨｚ
程度では全く無視出来たが、周波数の増加に従がって渦
電流による磁束損失は無視出来なぐなシ、第６図に示す
様に６一 両外側電子ビームの走査画面６′が中央電子ビームの走
査画面７′に対し左右方向で広がることになる。
一方、水平方向の走査を行うために偏向装置５の水平偏
向コイルに流す電流波形は第７図に示す鋸歯状波であり
、図中ａ点からｂ点迄の時間ｔ、が水平走査時間であり
、ｂ点からＣ点迄の時間ｔ２が水平帰線時間であり、通
常ｔ２ばｔ、の約３程度に設定されている。ａ点或いは
０点が水平走査の画面上左端に、ｂ点が右端位置に対応
している。即ち、水平走査画面の左端位置は水平帰線時
間ｔ２の終端に対応し、右端は水平走査時間ｔ、の終端
に対応し、水平帰線期間ｔ２中は水平走査期間ｔ１中の
約５倍の速さで変化する電流による磁界が発生し。
向コイルに流す電流波形は第７図に示す鋸歯状波であり
、図中ａ点からｂ点迄の時間ｔ、が水平走査時間であり
、ｂ点からＣ点迄の時間ｔ２が水平帰線時間であり、通
常ｔ２ばｔ、の約３程度に設定されている。ａ点或いは
０点が水平走査の画面上左端に、ｂ点が右端位置に対応
している。即ち、水平走査画面の左端位置は水平帰線時
間ｔ２の終端に対応し、右端は水平走査時間ｔ、の終端
に対応し、水平帰線期間ｔ２中は水平走査期間ｔ１中の
約５倍の速さで変化する電流による磁界が発生し。
従がってその高調波成分磁界による渦電流損失に基づく
磁束の減少で環状磁気遮蔽素子１７．１８の磁気遮蔽効
果損失は螢光面左側の方が右側より大きく、第６図に示
す様に両外側電子ビーム走査画面６′の中央電子ビーム
走査画面７′に対する水平方向の拡大幅は左側のｄ、よ
シ大きくなり、水平方向でのコマ収差に非対称性が生じ
る。従来の標準カラーＴＶ方式（ＮＴＳＣ方式）で用い
られているｆ ｈ ＝１５．７３４ＫＨｚではｔＩ−＝
５１〜５３μｓｅｃ 、 ｔ２＝ｌＱ〜１２μｓｅｃで
、これによる渦電流損失は全く無視出来て、上述のコマ
収差及びその非対称性は実質的には見出せなかったが＋
、ｆｈの増加と共に１１とｔ２の相違、更には有効走査
時間ｔ、を大きくするために帰線時間ｔ２は出来るだけ
小さく々るように設定されて、渦電流損失に基く水平偏
向磁束減少の非対称性は無視出来ない量となって上記の
現象が顕著となってくる。
磁束の減少で環状磁気遮蔽素子１７．１８の磁気遮蔽効
果損失は螢光面左側の方が右側より大きく、第６図に示
す様に両外側電子ビーム走査画面６′の中央電子ビーム
走査画面７′に対する水平方向の拡大幅は左側のｄ、よ
シ大きくなり、水平方向でのコマ収差に非対称性が生じ
る。従来の標準カラーＴＶ方式（ＮＴＳＣ方式）で用い
られているｆ ｈ ＝１５．７３４ＫＨｚではｔＩ−＝
５１〜５３μｓｅｃ 、 ｔ２＝ｌＱ〜１２μｓｅｃで
、これによる渦電流損失は全く無視出来て、上述のコマ
収差及びその非対称性は実質的には見出せなかったが＋
、ｆｈの増加と共に１１とｔ２の相違、更には有効走査
時間ｔ、を大きくするために帰線時間ｔ２は出来るだけ
小さく々るように設定されて、渦電流損失に基く水平偏
向磁束減少の非対称性は無視出来ない量となって上記の
現象が顕著となってくる。
本発明は上述した欠点に鑑みてなされたものであり、イ
ンライン副電子＠全備えたカラー陰極線管の水平偏向周
波数の高周波化に対して両側電子ビームと中央電子ビー
ムの形成する走査画面にコマ収差によるズレが生じない
ようにしたインライン型電子銃を提供するものである。
ンライン副電子＠全備えたカラー陰極線管の水平偏向周
波数の高周波化に対して両側電子ビームと中央電子ビー
ムの形成する走査画面にコマ収差によるズレが生じない
ようにしたインライン型電子銃を提供するものである。
（問題点を解決するための手段）
本発明は、インライン型電子銃の最終電極の電子ビーム
射出側に、三つのインライン電子ビームの透過開孔を有
したセラミック等の非４電材で形成された円盤を取付け
、この円盤の電子ビーム透過開孔部に偏向ヨークの後部
漏洩磁界を制御する磁性材から成る磁界制御素子を配設
したことを特徴とする。このように構成することによっ
てインライン型電子銃の先端にあって偏向ヨークの後端
漏洩磁界の及ぶ、或いは偏向ヨーク磁界中に配設される
磁界制御素子固定部がこれを貫通する水平偏向磁界によ
