JPS61289800A - トランスデユ−サ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は電気機械トランスデユー丈に関し、特にトラン
スデユーサ装置の互いに反対の端部からエネルギーが選
択的に放射される２重ピストン・トランス７’−Ｌ−リ
−として知られているトランスデユーサに関する。

（従来の技術及びその問題点） ２重ピストントランスデユーサとして知られている装置
は従来技術で知られている電気機械ないしは電気音響ト
ランスデユーサである。その最も単純な形態において、
装置は両側において放射媒体に接触する活性材料の薄片
から成り、その内部に平面的運動を誘発す”る。例えば
、圧電セラミック（例えばシルコンデタン酸鉛系のもの
）の平らなディスクまたはリングであって、部平らな面
に電極を有し、平らな面に垂直な方向に分権されたもの
は、そのような振動子として動作する。この種の装置は
、通常出力を高くするため。第１の縦形共振周波数の近
くの周波数で動作するようにされる。コンパクトで共成
周波数が十分に低く、良＜　ｍｉ制御された応答性を得
るため、活性材料の２つの側に、不活性材料片でマス（
質邑）荷重をかけることが通常行なわれる。

従来技術の・マス荷重聚かけられた２重ピストントラン
スデユーサの一例が第１図（ａ）に示されている。複数
の圧電材料リンブト・・は結合されて複合圧電スタック
２を形成している。各リングは、電気的に並列に配線さ
れており、電圧を電気リード線間に印加したときに個々
のリング１のすべてが調和して装置の縦軸の方向に膨張
あるいは収縮する。セラミックスタックの各端部に、同
一のヘッド（頭部）マス素子３が結合され、各々が放射
媒体５と接触する外面４を有している。ス１−レス棒即
ち予め張力をかＩ′ｊられたボルト６およびこれに協働
するナラｌ−７が各要素を結合し、活性素子からなるス
タック２に圧縮的バイアスストレスを与えるように設け
られている。説明の簡単のため、リング１相互間に配置
された電極と、スタック２の端部に配置された絶縁ワッ
シャーとは図示していない。

第１図（ａ）の装置は、機械的［１１１’５音警的エネ
ルギーの発信器又は受信器として用いることができ、略
その一次的共振周波数を中心とげる周波数帯域で動作せ
しめられるのが通常である。この周波数帯域において、
２つのヘッドマス３は互いに反対に向きに動ぎ、一方話
性祠ｉｌ＋のスタック２はその軸の方向に膨張、収縮す
る。

当業者にはにり分かるように、第１図（ａ）の装置の性
能は第１図（ｂ＞の単純化された電気等価回路の類似の
挙動によって近似させることができる。この回路におい
て、２つのインダクターｍｈは２つのヘッドマスを表わ
し、セラミックスタックのコンプライアンスはキャパシ
タＣで表わされている。２つのインダクターｍｅＩＪ３
よびｒＴＩｅ２はセラミックスタック２の２のっ端部の
実効的マス成分を表わす。ＣＯはセラミックスタック２
の電気的にクランプされたキャパシタンスであり、φ：
１は圧電スタック２の変換特性を表わす電気機械変換器
の変換比である。等価回路の外側の枝路のブロックＺ　
ｒａｄはトランスデユーサの放射面で見た等価放射イン
ピーダンスを表わす。これらのインピーダンスの等価電
流ｕ１およびｕ２はトランスデユー１すの運動する而の
速度を表ねび。

第１図（ａ）の装置の対称性の故、２・っの端部から放
射されるエネルギーは相等しい。等価回路表示において
、この対称性から明らか／ｉ如く、等価電流ｕ１および
ｕ２は相等しい。音響装置にＪ３いて、このことは、音
エネル−１＝−が装置の縦軸に沿って双方向に、遠い場
所に相等しく放射されることを意味する。ある種の用途
には、このことは右利である。しかし、他の用途には、
縦軸に沿い方向の一方に放射させ、他方にはほとんど放
射をさせないことが必要である。これらの用途に【ユ、
従来技術の２重喘縦形廠動子は適切ではない。

