JPS61276024A - Full adder - Google Patents

Full adder

Info

Publication number
JPS61276024A
JPS61276024A JP11810685A JP11810685A JPS61276024A JP S61276024 A JPS61276024 A JP S61276024A JP 11810685 A JP11810685 A JP 11810685A JP 11810685 A JP11810685 A JP 11810685A JP S61276024 A JPS61276024 A JP S61276024A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
circuit
signal
input
fet
exclusive
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP11810685A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JPH0451855B2 (en
Inventor
Atsushi Iwamura
岩村 淳
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP11810685A priority Critical patent/JPS61276024A/en
Publication of JPS61276024A publication Critical patent/JPS61276024A/en
Publication of JPH0451855B2 publication Critical patent/JPH0451855B2/ja
Granted legal-status Critical Current

Links

Abstract

PURPOSE:To secure a wide action voltage margin with a simple circuit by connecting additionally an FET, which is turned on by the inverting signal of one side input signal of exclusive 'or' and 'not' circuits, between an input terminal and an output terminal. CONSTITUTION:Between the input terminal 11 or 12 of the exclusive 'or' and 'not' circuit 6 of respective exclusive OR circuit and an output terminal 10, respective P channels FET 21 and 22 are applied, and the inverting signal of the input signal of the terminal 11 or 12 is given to respective gates. In the constitution, when two input signals are both 1 level, N channels FET 8 and 9 come to be the ON condition and simultaneously, the FET 21 and 22 are also turned ON in which a 0 level to occur as the inverting signal of one side input signal without fail is given to the gate. Thus, since 1 level input appears through the FET 21 and 22 in parallel through the FET 8 and 9 at the terminal 10, 1 signal having the sufficient level can be obtained without being influenced by the threshold voltage of the FET 8 and 9.

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 本発明は加算器、乗算器等に使用される全加算器に係シ
、特に相補型MO8−FETを使用して構成される全加
算器に関する。
Detailed Description of the Invention [Technical Field of the Invention] The present invention relates to a full adder used in adders, multipliers, etc., and particularly relates to a full adder configured using complementary MO8-FETs. .

〔発明の技術的背景〕[Technical background of the invention]

この種の全加算器として、本願出願人は特願昭57−9
5395号(%開昭58−211252号)によシ、0
MO8型FET (相補性絶Rゲート型電界効果トラン
ジスタ)を用いて直流的電流を消費しないように回路構
成するのに好適で、しかも素子数の低減を図って高集積
化を可能とすると共に入力信号に対する負荷を低減せし
めて高速動作を可能とするものを既に提案した。即ち、
第5図に示す全加算器においては、第1の入力信号Aと
第2の入力信号Bとを第1の排他論理和回路1に入力し
、この回路1の出力信号(A■B)と第3の入力信号C
とを第2の排他論理和回路2に入力し、選択回路3によ
シ上記第1の排他論理和回路1の出力信号の論理レベル
に応じて前記第1の入力信号、第2の入力信号のいずれ
か一方と前記第3の入力信号とを選択的に取り出すよう
にしている。これにより、第2の排他論理和回路2の出
力信号が和信号S。
As a full adder of this kind, the applicant of the present application filed a patent application filed in
No. 5395 (% Kaisho 58-211252), 0
It is suitable for configuring a circuit that uses MO8 type FETs (non-complementary R-gate field effect transistors) so as not to consume DC current, and also allows for high integration by reducing the number of elements. We have already proposed a method that reduces the load on signals and enables high-speed operation. That is,
In the full adder shown in FIG. 5, a first input signal A and a second input signal B are input to a first exclusive OR circuit 1, and the output signals (A and B) of this circuit 1 are Third input signal C
are input to the second exclusive OR circuit 2, and the selection circuit 3 selects the first input signal and the second input signal according to the logic level of the output signal of the first exclusive OR circuit 1. Either one of them and the third input signal are selectively extracted. As a result, the output signal of the second exclusive OR circuit 2 becomes the sum signal S.

として得られ、選択回路3の出力信号が桁上げ信号co
として得られる。このような全加算器の動作と表わす真
理値表を第6図に示す。
The output signal of the selection circuit 3 is the carry signal co
obtained as. FIG. 6 shows a truth table representing the operation of such a full adder.

