JPS6128094B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は材料表面の亀裂の光学的に指示された
ものを自動的に読取る方法に係る。本方法では、
その光学的指示は例えば撮像管などの感光装置を
用いて電気的な明暗信号に変換される。又本発明
はこの方法を実施する装置にも係る。

本発明は材料の非破壊検査に適用されるもので
あり、しかも材料の表面亀裂の検査に適用される
ものである。

材料の表面亀裂は、その材料が継続使用される
ものであるならば、危険な欠陥となる。このため
に、例えば自動車産業で使用される安全部品はそ
の組立に非破壊検査を行い、亀裂の有無を調べな
ければならない。このための非破壊検査には、も
つぱら公知の磁粉探傷法又は浸透探傷法が用いら
れている。この２つの方法は、肉眼によつては直
接検出できない材料表面の亀裂が強いコントラス
トで、幅が拡大されて表示されるため、検査する
者に確実な表示をすることができる。

このようにして得られる亀裂表示を検査するこ
とは、従来の産業上の検査手段では材料表面全体
を、検査者が目視検査し、上記方法で生じた亀裂
指示の有無をチエツクする方法であつた、検査部
品が多数となると検査者の眼に大きな負担を与え
かつ単調な労働をしいられるようになる。よつて
集中力を維持することが難しい作業である。又外
観上の目視検査は個人の主観的な判断であり、こ
の点の判断の差の影響も完全に無視できない。従
つて、諸産業における磁粉探傷法又は浸透探傷法
による亀裂検査は完全確実な検査方法ということ
はできない。

そこで、材料表面の亀裂を非破壊検査におい
て、亀裂表示の検出ならびにその評価（読取）を
自動化することが産業上強く要請されている。

例えば超音波探傷法、渦電流探傷法又は漏れ磁
束法などの材料の非破壊検査がすでに自動化され
ている。しかしながら、磁粉探傷法又は浸透探傷
法の非破壊検査の自動化は今日の技術水準では、
検査対象が幾何的に簡単な形状をしている場合、
又は一定の、特に損傷を受けた区域に限定して検
査を行う場合、又は欠陥の方向が予測しうる場合
に限定されており、それ以外は確実な検査は不可
能である。又以上の自動非破壊検査方法ではその
欠陥検出能力は表面の粗さに依存するので、例え
ば磁粉探傷法において、欠陥の深さが表面粗さに
おける探さ以上とならなければ欠陥の検出が不可
能である。

鋳造品又は鍜造品の表面は複雑な形状でありこ
の材料表面の極めて細かな亀裂を検査する場合
に、今日の技術では磁粉探傷法又は浸透探傷法で
亀裂指示を視覚的に検出して判断する以外充分確
実な非破壊検査を行うことはできない。

この検査方法では検査の信頼度を高めるべく、
材料表面の亀裂指示のコントラストをできるだけ
高くするために、例えば金属光沢面は黒色を程す
るように表示剤を用いるとか、明るく着色した表
示面に黒色又は赤色を程するように表示剤を用い
るとか、紫外線下で観察する場合では他の表面部
分は暗く残りそこだけ光る蛍光性表示剤を用いる
とかの方法が用いられている。

これらの、光学的な検出能力を高めたコントラ
ストを読みとり非破壊検査を自動化しようとする
ことはすでに試みられている。例えば、蛍光指示
の照度を光電増幅管にて測定するようにすること
が行われている。しかしながら、この方法では材
料表面全体を一度に読みとつてしまう場合には、
亀裂以外の部分の表面に当該蛍光性表示剤を付着
していないことが前提であり、そうでなければ確
実な亀指示の検出が不可能である。すなわち粗い
表面の検査の場合にこの方法では問題となる。即
ち、粗い表面では薄く表示剤膜が付着し、この膜
は表示剤浴の濃度に応じて、多かれ少かれ背影に
照度を与え、亀裂指示はこれよりわずかに明るい
照度となるだけで、背影に対してわずかな変化を
与えるに過ぎない。

