JPS61284463A - 耐摩耗性に優れたサ−マルヘツド - Google Patents
耐摩耗性に優れたサ−マルヘツドInfo
- Publication number
- JPS61284463A JPS61284463A JP60126772A JP12677285A JPS61284463A JP S61284463 A JPS61284463 A JP S61284463A JP 60126772 A JP60126772 A JP 60126772A JP 12677285 A JP12677285 A JP 12677285A JP S61284463 A JPS61284463 A JP S61284463A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thermal head
- substrate
- resistant layer
- hard carbon
- wear
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Electronic Switches (AREA)
- Non-Adjustable Resistors (AREA)
- Non-Metallic Protective Coatings For Printed Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（発明の技術分野）
本発明はサーマルヘッドに関するものである。
（発明の背景）
サーマルヘッドを用いた感熱記録′には、加熱発色剤を
塗布した感熱記録紙を用いる方式、溶融インクを加熱転
写する方式、昇華性染料を加熱転写する方式等がある。
塗布した感熱記録紙を用いる方式、溶融インクを加熱転
写する方式、昇華性染料を加熱転写する方式等がある。
いずれにしても記録紙又はインクフィルム等がサーマル
ヘッドの発熱体表面をこする０通常１例えば感熱記録紙
を用いる方式ではサーマルヘッドとプラテンとの間に感
熱記録紙をはさみ込み、ある程度の押付圧力を加えた状
態で記録１紙送〕を行う、従一つです、−フルへｖ１ド
表面の摩耗は著しい。
ヘッドの発熱体表面をこする０通常１例えば感熱記録紙
を用いる方式ではサーマルヘッドとプラテンとの間に感
熱記録紙をはさみ込み、ある程度の押付圧力を加えた状
態で記録１紙送〕を行う、従一つです、−フルへｖ１ド
表面の摩耗は著しい。
従って、サーマルヘッドの特に発熱体の上に。
硬度の高い材料からなる耐摩耗層を形成することが行な
われている。更に発熱体の熱酸化を防ぐために耐摩耗層
と発熱体との間に別に酸化防止層を設け、２層構造にし
ている例も多い（特公昭５４−５６９０号参照）。
われている。更に発熱体の熱酸化を防ぐために耐摩耗層
と発熱体との間に別に酸化防止層を設け、２層構造にし
ている例も多い（特公昭５４−５６９０号参照）。
今日まで様々な材料が耐摩耗層として利用されている０
例えばＴ’！Ｏ＠ ＊ ｓｉ Ｏ２などの酸化物あるい
はＳ１０ などの炭化物がそれである。これらのＮＵ粍
層の多くは、ＲＦスパッタリング等の方法で膜厚約５〜
１０μｍの薄膜状に形成される。しかしながら、感熱記
録紙を走行させると１紙の走行距離に対応して次第に膜
は摩耗を始め１例えばＳＩＣの場合は摩耗で減る膜厚は
紙の走行距離１１当シ０．１．・μｍ（ハードコピーテ
クノロジーＰ、３３７参照）Ｉｃ及ぶ。従って、目標の
耐摩耗性を紙の走行距離で５０ｋｍとすｂと最低５μｍ
の８ｉＣ膜を形成しておかなければならない。はもない
と、下部の発熱体が露出し１発熱時に急速に表面からの
酸化が始まシ破壊してしまう。
例えばＴ’！Ｏ＠ ＊ ｓｉ Ｏ２などの酸化物あるい
はＳ１０ などの炭化物がそれである。これらのＮＵ粍
層の多くは、ＲＦスパッタリング等の方法で膜厚約５〜
１０μｍの薄膜状に形成される。しかしながら、感熱記
録紙を走行させると１紙の走行距離に対応して次第に膜
は摩耗を始め１例えばＳＩＣの場合は摩耗で減る膜厚は
紙の走行距離１１当シ０．１．・μｍ（ハードコピーテ
クノロジーＰ、３３７参照）Ｉｃ及ぶ。従って、目標の
耐摩耗性を紙の走行距離で５０ｋｍとすｂと最低５μｍ
の８ｉＣ膜を形成しておかなければならない。はもない
と、下部の発熱体が露出し１発熱時に急速に表面からの
酸化が始まシ破壊してしまう。
しかしながら、耐摩耗層を厚く形成することは。
例えばＲＦスパツメ法などでは極めて長時間を要するし
、ｔた耐摩耗層が発熱体と記録紙の間にあることから、
膜厚が増すと熱伝導徴放熱性攻劣化させる゛ことと等価
であシ、好ましくない。
、ｔた耐摩耗層が発熱体と記録紙の間にあることから、
膜厚が増すと熱伝導徴放熱性攻劣化させる゛ことと等価
であシ、好ましくない。
（発明の目的）
本発明はこれらの欠点を解決し、耐摩耗性が良好で且つ
熱伝導性の良い耐摩耗層を有するサーマルヘッドを提供
することを目的とする。