一方、上記全加算器を第7図に示すように変形し、第3
の入力信号Cに代えてその反転信号Cを入力すると、反
転された和信号Soが得られるようになる。この場合、
選択回路3の一方の入力となる入力信号BをCMOSイ
ンバータ4によシ反転させ、選択回路3の出力信号をC
MOSインバータ5によシ反転させている。このような
全加算器の動作を表わす真理値表を第8図に示す。
On the other hand, the above full adder is modified as shown in FIG.
If the inverted signal C is input instead of the input signal C of , an inverted sum signal So can be obtained. in this case,
The input signal B, which is one input of the selection circuit 3, is inverted by the CMOS inverter 4, and the output signal of the selection circuit 3 is converted to C.
It is inverted by a MOS inverter 5. A truth table representing the operation of such a full adder is shown in FIG.

次に、上記第5図の全加算器の具体例を第9図を参照し
て説明する。第1.第2の排他論理和回路1,2は、そ
れぞれ排他否定論理和回路6とCMOSインバータ7と
からなる。上記排他否定論理和回路6は、第1導電型(
本例ではNチャネル)の第1.第2のFET 8 、9
の一端同志を接続して出力端子10とし、上記第1のF
ET8のゲートと第2のFET 9の他端とを接続して
第1の入力端子11とし、上記第2のFET 9のゲー
トと第1のFET 8の他端とを接続して第2の入力端
子12とし、固定電位端子(1”レベルの電源電位端子
)、13と前記出力端子10との間に前記第1導電型と
は逆導電型(第2導電型、本例ではpチャネル)の2個
のFETJ’4゜15を直列に接続すると共にその各ゲ
ートを対応して前記第1.第2の入力端子11.12に
接続してなるものである。したがって、第1゜第2の入
力端子11.12の入力信号(たとえばA、B)が共に
′0”レベルの場合、FET 8 。
Next, a specific example of the full adder shown in FIG. 5 will be described with reference to FIG. 9. 1st. The second exclusive OR circuits 1 and 2 each include an exclusive NOT OR circuit 6 and a CMOS inverter 7. The exclusive NOR circuit 6 has a first conductivity type (
In this example, the first channel (N channel). Second FET 8, 9
The ends of the above are connected together to form the output terminal 10, and the first F
The gate of the ET8 and the other end of the second FET 9 are connected to form the first input terminal 11, and the gate of the second FET 9 and the other end of the first FET 8 are connected to form the second input terminal 11. The input terminal 12 is a fixed potential terminal (1" level power supply potential terminal), and a conductivity type opposite to the first conductivity type (second conductivity type, p channel in this example) is connected between the input terminal 12 and the output terminal 10. Two FETs J'4゜15 are connected in series, and their respective gates are connected to the first and second input terminals 11 and 12, respectively. When the input signals (for example, A, B) of input terminals 11 and 12 of FET 8 are both at '0' level, FET 8.

9は共にオフ状態、FET 14 、15は共にオン状
態にな夛、出力端子10は″1#レベルになる。また、
入力信号A、Bが共に″1ルベルの場合、FET 8 
、9は共にオン状態、FET 14 。
9 are both off, FETs 14 and 15 are both on, and the output terminal 10 is at the "1#" level.
When input signals A and B are both 1 level, FET 8
, 9 are both on, FET 14 .

15は共にオフ状態になシ、入力信号レベル″l#がF
ET 8 、9を経て出力端子10に現われる。また、
入力信号A、Bのいずれか一方が1”レベル、他方が′
0″レベルの場合、FET 8.9およびFET 14
 、15はそれぞれいずれか一方がオン状態で他方がオ
フ状態になシFET 8 、9のうちオン状態の一方を
経て入力信号A、Hのうちの一方である″0″レベルが
出力端子10に現われる。
15 are both off, and the input signal level "l#" is F.
It appears at the output terminal 10 via ET 8 and ET 9. Also,
One of input signals A and B is at 1" level, the other is '
For 0″ level, FET 8.9 and FET 14
, 15, one of which is in the on state and the other is in the off state.The "0" level, which is one of the input signals A and H, is sent to the output terminal 10 through one of the FETs 8 and 9, which is in the on state. appear.