検査を部分部分に分けて行うようにすることも
考えられている。しかし材料表面の全ての検査対
象部分を個々に検査せねばならず手間がかかる。
従つて、あまり自動化するための良好な手段とは
ならない。又局所的検査をした所で検査対象の表
面構造によつて又は表示剤浴中の不純物によつ
て、局部的に表示剤が集積しうる可能性があり、
この集積は、場所によつて亀裂指示と同じ明るさ
をもつ場合もある。すなわち表示剤の集積はいわ
ゆる見かけ上の欠陥となり、これは検査する者が
肉眼で検出しなければならないものである。これ
を具体的に説明すれば第１図は材料表面の一部分
を示し、ここで参照番号Ｒは亀裂指示をＦはみか
けの欠陥を示している。

亀裂指示とみかけ欠陥が構造上で違いがあるこ
とに着目してこれに基いて亀裂指示の検出を自動
化するようにすることはすでに提案されている。
亀裂指示を見かけの欠陥より区別できるのは、そ
の構造が次の如く定義できるからである。即ち亀
裂は表面に細長く延在することが普通でありその
長軸に直角方向の寸法は本質的により細いもので
ある。この特性を利用するために、全体像をとり
そして電子工学的に記憶することが試みられた。
こうして電子工学的に記憶した像は次いで電子情
報処理装置により、得られた指示が線状か否かを
判断するようにして亀裂の検出を行うこととした
のである。しかしこれでは記憶するための作業に
手間がかゝり、そして極めて高価な情報処理装置
を要するためにこの提案された方法は、産業上実
用がまだなされていない。

本発明は、亀裂の光学的指示を前述の如き労力
ならびに経費を要せずして自動的に検出し、真の
表面亀裂のみを表面欠陥信号として発し、しかし
ていかなるみかけ上の欠陥があつても、欠陥信号
を発しないようにすることを確実に行うことがで
きる自動的な光学的指示の検出手段を提供するこ
とを命題とするものである。

本発明によれば、材料表面の亀裂を検出する方
法が提供され、即ち、被測定表面又はその像が線
条走査され、この線条の幅は、材料の表面上に生
じる亀裂として評価されうる光学的指示の幅であ
り、所定最大幅の１／Ｎ（Ｎは整数）であり引続
くＮ本の走査線条群の像信号は、その前後の引続
くＮ本の走査線条群の対応する像信号と比較さ
れ、各像信号の比較により生じる差信号が所定最
小値以上となつた時のみ欠陥信号を発するように
した方法が提供される。

検査表面の走査は一行程において、互いに隣接
する線条又は線条群で順次行われる。例えば順次
隣接して並ぶ３本の線条を同時に走査して行うこ
とができ、又は、２本の線条（又は２つの線条
群）の間にある亀裂指示をより正確に評価するた
めに、いわゆる飛越走査法により、２径路で走査
が行なわれ２本の線条の中の一本を飛越して、一
本分だけ互いにずれた行程により走査することが
できる。このような走査は三ビーム撮像装置で３
ケのビジコン（Vidikon）から成るもの又はチヨ
ツプ化（gechoppt）ビジコンを用いることがで
きる。今日の撮像管技術水準では検査表面を単一
電子銃像記憶装置のスクリーン上に投映して一本
の電子ビームにより、評価の基点となる３本の線
条（又は３つの線状群）を順次走査するようにな
し、最初の２本の走査線条（又は２つの走査線状
群）の明暗信号を記憶するようにすることが、よ
り経済的に思われる。検査表面は一つ又は複数の
光線又はレーザー光線により線条走査することも
できる。

