JPS6126404B2 - - Google Patents
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- JPS6126404B2 JPS6126404B2 JP55501132A JP50113280A JPS6126404B2 JP S6126404 B2 JPS6126404 B2 JP S6126404B2 JP 55501132 A JP55501132 A JP 55501132A JP 50113280 A JP50113280 A JP 50113280A JP S6126404 B2 JPS6126404 B2 JP S6126404B2
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Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01D—SEPARATION
- B01D47/00—Separating dispersed particles from gases, air or vapours by liquid as separating agent
- B01D47/06—Spray cleaning
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01D—SEPARATION
- B01D45/00—Separating dispersed particles from gases or vapours by gravity, inertia, or centrifugal forces
- B01D45/12—Separating dispersed particles from gases or vapours by gravity, inertia, or centrifugal forces by centrifugal forces
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01D—SEPARATION
- B01D50/00—Combinations of methods or devices for separating particles from gases or vapours
- B01D50/40—Combinations of devices covered by groups B01D45/00 and B01D47/00
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B04—CENTRIFUGAL APPARATUS OR MACHINES FOR CARRYING-OUT PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES
- B04C—APPARATUS USING FREE VORTEX FLOW, e.g. CYCLONES
- B04C5/00—Apparatus in which the axial direction of the vortex is reversed
- B04C5/02—Construction of inlets by which the vortex flow is generated, e.g. tangential admission, the fluid flow being forced to follow a downward path by spirally wound bulkheads, or with slightly downwardly-directed tangential admission
- B04C5/04—Tangential inlets
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B04—CENTRIFUGAL APPARATUS OR MACHINES FOR CARRYING-OUT PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES
- B04C—APPARATUS USING FREE VORTEX FLOW, e.g. CYCLONES
- B04C9/00—Combinations with other devices, e.g. fans, expansion chambers, diffusors, water locks
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
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- B04C—APPARATUS USING FREE VORTEX FLOW, e.g. CYCLONES
- B04C9/00—Combinations with other devices, e.g. fans, expansion chambers, diffusors, water locks
- B04C2009/008—Combinations with other devices, e.g. fans, expansion chambers, diffusors, water locks with injection or suction of gas or liquid into the cyclone
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- Fluid Mechanics (AREA)
- Cyclones (AREA)
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Description
請求の範囲
1 入口管及び排出管を有するサイクロン及びサ
イクロンに連結されたガスと液とを接触させる為
の手段を有し、上記手段は、噴霧ダクトを経て断
面積が流路に沿つて変化するガス通路と連通する
液集合器を有し、上記ガス通路が、撹拌部と拡散
部との間に置かれた少なくとも一つの喉部を有す
るガス洗浄装置に於て、ガスと液とを接触させる
為の手段2のガス通路9がその撹拌部と拡散部に
おいてサイクロン1の軸心の周りに曲げられ、出
口端に於てサイクロンの内肛に連通し、入口に於
て入口管7に連通することを特徴とするガス洗浄
装置。
イクロンに連結されたガスと液とを接触させる為
の手段を有し、上記手段は、噴霧ダクトを経て断