一方、前記選択回路3は、第1の組をなすPチャネルF
ET J 6とNチャネルFET 17とを直列に接続
すると共にその相互接続点を出力端子18とし、第2の
組をなすNチャネルFET 19とPチャネルFET 
20とを直列に接続すると共にその相互接続点を上記出
力端子18に接続し、これらの2組の直列回路を並列に
接続し、この並列回路の両端に対応して第3の入力信号
Cおよび第2の入力信号8反転用のインバータ4の出力
信号Bi印加する。そして、前記第1の排他論理和回路
1における排他否定論理和回路6およびインバータ7の
各出力端を対応して上記第1の組のFET 16 、1
7のゲートおよび第2の組のFET 19 、20のゲ
ートに接続している。
On the other hand, the selection circuit 3 selects the P channel F of the first set.
ET J 6 and N-channel FET 17 are connected in series, and their interconnection point is used as output terminal 18, and a second set of N-channel FET 19 and P-channel FET is connected.
20 are connected in series and their mutual connection points are connected to the output terminal 18, these two sets of series circuits are connected in parallel, and the third input signals C and C are connected correspondingly to both ends of this parallel circuit. The output signal Bi of the inverter 4 for inversion of the second input signal 8 is applied. Then, each output terminal of the exclusive NOR circuit 6 and the inverter 7 in the first exclusive OR circuit 1 is connected to the first set of FETs 16, 1.
7 and the gates of the second set of FETs 19 and 20.

したがって、第1の組のFET 16 、17のゲート
入力が′0”、第2の組のFET 19 、20のゲー
ト入力が1′の場合、FET 16 、19がオン状態
、FET 27 、20がオフ状態になシ、インバータ
4の出力(つまシ、入力信号Bの反転信号B)が上記F
ET 16 、19を経て出力端子18に現われ、この
出力端子18の信号がさらにインバータ5によシ反転さ
れる。また、上記とは逆に、第1の組のFET 16 
、17のゲート入力が1”、第2の組のFET 19 
、20のゲート入力がNO”の場合、FET 17 、
20がオン状態、FET 16 、19がオフ状態にな
シ、第3の入力信号Cが上記FET 17 、20を経
て出力端子18に現われ、この出力端子18の信号がさ
らにインバータ5によシ反転される。このように選択回
路3および2個のインバータ4゜5によって、3つの入
力信号A、B、Cに対する桁上げ信号coが得られる。
Therefore, when the gate inputs of the first set of FETs 16 and 17 are '0' and the gate inputs of the second set of FETs 19 and 20 are 1', the FETs 16 and 19 are in the on state, and the FETs 27 and 20 are in the on state. When not in the off state, the output of inverter 4 (inverted signal B of input signal B) is
The signal appears at the output terminal 18 via ET 16 and 19, and the signal at the output terminal 18 is further inverted by the inverter 5. Also, contrary to the above, the first set of FETs 16
, 17 gate input is 1”, second set of FET 19
, 20 gate input is NO'', FET 17,
20 is on, FETs 16 and 19 are off, and the third input signal C appears at the output terminal 18 via the FETs 17 and 20, and the signal at the output terminal 18 is further inverted by the inverter 5. be done. In this way, carry signals co for the three input signals A, B, and C are obtained by the selection circuit 3 and the two inverters 4.about.5.

なお、上記選択回路3において、FET 19 、20
を省略してもよい。
Note that in the selection circuit 3, FETs 19 and 20
may be omitted.

〔背景技術の問題点〕[Problems with background technology]

ところで、前記第1の排他論理和回路1における排他否
定論理和回路6において、第1.第2の入力端子11.
12の入力信号A、Bが共に゛′1″レベルのとき、前
述したように出力端子10には論理的には゛1#レベル
が出力する。
By the way, in the exclusive NOR circuit 6 in the first exclusive OR circuit 1, the first . Second input terminal 11.
When the 12 input signals A and B are both at the "1" level, the output terminal 10 logically outputs the "1#" level as described above.