任意の一様でない方向の亀裂指示を検出するた
めに検査表面の像は検査サイクルの間において機
械的、光学的又は電子工学的に回転させることが
好ましい。

亀裂の光学的指示の最小長さは、亀裂評価がな
される限界として光学指示の最小長さを規定する
ために明信号が所定最小継続時間以上のもののみ
評価することができる。

欠陥表示のある表面部分は機械的、光学的又は
電子工学的にあらかじめマスキング若しくはシー
ルドするようにしても良い。

前述の如き装置の好ましい一実施例としては、
次の如きものがある。即ち、検査表面を撮像管の
スクリーン上へ投映するための撮像カメラを有す
る装置において、該撮像管のスクリーンを走査す
る電子ビームは、線条走査リズムを制御する行周
波数ゼネレーターと、この行周波数ゼネレーター
の後段に接続され帰線暗制御を司る同期インパル
スゼネレーターと、水平−垂直ゼネレーターとに
より制御されるようになつており、撮像管の映像
（Video−）信号は増幅されそして記憶−比較論
理回路に送られるようになつていることとを特徴
とする装置である。

上記装置は、好ましくは、撮像管制御装置によ
り制御され、検査表面は像再生のための受像管を
有し、その制御回路は比較論理回路の出力端子に
接続される。

線条方向と同一方向に延在する亀裂指示ばかり
でなく、任意の方向の亀裂指示を評価するため
に、表面の映像は、例えば反射鏡光学系の如く光
学的に、又は、例えば走査ビームの移動電位の変
調をsin−cos−ゼネレーターにより行うことによ
り電子工学的に、回転されるようにすることが好
ましく、この回転はまた、検査対象と走査装置と
の間の機械的相対的回転によつても行うことがで
きる。

単一電子銃型記録再生管の代りに、三電子銃管
又はチヨツピング（chopping）により３本の線
条を同時に走査する記録再生管を使用することも
可能であり、この場合には線条走査の像信号のた
めの記憶装置を省略することができる。

検査表面の走査のための感光装置はまた光線、
又はレーザー光線走査装置とすることもできる。

本発明による装置のその他の特徴及び利点は以
下に記述する、前述装置の実施例とこれに使用さ
れる３つの異つた回路方式とを図面とともに説明
する。

第２図に示す装置は撮像カメラＡを単一電子銃
像記録装置として撮像カメラＡを使用したもので
これで検査表面が走査される。このカメラＡは撮
像管ARと、撮像管ARのスクリーン上に投映され
た検査対象表面の画像を線条走査するべく電子ビ
ームを偏向させるためのｘ−ｙ増幅器１Ａと、電
子ビームにより走査されて得られた明暗信号を前
段増幅するためのビデオ前置増幅器２とを有す
る。

さらに、本装置は、ｘ−ｙ増幅器１ｗ後段に接
続された再生管WRを有する。

電子ビームが撮像管及び再生管の画像スクリー
ンを走査する電子ビームの走査リズムは行周波数
ゼネレーター３により制御される。この行周波数
ゼネレーター３の後段に接続された同期インパル
スゼネレーター４は、電子ビームを画像スクリー
ン上においてたゞ一方向走査の際のみ実効あらし
め、即ち、帰線動作の際には電子ビームは暗くさ
れるようにするためのものである。撮像管AR及
び再生管WRの電子ビームの偏向電位は水平−垂
直ゼネレーター５により発生される。この偏向電
位は電子ビームのｘ，ｙ方向の偏向を制御する
が、さらに、sin−cosゼネレーター６によつて、
例えば、ｘ方向偏向周波数が同時にsin振動を重
畳しているときにはｙ方向周波数もcos振動を重
畳されるという様に変調される。再生管の２つの
偏向方向の一つの極性は撮像管ARに対して反転
していなければならない。

撮像管の線条走査により生ずる画像はかくて
sin−cosゼネレーター６の周波数に相当するリズ
ムで、例えば、時計方向に回転する。再生管WR
のビーム偏向装置の極性が異なれば、再生画像を
記録画像に対して反時計方向に回転させかくて、
静止像を再生する。