シ発生する渦電流損失を防止し、水平偏向周波数の高周
波化にかかわらず中央及び両外側電子ビームが形成する
走査画面のコマ収差による非対称なずれを除去出来て、
インライン型電子銃を高密度で色ずれのない映像情報可
能な電子銃構体とすることが出来る。
射出側に、三つのインライン電子ビームの透過開孔を有
したセラミック等の非４電材で形成された円盤を取付け
、この円盤の電子ビーム透過開孔部に偏向ヨークの後部
漏洩磁界を制御する磁性材から成る磁界制御素子を配設
したことを特徴とする。このように構成することによっ
てインライン型電子銃の先端にあって偏向ヨークの後端
漏洩磁界の及ぶ、或いは偏向ヨーク磁界中に配設される
磁界制御素子固定部がこれを貫通する水平偏向磁界によ
シ発生する渦電流損失を防止し、水平偏向周波数の高周
波化にかかわらず中央及び両外側電子ビームが形成する
走査画面のコマ収差による非対称なずれを除去出来て、
インライン型電子銃を高密度で色ずれのない映像情報可
能な電子銃構体とすることが出来る。
（実施例）
以下、図面を参照して本発明の実施例を詳細に説明する
。
。
第２図（ａ） ＊ （ｂｌ 、 （ｃｌ 、 （ｄｉは
夫々本発明の一実施例による円盤２０、電子銃構体の最
終電極３０、これに取付けられる弾性支持子４０、及び
これら三者を固定する弾性側ヤビン５０の斜視図を示し
、第１図はこれらが組立てられた状態の立面図を示す。
夫々本発明の一実施例による円盤２０、電子銃構体の最
終電極３０、これに取付けられる弾性支持子４０、及び
これら三者を固定する弾性側ヤビン５０の斜視図を示し
、第１図はこれらが組立てられた状態の立面図を示す。
電子銃構体の最Ｐπイ極を除いた部分構成は、例えば特
開昭４８−８２７７０に示されているように従来から知
られているものと同様であるので図示していない。円盤
２０は第２図（ａｌ Ｋ示すように例えば、アルミナ又
はステアタイト等のセラミック等の非導電材から形成さ
れ、電子銃構体の最終電極である閉塞筒状体電極３０（
第２図（ｂ））の鍔状縁３１と同径で、厚みｔ金持ち、
閉塞筒状体電極３０に穿設されたインライン配列の開孔
３２Ｒ５３２Ｇ、３２Ｂにほぼ対応して直径Ｘ−Ｘ軸に
沿って開孔２４Ｉ（、，２４Ｇ、２４Ｂがインライン配
列して設けられている。円盤２０の側面２２にはＸ−Ｘ
軸と直交した直径Ｙ−Ｙ軸との交叉点の一カ所、及びこ
れを基準として例えば１．２０度離れた二カ所に凹状溝
２５を形成し、円盤の上面２１には夫々の凹状溝２５の
近傍に矩形孔２６が貫通して設けられている。これら三
つの矩形孔２６は閉塞筒状体電極３０の鍔状縁３１に穿
設されている三つの矩形孔３３と対応する位置関係を保
っている。更に、円盤２０の上面２１には、両性側開孔
２４Ｉ′ｌｉ・、２４Ｂを囲むように二つの環状磁気遮
蔽素子１７．１８が固着され、中央開孔２４ＧをＹ−Ｙ
軸上で挾む様に二つの磁気増強素子１５．１６が固着さ
れている。
開昭４８−８２７７０に示されているように従来から知
られているものと同様であるので図示していない。円盤
２０は第２図（ａｌ Ｋ示すように例えば、アルミナ又
はステアタイト等のセラミック等の非導電材から形成さ
れ、電子銃構体の最終電極である閉塞筒状体電極３０（
第２図（ｂ））の鍔状縁３１と同径で、厚みｔ金持ち、
閉塞筒状体電極３０に穿設されたインライン配列の開孔
３２Ｒ５３２Ｇ、３２Ｂにほぼ対応して直径Ｘ−Ｘ軸に
沿って開孔２４Ｉ（、，２４Ｇ、２４Ｂがインライン配
列して設けられている。円盤２０の側面２２にはＸ−Ｘ
軸と直交した直径Ｙ−Ｙ軸との交叉点の一カ所、及びこ
れを基準として例えば１．２０度離れた二カ所に凹状溝
２５を形成し、円盤の上面２１には夫々の凹状溝２５の
近傍に矩形孔２６が貫通して設けられている。これら三
つの矩形孔２６は閉塞筒状体電極３０の鍔状縁３１に穿
設されている三つの矩形孔３３と対応する位置関係を保
っている。更に、円盤２０の上面２１には、両性側開孔
２４Ｉ′ｌｉ・、２４Ｂを囲むように二つの環状磁気遮
蔽素子１７．１８が固着され、中央開孔２４ＧをＹ−Ｙ
軸上で挾む様に二つの磁気増強素子１５．１６が固着さ
れている。
第２図（Ｃ１に示す様に、弾性支持子４０は耐熱性弾性
材により、先端に椀状に湾曲した接触部４１と、他端に
接触部４１の湾曲と逆側に大略り字状に折曲げられた取