しかし、実際の回路動作を考えてみると、この場合に上
記出力端子10に現われる“1″レベルは、第1.第2
の入力端子11.12からそれぞれ対応してNチャネル
FET 9 、8を経て供給されているので、入力信号
レベル11″から上記NチャネルFET 9 、8の閾
値電圧vTHNだけ低い値となる。たとえば入力信号レ
ベル“1″が5v、vTfIN中1.5vであるとする
と、出力端子10に現われる″1″レベルは約3.5v
にしかならないという問題がある。この場合、更に、上
記闇値電圧vT□、の基板バイアス効果を考慮すると、
素子の製造方法、デバイスパラメータによっても異なる
が、出力端子1oの1”レベルはさらに0.5 Vから
1.5v程度低下して全く不十分な値になってしまう。
However, considering the actual circuit operation, the "1" level appearing at the output terminal 10 in this case is the first . Second
Since the input signal is supplied from the input terminals 11 and 12 of the N-channel FETs 9 and 8 through the corresponding N-channel FETs 9 and 8, the input signal level is lower than the input signal level 11'' by the threshold voltage vTHN of the N-channel FETs 9 and 8. For example, the input Assuming that the signal level "1" is 5v and 1.5v in vTfIN, the "1" level appearing at the output terminal 10 is approximately 3.5v.
The problem is that it only becomes . In this case, further considering the substrate bias effect of the dark value voltage vT□,
Although it varies depending on the manufacturing method of the element and the device parameters, the 1'' level of the output terminal 1o further decreases from 0.5 V to about 1.5 V, resulting in a completely insufficient value.

上記と同様な問題は、第2の排他論理和回路2における
排他否定論理和回路6においても第1、第2の入力端子
11.12の入力信号が共に″′1#レベルのとき(つ
まシ、第3の入力信号Cが′1”レベルであり、かつ第
1.第2の入力信号A、Bが(“1”、’o’)または
(“O″、“1″)の組み合わせであって第1の排他論
理和回路1の出力が″1ルベルのとき)に生じる。
The same problem as above occurs in the exclusive NOR circuit 6 in the second exclusive OR circuit 2 when both the input signals at the first and second input terminals 11 and 12 are at the ``''1# level ( , the third input signal C is at the '1' level, and the first and second input signals A and B are a combination of ('1', 'o') or ('O', '1'). This occurs when the output of the first exclusive OR circuit 1 is "1 level".

このような問題によシ、全加算器の回路全体の動作の安
定性が低下し、特に低電圧側の動作電圧マージンが狭く
なシ、回路動作の信頼性が低下する。この問題は、前記
排他否定論理和回路6において、仮にNチャネルFET
 8 、9 kそれぞれPチャネルFETに置き換え、
PチャネルFET 14 、15へ与える固定電位を電
源電位から接地電位に置き換えてもほぼ同様に発生する
These problems reduce the stability of the operation of the entire circuit of the full adder, and especially when the operating voltage margin on the low voltage side is narrow, the reliability of the circuit operation decreases. This problem can be solved by assuming that in the exclusive NOR circuit 6, an N-channel FET is used.
Replace 8 and 9 k with P-channel FETs,
Almost the same problem occurs even if the fixed potential applied to the P-channel FETs 14 and 15 is replaced with the ground potential from the power supply potential.

この場合は、2つの入力信号が共に″0#レベルのとき
に出力端子10に現われる″O#レベルが接地電位から
浮くようになシ、やはシ回路動作の信頼性が損なわれる
In this case, when the two input signals are both at the 0# level, the ``O#'' level that appears at the output terminal 10 floats away from the ground potential, thereby impairing the reliability of the circuit operation.

〔発明の目的〕[Purpose of the invention]

本発明は上記の事情に鑑みてなされたもので、比較的少
数の素子からなる0M08回路による回路動作の高速性
、低消費電力、高集積性等の特長を損なうことなく、簡
易な構成によシ広い動作電圧マージンを確保し得る全加
算器を提供するものである。
The present invention has been made in view of the above circumstances, and has a simple configuration without sacrificing the features of the 0M08 circuit, which is made up of a relatively small number of elements, such as high-speed circuit operation, low power consumption, and high integration. The present invention provides a full adder that can ensure a wide operating voltage margin.

〔発明の概要〕[Summary of the invention]

即ち、本発明の全加算器は、前述したような排他否定論
理和回路の2つの入力信号が共に″′1#レベルのとき
には必らず一方の入力信号の反転信号としてMO#レベ
ルが存在することに着目し、この″0″レベルをゲート
に与えることによジオン状態になるFETを第1の入力
端子または第2の入力端子と出力端子との間に付加接続
しておくことを特徴とするものである。
That is, in the full adder of the present invention, when the two input signals of the exclusive NOR circuit as described above are both at the ``1# level, the MO# level always exists as an inverted signal of one input signal. Focusing on this, the present invention is characterized in that an FET that enters the Zion state by applying this "0" level to the gate is additionally connected between the first input terminal or the second input terminal and the output terminal. It is something to do.