撮像管ARによつて走査される明暗信号は映像
増幅器７により増幅される。この映像信号は、そ
の後段に接続されている記憶素子及び比較論理回
路によつて評価される。

第２ａ図は、前段に記憶要素を有する第２図に
図示の比較論理回路８ａ，８ｂの詳細を図示して
おり、すなわちアナログ処理のための回路ブロツ
ク図を示す。この記憶要素はカメラＡから映像信
号の入力端子と比較回路８ｅとの間に並列して
接続された３ケの整合装置（Anpassung）Ap
１，Ap２，及びAp３と、整合装置Ap２の前段
に接続した、１本の線条走査時間だけ遅らすこと
ができる遅延時間の遅延回路Vz１と、整合装置
Ap３の前段に付加的に接続し同じ遅延時間の遅
延回路Vz２とを有する。ビデオ信号は整合装置
Ap２の出力端子で線条１本に相当する時間だけ
遅延し、整合装置Ap３の出力端子で線条２本分
に相当する時間だけ遅延して出力される。かくし
て、同時に、３ケの異つた信号が同時に出力され
ることに成る。即ち、整合装置Ap１の出力端子
では現在線条走査されている明暗信号が直接に出
力し、整合装置Ap２出力端子には一本前の線条
の明暗信号が、そして整合装置Ap３出力端子に
は２本前の線条の明暗信号が出力する。

整合装置Ap２の出力端子の信号は再生管
WRの明暗制御に用いられ、このため撮像管AR
により記録された検査表面地域の全体の画像が再
生される。３本の同時に評価される線条の中の中
央線条の信号は整合装置Ap２出力端子に現わ
れ、そして直ちに比較器８ａに導かれる。同様に
して整合装置Ap１及びAp３からの信号、即ち
夫々両外側面の線条の信号も比較器８ａに導かれ
る。

輝度を所定の値に調整可能な比較器８ａは、整
合装置Ap２からの信号と、整合装置Ap１とAp
３からの信号とがそれぞれ比較しその比較値の差
が所定最小値より大きくなつた時に一の信号を発
する。

比較器８ａの後段に接続した論理回路８ｂの出
力端子には再生管WRの制御格子が接続されて
いる。よつて、再生管WRの画像は、比較器８ａ
に出力電位が生じたところで特別に明るく輝く。
画像力の明るく輝く位置は線状指示として解釈さ
れるべき位置と同一である。再生管WRはかくて
撮像管によつてカバーしうる全表面領域を表示
し、その画像面上には評価すべき亀裂指示が、
sin−cosゼネレーターの周波数リズムにおいて、
明瞭な明るいコントラストをもつて表示される。

このようなアナログ方式記憶（例えば遅延）手
段の外に、映像信号を映像増幅器７の後段で、直
接に明るさ及び亀裂長さのプリセツト値と比較す
るようにすることもできる。このために適した回
路は第２ｂ図に示される。この記憶−比較論理−
回路では入力端子に導かれる映像信号が「輝
度」及び「亀裂長さ」のプリセツト値について調
整可能な比較器８a′に導かれる。この比較器出力
端子に生じるデイジタル情報は比較器出力端子と
論理回路８b′との間に直列に接続した遅延回路
Vz１′及びVz２′により夫々線条一本分だけ遅延
される。前記比較器８a′の出力端子、遅延回路
Vz１′の出力端子及び遅延要素Vz２′の出力端子
に生じる情報は論理回路８b′に導かれる。この論
理回路８b′は、遅延回路Vz１′の一の情報と、比
較器８a′と遅延要素Vz２′の出力端子のそれぞれ
の情報とが比較され、その比較値の差が所定最小
値以上になつたときに信号を発する。

論理回路８b′の出力端子は再生管WRの輝度
制御に用いられる。輝度キーイングインパルス及
び映像信号とを線条について正しく合致させるた
めに映像信号は遅延回路Vz３′を経て再生管WR
に与えられる。