面積が流路に沿つて変化するガス通路と連通する
液集合器を有し、上記ガス通路が、撹拌部と拡散
部との間に置かれた少なくとも一つの喉部を有す
るガス洗浄装置に於て、ガスと液とを接触させる
為の手段2のガス通路9がその撹拌部と拡散部に
おいてサイクロン1の軸心の周りに曲げられ、出
口端に於てサイクロンの内肛に連通し、入口に於
て入口管7に連通することを特徴とするガス洗浄
装置。
2 噴霧ダクト15がサイクロン1の軸心の側か
らガス通路9中に導びかれることを特徴とする請
求の範囲第1項に記載の装置。
らガス通路9中に導びかれることを特徴とする請
求の範囲第1項に記載の装置。
3 サイクロン1の壁がガス通路9の内側横壁と
して働くことを特徴とする請求の範囲第1項また
は第2項に記載の装置。
して働くことを特徴とする請求の範囲第1項また
は第2項に記載の装置。
4 ガス通路9の上壁及び下壁は、これら両壁を
連結する内側横壁を超えてサイクロン1の軸心に
向けて延び、サイクロン1の軸心に沿つて置かれ
た排出管8に連結され、上記排出管の入口はガス
通路9の出口より下に置かれ、排出管8の壁、こ
れに近い上記上下壁の部分及びガス通路9の内側
横壁により形成された室には少なくとも一つの入
口連結部19が設けられ、上記室は液集合器14
として働くことを特徴とする請求の範囲第1項に
記載の装置。
連結する内側横壁を超えてサイクロン1の軸心に
向けて延び、サイクロン1の軸心に沿つて置かれ
た排出管8に連結され、上記排出管の入口はガス
通路9の出口より下に置かれ、排出管8の壁、こ
れに近い上記上下壁の部分及びガス通路9の内側
横壁により形成された室には少なくとも一つの入
口連結部19が設けられ、上記室は液集合器14
として働くことを特徴とする請求の範囲第1項に
記載の装置。
5 ガス通路9の内側横壁16が、サイクロン1
の軸心に対して偏心して置かれた円筒体の形に作
られることを特徴とする請求の範囲第3項に記載
の装置。
の軸心に対して偏心して置かれた円筒体の形に作
られることを特徴とする請求の範囲第3項に記載
の装置。
6 ガス通路9の内側横壁16がその長手方向断
面に於て楕円形に作られることを特徴とする請求
の範囲第3項に記載の装置。
面に於て楕円形に作られることを特徴とする請求
の範囲第3項に記載の装置。
7 上記楕円の長軸が、サイクロン1中に切線方
向に置かれた入口管7の内面の母線とともに60゜
の角度を形成することを特徴とする請求の範囲第
6項に記載の装置。
向に置かれた入口管7の内面の母線とともに60゜
の角度を形成することを特徴とする請求の範囲第
6項に記載の装置。
8 ガス通路9の内側横壁16がその長手方向断
面に於て、実質的に二つの交差するアルキメデス
螺旋により形成された幾何学形に作られ、上記二
つの螺旋の交点を通る線は、サイクロン1中に切
線方向に置かれた入口管7の内面の母線に実質的
に直角であることを特徴とする請求の範囲第3項
に記載の装置。
面に於て、実質的に二つの交差するアルキメデス
螺旋により形成された幾何学形に作られ、上記二
つの螺旋の交点を通る線は、サイクロン1中に切
線方向に置かれた入口管7の内面の母線に実質的
に直角であることを特徴とする請求の範囲第3項
に記載の装置。
9 上記アルキメデス螺旋は、それらの曲率半径
がガス通路9の出口への方向に増加する様に置か
れることを特徴とする請求の範囲第8項に記載の
装置。
がガス通路9の出口への方向に増加する様に置か
れることを特徴とする請求の範囲第8項に記載の
装置。
10 上記二つのアルキメデス螺旋の極が0.4D
の距離だけ離して置かれ、Dはサイクロン1の内
径であり、上記二つの極は、サイクロン1の軸心
を通つて入口管7の内面の母線とともに60゜の角
度を形成する直線上に置かれることを特徴とする
請求の範囲第9項に記載の装置。
の距離だけ離して置かれ、Dはサイクロン1の内
径であり、上記二つの極は、サイクロン1の軸心
を通つて入口管7の内面の母線とともに60゜の角
度を形成する直線上に置かれることを特徴とする
請求の範囲第9項に記載の装置。
11 噴霧ダクト15が、ガス流に面する内側横
壁16に対して切線方向にガス通路9中に導か
れ、ガス通路9の出口への方向に向けられること
を特徴とする請求の範囲第2項に記載の装置。
壁16に対して切線方向にガス通路9中に導か
れ、ガス通路9の出口への方向に向けられること
を特徴とする請求の範囲第2項に記載の装置。
12 各噴霧ダクト15が、ガス流に面する内側
横壁16の表面と、上記横壁中に作られた開口の
出口に於てこの壁に切線方向に取付けられた遮蔽
板20との間の隙間であることを特徴とする請求
の範囲第11項に記載の装置。
横壁16の表面と、上記横壁中に作られた開口の
出口に於てこの壁に切線方向に取付けられた遮蔽
板20との間の隙間であることを特徴とする請求
の範囲第11項に記載の装置。
13 ガス通路9の内側横壁16が、上記通路の
上下壁に連結された別々の板21から作られ、噴
霧ダクト15が、部分的に相重なる隣接した板2
1間の隙間であることを特徴とする請求の範囲1
1項に記載の装置。
上下壁に連結された別々の板21から作られ、噴
霧ダクト15が、部分的に相重なる隣接した板2
1間の隙間であることを特徴とする請求の範囲1
1項に記載の装置。
14 排出管8と同心にサイクロン1の軸心に沿
つて置かれた出口管26及び出口管26と排出管
8との間の輪形室25をガス通路9の喉部10と
連通する再循環通路24を有することを特徴とす
る請求の範囲第1項に記載の装置。
つて置かれた出口管26及び出口管26と排出管
8との間の輪形室25をガス通路9の喉部10と
連通する再循環通路24を有することを特徴とす
る請求の範囲第1項に記載の装置。
技術的分野
本発明は、物質を分離する為の装置に関し、特
に液体の作用によりガスから機械的不純物を除去
する為の装置に関する。
に液体の作用によりガスから機械的不純物を除去
する為の装置に関する。
背景技術
ガス洗浄操作は、ガス流が噴霧された液に接触
する時に生ずるガス中に懸濁された塵埃粒子と液
滴との動的凝固に基づく。この装置は、塵埃粒子
が液滴と衝突した時に、液滴の表面張力に打ち勝
つて液滴中に侵入することにある。この様にして
液滴内に捕捉された粒子は、ガス中に自由に懸濁
されている塵埃粒子よりも遥かに容易にガスから
除去され得る。というのは、液滴は寸法が大であ
り、ガスよりも約1000倍も高い密度を有するから
である。
する時に生ずるガス中に懸濁された塵埃粒子と液
滴との動的凝固に基づく。この装置は、塵埃粒子
が液滴と衝突した時に、液滴の表面張力に打ち勝