これによって、出力端子には“1#レベル入力が付加F
ETを経由して十分なレベルとして現われるので、広い
動作電圧マージンを確保することが可能になる。また、
付加FET数は少なくて済み、付加FETを制御するた
めに既存の信号を利用できるので、回路構成は簡易なも
のとな、9.CMO8回路の特長を活かしつつ高集積化
回路を実現することが可能である。
As a result, “1# level input is added to the output terminal F
Since it appears as a sufficient level via ET, it becomes possible to secure a wide operating voltage margin. Also,
9. The number of additional FETs is small and existing signals can be used to control the additional FETs, so the circuit configuration is simple.9. It is possible to realize a highly integrated circuit while taking advantage of the features of the CMO8 circuit.

〔発明の実施例〕[Embodiments of the invention]

以下、図面を参照して本発明の一実施例を詳細に説明す
る。第1図に示す全加算器は、集積回路化されておシ、
第9図を参照して前述した従来の全加算器に比べて、(
1)第1の排他論理和回路1の排他否定論理和回路6の
第1または第2の入力端子(本例では第1の入力端子1
1)と出力端子10との間にPチャネルFET 21を
付加し、このFET 21のゲートに上記第1または第
2の入力端子の入力信号の反転信号(本例ではインバー
タ4の出力信号)を与えるようにした点、(2)第2の
排他論理和回路2の排他論理和回路6の第1または第2
の入力端子(本例では第2の入力端子12)と出力端子
10との間にPチャネルFET 22を付加し、このF
ET 22のゲートに上記第1または第2の入力端子の
入力信号の反転信号(本例では前段の第1の排他論理和
回路1における排他否定論理和回路6の出力信号)を与
えるようにした点が異なり、その他は第9図中と同じで
あるので同じ符号を付してその説明を省略する。
Hereinafter, one embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. The full adder shown in Figure 1 is an integrated circuit.
Compared to the conventional full adder described above with reference to FIG.
1) The first or second input terminal of the exclusive NOR circuit 6 of the first exclusive OR circuit 1 (in this example, the first input terminal 1
A P-channel FET 21 is added between 1) and the output terminal 10, and an inverted signal of the input signal of the first or second input terminal (in this example, the output signal of the inverter 4) is applied to the gate of this FET 21. (2) The first or second exclusive OR circuit 6 of the second exclusive OR circuit 2
A P-channel FET 22 is added between the input terminal (in this example, the second input terminal 12) and the output terminal 10, and this FET
An inverted signal of the input signal of the first or second input terminal (in this example, the output signal of the exclusive NOR circuit 6 in the first exclusive OR circuit 1 in the previous stage) is applied to the gate of the ET 22. The other points are different, and the other parts are the same as those in FIG. 9, so the same reference numerals are given and the explanation thereof will be omitted.

次に、上記構成の全加算器における正論理での加算動作
を説明するが、選択回路3の動作は前述した従来例の動
作と同じであるのでその説明を省略する。排他否定論理
和回路6の動作のうち、2つの入力信号が共に0”レベ
ルの場合にはPチャネルFET 2 J 、 22はゲ
ートに61”レベルが与えられてオフ状態であシ、従来
例の動作と同様に固定−it位端子13の”1″レベル
がPチャネルFET 14 、15を経て十分なレベル
と有する′1”信号として出力端子10に現われる。ま
た、2つの入力信号が(“l″。
Next, the addition operation using positive logic in the full adder having the above configuration will be described, but since the operation of the selection circuit 3 is the same as that of the conventional example described above, the explanation thereof will be omitted. In the operation of the exclusive NOR circuit 6, when both of the two input signals are at the 0'' level, the P-channel FETs 2J and 22 are turned off with the 61'' level applied to their gates, unlike the conventional example. Similarly to the operation, the "1" level at the fixed -IT terminal 13 appears at the output terminal 10 as a "1" signal with a sufficient level through the P-channel FETs 14 and 15. ″.