単方向性の放射を必要とする用途には、各々が媒体５と
接する単一のｔＩｉ射而を面する２つの別個の装置を用
いることも可能である。このような構成の一例は第２図
（ａ）に示ケように、２つの同一の縦形振動子装置が互
いに後部を向【ノあって取付けられている。これらの装
置１９ｆの各々は、全体として２重端振動子の放射と同
様であるが、但し放射媒体５と接するヘッドマス３が一
〇しがない。

′Ｘ５２のヘッドマスの代りに振動可能なティルマス８
が設けられている。この一対の電気等価回路図は、第２
図（ｂ）に示されている。２つの等価ヘッドマスインダ
クタｍ　ｔ＋の一方の代りに、ティルマスｍ［のインダ
クタンスが用いられ、この等価テイル・インダクタンス
に直列の放射インピーダンスＺ　ｒａｄが除かれている
。

この構成のこれら２つのトランスデユーサは別個に駆動
され、各々がそれらの共通のｍ帖に沿って、一方の方向
にのみ放射を行なう。等価回路表示において、放射イン
ピーダンスの等価電流ｕ１およびｕ２は完全に独立であ
ることが分がろう。

２つのトランスデユーサ構成は単一の放射を必要とする
状況において適切である。この構成の欠点は、同じ機能
を持つ単一の装置に比べ寸法が大きくなり、重くなり、
複雑で高価となることである。

本発明の目的は、トランスデユーサの縦軸に沿う向きの
一方に単方向性の放射を行ない、反対の向きにほとんど
！ｌｌ射をしない２重ビス！−ン・（・ランスデユー→
〕を提供し、該トランスデユー４ノを電気的に駆動する
方法を提供νることにある・本発明の一実施例によれば
、１〜ランスデユーナを運動あるいは回動させることな
く、放射が行なわれる方向を一方の端部がら他方の端部
へ変更し得る装置を提供することができる。

本発明の一実施例によれば、装置への電気（ｉ号パラメ
ータを変更することににす、その縦軸に沿う２つの向き
のＭ　ＤＩエネルギーの比をいがなる所望の値にも変え
（りる装置を提供することができる。

本発明の一実施例によれば、その縦軸に沿う一方向から
の信号に対し高い信号受信感度を選択的に有し、反対方
向からの信号に対しはとｌνどあるいは全く感度を右し
ない２手のピストン受信トランスデユーサを提供するこ
とができる。

本発明の他の目的は、１〜ランスデユーリーを運動又は
回ｉ！ｌＩさぜることなく、高い受信感度の方向を一方
の端部から他方の端部に変えることができる装置を提供
することができる。

本発明の一実施例によれば、１−ランスデューサからの
電気信号のパラメータを変えることにより、その縦軸に
沿う２つの方向の受信感度の比をいかなる所望の値にも
変え行るトランスデユーサーおよびトランスデユーサの
制御システムを提供することができる 本発明の一実施例によれば、比較的コンパクトで、軽く
しかも低価格の１−ランスデューサを提供することがで
きる。

〔問題点を解決するための手段〕

本発明は、上記問題点を解決するため、第１の発明は、
音ｗ！ｌ１体と接触する第１および第２のヘッドマスと
、それぞれ前記第１および第２のヘッドマスに当接する
第１および第２の活性のトランスデユーり素子と、前記
第１および第２のトランスデユーサ素子と接し、前記第
１および第２のトランスデユーサ素子間で振動を伝達し
、前記第１および第２のヘッドマスの一方による振動を
、前記第１および第２のヘッドマスの他方による振動に
より、強め或いは弱める伝送手段とを設けてトランスデ
ユーサを構成した。