熱伝導性の良い耐摩耗層を有するサーマルヘッドを提供
することを目的とする。
（発明の概！ｌＩ）
そのため１本発明は１発熱体の上に直接又は他の層を介
して非晶質硬質カーボン薄膜からなる耐摩耗層を形成し
たサーマルヘッドを提供する。
して非晶質硬質カーボン薄膜からなる耐摩耗層を形成し
たサーマルヘッドを提供する。
（実施例）
ｇｉ図は本実施例に係わるサーマルヘッドの発熱部の縦
断面図である。第１図中、（１）はアルミナ基板で表面
にグレーズ層（２）が約６０μｍの厚すに形成されてい
る。（３）は発熱体（抵抗体）で１例えばＴａ＊Ｎ ａ
ＮｉＣｒなどをスバ・フタリングして形成する。（４
）はＮｔＣｒ／Ａｕからなる２層電極で真空蒸着で形成
する。実際には１発熱体層（３）のうち一対の電極（４
）で挟まれた部分が発熱するので、この部分を発熱体と
み石とともできる。最後に発熱体（３）の表面を保護す
る目的で耐摩耗層（５）ヲ設ける。
断面図である。第１図中、（１）はアルミナ基板で表面
にグレーズ層（２）が約６０μｍの厚すに形成されてい
る。（３）は発熱体（抵抗体）で１例えばＴａ＊Ｎ ａ
ＮｉＣｒなどをスバ・フタリングして形成する。（４
）はＮｔＣｒ／Ａｕからなる２層電極で真空蒸着で形成
する。実際には１発熱体層（３）のうち一対の電極（４
）で挟まれた部分が発熱するので、この部分を発熱体と
み石とともできる。最後に発熱体（３）の表面を保護す
る目的で耐摩耗層（５）ヲ設ける。
以下に本発明の特徴とする耐摩耗層（５）の形成法につ
いて一例を挙げて詳しく説明する。
いて一例を挙げて詳しく説明する。
第２図は、耐摩耗層（５）としての非晶質硬質カーボン
薄膜を形成するためのプラズマＣＶＤ装置の一例を示す
概念図である。
薄膜を形成するためのプラズマＣＶＤ装置の一例を示す
概念図である。
まず、ガス導入パルプ（２５）よ）メタンガスヲ導入す
る。ガスは吹き出し口（２４）より基板（２１）上に均
一に吹き付ける。基板（２１）はプラズマ発生電極（２
２）上に置かれてお〕、この電極（２２）に電源（２３
）例えば１３．５６ＭＨｚの高周波電源から電力を供給
し、プラズマを発生させると、基板（２１）上に目的と
するカーボン薄膜が堆積生成する。尚、電極（２２）は
内部に冷水が循環する構造釦なっておプ冷却ができるｔ
ｈか、絶縁トランスを介してシーズヒータが取付けられ
てお）、加熱もできる。
る。ガスは吹き出し口（２４）より基板（２１）上に均
一に吹き付ける。基板（２１）はプラズマ発生電極（２
２）上に置かれてお〕、この電極（２２）に電源（２３
）例えば１３．５６ＭＨｚの高周波電源から電力を供給
し、プラズマを発生させると、基板（２１）上に目的と
するカーボン薄膜が堆積生成する。尚、電極（２２）は
内部に冷水が循環する構造釦なっておプ冷却ができるｔ
ｈか、絶縁トランスを介してシーズヒータが取付けられ
てお）、加熱もできる。
装置内のガス圧： ０．００５〜２Ｔｏｒｒ、 高周
波電力＝１０〜１００ＯＷ、基板温度：室温〜２００℃
の条件範囲で耐摩耗性にすぐれた非晶質硬質カーボン薄
膜を得ることができるが１本実施例ではガス圧： ０．
Ｉ ＴＯｒｒ、高周波電カニ２００Ｗ、基板温度：ｉ
ｏｏ℃の条件で、約１時間実施することｋよ）、膜厚３
μｍのカーボン薄膜を作成した。
波電力＝１０〜１００ＯＷ、基板温度：室温〜２００℃
の条件範囲で耐摩耗性にすぐれた非晶質硬質カーボン薄
膜を得ることができるが１本実施例ではガス圧： ０．
Ｉ ＴＯｒｒ、高周波電カニ２００Ｗ、基板温度：ｉ
ｏｏ℃の条件で、約１時間実施することｋよ）、膜厚３
μｍのカーボン薄膜を作成した。
膜生成速度は５００Ａ／ｎｕｎ、であった。
こうして展進された非晶質硬質カーボン薄ａを耐摩耗層
（５）とするサーマルヘッドをプリンターに装着し、感
熱記録紙を用いて走行試験を行ったところ、４０３ｃｍ
の走行後も発熱体に何ら異常は認められなかった。
（５）とするサーマルヘッドをプリンターに装着し、感
熱記録紙を用いて走行試験を行ったところ、４０３ｃｍ
の走行後も発熱体に何ら異常は認められなかった。
本実施例では発熱体表面上に直接カーボン薄膜を耐摩耗
層として形成した例を説明し九が、従来例の如く発熱体
とカーボン薄膜との間に酸化防止層としての例えばｓｔ
ｏｘなどを挿入しても良く。
層として形成した例を説明し九が、従来例の如く発熱体
とカーボン薄膜との間に酸化防止層としての例えばｓｔ
ｏｘなどを挿入しても良く。
その場合には耐摩耗性のみならず、耐酸化性に特にすぐ
れたサーマルヘッドを提供できる。
れたサーマルヘッドを提供できる。
なお１本実施例ではメタンガス金剛い九が、メタン以外
の炭化水素例えばアセチレン、ベンゼン ′を用い
九ル、それらの炭化水素ガスを水素やアルゴン等のガス
で希釈したものを用いても同機の非晶質硬質カーボン薄
膜が得られる。
の炭化水素例えばアセチレン、ベンゼン ′を用い
九ル、それらの炭化水素ガスを水素やアルゴン等のガス
で希釈したものを用いても同機の非晶質硬質カーボン薄