第２ｃ図は第２ｂ図の回路の一変形を示す。第
２ｂ図における遅延回路Vz１′及びVz２′の機能
はここでは、送りレジスターＳ１及びＳ２の同期
インパルスゼネレーターＴと結合したものにより
行われる。本論理回路は、ノア（NOR）回路
NG、アンド回路UG及びインパルス増幅器１１及
び１２から成る。インパルス増幅器１１の出力側
は再生管WRの制御回路に接続され、インパル
ス増幅器１２の出力側は第２図、第２ａ図及び
第２ｂ図における夫々の出力端子と同様に、ア
ナライザー（Auswertung）９と接続されてい
る。そしてその出力側に出る信号は欠陥の自動解
析に用いられる。この解析には再生管の画像は余
り重要ではないが、しかし、検査対象に対して装
置をセツト調整するためには有益である。

撮像には、３本の線条を同時に走査するビーム
を有する撮像管を用いることもできる。このこと
によりその後の回路の簡易化が達全成される、三
本の隣接線条からの３ケの同時発生信号は、その
場合、直ちに、整合装置Ap１，Ap２及びAp３
に導かれて記憶装置は不要となる。

検査対象を撮像管スクリーン上に投写しそして
出来た画像を線条走査する代りに、検査対象を直
接に光線又はレーザー光線により線条走査するこ
ともできる。

表示の亀裂の線状指示として確認しうる限界
は、線条の幅のプリセツトの外にも、３本の個別
の互いに隣接する線条に代り、夫々同じ大きさを
なす、互いに隣接の線条群を走査結果に関して互
いに比較することにより変化させることができ
る。

三本の線条（群）の走査結果の比較により、第
３の線条（群）の結果が関連して記憶され、第４
の線条（群）がスタートされ、再び第３の線条
（群）の結果が第２のそれと比較されそして第４
の線条（群）がレリーズされる等々。

亀裂線の定義としては、指示の長さが、その幅
よりも大であることが基準となる。どの程度の長
さ対幅比以下では、指示は線でないとするかは本
定義の問題である。評価されるために、輝度信号
が継続しなければならない最小時間のプリセツト
により、一表示が評価されるために有すべき最小
長さは調整できる。線条又は線条群の幅は、それ
により、指示の最大幅が予めプログラムされるよ
うに選択することができる。

対象画像の最小180゜、好ましくは360゜の回転
は第２図の実施例に関して記述した電子工学的方
法の外に、対象と走査装置の相対的回転により機
械的に、又は対象画像の鏡システムによる回転に
より光学的にも可能である。

実際の工程においては、亀裂ではない、例えば
鋭い稜、刻印数字又は文字、縁取り輪郭線等々の
如き、線形の指示が検査表面にしばしば存在す
る。これらの表示から生ずる妨害指示はマスキン
グ手段又は装置により除去できる。機械的マスキ
ング手段としては例えば、撮像管のスクリーン上
において妨害指示の現われそうな所に帯を貼布す
ることである。光学的方法の一としては、例えば
撮像管上の画像中において指示評価のためにプリ
セツトした最小幅を越え、かくて評価されない光
帯をマスキングすることができる。最後に電子的
方法も可能であり、電子ビームは妨害指示の区域
及び方向において走査を消す（austasten）こと
である。

上述の実施例においては走査は線条的に進行
し、その際３本の直接に互いに隣接する線条又は
３つの線条群が一評価単位を形成し、この評価単
位において信号評価を行う。この外には、いわゆ
る飛越法も採用しうる。この別名「半像」（Half
Image Method）方法と称される方法は、各２番
目の線条は走査が省略されるものである。第１の
走査行程では、検査表面の各第２線条のみを走査
し、そしてそれに続く第２の走査行程では第１の
走査行程で飛越した線条のみを走査する。この方
法は、偶然、２本の線条又は２つの線条群の間の
境界上に狭い光学的亀裂指示があつたような場合
に、そして、それにより、飛越なしの走査におい
ては評価単位の一に属する二本の隣接線条又は２
つの線条群として把握されかくて誤て線とは解釈
されないであろうような線状の表示の評価もする
ことができる。飛越によつては各亀裂指示の各信
号は少くとも一度十分なる間隔をもつた隣接の線
条、又は線条群から把握されることが確実とな
る。