また第２の発明は、音響媒体と接触づ−る第１のヘッド
マスと、前記第１のヘッドマスど当接する第１の活性ト
ランスデユーサ素子と、前記第１の活性トランスデユー
サ“素子と当接する中心マスと、前記中心マスと当接す
る第２の活性１ヘランスデユーサ素子と、前記第２の活
性トランスデユーサ素子と当接し、前記音響媒体と接触
り゛る第２のヘッドマスとを設けてトランスデユーサを
構成した。

〔発明のＩＲ要） 本発明は上記の目的を、２重ピストンのトランスデユー
りの圧電スタックの中心に、特別のマスを配置し、この
ようにして形成された２つのセラミックスタックに電気
駆動又は受信回路を接続することにより達成するもので
ある。特別のマスは、スタックを互いに電気的には接続
されていない２つの別個のスタックに分離する。たずし
各スタックの個々のセラミックリングＬＬ　、従来技術
の装置と同様電気的に並列に接続されている。２つの圧
電スタックに印加される駆動電圧励磁の相対的な大きさ
および位相を適切に選ぶことにより、広鞘囲の音響性能
特性を得ることが可能である。

〔実施例〕

以下図面を参照して本発明の詳細な説明する。

本発明は２ｍピストン・トランスデユーサ素子において
、圧電スタックの中心にマスを付加し、このようにして
形成された２つのセラミックスタックを適切に駆動する
ことにより、選択可能な単方向の応答性を達成するもの
である。第３図（ａ）は特別の（特別に付加された）マ
ス９を有する２頂端トランスデユーサＪを示す。マス９
はこれ以後中心マスと呼ばれる。中心マス９は活性の１
−ランスデユーサスタック２′および２°°およびヘッ
ドマス３′および３゛°の間に配置されている。スタッ
ク２′および２°°は、ストレス棒６′および６°°な
らびにナツト７′および７°°により圧縮バイアスをか
けられている。中、心マス９はＦｉｘ　！ＪＪがスタッ
ク２′および２゛ならびにマス３．′および３゛。

間で伝送されるのを許容する。伝送された振動は反対側
にお１ノる振動を強めあるいは弱め（無効にし）・ある
いはそれらの組合せをなす。２つのヘッドマス３−およ
び３°°は、従来技術の装置のヘッドマス３の場合と同
様、互いに同一の構造であってもよく、装置の２つの側
に異なる放射特性を生じさせるように互いに異なるもの
であってもよい。同様に２つの活性のスタック２′およ
び２１は同一のに材料で形成してもよく、２つの方向の
応答性を必要に応じて変えるために異なるしのであって
もよい。第３図（ａ）のトランスデユーサは第２図（ａ
）の従来技術のトランスデユーサの組立てと略同様に組
立てることとしてもよい。活性のトランスデユーサ素子
１は、圧電セラミック材料、例えばジルコンチタン酸鉛
系のらのから形成されｔｃ　ｍ子であってもよく、アメ
リカ合衆国、オハイオ州、ベッドフォードのバーニトロ
ン社（Ｖｅｒｎｉｔｒｏｎ　Ｉｎｃ、）から入手可能で
ある。ヘッドマス３′および３゛°ならびに中心マス９
はタングステン、鋼あるいはアルミニウムでもよい。ス
トレス棒は機械加工の後に人工的にエージングされて、
ｏツクｆ）ｘ）Ｌｔ　（Ｒｏｃｋｗｅｌｌ）　Ｃ５９−
４２を冑るようにした１／４の硬さの△ＳＴＭ　　Ｂ−
１９ｆ３による合金番号１７２と称されるベリリウム銅
でもよい。

ナツト７′および７゛°はアルミニウム又は銅でもよい
が、ヘッドマス３′および３１に接する面が平うであっ
て、ナツトのロッキングが起こらないヨウニなっていな
ければならない。トランスデユーサの全体の組立はエポ
キシを用い次にストレス棒６′および６゛°に張力をか
けて行なうか、ゆるく組立てストレス棒６′および６°
°で固定することによって行ない得る。スＩ・レス棒６
′および６°“を用いた圧縮バイアスの調整は当業者に
は容易である。