つて液滴中に侵入することにある。この様にして
液滴内に捕捉された粒子は、ガス中に自由に懸濁
されている塵埃粒子よりも遥かに容易にガスから
除去され得る。というのは、液滴は寸法が大であ
り、ガスよりも約1000倍も高い密度を有するから
である。
ガス洗浄装置には多種のものがある。特に湿式
サイクロンは広く用いられ、このサイクロンに於
ては、ガスは、切線方向の入口管から供給される
ことによるかまたは、一般に案内ベーンから成る
旋廻器の作用により旋廻され、その中にノズルか
ら水が供給される。ノズルから噴霧された液の小
滴は、その中に捕捉された塵埃粒子とともに、ガ
ス流の旋廻により発生した遠心力によりサイクロ
ンの壁に押付けられ、そこから液はフイルムの形
でスラツジ集合器中に流下する。
サイクロンは広く用いられ、このサイクロンに於
ては、ガスは、切線方向の入口管から供給される
ことによるかまたは、一般に案内ベーンから成る
旋廻器の作用により旋廻され、その中にノズルか
ら水が供給される。ノズルから噴霧された液の小
滴は、その中に捕捉された塵埃粒子とともに、ガ
ス流の旋廻により発生した遠心力によりサイクロ
ンの壁に押付けられ、そこから液はフイルムの形
でスラツジ集合器中に流下する。
その構造が簡単であるのでサイクロンは種々な
産業部門に於て広く用いられる。しかし、この様
な装置は充分に高い洗浄効率を保証し得ない(こ
れらの洗浄効率は、微細に懸濁された塵埃に対し
ては90〜92%を超え得ない)が、このことは主と
して、サイクロン中のガス流の速度が比較的低い
ことによるのである。上記速度を、動的凝固の力
を高め得る程の値に増加するにはエネルギの高度
な消費を必要とし、さらに、装置が極めて高価な
ものになる。
産業部門に於て広く用いられる。しかし、この様
な装置は充分に高い洗浄効率を保証し得ない(こ
れらの洗浄効率は、微細に懸濁された塵埃に対し
ては90〜92%を超え得ない)が、このことは主と
して、サイクロン中のガス流の速度が比較的低い
ことによるのである。上記速度を、動的凝固の力
を高め得る程の値に増加するにはエネルギの高度
な消費を必要とし、さらに、装置が極めて高価な
ものになる。
洗浄の低い効率は、また噴霧系統の不完全さに
よるのであり、これらの噴霧系統のノズルは、相
当な容積を有するサイクロン本体内に置かれてい
るのでガス流中に液滴を均等に分布することが出
来ない。さらに、ノズルはサイクロンの出口に比
較的近く置かれているので、噴霧された液が塵埃
を含むガスと接触する時間が、ガス中に懸濁され
たすべての粒子を捕捉するには不充分である。
よるのであり、これらの噴霧系統のノズルは、相
当な容積を有するサイクロン本体内に置かれてい
るのでガス流中に液滴を均等に分布することが出
来ない。さらに、ノズルはサイクロンの出口に比
較的近く置かれているので、噴霧された液が塵埃
を含むガスと接触する時間が、ガス中に懸濁され
たすべての粒子を捕捉するには不充分である。
上記の欠点は、米国特許3696590号明細書に示
されたガス洗浄装置に於ては部分的に克服され、
この装置はサイクロン、及び、ガスを液に接触さ
せる為の手段を有し、上記手段は、エルボ形連結
管を経て上記サイクロンに連動する別の手段とし
て設けられる。ガスを液と接触させる為の手段
は、液の為の集合器を有し、上記集合器は、実質
的に均等な断面を有するガス通路と連結され(上
記ガス通路の入口部は撹拌部の形に作られ、その
最大断面は集合器の円筒形壁に重なる)。湿気を
与える為の液はガス通路の入口に供給され、上記
通路の断面はサイクロン本体の断面より遥かに小
である。この結果、液滴はガス流の断面にわたつ
てより均等に分布され、ガスと液との接触時間
は、ガス通路、エルボ形連結管及びサイクロンを
含む長い流路により長くされる。
されたガス洗浄装置に於ては部分的に克服され、
この装置はサイクロン、及び、ガスを液に接触さ
せる為の手段を有し、上記手段は、エルボ形連結
管を経て上記サイクロンに連動する別の手段とし
て設けられる。ガスを液と接触させる為の手段
は、液の為の集合器を有し、上記集合器は、実質
的に均等な断面を有するガス通路と連結され(上
記ガス通路の入口部は撹拌部の形に作られ、その
最大断面は集合器の円筒形壁に重なる)。湿気を
与える為の液はガス通路の入口に供給され、上記
通路の断面はサイクロン本体の断面より遥かに小
である。この結果、液滴はガス流の断面にわたつ
てより均等に分布され、ガスと液との接触時間
は、ガス通路、エルボ形連結管及びサイクロンを
含む長い流路により長くされる。
上記装置は比較的低い流体抵抗(水柱約200
mm)を示し、これにより効率が改善される。
mm)を示し、これにより効率が改善される。
この装置の洗浄効率は湿式サイクロンよりも若
干高いが、現在の衛生規準に相当する値(これは
一般に98%より高い)には達し得ない。というの
は、ガスと液とを接触させる為の手段中に於ける
ガス流の速度が比較的低いからである。
干高いが、現在の衛生規準に相当する値(これは
一般に98%より高い)には達し得ない。というの
は、ガスと液とを接触させる為の手段中に於ける
ガス流の速度が比較的低いからである。
高洗浄効率の問題は、“ベンチユリスクラバ
ー”と称される湿式ガス洗浄装置に於てより満足
に取組まれている。
ー”と称される湿式ガス洗浄装置に於てより満足
に取組まれている。
これらの中で知られているガス洗浄装置の一つ
は、入口管及び排出管を有するサイクロン、及
び、夾雑物を有するガスを洗浄液と接触させる為
の接触器を有し、上記接触器はベンチユリ管の形
に作られてサイクロンと連結される。上記接触器
は、ベンチユリ管内に置かれた通路と噴霧ダクト
を経て連通する液集合器を有する。上記接触器の
ガス通路は出口に於てサイクロンの入口管と連通
する(例えば、ポーランド特許68414号、分類、
12C2/01,1973年、参照)。
は、入口管及び排出管を有するサイクロン、及
び、夾雑物を有するガスを洗浄液と接触させる為
の接触器を有し、上記接触器はベンチユリ管の形
に作られてサイクロンと連結される。上記接触器
は、ベンチユリ管内に置かれた通路と噴霧ダクト
を経て連通する液集合器を有する。上記接触器の
ガス通路は出口に於てサイクロンの入口管と連通
する(例えば、ポーランド特許68414号、分類、
12C2/01,1973年、参照)。
この装置は高い洗浄効率(98%以上)を示す
が、このことは、出口から喉部(撹拌部)に向け
て断面が平滑に減少する部分と、喉部から出口
(拡散部)に向けて断面が平滑に広くなる部分と
の間に置かれた狭い部分(喉部)を有するガス通
路の合理的形により可能にされる。この様な形に