付部４２を形成した構造を有している。取付部４２には
円盤２０上の矩形孔２６及び閉塞筒状体電極３０の矩形
孔３３と同形の矩形孔４３が穿設されている。第１図は
最終電極３０に円盤２０を取付けた状態を示しているが
、三つの弾性支持子４０の帯状部を円盤の凹状溝２５に
嵌合させ、取付部４２を円盤２０と閉塞筒状体電極３０
の鍔状縁３１で挾み込み、第２図（ｄｉに示す弾性割シ
ビン５０を夫々の矩形孔２６．４３．３３に貫通させ円
盤２０を電極３０の鍔状縁３１に固定させる。これらの
固定は弾性割りビｙ５０の弾性を利用している。弾性支
持子４０は図示しないか、電子銃構体を陰極線管頚部内
に固定し、陰極線管漏斗状部から頚部内壁に塗布された
内部導電被膜から高電圧を電子銃構体に供給する機能を
持っている。
材により、先端に椀状に湾曲した接触部４１と、他端に
接触部４１の湾曲と逆側に大略り字状に折曲げられた取
付部４２を形成した構造を有している。取付部４２には
円盤２０上の矩形孔２６及び閉塞筒状体電極３０の矩形
孔３３と同形の矩形孔４３が穿設されている。第１図は
最終電極３０に円盤２０を取付けた状態を示しているが
、三つの弾性支持子４０の帯状部を円盤の凹状溝２５に
嵌合させ、取付部４２を円盤２０と閉塞筒状体電極３０
の鍔状縁３１で挾み込み、第２図（ｄｉに示す弾性割シ
ビン５０を夫々の矩形孔２６．４３．３３に貫通させ円
盤２０を電極３０の鍔状縁３１に固定させる。これらの
固定は弾性割りビｙ５０の弾性を利用している。弾性支
持子４０は図示しないか、電子銃構体を陰極線管頚部内
に固定し、陰極線管漏斗状部から頚部内壁に塗布された
内部導電被膜から高電圧を電子銃構体に供給する機能を
持っている。
磁界制御素子１５，１６，１７．１８を固着された円盤
２０は非導電性の絶縁材でてきているので、偏向ヨーク
の稜端漏洩磁界の及び場所、或いは偏向ヨーク磁界中に
配設され、その中を水平偏向磁界がＹ−Ｙ軸方向から貫
通しても、従来の様に磁束貫通面に渦電流が生じ、これ
により水平（２）向磁界の磁束変化を妨げる磁束が発生
することは防止される。なお、絶縁材が電界中に配置さ
れると、その表面に不安定な電荷が帯電するので、陰極
線管頚部の導電被膜の高電圧電界中に配置される円盤２
０の上面２１．側面２２及びその開孔部２４Ｒ５２４Ｇ
、２４Ｂ 内にはアルミニウム等の非磁性金属薄膜を
蒸着等の手段で形成することが望ましい。
２０は非導電性の絶縁材でてきているので、偏向ヨーク
の稜端漏洩磁界の及び場所、或いは偏向ヨーク磁界中に
配設され、その中を水平偏向磁界がＹ−Ｙ軸方向から貫
通しても、従来の様に磁束貫通面に渦電流が生じ、これ
により水平（２）向磁界の磁束変化を妨げる磁束が発生
することは防止される。なお、絶縁材が電界中に配置さ
れると、その表面に不安定な電荷が帯電するので、陰極
線管頚部の導電被膜の高電圧電界中に配置される円盤２
０の上面２１．側面２２及びその開孔部２４Ｒ５２４Ｇ
、２４Ｂ 内にはアルミニウム等の非磁性金属薄膜を
蒸着等の手段で形成することが望ましい。
この場合蒸着膜厚は３０００〜５０００オングストロ一
ム程度である。高周波磁界による渦電流損失は、磁束変
化速度の２乗と磁束が印加される材料板厚の２乗の相乗
積に比例するから、上述のよう々極めて薄い金属薄膜で
渦電流損失は無視できる。
ム程度である。高周波磁界による渦電流損失は、磁束変
化速度の２乗と磁束が印加される材料板厚の２乗の相乗
積に比例するから、上述のよう々極めて薄い金属薄膜で
渦電流損失は無視できる。
従がって水平偏向周波数ｆｈが１５．７５ ＫＨｚから
３１、５ ＫＨｚ ｓ或いは６４ＫＨ２以上に高周波化
されて陰極線管が高密度表示に使用されても、偏向感度
の低下や円盤２０に配設される磁界制御素子の磁界制御
作用を減少させることはなくなり１両外側電子ビームの
走査画面が中央電子ビームの走査画面に対しずれるとい
う問題は解消される。即ち、中央ビームと両外側電子ビ
ームのコンバージェンス誤差を０．１朋以下と極めて小
さくすることが出来、その誤差量が小さくなることで、
コンバージェンス制差が画面左右端で非対称性を持って
いても無視可能となる。
３１、５ ＫＨｚ ｓ或いは６４ＫＨ２以上に高周波化
されて陰極線管が高密度表示に使用されても、偏向感度
の低下や円盤２０に配設される磁界制御素子の磁界制御