典型的なトランスデユーサの他の特徴、例えば絶縁ワッ
シャー、配線、電気接点等は当業者によく知られており
、例えばミラー（Ｍｉｌｌｅｒ）に付与された米国特許
第３．３０９．６５３号明細書に示されている。

第３図（ａ）のストレス棒６′および６°゛の実線は、
ストレス棒６−および６′°がそれぞれのヘッドマス３
′および３゛ならびに中心マス９に固定されていること
を示している。しかし、甲−のストレス棒を用い、中心
マス９内の孔を貫通させ２つのヘッドマス３および３１
を接続させることも可能である。単一の棒による中心マ
ス９の貫通は第３図（ａ）に破線で示しである。

第３図（ａ）のトランスデユーサの単純化した等価回路
表示が第３図（ｂ）に示されている。この回路は２つの
圧電スタックを示す。各スタックは等価電気要素ＣＯ、
Ｃｔ　、　Ｃ２、ｍｌ　、　ｍ２　。

ｍ０１．　ｍｅ２および変換比がφである電気機械変換
機の組合せにより表わされている。回路内の等価インダ
クターｍｃは中心マス９を表わす。

第３図（ｂ）の等価回路から明らかなように、第３図（
ａ）のトランスデユーサは２つの入力を有し、２つの出
力を有する線形のシステムとして見て分析することがで
きる。この装置が発信トランスデユーサとして用いられ
る場合、入力パラメータは、２つのセラミックのスタッ
ク２への電気接続における、電圧Ｅ１およびＥｌであり
、出力パラメータは、２のつ放射ヘッドマス３の速度Ｕ
１およびｕ２である。

各要素に対する電気音響伝達マトリックスは下記の通り
である。

ここで、ｕｌおよびｕ２はそれぞれヘッドマス３および
３°°の速度であり、ＥｌおよびＥｌはそれぞれセラミ
ックのスタック２′および２゛°に印加される駆動電圧
であり、０１１−０２２は以下のようにして定められる
。

ｊω１°・ｉｃｌ　　　　　１２°−ｍｃ’ｃ　１１−
−　（１−ω２−　Ｃ２）　　−（２）ＨＴＤ　　　　
　　　１１２−１ｃ’ ｊω１２°・Ｃ２ Ｃ１２−□　　　　　　　　　　　・・・（３）ＨＴ’
Ｄ ｊω１°・Ｃ１ Ｃ２１＝　−０，（４） ＨＴ’Ｄ ３０ｍ２−Ｃ２１１１’４Ｃ’ ｃ　２２　＝　　−（１−ω’　　−ｃｌ）　　　・・
・（５）ＨＴ−Ｄ　　　　　　　　　　　　１１°・Ｉ
Ｃ’ここで、 ｍ　１’　−ｍ１＋　ｍｅｌ　　　　　　　　　　　　
　・（６）ｍ　２’　−ｍ２＋　ｍｅｌ　　　　　　　
　　　　　　−（７）ｍ　Ｃ’　−ｆａＣ＋　２１８２
　　　　　　　　　　　−＝　（８）ＨＴ　　−ｍｌｏ
　＋ｍ２°　トｖａｅ’　　　　　　　　　　　・・・
（９）１°（ｍ２’＋■Ｃ“） ［）＝１−ω’　ｃＩ ＨＴ ａ＋２’（ｍｌ’＋ｗｃ’） 一ω２Ｃ２ 旧 １°４２−ａ＋ｃ’ ＋ω４　□　　　　　　　　　　　・・・（１０）Ｔ ωは、動作角周波数であり、 ω＝２πｆ（ｆは動作周波数）である。