0″)または(“O″、“1″)の組み合わせの場合に
はPチャネルFET 21 、22のオン。
P-channel FETs 21, 22 are turned on in case of a combination of (“0”) or (“O”, “1”).

オフ状態にかかわシな〈従来例の動作と同様にO”レベ
ルが出力端子10に現われる。これに対して、2つの入
力信号が共に″1″レベルの場合には、従来例め動作と
同様にNチャネルFET 8 、9がオン状態になるが
、同時に一方の入力信号の反転信号として必らず生じて
いる0”レベルがゲートに与えられているPチャネルF
ET 21 、22もオン状態になる。これによって、
出力端子10には1”レベル入力がNチャネルFET 
8 、9 f経由すると並行してPチャネルFET 2
1 、22を経由して現われるので、NチャネルFET
 8 、9の閾値電圧Vア、Nの影響を受けずに十分な
レベルと有する″1#信号が得られる。
Regardless of the OFF state, an "O" level appears at the output terminal 10, similar to the conventional operation.On the other hand, when both input signals are at the "1" level, the same operation as the conventional example occurs. The N-channel FETs 8 and 9 are turned on, but at the same time, the P-channel FET whose gate is given the 0'' level, which is always generated as an inverted signal of one of the input signals.
ET 21 and 22 are also turned on. by this,
The 1” level input to output terminal 10 is an N-channel FET.
8, 9 P channel FET 2 in parallel via f
1 and 22, so it is an N-channel FET.
A signal "1#" having a sufficient level can be obtained without being affected by the threshold voltages Va and N of V8 and V9.

等しい論理振幅が得られるようになシ、従来例で問題と
なっていた特に低電圧側の動作電圧マージンが向上し、
回路全体の安定動作が得られる。また、前記閾値電圧v
THNに対する基板バイアス効果の影響を受けなくなる
ので、回路動作は基板濃度等のデバイス・プロセスパラ
メータの影響を受けなくなり、量産時の製造マージンが
大きくなる。また、上記全加算器は、使用素子数がイン
バータ1個当#)2個のFETを使用するものとすれば
計22個と少ないので、高集積化に適してお、9.0M
O8構成による低消費電力動作および広い動作電圧マー
ジンといった特長をに構築することが工業的に可能にな
る。
Equal logic amplitudes can be obtained, and the operating voltage margin, especially on the low voltage side, which was a problem in the conventional example, has been improved.
Stable operation of the entire circuit can be obtained. Further, the threshold voltage v
Since it is no longer affected by substrate bias effects on THN, circuit operation is no longer affected by device process parameters such as substrate concentration, and the manufacturing margin during mass production is increased. In addition, if the number of elements used in the above full adder is 2 FETs per inverter, the total number of elements used is 22, so it is suitable for high integration and is 9.0M
It becomes industrially possible to realize the features of the O8 configuration, such as low power consumption operation and wide operating voltage margin.

なお、本発明は上記実施例に限られるものではなく、第
1図の全加算器における第1の入力信号Aに代えてその
反転信号Aを入力すれば、第2図に示す全加算器のよう
に第2の排他論理和回路2の出力信号として和信号S、
が得られる。このような全加算器の動作を表わす真理値
表を第3図に示す。
It should be noted that the present invention is not limited to the above embodiment, and if the inverted signal A is input in place of the first input signal A in the full adder shown in FIG. 1, the full adder shown in FIG. As the output signal of the second exclusive OR circuit 2, the sum signal S,
is obtained. A truth table representing the operation of such a full adder is shown in FIG.

また、上記第2図の全加算器における排他否定論理和回
路6について、固定電位端子13を接地電位とし、各F
ETをそれぞれ逆導電型のものに置き換えることによっ
て、第4図に示すように負論理動作の全加算器を構成し
てもよい。
In addition, regarding the exclusive NOR circuit 6 in the full adder shown in FIG. 2, the fixed potential terminal 13 is set to the ground potential, and each F
By replacing each ET with one of opposite conductivity type, a negative logic full adder may be constructed as shown in FIG.

ここで、8/ 、 9/はPチャネルFET、  14
’、 15’。
Here, 8/ and 9/ are P channel FETs, 14
', 15'.