より、撹拌部を通過する時にガスにより得られる
加速度は、噴霧された液滴により得られる加速度
の103倍も高くなる。よつて、ベンチユリ中での
速度変化により、処理されているガスは、水滴に
より形成された微粒体積的フイルタによる過の
一種を受ける。水は、撹拌部を通過する時にその
噴霧度が著しく増加され、塵埃を含むガスと水と
の接触が増加される。ガス通路の喉部に於ては、
圧力差が下がり、ガスの速度と水滴の速度との均
等化が促進される。ベンチユリの喉部内に於てガ
スが液と作用する高速度(40〜150m/secの程
度)は、ガス流中に含まれた塵埃粒子の動的凝固
の強化を促進する。さらに、ガス流の高速度によ
り、喉部内に強い乱流が作られ、塵埃粒子が水滴
により捕捉されるばかりではなく、水滴同志の凝
集、さらには、衝突した塵埃粒子同志の凝固さえ
生じ、これにより、これらをガス流から分離する
ことが促進される。
が、このことは、出口から喉部(撹拌部)に向け
て断面が平滑に減少する部分と、喉部から出口
(拡散部)に向けて断面が平滑に広くなる部分と
の間に置かれた狭い部分(喉部)を有するガス通
路の合理的形により可能にされる。この様な形に
より、撹拌部を通過する時にガスにより得られる
加速度は、噴霧された液滴により得られる加速度
の103倍も高くなる。よつて、ベンチユリ中での
速度変化により、処理されているガスは、水滴に
より形成された微粒体積的フイルタによる過の
一種を受ける。水は、撹拌部を通過する時にその
噴霧度が著しく増加され、塵埃を含むガスと水と
の接触が増加される。ガス通路の喉部に於ては、
圧力差が下がり、ガスの速度と水滴の速度との均
等化が促進される。ベンチユリの喉部内に於てガ
スが液と作用する高速度(40〜150m/secの程
度)は、ガス流中に含まれた塵埃粒子の動的凝固
の強化を促進する。さらに、ガス流の高速度によ
り、喉部内に強い乱流が作られ、塵埃粒子が水滴
により捕捉されるばかりではなく、水滴同志の凝
集、さらには、衝突した塵埃粒子同志の凝固さえ
生じ、これにより、これらをガス流から分離する
ことが促進される。
水滴による塵埃粒子の追加の捕捉が拡散部中で
行われるが、拡散部の主機能は、ガスをサイクロ
ンへ供給する所要速度に相当する部分を経て平滑
なガス流を与えるにある。
行われるが、拡散部の主機能は、ガスをサイクロ
ンへ供給する所要速度に相当する部分を経て平滑
なガス流を与えるにある。
粒子を捕捉した液滴、及び捕捉されてない粒子
がサイクロン中に供給されると、これらはガス流
の断面にわたつて均等に分布され、これにより、
これらを捕捉することがある程度困難にされる。
がサイクロン中に供給されると、これらはガス流
の断面にわたつて均等に分布され、これにより、
これらを捕捉することがある程度困難にされる。
同時に、凝固の強さを促進するガス通路の形
は、撹拌部と喉部との間及び喉部と拡散部との間
に於て、ガス流が方向を急激に変える時に生ずる
不利益な渦流の結果により高い流体抵抗(水柱
400〜500mm以上)を生じさせ、よつて、この型の
装置中にガスを通すには多大のエネルギが消費さ
れる。
は、撹拌部と喉部との間及び喉部と拡散部との間
に於て、ガス流が方向を急激に変える時に生ずる
不利益な渦流の結果により高い流体抵抗(水柱
400〜500mm以上)を生じさせ、よつて、この型の
装置中にガスを通すには多大のエネルギが消費さ
れる。
さらに付記すべきは、ベンチユリスクラバー
は、ガスの流量が一定である場合には高い洗浄効
率を保証するが、このことは実際には必ずしも常
には保たれ得ない。従つて上記装置は、この型の
他の装置と同様に、流量の自動制御手段を有する
が、この手段は装置の構造を複雑化し、さらに
別々のサイクロンとガス−液接触器とから成つて
いるので割高になる。
は、ガスの流量が一定である場合には高い洗浄効
率を保証するが、このことは実際には必ずしも常
には保たれ得ない。従つて上記装置は、この型の
他の装置と同様に、流量の自動制御手段を有する
が、この手段は装置の構造を複雑化し、さらに
別々のサイクロンとガス−液接触器とから成つて
いるので割高になる。
さらに上記装置に於ては、例えば、その前に述
べたサイクロン洗浄器よりも、ガス流の断面にわ
たつて一層均等に液滴が分布されるが、ガス通路
の断面の一部には洗浄液の流れが与えられない。
これは、洗浄液の流れがガス流により曲げられる
からである。ガス通路の断面が大である場合に
は、上記欠点により、ガス中に懸濁された粒子の
動的凝固が著しく阻害される。この理由により、
喉部の直径が500mmより大きいベンチユリを用い
ることは推奨されない(Rusanov,M.により出
版された“Spravochnik po pyle i
zoloulavlivaniyu”,“Energiya”,1975年、
p118、参照)。
べたサイクロン洗浄器よりも、ガス流の断面にわ
たつて一層均等に液滴が分布されるが、ガス通路
の断面の一部には洗浄液の流れが与えられない。
これは、洗浄液の流れがガス流により曲げられる
からである。ガス通路の断面が大である場合に
は、上記欠点により、ガス中に懸濁された粒子の
動的凝固が著しく阻害される。この理由により、
喉部の直径が500mmより大きいベンチユリを用い
ることは推奨されない(Rusanov,M.により出
版された“Spravochnik po pyle i
zoloulavlivaniyu”,“Energiya”,1975年、
p118、参照)。
従来技術の以上の説明により明らかなるごと
く、これらの装置に於て高い洗浄効率を得るに
は、エネルギの高い消費、装置の複雑な構造及び
大形化が必要とされる。
く、これらの装置に於て高い洗浄効率を得るに
は、エネルギの高い消費、装置の複雑な構造及び
大形化が必要とされる。
発明の開示
本発明は、高効率のガス洗浄装置を提供するこ
とを目的としてなされたものであり、この洗浄装
置はエネルギの低消費を保証し、ガス通路の形及
び位置の変更により簡単な構造及び小型であるこ
とも特徴とする。
とを目的としてなされたものであり、この洗浄装
置はエネルギの低消費を保証し、ガス通路の形及
び位置の変更により簡単な構造及び小型であるこ
とも特徴とする。
上記問題は、入口管及び出口管を有するサイク
ロン、及びサイクロンに連結されて、噴霧ダクト
を経て可変断面のガス通路と連通する液集合器を
有するガス−液接触器を有するガス洗浄装置を提
供することにより解決される。ガス通路は、その
撹拌部と拡散部との間に置かれた少なくとも一つ
の喉部を有する。本発明に於ては、ガス−液接触
器のガス通路はサイクロンの軸心の周りに曲げら