作用を減少させることはなくなり１両外側電子ビームの
走査画面が中央電子ビームの走査画面に対しずれるとい
う問題は解消される。即ち、中央ビームと両外側電子ビ
ームのコンバージェンス誤差を０．１朋以下と極めて小
さくすることが出来、その誤差量が小さくなることで、
コンバージェンス制差が画面左右端で非対称性を持って
いても無視可能となる。
（発明の効果）
以上述べたように本発明によれば、カラー陰極線管にお
いて水平偏向周波数が１５．７５ＫＨｚから６４ＫＨｚ
〜９９ＫＨｚ 、或いはこれ以上に高周波化されても、
両外側電子ビームと中央電子ビームの画面左右端でのコ
ンバージェンス誤差は無視できる程度に小さくなるので
、カラー陰極線管の水平偏向周波数を高めて高密度表示
を行っても、色ずれによる画質品位を劣化させること（
はなくなる。更に水平偏向周波数に対するコンバージェ
ンス誤差の依存性がなくなるため、集中磁極内に設置す
る磁界制御素子を使用水平偏向周波数毎に最適のものに
変摂する必要はなく、全て同一の磁界制御素子を用いる
ことが可能となり、陰極線管製造工程を単純化出来る利
点も合せ持ち、その工業的実用価値は高い。
いて水平偏向周波数が１５．７５ＫＨｚから６４ＫＨｚ
〜９９ＫＨｚ 、或いはこれ以上に高周波化されても、
両外側電子ビームと中央電子ビームの画面左右端でのコ
ンバージェンス誤差は無視できる程度に小さくなるので
、カラー陰極線管の水平偏向周波数を高めて高密度表示
を行っても、色ずれによる画質品位を劣化させること（
はなくなる。更に水平偏向周波数に対するコンバージェ
ンス誤差の依存性がなくなるため、集中磁極内に設置す
る磁界制御素子を使用水平偏向周波数毎に最適のものに
変摂する必要はなく、全て同一の磁界制御素子を用いる
ことが可能となり、陰極線管製造工程を単純化出来る利
点も合せ持ち、その工業的実用価値は高い。
第１図は本発明の一実施例の立面図、第２図（ａｌ、
（ｂｌ 、 （Ｃ１、（ｄｌは本発明の一実施例の分解
図でそれぞれ円盤、電子銃構体の最終電極９弾性支持子
。 弾性割ビンの斜視図、第３図は従来用いられていルセル
フ・コンバージェンス方式のインライン型電子銃を用い
たカラー陰極線管の縦断面図、第４図はこのカラー陰極
線管の螢光面上に中央及び周外側電子銃が形成する走査
画面を示す図、第５図は前記走査画面のコマ収差を補正
する磁界制御素子と、その水平、垂直偏向磁界に対する
作用を示す図、第６図は水平偏向周波数が高くなった時
螢光面上に表われる中央及び内外側電子銃の電子ビーム
が形成する走査画面のずれを説明する図、第７図は水平
偏向コイルに流れる電流波形を示す図である。 １・・・・・・インライン型電子銃、２・・・・・・硝
子外囲器、４・・・・・・螢光面、５−・・・偏向装置
、６．６’・・・・・・内外側電子ビームが形成する走
査画面、７．７’・・・・・・中央電子ビームが形成す
る走査画面、１０・・・・・・集中磁極、２０・・・・
・・円盤、２４Ｇ、２４Ｊ２４Ｂ・・・・・・円板の中
央及び周外側電子ビーム透過開孔、２５・・・・・・凹
状溝、２６・・・・・・矩形孔、３０・・・・・・電子
銃構体の最終電極である閉塞筒状体電極％ ３１・・・
・・・鍔状縁、４０・・・・・・弾性支持子、５０・・
・・・・弾性割ピン。 第１図
（ｂｌ 、 （Ｃ１、（ｄｌは本発明の一実施例の分解
図でそれぞれ円盤、電子銃構体の最終電極９弾性支持子
。 弾性割ビンの斜視図、第３図は従来用いられていルセル
フ・コンバージェンス方式のインライン型電子銃を用い
たカラー陰極線管の縦断面図、第４図はこのカラー陰極
線管の螢光面上に中央及び周外側電子銃が形成する走査
画面を示す図、第５図は前記走査画面のコマ収差を補正
する磁界制御素子と、その水平、垂直偏向磁界に対する
作用を示す図、第６図は水平偏向周波数が高くなった時
螢光面上に表われる中央及び内外側電子銃の電子ビーム
が形成する走査画面のずれを説明する図、第７図は水平
偏向コイルに流れる電流波形を示す図である。 １・・・・・・インライン型電子銃、２・・・・・・硝
子外囲器、４・・・・・・螢光面、５−・・・偏向装置
、６．６’・・・・・・内外側電子ビームが形成する走
査画面、７．７’・・・・・・中央電子ビームが形成す
る走査画面、１０・・・・・・集中磁極、２０・・・・