【図面の簡単な説明】

第１図は検査表面の一部を示し、走査線条１〜
６亀裂指示Ｒ及びみかけの欠陥指示Ｆを示す。第
２図は本発明の一実施例の装置のブロツク回路図
を示し、第２ａ図、第２ｂ図及び第２ｃ図は第２
図に示す装置に対し記憶−及び比較論理回路につ
いての異つた実施例を夫々示す。 １Ａ，１Ｗ……ｘ−ｙ増幅器、３……行周波数
ゼネレーター、４……同期インパルスゼネレータ
ー、５……水平及び垂直移動ゼネレーター、６…
…sin−cosゼネレーター、２，７……映像増幅
器、８ａ，８ｂ，８a′，８b′……比較論理回路、
９……アナライザー、１１，１２……インパルス
増幅器、AR……撮像管、NG……ノア回路、WR
……再生管、UG……アンド回路、Ap１〜Ap３
……性合装置、Ａ……撮像カメラ、Vz１，Vz
２，Vz１′，Vz２′，Vz３′……遅延回路、Ｓ
１，Ｓ２……送りレジスター、Ｔ……同期インパ
ルスゼネレーター。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 材料表面の亀裂の光学的指示を自動的に読取
   る方法にして、 イ 材料表面を又はその映像を線状走査し像信号
   を発生させること 線状走査する走査線の幅は、材料表面上の映
   像が亀裂として評価される所定最大幅の１／Ｎ
   （Ｎは整数）に相等する幅とすること、 ロ 引続くＮ本の走査線の像信号はその前のＮ本
   の対応する像信号およびその以後のＮ本の走査
   線の像信号と比較すること、 ハ 前記像信号間の各相互比較において所定値を
   越える信号差を生じた時に欠陥確認信号を発生
   せしめること、 との段階を有する方法。 ２ 特許請求の範囲の第１項に記載の方法におい
   て、所定最小値が所定最小時間を越えた時のみ前
   記欠陥信号が発生するようになつている方法。 ３ 特許請求の範囲の第１項に記載の方法におい
   て、材料表面に対して線状走査パターンが回動さ
   れるようになつている方法。 ４ 特許請求の範囲の第１項から第３項のいずれ
   か一項に記載の方法において、線状走査は２径路
   で行われ、これら２径路でＮ本の走査線が省かれ
   第１径路で省かれた走査線が第２径路の走査過程
   で走査されるようになつている方法。 ５ 特許請求の範囲の第１項から第４項のうちい
   ずれか一項に記載の方法において、Ｎ＝１である
   方法。 ６ 特許請求の範囲の第５項に記載の方法におい
   て、同時に３本の走査線が走査される方法。 ７ 特許請求の範囲の第５項に記載の方法におい
   て、各走査線は、走査線の隣接するものの像信号
   の記憶の直後に引続いて行われる方法。 ８ 特許請求の範囲の第１項から第４項のうちの
   いずれか一項に記載の方法において、Ｎが１より
   大である方法。 ９ 特許請求の範囲の第８項に記載の方法におい
   て、Ｎ本の走査線を隣接する３群が同時に走査さ
   れる方法。 １０ 特許請求の範囲の第８項に記載の方法にお
   いて、Ｎ本の走査線の隣接する３群が、Ｎ本の隣
   接する第１と第２の群の像信号の記憶後に引き続
   いて行われるようになつている方法。 １１ 材料の表面又は、その映像を線状走査し、
   結果としての各走査線の像信号を発生せしめる電
   子光学装置を有し、該各走査線の幅は、亀裂とし
   て評価される材料表面上の映像の所定最大幅の
   １／Ｎ（Ｎは整数）に相当する幅で設定される幅
   とした、材料表面の亀裂の光学的指示の自動読取
   装置において、 イ 引続くＮ本の走査線の像信号をその前の引続
   くＮ本の走査線の像信号およびその以後の引続
   くＮ本の走査線の像信号とを比較する比較回路
   と、 ロ 前記比較回路と関連づけられ、前記電子光学
   装置から前記引続くＮ本の走査線の像信号と、