膜が得られる。
参考までに次の第１表に前記カーボン薄膜の性質を示す
。
。
第１表
以上のように、非晶質硬質カーボン薄膜は硬く。
摩擦係数が小さく、熱伝導基が大きいので、サーマルヘ
ッドの耐摩耗層としてすぐれた性質をもっていることが
わかる。
ッドの耐摩耗層としてすぐれた性質をもっていることが
わかる。
カーボン薄膜の膜厚は、一般に１〜３μｍもあれば十分
である。
である。
（発明の効果）
以上の通シ１本発明によれば、耐摩耗性にすぐれ、その
ため寿命の長い、かつ熱伝導性にすぐれ。
ため寿命の長い、かつ熱伝導性にすぐれ。
そのため前の印字のときの熱が発熱体に残らないので印
字品質がよく、また印字と印字との間ｌこ余シ時間ｔお
かなくてもよいので高速印字が可能なサーマルへラドが
提供される。
字品質がよく、また印字と印字との間ｌこ余シ時間ｔお
かなくてもよいので高速印字が可能なサーマルへラドが
提供される。
なお、非晶質硬質カーボン薄膜は、ダイヤモンド薄膜又
はダイヤモンド状カーボン薄膜に比べ。
はダイヤモンド状カーボン薄膜に比べ。
（イ）比較的厚い膜を作ることができる。（０）均一性
カ高い、（ハ）ピンホールが少なく、１［がち密で硬い
、（二〕大面積の膜ができる。（ホ）成換速琥が速い、
（へ）耐摩耗性にすぐれるなどの利点があシ。
カ高い、（ハ）ピンホールが少なく、１［がち密で硬い
、（二〕大面積の膜ができる。（ホ）成換速琥が速い、
（へ）耐摩耗性にすぐれるなどの利点があシ。
それとは明確に区別される。
第１図は、５ｊ！施例のサーマルヘッドの垂直断面を示
す模式図である。 第２図は、実施例で用い几プラズマＣＶＤ装置の一例を
示す概念図である。 〔主要部分の符号の説明〕 １・・・・・・アルミナ基板 ４・・・・・・電極
２・・・・・・グレーズ層 ５・・・・・・耐摩
耗層３・・・・・・発熱体、。
す模式図である。 第２図は、実施例で用い几プラズマＣＶＤ装置の一例を
示す概念図である。 〔主要部分の符号の説明〕 １・・・・・・アルミナ基板 ４・・・・・・電極
２・・・・・・グレーズ層 ５・・・・・・耐摩
耗層３・・・・・・発熱体、。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 発熱体の形成されたサーマルヘッドに於いて、該発
熱体の上に直接又は他の層を介して非晶質硬質カーボン
薄膜からなる耐摩耗層を形成したことを特徴とするサー
マルヘッド。 ２ 前記非晶質硬質カーボン薄膜をプラズマＣＶＤ法で
形成したことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の
サーマルヘッド。 ３ 前記非晶質硬質カーボン薄膜が１μｍ〜３μｍの膜
厚を有することを特徴とする特許請求の範囲第１項記載
のサーマルヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60126772A JPS61284463A (ja) | 1985-06-11 | 1985-06-11 | 耐摩耗性に優れたサ−マルヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60126772A JPS61284463A (ja) | 1985-06-11 | 1985-06-11 | 耐摩耗性に優れたサ−マルヘツド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61284463A true JPS61284463A (ja) | 1986-12-15 |
Family
ID=14943545
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60126772A Pending JPS61284463A (ja) | 1985-06-11 | 1985-06-11 | 耐摩耗性に優れたサ−マルヘツド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61284463A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPWO2009051120A1 (ja) * | 2007-10-16 | 2011-03-03 | 住友ベークライト株式会社 | 半導体素子搭載基板 |
-
1985
- 1985-06-11 JP JP60126772A patent/JPS61284463A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPWO2009051120A1 (ja) * | 2007-10-16 | 2011-03-03 | 住友ベークライト株式会社 | 半導体素子搭載基板 |
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