・・円盤、２４Ｇ、２４Ｊ２４Ｂ・・・・・・円板の中
央及び周外側電子ビーム透過開孔、２５・・・・・・凹
状溝、２６・・・・・・矩形孔、３０・・・・・・電子
銃構体の最終電極である閉塞筒状体電極％ ３１・・・
・・・鍔状縁、４０・・・・・・弾性支持子、５０・・
・・・・弾性割ピン。 第１図
Claims (2)
- （１）インライン型電子銃の最終電極の電子ビーム射出
側に三つのインライン電子ビームの透過開孔を有する非
導電材で形成された円盤を取付け、この円盤の電子ビー
ム透過開孔部に偏向ヨーク後部漏洩磁界を制御する磁性
材から成る磁界制御素子を配設したことを特徴とするイ
ンライン型電子銃構体。 - （２）前記非導電材で形成された円盤の表面に非磁性の
導電性薄膜を形成したことを特徴とする特許請求の範囲
第（１）項記載のインライン型電子銃構体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15061884A JPS6129048A (ja) | 1984-07-20 | 1984-07-20 | インライン型電子銃構体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15061884A JPS6129048A (ja) | 1984-07-20 | 1984-07-20 | インライン型電子銃構体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6129048A true JPS6129048A (ja) | 1986-02-08 |
Family
ID=15500805
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15061884A Pending JPS6129048A (ja) | 1984-07-20 | 1984-07-20 | インライン型電子銃構体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6129048A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7935988B2 (en) | 2005-09-05 | 2011-05-03 | Sony Corporation | Method of manufacturing solid state imaging device, solid state imaging device, and camera using solid state imaging device |
-
1984
- 1984-07-20 JP JP15061884A patent/JPS6129048A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7935988B2 (en) | 2005-09-05 | 2011-05-03 | Sony Corporation | Method of manufacturing solid state imaging device, solid state imaging device, and camera using solid state imaging device |
| US7999291B2 (en) | 2005-09-05 | 2011-08-16 | Sony Corporation | Method of manufacturing solid state imaging device, solid state imaging device, and camera using solid state imaging device |
| US8455291B2 (en) | 2005-09-05 | 2013-06-04 | Sony Corporation | Method of manufacturing solid state imaging device, solid state imaging device, and camera using solid state imaging device |
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