式（１）〜（１０）の変数はすべて複素数であり、振幅
および位相の情報を持ち。このような、マトリックスフ
ォーマツ１〜にＪ３ける複素数の操作に関する詳細は、
オーストリアのウィーンおよびアメリカ合衆国のニュー
ヨークのスブリンゲルフエ７７７−り（Ｓｐｒｉｎｇｃ
ｒ　−Ｖｅｒｌａｇ）により１９７１年に刊行されたユ
ーゲン・スフドルライク（［ｕｇｃｎＳｋｕｄｒＺＶｋ
）による音響学の基礎ｊ　ｒｏｕｎｄａｔｉｏｎｓｏｆ
　Ａｃｏｕｓｔｉｃｓ）に示されている。

放射ヘッド速度として所望の値を与えられたとき、式（
１）はそれを生じさせる２つの複素スタック電圧の削詐
を可能にする。Ｕ２を零にするため、これらの式を用い
ると、駆動電圧の比が下記の通りあるべきことが分かる
。

Ｅ２　　　−　　ｃ２１ □−□　　　　　　　・・・（１１） Ｅ　１　　　　　　ｃ　２２ 式（１１）の電圧比にすると、ヘッドマス３′からは高
パワーの１３費的放０４があり、ヘッドマス３°“から
は全く放射がない。同様にして・式（１）を用いると・
ヘッドマス３゛からは高い放射があり、ヘッドマス３−
からは放射がないにうにするには印加電圧の比が下記の
通りであるべきことが導かれる。

Ｅｌ　　　　−Ｃ１２ □　−□　　　　　　　・・・（１２）Ｅ２　　　　　
　Ｃ１１ 素子ヘッドマス３゛°の速度ｕ２を零とするように式（
１）により電圧比を選択にすると、第３図（ｂ）の回路
ノード（節点）１０は等値電圧が零に保たれる。この結
果、動的情況は第３図（Ｃ）に示ずものと同一となる。

第３図（Ｃ）では第３図（ｂ）の仮想的接地点１０が描
ぎ直されており、これによりそれが接地電位を持つこと
が明確にされている。第３図（Ｃ）の点線より右側の部
分は第２図（ｂ）の従来のトランスデユーサの等価回路
の一つと同じである。但し、第２図（ｂ）の等価テイル
マスｍｔが等価中心マスｍｃおよびセラミックの等価マ
スｍｅ２の組合せに置き換えられている。従って第３図
（Ｃ）の右半分の電気的、機械的および音響的挙動は第
２図の従来の素子のそれと同一である。従来の素子の場
合と同様ヘッドマス３′から著しい昌費的エネルギーが
放射される。駆動電圧比を式（１１）の値がら式（１２
）の値に換えることにより、１−ランスデューサ装置を
勅かりことなく放射の向きを換えることができる。

実際、２つの圧電スタックへの相対的駆動電圧を調整す
ることにより、左および右方向間の相対的な放用比を上
記した右側を最大とする比［式（１１）から、両側で相
笠しい状態を通り、上記した左側を最大とする比（式（
１２＞］までのどの値にすることもできる。

もし、 ｒ＝□　　　　　　　　　　・・・（１３）が２つのヘ
ッドマスの放ＯＡ速度の比の望ましい値であれば、この
情況を作り出すために必要な駆動電圧の比は式〈１）か
ら Ｅｌ　　　　ｃ２２ｒ　　−ｃ２１ □＝□　　　・・・（１４） Ｅ２　　−ｃ１２ｒ　　＋　　ｃ１１ 中心マスを中心と覆る反射的対称性を持つ装置にとって
、電気音響的な伝達マｉ・リックス要素は下記の関係を
有する。

ｃｌｌ　　＝　　ｃ２２ ｃ２１　　＝　　ｃ１２　　　　　　　　　　　・・・
（１５）ｕｌが零である単方向性の放射の場合、ｒ＝Ｑ
で式〈１４）は式（１２）に還元される。（」２が零に
近づく単方向性の放射の場合、式（１４）は式（１１）
に還元される。２つのヘッドからの放射が等しい場合、
式（１４）のｒ−１で、従ってＥｌ　＝Ｅ２となる。