れ、出口に於てサイクロンの内腔と連通され、入
口に於て入口管と連通される。この様なガス通路
の構造により、従来の装置に於ては時間を置いて
次々に行われた二操作が同時に行われ得る。即
ち、通路の喉部中の、高速に於て行われる動的凝
固操作と、曲線形通路に沿つて流れるガス流によ
り発生された遠心力により、ガス中に懸濁された
高密度の粒子を通路の外側横壁に向けて投げる遠
心分離操作とである。遠心分離の結果として、こ
れらの粒子は、ガス通路の出口中に入る時にその
壁近くに見出され、これにより、これらをサイク
ロン中に捕捉する為の望ましい条件が作られる。
上記動的凝固と遠心分離が同時に行われることに
より、ガス中に懸濁された粒子は、既知のベンチ
ユリスクラバーに於けるよりも低いガスの流速に
於て分離されることが許される。ガスの流速が低
ければ低い程、ガス流を動かすに要するエネルギ
が小にされる(周知のごとく、上記エネルギはガ
スの流速の二乗に比例するからである)。
ロン、及びサイクロンに連結されて、噴霧ダクト
を経て可変断面のガス通路と連通する液集合器を
有するガス−液接触器を有するガス洗浄装置を提
供することにより解決される。ガス通路は、その
撹拌部と拡散部との間に置かれた少なくとも一つ
の喉部を有する。本発明に於ては、ガス−液接触
器のガス通路はサイクロンの軸心の周りに曲げら
れ、出口に於てサイクロンの内腔と連通され、入
口に於て入口管と連通される。この様なガス通路
の構造により、従来の装置に於ては時間を置いて
次々に行われた二操作が同時に行われ得る。即
ち、通路の喉部中の、高速に於て行われる動的凝
固操作と、曲線形通路に沿つて流れるガス流によ
り発生された遠心力により、ガス中に懸濁された
高密度の粒子を通路の外側横壁に向けて投げる遠
心分離操作とである。遠心分離の結果として、こ
れらの粒子は、ガス通路の出口中に入る時にその
壁近くに見出され、これにより、これらをサイク
ロン中に捕捉する為の望ましい条件が作られる。
上記動的凝固と遠心分離が同時に行われることに
より、ガス中に懸濁された粒子は、既知のベンチ
ユリスクラバーに於けるよりも低いガスの流速に
於て分離されることが許される。ガスの流速が低
ければ低い程、ガス流を動かすに要するエネルギ
が小にされる(周知のごとく、上記エネルギはガ
スの流速の二乗に比例するからである)。
ガス通路が曲線形であること、及び、これがサ
イクロンの軸心の周りに置かれることにより、装
置がコンパクトにされる。
イクロンの軸心の周りに置かれることにより、装
置がコンパクトにされる。
この装置の他の利点は、処理されるガスの流量
の変化により操作が影響されない点にある。予想
した生産能力の+50%の範囲内のガスの流量変化
は実際上洗浄効率を変えないことが実験的に確め
られている。これは、ガス流が遠心力により圧縮
され、ガス通路の有効断面(即ち、ガス流の断
面)が実際には変化せず、ガス通路の内断面の幾
何学的寸法にはよらないことによるのであると考
えられる。従つて、本発明の装置は、ガスの流量
を制御する為の自動制御手段を要せず、その構造
が簡単化される。
の変化により操作が影響されない点にある。予想
した生産能力の+50%の範囲内のガスの流量変化
は実際上洗浄効率を変えないことが実験的に確め
られている。これは、ガス流が遠心力により圧縮
され、ガス通路の有効断面(即ち、ガス流の断
面)が実際には変化せず、ガス通路の内断面の幾
何学的寸法にはよらないことによるのであると考
えられる。従つて、本発明の装置は、ガスの流量
を制御する為の自動制御手段を要せず、その構造
が簡単化される。
この様に、本発明の装置は、従来の装置と同じ
洗浄効率を示しつつ、しかも、エネルギ消費が低
く、寸法が小であり、構造が簡単である。
洗浄効率を示しつつ、しかも、エネルギ消費が低
く、寸法が小であり、構造が簡単である。
ガス流の全断面にわたつて液を均等に分布する
為には、噴霧ダクトがサイクロンの軸心の側から
ガス通路中に入れられることが適当である。液の
ジエツトは遠心力によりガス通路の寸法のいかん
に拘わらず、その全断面を通つて通路の外側横壁
に押付けられる。このことにより、本発明の装置
に於ては、いかなる断面寸法のガス通路を用いる
ことも可能にされる。ガス流の断面全体にわたつ
て液が均等に分布されることにより、液とガスと
の接触が改善され、動的凝固の強さが高められ
る。さらに、液を噴射するのに高い圧力を用いる
ことが不要にされる。これは、その機能(ガス流
の抵抗に打ち勝つ機能)は遠心力により行われ、
エネルギ消費が低くされるからである。
為には、噴霧ダクトがサイクロンの軸心の側から
ガス通路中に入れられることが適当である。液の
ジエツトは遠心力によりガス通路の寸法のいかん
に拘わらず、その全断面を通つて通路の外側横壁
に押付けられる。このことにより、本発明の装置
に於ては、いかなる断面寸法のガス通路を用いる
ことも可能にされる。ガス流の断面全体にわたつ
て液が均等に分布されることにより、液とガスと
の接触が改善され、動的凝固の強さが高められ
る。さらに、液を噴射するのに高い圧力を用いる
ことが不要にされる。これは、その機能(ガス流
の抵抗に打ち勝つ機能)は遠心力により行われ、
エネルギ消費が低くされるからである。
この装置の構造は、サイクロンの壁がガス通路
の横壁の一つとして働くことにより簡単化され得
る。サイクロン壁が外側からガス通路を形成する
場合には、ガス−液接触器はサイクロン内に置か
れ、装置全体がサイクロンのケース内に置かれ
る。
の横壁の一つとして働くことにより簡単化され得
る。サイクロン壁が外側からガス通路を形成する
場合には、ガス−液接触器はサイクロン内に置か
れ、装置全体がサイクロンのケース内に置かれ
る。
ガス通路の上壁及び下壁は、これらを連結する
内側横壁を超えてサイクロンの軸心に向けて延
び、サイクロンの排出管に連結され、上記排出管
はサイクロンの軸心に沿つて置かれ、その入口は
ガス通路の出口より下に置かれる。排出管壁、こ
れに近い上記上下壁の部分及びガスダクトの内側
横壁により形成された室には、少なくとも一つの
入口連結部が設けられ、液集合器として働く。
内側横壁を超えてサイクロンの軸心に向けて延
び、サイクロンの排出管に連結され、上記排出管
はサイクロンの軸心に沿つて置かれ、その入口は
ガス通路の出口より下に置かれる。排出管壁、こ
れに近い上記上下壁の部分及びガスダクトの内側
横壁により形成された室には、少なくとも一つの
入口連結部が設けられ、液集合器として働く。
この様な集合器の配置により、装置全体の構造
が簡単化されることは勿論である。これは、特別