   前記その前の引続くＮ本の走査線の像信号と前
   記その後の引続くＮ本の走査線の像信号を受
   け、これら信号を比較のため前記比較回路に与
   えるための論理回路と、 ハ 前記比較回路と関連づけられ像信号間の各比
   較において所定値を越える信号差を生じた時の
   欠陥確認信号を発生せしめる装置と、 を有する自動読取装置。 １２ 特許請求の範囲の第１１項に記載の装置に
   おいて、前記電子光学装置は映像スクリーンを有
   する撮像管と、前記材料表面を該スクリーンに映
   写するカメラとを有し、該撮像管の走査ビーム
   は、スクリーン走査のリズムを決定する行周波数
   ゼネレータ、帰線暗制御をなす同期パルスゼネレ
   ータと、前記論理回路と比較回路に増幅後供給さ
   れるビデオ信号を発する水平と垂直ゼネレータに
   より、制御されるようになつた装置。 １３ 特許請求の範囲の第１２項に記載の装置に
   おいて、前記撮像管の走査ビームの偏向電圧に修
   正するsin−cosゼネレータを含む装置。 １４ 特許請求の範囲の第１２項又は第１３項に
   記載の装置において、前記電子光学装置は再生受
   像管を含み、該再生受像管は前記撮像管用制御系
   によつて駆動され、材料表面の観察像を再生し、
   さらに該再生受像管の制御グリツドは前記論理回
   路と比較回路の出力に接続されている装置。 １５ 特許請求の範囲の第１１項に記載の装置に
   おいて、前記電子光学装置は３電子銃撮像管を有
   し、これにより３本の隣接走査線が電子ビームに
   より同時に走査され、得られたビデオ信号は前記
   論理回路と比較回路に接続された増幅器で増幅さ
   れるようになつた装置。 １６ 特許請求の範囲の第１１項から第１５項の
   うちいずれか一項に記載の装置において、前記電
   子光学装置は、例えば反射系の光学装置又は機械
   装置を有し、映像、材料表面、又は走査装置を少
   なくとも180度好ましくは360度にわたつて連続回
   転を可能とする装置。 １７ 特許請求の範囲の第１１項に記載の装置に
   おいて、前記電子光学装置に前記材料表面を光線
   ビーム又はレーザビームの一つ又は複数で走査す
   るようになつている装置。 １８ 特許請求の範囲の第１１項から第１４項な
   らびに第１７項のうちの一項に記載の装置におい
   て、前記比較回路は走査線の隣接するものを記憶
   する記憶回路を有する装置。 １９ 特許請求の範囲の第１８項に記載の装置に
   おいて、前記記憶回路は、並列接続の第１、第
   ２、第３の整合装置を有するとともに、さらに該
   第２の整合装置の前段には、前記像信号を走査線
   一本の走査時間に相当する時間だけ遅らせる第１
   遅延素子が設けられるとともに、該第３の整合装
   置の前段で、かつ該第１遅延素子の後段に該第１
   遅延素子と同じ遅れを像信号に与える第２遅延素
   子が設けられ、該第２整合素子の出力は、再生受
   像管の輝暗修正を行うために用いられるようにな
   つている装置。 ２０ 特許請求の範囲の第１８項に記載の装置に
   おいて、前記記憶回路はクロツクゼネレータと関
   連づけられたシフトレジスタを有し、前記論理回
   路と比較回路はNOR回路とAND回路と２つのパ
   ルス増幅器を有する装置。 ２１ 特許請求の範囲の第１１項から第２０項の
   うちいずれか一項に記載の装置において、前記電
   子光学装置は欠陥が確認された材料表面領域で停
   止するための、機械的、光学的又は電子的作動装
   置を有する装置。 ２２ 特許請求の範囲の第１１項から第２１項の
   うちいずれか一項に記載の装置において、前記電
   子光学装置は一回に一走査線を飛び越す走査を行
   う制御系を含む装置。