第４図は上記の性能を右する１〜ランスデユーサおよび
駆動電子回路の代表的な構成を示す。この図には、シス
テムの入力を提供する電気信号発生器１１から示されて
いる。この信号はゲイン又は振幅および位相調整ユニッ
ト１２の独立のチャネルを介して送られる。該調整ユニ
ット１２は各チャネルの、所望の複素駆動電圧Ｅに従っ
て、入力信号の振幅おＪ：び位相を調！！！する。複素
駆動電圧は、電力増幅器１３に印加されて、増幅され、
第３図（ａ）のトランスデユーサ１４の２つのスタック
に印加される。２つのチャネルの振幅および位相を適切
に選択することにより、システムの性能を広範囲に変え
ることができる。

第５図は新規の装置を受信ヒンサとして用いた例を示し
ている。２つのスタックで発生された電気信号は別個の
プリアンプ１９でバッファされ増幅される。プリアンプ
の出力信号は別個のゲインおよび位相調整ユニット１２
に供給される。ゲインＪ３よび位相調整ユニットが信号
に及ぼす影響は手動又は自動的に調整可能で、式（１）
によりシステムに適切な方向性のある応答性を持たせる
ため調整される。これらの信号は、加算回路２０で加算
されて、所望の方向性のある感度を有する最終の出力信
号となる。

以上の説明では、１ヘランスデユーリ−装置が中心マス
９を中心としてり・１称であると仮定した。トランスデ
ユーりが中心マス９を中心として対称である場合、中心
マス９はヘッドマスの一方３′又は３°°と少くとも同
じ質量を右すべぎである。ヘッドマス３′および３゛が
バランスしていないときは、中心マス９はヘッドマス３
′および３゛のうちの最も重いものと同じ質ｍを有すべ
きである。

本発明の他の実施例は、ある種の用途において性能がよ
りの高いもので、左および右のトランスデユーサ素子の
寸法および材料としていく分異なるものを用いている。

そのような修正の効果は、所望の値を第３図（ｂ）に表
わされる式（１）に代入することにより明かとなる。こ
の種の修正を行なうと、右向きおよび左向きの放射が互
いにいく分異なる動作周波数帯域で最適化され、伝送シ
ステムの全動作帯域が広がる。

従来技術の電気スタックｌｌｌ端法、放射面上でのイン
ピーダンス整合層の使用、共振ヘッドマスの使用（米国
特許出願第６２６．７８４号（本発明者によるもので、
同一の譲受人に譲渡されている）に記載されている）は
すべて本発明と両立するものであり、本発明とともに用
い得る。そのことは当業者には認識されよう。

〔発明の効果〕

本発明によれば、トランスデユー（すの縦軸に沿う向き
の一方に単方向性の放射を行い、反対の向きにほとんど
放射しないトランスデユーサ゛を提供することができる
。

【図面の簡単な説明】

第１図（ａ）は従来技術の２川端縦形振動子を示す縦断
面図、第１図（ｂ）は第１図（ａ）のトランスデユーＩ
すの等価回路を示す図、第２図（ａ）は共通の縦軸に沿
う２つの方向に独立に放射を行ない得る１対の従来技術
の縦形振動子トランスデユーサの要素および構造を示す
縦断面図、第２図（ｂ）は第２図（ａ）のトランスデユ
ーサの等価回路を示す図、第３図（ａ）は本発明による
！〜ランスデューザの要素および構成を示す縦断面図、
第３図（ｂ）は第３図（ａ＞の１−ランスデューサの等
価回路を示す°図、第３図（Ｃ）は単一方向の放射を行
なうよう駆動されたときの、第３図の装置の等価回路を
示す図、第４図は本発明のトランスデユー１すを単一方
向性送信器として動作させるのに適した電気回路を示す
図、第５図は本発明のトランスデユーサを単一方向性受
信器として動作させるのに適した電気回路を示す図であ
る。 １・・・トランスデユーナ素子、２′２°°・・・スタ
ック、３＝、３”・・・ヘッドマス、４−１４°゛・・
・外面、５・・・放射媒体、６′、６”・・・ストレス
棒、７′。 ７゛°ナツト、９・・・中心マス、１１・・・電気信号
発生器、１２・・・振幅および位相調整ユニット、１３
・・・電力増幅器、１４・・・トランスデユーＶ、１９
・・・プリアンプ、２０・・・加算回路。 第１図（、／り ７１Ｌｅ２　　　７）！ｅ／ 第３図（Ｌ） 笛３図（、／−３ 第　３　図　（Ｃン