な容器及び連結管が不要にされるからである。こ
の場合、ガス通路の内側横壁は噴霧ダクトとして
働く。
が簡単化されることは勿論である。これは、特別
な容器及び連結管が不要にされるからである。こ
の場合、ガス通路の内側横壁は噴霧ダクトとして
働く。
この壁は、その長手方向断面に於て、既知の幾
何学的曲線の一つの形を有する。この様な形は、
撹拌部と喉部との間、及び喉部と拡散部との間に
平滑な遷移を与え、これらの場所に有害な渦流が
生ずることが防がれる。最も簡単な構造に於て
は、それはサイクロンの軸心に対して偏心して置
かれた丸いシリンダの形に作られる。この場合に
は、ガス通路は、このシリンダの軸心及びサイク
ロンの軸心を通る平面内に置かれた一つの喉部を
有し、周知のベンチユリと同様である。
何学的曲線の一つの形を有する。この様な形は、
撹拌部と喉部との間、及び喉部と拡散部との間に
平滑な遷移を与え、これらの場所に有害な渦流が
生ずることが防がれる。最も簡単な構造に於て
は、それはサイクロンの軸心に対して偏心して置
かれた丸いシリンダの形に作られる。この場合に
は、ガス通路は、このシリンダの軸心及びサイク
ロンの軸心を通る平面内に置かれた一つの喉部を
有し、周知のベンチユリと同様である。
本発明の他の実施例に於ては、ガス通路の内側
横壁は、その長手方向断面に於て楕円形に作られ
る。この場合には、ガス通路は、楕円の長軸を通
る面の位置に二つの喉部を有し、洗浄効率を特に
高める為に二段階洗浄を行う為に直列に連結され
たベンチユリ管と同様な働きをする。
横壁は、その長手方向断面に於て楕円形に作られ
る。この場合には、ガス通路は、楕円の長軸を通
る面の位置に二つの喉部を有し、洗浄効率を特に
高める為に二段階洗浄を行う為に直列に連結され
たベンチユリ管と同様な働きをする。
楕円の長軸と、サイクロン内に切線方向に置か
れた入口管の内面の母線との間の最適角度は60゜
である。これにより、動的凝固が強化され、ガス
通路の各段階に於ける撹拌部の長さの拡散部の長
さに対する最善比は、実験の結果によれば1対4
である。
れた入口管の内面の母線との間の最適角度は60゜
である。これにより、動的凝固が強化され、ガス
通路の各段階に於ける撹拌部の長さの拡散部の長
さに対する最善比は、実験の結果によれば1対4
である。
好適実施例に於ては、ガス通路の内側横壁は、
その長手方向断面に於て、交差する二つのアルキ
メデス螺旋により実質的に形成された幾何学的形
に作られ、上記螺旋の交点を通る線は、サイクロ
ン内に切線方向に置かれた入口管の内面の母線に
実質的に垂直に置かれる。この様な内側横壁の形
は、ある幾何学的変数に於ては、この壁により形
成された二段階ガス通路の狭い部分と広い部分に
於けるガス流の速度間に最適な関係を与えること
が確認されている。上記変数は螺旋の方向、及び
それらの極の位置である。アルキメデス螺旋は上
記幾何学的形内に置かれることを要し、よつて、
それらの曲率半径はガス通路の出口に向けて増加
する。この場合には、撹拌部の長さが拡散部の長
さより小であることが絶対に必要である。螺旋の
極は0.4D(Dはサイクロンの内径である)の距
離を隔てて置かれ、サイクロンの軸心を通つて入
口管の内面の母線と60゜の角を形成する直線上に
置かれるべきであり、これにより、撹拌部の長さ
と拡散部の長さとの間の最適比が与えられるとと
もに、ガス通路の最小断面積(喉部)の最大断面
積に対する最適比(1対5)が与えられる。
その長手方向断面に於て、交差する二つのアルキ
メデス螺旋により実質的に形成された幾何学的形
に作られ、上記螺旋の交点を通る線は、サイクロ
ン内に切線方向に置かれた入口管の内面の母線に
実質的に垂直に置かれる。この様な内側横壁の形
は、ある幾何学的変数に於ては、この壁により形
成された二段階ガス通路の狭い部分と広い部分に
於けるガス流の速度間に最適な関係を与えること
が確認されている。上記変数は螺旋の方向、及び
それらの極の位置である。アルキメデス螺旋は上
記幾何学的形内に置かれることを要し、よつて、
それらの曲率半径はガス通路の出口に向けて増加
する。この場合には、撹拌部の長さが拡散部の長
さより小であることが絶対に必要である。螺旋の
極は0.4D(Dはサイクロンの内径である)の距
離を隔てて置かれ、サイクロンの軸心を通つて入
口管の内面の母線と60゜の角を形成する直線上に
置かれるべきであり、これにより、撹拌部の長さ
と拡散部の長さとの間の最適比が与えられるとと
もに、ガス通路の最小断面積(喉部)の最大断面
積に対する最適比(1対5)が与えられる。
噴霧ダクトを、ガス流に面する内側横壁に対し
て切線方向にガス通路中に導き、ガス通路の出口
の方へ向けることは適当である。ガス通路中に切
線方向に入れられた液のジエツトは、ガス通路の
内側横壁に於て減速されたガス粒子に追加のエネ
ルギを与える。即ち、高速に於て生じて流体抵抗
を増加する堺界層分離を防ぐ所謂“堺界層吹き払
い”が行われる。噴霧ダクトの切線方向配置はガ
ス流の全断面にわたつて液滴を均等に分布するこ
とを妨げない。これは、遠心力の作用により液滴
は外側壁に達し、ガス流の全深さを通過するから
である。
て切線方向にガス通路中に導き、ガス通路の出口
の方へ向けることは適当である。ガス通路中に切
線方向に入れられた液のジエツトは、ガス通路の
内側横壁に於て減速されたガス粒子に追加のエネ
ルギを与える。即ち、高速に於て生じて流体抵抗
を増加する堺界層分離を防ぐ所謂“堺界層吹き払
い”が行われる。噴霧ダクトの切線方向配置はガ
ス流の全断面にわたつて液滴を均等に分布するこ
とを妨げない。これは、遠心力の作用により液滴
は外側壁に達し、ガス流の全深さを通過するから
である。
切線方向に置かれた噴霧ダクトは種々な形に作
られ得る。
られ得る。
最も簡単な実施例に於ては、各噴霧ダクトは、
ガス流に面するガス通路の内側横壁と、通路の出
口近くに切線方向に置かれた遮蔽板との間に作ら
れたスロツトの形に作られる。
ガス流に面するガス通路の内側横壁と、通路の出
口近くに切線方向に置かれた遮蔽板との間に作ら
れたスロツトの形に作られる。
本発明の一実施例に於ては、ガス通路の内側横
壁は、通路の上壁及び下壁に連結された別の板か
ら構成され、噴霧ダクトは、相互に部分的に重ね
られた相隣る板間の隙間であり、この場合には、
境界層吹き払いはガス通路の全高に沿つて行われ
る。
壁は、通路の上壁及び下壁に連結された別の板か
ら構成され、噴霧ダクトは、相互に部分的に重ね
られた相隣る板間の隙間であり、この場合には、
境界層吹き払いはガス通路の全高に沿つて行われ
る。