21′、22′はNチャネルF’ETであシ、その他は
第2図中と同じであるので同一符号を付している。上記
全加算器の動作は第3図に示した真理値表で表わされる
が、その特徴的な点は、排他否定論理和回路6において
2つの入力信号が共に負論理の1%1jlレベル(接地
電位)の場合に、PチャネルFET 8’ 、 9’が
オン状態になると共にゲートに“0″レベル(電源電位
)が与えられるNチャネルFET 21’ 、 22’
もオン状態になるので、出力端子10には接地電位の1
”レベルが得られる。
21' and 22' are N-channel F'ETs, and the other parts are the same as in FIG. 2, so the same reference numerals are given. The operation of the full adder described above is expressed by the truth table shown in FIG. (potential), the P-channel FETs 8', 9' are turned on, and the N-channel FETs 21', 22' are given a "0" level (power supply potential) to their gates.
is also turned on, so the output terminal 10 has a ground potential of 1.
“You get a level.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

上述したように本発明の全加算器によれば、比較的少数
の素子からなるCMO8回路による回路動作の高速性、
低消費電力、高集積性等の特長を損なうことなく、簡易
な構成によシ広い動作電圧マージンを確保できるので、
加算器とか並列乗算器などの構成要素としての使用に適
している。
As mentioned above, according to the full adder of the present invention, the high-speed circuit operation by the CMO8 circuit consisting of a relatively small number of elements;
A wide operating voltage margin can be secured with a simple configuration without sacrificing features such as low power consumption and high integration.
Suitable for use as a component of adders, parallel multipliers, etc.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は本発明の全加算器の一実施例を示す回路図、第
2図および第4図はそれぞれ本発明の他の実施例を示す
回路図、第3図は第2図および第4図の全加算器の動作
を示す真理値表、第5図および第7図はそれぞれ従来の
全加算器を示すブロック図、第6図および第8図はそれ
ぞれ対応して第5図および第7図の全加算器の動作を示
す真理値表、第9図は第7図の全加算器の具体例を示す
回路図である。 1・・・第1の排他論理和回路、2・・・第2の排他論
理和回路、3・・・選択回路、4,5.7・・・インバ
ータ回路、6・・・排他否定論理和回路、8,9゜14
’、 15’、 21’、 22’・・・NチャネルF
ET、8’。 9’、14.15821822・・・PチャネルF’E
T 。 10・・・出力端子、11・・・第1の入力端子、12
・・・第2の入力端子。 出願人代理人  弁理士 鈴 江 武 彦第3図 第6図
FIG. 1 is a circuit diagram showing one embodiment of the full adder of the present invention, FIGS. 2 and 4 are circuit diagrams showing other embodiments of the present invention, and FIG. 5 and 7 are block diagrams showing conventional full adders, respectively, and FIGS. 6 and 8 correspond to FIGS. FIG. 9 is a truth table showing the operation of the full adder shown in the figure, and FIG. 9 is a circuit diagram showing a specific example of the full adder shown in FIG. DESCRIPTION OF SYMBOLS 1...1st exclusive OR circuit, 2...2nd exclusive OR circuit, 3...selection circuit, 4,5.7...inverter circuit, 6...exclusive NOT OR Circuit, 8,9°14
', 15', 21', 22'...N channel F
ET, 8'. 9', 14.15821822...P channel F'E
T. 10... Output terminal, 11... First input terminal, 12
...Second input terminal. Applicant's agent Patent attorney Takehiko Suzue Figure 3 Figure 6