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、音響媒体と接触する第１および第２のヘッドマスと
   、 それぞれ前記第１および第２のヘッドマスに当接する第
   １および第２の活性のトランスデューサ素子と、 前記第１および第２のトランスデューサ素子と接し、前
   記第１および第２のトランスデューサ素子間で振動を伝
   達し、前記第１および第２のヘッドマスの一方による振
   動を、前記第１および第２のヘッドマスの他方による振
   動により、強め或いは弱める伝送手段と を有する２重にマス加重をかけられたトランスデューサ
   。 ２、前記伝送手段は中心マスであることを特徴とする特
   許請求の範囲第１項記載のトランスデューサ。 ３、前記第１および第２のヘッドマスは質量が不等であ
   ることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載のトラン
   スデューサ。 ４、前記第１および第２の活性のトランスデューサ素子
   は異なる活性のトランスデューサ材料から成ることを特
   徴とする特許請求の範囲第１項記載のトランスデューサ
   。 ５、前記第１および第２の活性のトランスデューサ素子
   に電気的に接続されて、前記第１および第２の活性のト
   ランスデューサ素子をその間に振幅および位相関係を持
   たせて電気的に駆動する駆動手段を更に備えたことを特
   徴とする特許請求の範囲第１項記載のトランスデューサ
   。 ６、前記駆動手段は前記第１および第２の活性のトラン
   スデューサ素子を ▲数式、化学式、表等があります▼ （但し、ｕ１およびｕ２はそれぞれ第１および第２のヘ
   ッドマスの速度、ｃ１１−ｃ２２は電気音響定数、Ｅ１
   およびＥ２は前記第１および第２のトランスデューサ素
   子の駆動電圧である）に従って駆動することを特徴とす
   る特許請求の範囲第５項記載のトランスデューサ。 ７、音響媒体と接触する第１のヘッドマスと、前記第１
   のヘッドマスと当接する第１の活性トランスデューサ素
   子と、 前記第１の活性トランスデューサ素子と当接する中心マ
   スと、 前記中心マスと当接する第２の活性トランスデューサ素
   子と、 前記第２の活性トランスデューサ素子と当接し、前記音
   響媒体と接触する第２のヘッドマスとを有するトランス
   デューサ。 ８、前記第１および第２の活性トランスデューサ素子に
   電気的に接続されて、振幅および位相が変化可能な駆動
   電圧で前記第１および第２の活性トランスデューサ素子
   を駆動することを特徴とする特許請求の範囲第７項記載
   のトランスデューサ。 ９、前記第１および第２の活性トランスデューサ素子に
   電気的に接続され、前記第１および第２の活性トランス
   デューサ素子で発生された電圧を増幅し、位相変化させ
   、加算することを特徴とする特許請求の範囲第７項記載
   のトランスデューサ。 １０、前記第１のヘッドマスおよび前記中心マス間に接
   続された、固定された第１のストレス棒と、前記第２の
   ヘッドマスと前記中心マス間に接続された第２のストレ
   ス棒とを備えたことを特徴とする特許請求の範囲第７項
   記載のトランスデューサ。 １１、前記中心マスは貫通孔を有し、前記トランスデュ
   ーサはさらに、前記第１および第２のヘッドマス間に接
   続され前記中心マスの貫通孔を貫通したストレス棒を備
   えたことを特徴とする特許請求の範囲第７項記載のトラ
   ンスデューサ。