ガス通路の内側横壁が少なくとも一つの、捕捉
された粒子の中間取出しを行う為に切線方向に置
かれたダクトを有することは適当であり、このダ
クトは、この壁の外面と、壁中に作られた開口の
出口の近くに切線方向に壁を取付けられた遮蔽板
との間の隙間により形成される。
された粒子の中間取出しを行う為に切線方向に置
かれたダクトを有することは適当であり、このダ
クトは、この壁の外面と、壁中に作られた開口の
出口の近くに切線方向に壁を取付けられた遮蔽板
との間の隙間により形成される。
この場合、ガス中に懸濁された最も重い粒子
は、ガス流の曲線形通路の始点に於て遠心力によ
りガス通路の外側横壁に押付けられ、さらに遠心
力により上記中間取出しダクトから出され、これ
により、粒子がガス流中に再び戻り込むことが防
止され、装置の洗浄効率が高められる。
は、ガス流の曲線形通路の始点に於て遠心力によ
りガス通路の外側横壁に押付けられ、さらに遠心
力により上記中間取出しダクトから出され、これ
により、粒子がガス流中に再び戻り込むことが防
止され、装置の洗浄効率が高められる。
装置の洗浄効率は、サイクロンの軸心に沿つて
排出管と同心に取付けられた出口連結管を設ける
こと、及び出口排出管、及びガス通路の喉部と排
出管とにより形成された輪形室と連通する再循環
通路を設けることにより高められる。
排出管と同心に取付けられた出口連結管を設ける
こと、及び出口排出管、及びガス通路の喉部と排
出管とにより形成された輪形室と連通する再循環
通路を設けることにより高められる。
さらに、依然として旋廻しているガス流により
排出管中に伴なわれ、排出管の周辺部に於ける旋
廻運動により濃縮された捕捉されなかつた粒子は
ガス通路の喉部へ吸引され、この喉部内には、高
速で流れるガスにより希薄化区域が形成される。
ガス流により伴なわれたこれらの粒子喉部中を通
され、再びすべての洗浄段階を受ける。
排出管中に伴なわれ、排出管の周辺部に於ける旋
廻運動により濃縮された捕捉されなかつた粒子は
ガス通路の喉部へ吸引され、この喉部内には、高
速で流れるガスにより希薄化区域が形成される。
ガス流により伴なわれたこれらの粒子喉部中を通
され、再びすべての洗浄段階を受ける。
本発明をその実施例及び添付図面に従つて説明
する。
する。
第1図は本発明のガス洗浄装置を示す切欠部を
含む全体図であり、第2図は第1図の−線に
よる断面図であり、第3図は本発明の装置の他の
実施例の一つを示す切欠部を含む全体図であり、
サイクロンの壁がガス通路の外側横壁として働
き、第4図は第3図の−線による断面図であ
り、第5図は本発明の装置の他の実施例の一つを
示す切欠部を含む全体図であり、洗浄液の横方向
供給手段を有し、ガス通路は矩形断面であり、第
6図は第5図の装置のガス通路の長手方向断面の
拡大図であり、内側横壁は円筒形に作られてお
り、第7図は内側横壁が楕円形に作られた場合の
第5図の装置のガス通路の長手方向断面の拡大図
であり、第8図はガス通路の内側横壁が二つの交
差するアルキメデス螺旋により実質的に形成され
た幾何学的形に作られた場合の、第5図の装置の
ガス通路の長手方向断面の拡大図であり、第9図
は洗浄液の横方向切線方向供給手段を有する、本
発明の装置中のガス通路の長手方向断面図であ
り、第10図は洗浄液の横方向切線方向供給手段
を有し、ガス通路の内側横壁が別々の板から作ら
れた、本発明の装置中のガス通路の長手方向断面
図であり、第11図は捕捉された粒子を予め取出
す為の手段を有する、本発明の装置中のガス通路
の長手方向断面図であり、第12図は出口連結管
及び再循環通路を有する本発明の装置の部分的長
手方向断面図であり、第13図は第12図の
−線による断面図である。
含む全体図であり、第2図は第1図の−線に
よる断面図であり、第3図は本発明の装置の他の
実施例の一つを示す切欠部を含む全体図であり、
サイクロンの壁がガス通路の外側横壁として働
き、第4図は第3図の−線による断面図であ
り、第5図は本発明の装置の他の実施例の一つを
示す切欠部を含む全体図であり、洗浄液の横方向
供給手段を有し、ガス通路は矩形断面であり、第
6図は第5図の装置のガス通路の長手方向断面の
拡大図であり、内側横壁は円筒形に作られてお
り、第7図は内側横壁が楕円形に作られた場合の
第5図の装置のガス通路の長手方向断面の拡大図
であり、第8図はガス通路の内側横壁が二つの交
差するアルキメデス螺旋により実質的に形成され
た幾何学的形に作られた場合の、第5図の装置の
ガス通路の長手方向断面の拡大図であり、第9図
は洗浄液の横方向切線方向供給手段を有する、本
発明の装置中のガス通路の長手方向断面図であ
り、第10図は洗浄液の横方向切線方向供給手段
を有し、ガス通路の内側横壁が別々の板から作ら
れた、本発明の装置中のガス通路の長手方向断面
図であり、第11図は捕捉された粒子を予め取出
す為の手段を有する、本発明の装置中のガス通路
の長手方向断面図であり、第12図は出口連結管
及び再循環通路を有する本発明の装置の部分的長
手方向断面図であり、第13図は第12図の
−線による断面図である。
発明を実施するための最良の形態
ガス洗浄装置は、ガス中に懸濁された粒子を分
離する為のサイクロン1(第1図)、及びサイク
ロン1と連通して塵埃粒子を液滴により捕捉する
為の、ガス及び液を入れる為の手段2を有する。
離する為のサイクロン1(第1図)、及びサイク
ロン1と連通して塵埃粒子を液滴により捕捉する
為の、ガス及び液を入れる為の手段2を有する。
サイクロン1は、上端に於てカバー4により覆
われた本体3を有する。本体3は垂直円筒体の形
に作られて、洗浄されるガスに渦巻き運動を与え
る為の円筒形部分5を有する。本体3の円筒形部
分5の底には、スラツジ排出の為の円錐形漏斗6
が取付けられる。サイクロン1は(後述される)
入口管7及び、本体3の上部中に置かれて、清浄
化されたガスを排出する為の排出管8を有する。
第1図に示した装置の一実施例に於ては、排出管
8は本体3に対して切線方向に置かれているが、
下記に示すごとく他の方向にも置かれ得る。
われた本体3を有する。本体3は垂直円筒体の形
に作られて、洗浄されるガスに渦巻き運動を与え
る為の円筒形部分5を有する。本体3の円筒形部
分5の底には、スラツジ排出の為の円錐形漏斗6
が取付けられる。サイクロン1は(後述される)
入口管7及び、本体3の上部中に置かれて、清浄
化されたガスを排出する為の排出管8を有する。
第1図に示した装置の一実施例に於ては、排出管
8は本体3に対して切線方向に置かれているが、
下記に示すごとく他の方向にも置かれ得る。
ガス及び液を入れる為の手段2は、喉部10