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 第1の入力信号と第2の入力信号との排他論理和信号を
得る第1の排他論理和回路と、この第1の排他論理和回
路の出力信号と第3の入力信号との排他論理和信号を得
る第2の排他論理和回路と、前記第1の排他論理和回路
の出力信号に応じて前記第1の入力信号および第2の入
力信号のいずれか一方と前記第3の入力信号とを選択し
て出力する選択回路とを具備し、前記第2の排他論理和
回路から和信号を得ると共に前記選択回路から桁上げ信
号を得るようにした全加算器において、前記2個の排他
論理和回路はそれぞれ排他否定論理和回路とインバータ
回路とからなり、上記排他否定論理和回路は第1導電型
の第1のFET(電界効果トランジスタ)と第2のFE
Tとの一端相互を接続して出力端子とし、上記第1のF
ETのゲートと第2のFETの他端とを接続して第1の
入力端子とし、前記第2のFETのゲートと第1のFE
Tの他端とを接続して第2の入力端子とし、固定電位端
子と前記出力端子との間に前記第1導電量とは逆導電型
である第2導電型の2個のFETを直列に接続し、この
2個のFETの各ゲートを対応して前記第1の入力端子
および第2の入力端子に接続し、さらに前記第1の入力
端子または第2の入力端子と前記出力端子との間に第2
導電量の1個のFETを接続し、この1個のFETのゲ
ートに前記第1の入力端子または第2の入力端子のうち
前記第2導電型の1個のFETを接続しなかった方の入
力信号の反転信号を与えるようにしてなることを特徴と
する全加算器。
A first exclusive OR circuit that obtains an exclusive OR signal of a first input signal and a second input signal, and an exclusive OR circuit of an output signal of the first exclusive OR circuit and a third input signal. a second exclusive OR circuit for obtaining a signal; and one of the first input signal and the second input signal and the third input signal according to the output signal of the first exclusive OR circuit. a selection circuit that selects and outputs a selection circuit, and obtains a sum signal from the second exclusive OR circuit and a carry signal from the selection circuit; Each of the sum circuits includes an exclusive NOR circuit and an inverter circuit, and the exclusive NOR circuit includes a first FET (field effect transistor) of a first conductivity type and a second FE.
One end of the T is connected to the output terminal, and the first F
The gate of the ET and the other end of the second FET are connected to form a first input terminal, and the gate of the second FET and the other end of the first FE
The other end of the T is connected as a second input terminal, and two FETs of a second conductivity type, which is a conductivity type opposite to the first conductivity, are connected in series between the fixed potential terminal and the output terminal. , each gate of the two FETs is connected to the first input terminal and the second input terminal, and the first input terminal or the second input terminal is connected to the output terminal. between the second
One FET of conductivity type is connected to the gate of the one FET, and the one of the first input terminal or the second input terminal to which the one FET of the second conductivity type is not connected is connected. A full adder characterized in that it provides an inverted signal of an input signal.
JP11810685A 1985-05-31 1985-05-31 Full adder Granted JPS61276024A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP11810685A JPS61276024A (en) 1985-05-31 1985-05-31 Full adder

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP11810685A JPS61276024A (en) 1985-05-31 1985-05-31 Full adder

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS61276024A true JPS61276024A (en) 1986-12-06
JPH0451855B2 JPH0451855B2 (en) 1992-08-20

Family

ID=14728162

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP11810685A Granted JPS61276024A (en) 1985-05-31 1985-05-31 Full adder

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS61276024A (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0447254A2 (en) * 1990-03-16 1991-09-18 C-Cube Microsystems Array multiplier

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58211252A (en) * 1982-06-03 1983-12-08 Toshiba Corp Total adder

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58211252A (en) * 1982-06-03 1983-12-08 Toshiba Corp Total adder

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0447254A2 (en) * 1990-03-16 1991-09-18 C-Cube Microsystems Array multiplier

Also Published As

Publication number Publication date
JPH0451855B2 (en) 1992-08-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH05243867A (en) Comparator
KR19990022761A (en) A circuit for comparing the two electrical values provided by the first neuron MOSF and the reference source
US6340907B2 (en) Schmitt trigger circuit having independent threshold voltage setting to provide hysteresis
JPS6021605A (en) Dmos high gain amplifier utilizing positive feedback
JPS5823010B2 (en) differential amplifier device
JPS61276024A (en) Full adder
JP2001127615A (en) Division level logic circuit
JPH0834391B2 (en) Operational amplifier circuit
JPS62135013A (en) Output circuit
JPH0774620A (en) Buffer circuit
JPH0529847A (en) Active load circuit and differential amplifier circuit using the same
JPS594890B2 (en) digital circuit
JPS63199507A (en) Output stage circuit
JPS63132527A (en) Cmos logic circuit
JPS58196727A (en) Logical circuit
JPH0774556A (en) Differential cmos logic circuit
JPH05327467A (en) Ttl level input buffer circuit
JP2785576B2 (en) Level conversion circuit
JPH028486B2 (en)
JPH0457250B2 (en)
JPS625724A (en) Inverter circuit
JPH06268452A (en) Level conversion circuit
JPS5990426A (en) Tri-state buffer circuit
JPH08204541A (en) Semiconductor logic circuit
JPH0377537B2 (en)