(第2図)を有する可変断面のガス通路9及び喉
部10と平滑に連結されて入口から喉部10に向
けて収斂する部分11(この部分は以後、撹拌部
と称される)、及び喉部10と平滑に連結され、
喉部10から出口に向けて発散する部分12(こ
の部分は以後拡散部と称される)を有する。
(第2図)を有する可変断面のガス通路9及び喉
部10と平滑に連結されて入口から喉部10に向
けて収斂する部分11(この部分は以後、撹拌部
と称される)、及び喉部10と平滑に連結され、
喉部10から出口に向けて発散する部分12(こ
の部分は以後拡散部と称される)を有する。
本発明によれば、ガス通路9はサイクロン1の
軸心を中心として曲げられる。ガス通路9は、出
口に於て、開口13を経てサイクロンの内腔と連
結され、入口に於て、通路9の曲線形横壁に対し
て切線方向に置かれた入口管7に連結され、ガス
通路9と入口管7とは実質的に一体部分である。
この様な入口管7の配置は望ましい。というの
は、入口管7は先づ旋廻ガス流を案内し、ガス通
路9に平滑に連結されているので、処理されるガ
スの通路上に追加の流体抵抗を発生しないからで
ある。
軸心を中心として曲げられる。ガス通路9は、出
口に於て、開口13を経てサイクロンの内腔と連
結され、入口に於て、通路9の曲線形横壁に対し
て切線方向に置かれた入口管7に連結され、ガス
通路9と入口管7とは実質的に一体部分である。
この様な入口管7の配置は望ましい。というの
は、入口管7は先づ旋廻ガス流を案内し、ガス通
路9に平滑に連結されているので、処理されるガ
スの通路上に追加の流体抵抗を発生しないからで
ある。
第1図及び第2図に示した本発明の一実施例に
於ては、ガス通路9の断面は矩形であり、この場
合には、上記通路の内側横壁はサイクロンの軸心
に面し、本体3の円筒形部分5に於けるサイクロ
ン1の壁である。一般にガス通路9の断面は、他
の種々な形に作られ得、ガス通路9は、サイクロ
ン1の内側または外側に置かれる別々に曲げられ
た管として作られ得る。
於ては、ガス通路9の断面は矩形であり、この場
合には、上記通路の内側横壁はサイクロンの軸心
に面し、本体3の円筒形部分5に於けるサイクロ
ン1の壁である。一般にガス通路9の断面は、他
の種々な形に作られ得、ガス通路9は、サイクロ
ン1の内側または外側に置かれる別々に曲げられ
た管として作られ得る。
手段2はさらに、噴霧ダクト15を経てガス通
路9に連通する液集合器14を有する。第1図及
び第2図に示すごとく、液集合器14は、入口管
7中に置かれたシヤワーの形に作られる。後に示
すごとく、液集合器14はこれと異なる様にも構
成配置され得る。
路9に連通する液集合器14を有する。第1図及
び第2図に示すごとく、液集合器14は、入口管
7中に置かれたシヤワーの形に作られる。後に示
すごとく、液集合器14はこれと異なる様にも構
成配置され得る。
第1図及び第2図に示すごとく、ガス通路9
は、サイクロン1の本体3の円筒形部分5の底に
於て一平面内に置かれる。第3図〜第8図に示す
本発明の装置の実施例に於ては、ガス通路9は螺
旋に沿つて置かれ(このことは流体力学的見地か
ら望ましい。というのは、この様な構造はサイク
ロン1の内腔中でのガス流の平滑な排出を可能に
し、ガス流は螺旋通路に沿つて連続的に動くから
である)。さらに、ガス通路9はサイクロン1の
上部中に置かれる。本体3の円筒形部分5に於て
は、サイクロン1の壁はガス通路の横壁として働
き、これにより、装置が一層簡単及び小形に作ら
れ得る。
は、サイクロン1の本体3の円筒形部分5の底に
於て一平面内に置かれる。第3図〜第8図に示す
本発明の装置の実施例に於ては、ガス通路9は螺
旋に沿つて置かれ(このことは流体力学的見地か
ら望ましい。というのは、この様な構造はサイク
ロン1の内腔中でのガス流の平滑な排出を可能に
し、ガス流は螺旋通路に沿つて連続的に動くから
である)。さらに、ガス通路9はサイクロン1の
上部中に置かれる。本体3の円筒形部分5に於て
は、サイクロン1の壁はガス通路の横壁として働
き、これにより、装置が一層簡単及び小形に作ら
れ得る。
第3図及び第4図に示す本発明の装置の実施例
に於ては、内側横壁16は、ガス通路9の断面に
於て曲線形を有する。上述の実施例と異なり、こ
の実施例に於ては、排出管8はサイクロン1の軸
心に沿つて置かれ、この管の入口17はガス通路
9の出口開口13より下に置かれ、ガスがすべて
の洗浄段階を経ずして逸出することが防がれる。
に於ては、内側横壁16は、ガス通路9の断面に
於て曲線形を有する。上述の実施例と異なり、こ
の実施例に於ては、排出管8はサイクロン1の軸
心に沿つて置かれ、この管の入口17はガス通路
9の出口開口13より下に置かれ、ガスがすべて
の洗浄段階を経ずして逸出することが防がれる。
サイクロン1のカバー4は、サイクロン1の本
体3を排出管8に連結する螺旋形板の形に作られ
る。
体3を排出管8に連結する螺旋形板の形に作られ
る。
第5図及び第6図に示す装置の実施例に於て
は、ガス通路9の断面は矩形であり(第5図)、
このことは、一般的に言つて、装置の製作の簡単
化の為に望ましい。ガス通路9の上壁は、螺旋形
板の形に作られたサイクロンのカバー4と一致す
る。装置の断面と一致する、ガス通路9の長手方
向断面中に於ける内側横壁16は、サイクロン1
の壁に対して偏心的に置かれた円筒体(第6図)
の形を有する。この様な形の横壁16が製作に対
してより便利であることは勿論である。
は、ガス通路9の断面は矩形であり(第5図)、
このことは、一般的に言つて、装置の製作の簡単
化の為に望ましい。ガス通路9の上壁は、螺旋形
板の形に作られたサイクロンのカバー4と一致す
る。装置の断面と一致する、ガス通路9の長手方
向断面中に於ける内側横壁16は、サイクロン1
の壁に対して偏心的に置かれた円筒体(第6図)
の形を有する。この様な形の横壁16が製作に対
してより便利であることは勿論である。
サイクロン1及びガス通路の横壁16の幾何学
的軸心を通る平面A−A内に、ガス通路9の最小
断面部(喉部10)が作られ、ガス通路9の最大
断面は入口管7の断面と等しいことが望ましく、
この場合には平面A−Aは入口管7の内面の母線
に直角に置かれる。
的軸心を通る平面A−A内に、ガス通路9の最小
断面部(喉部10)が作られ、ガス通路9の最大
断面は入口管7の断面と等しいことが望ましく、
この場合には平面A−Aは入口管7の内面の母線
に直角に置かれる。
ガス通路9の下壁18(第5図)は、カバー4
と同様に、内側横壁16からサイクロン1の軸心
に向けて延びる螺旋形板の形に作られ、カバー4
と同様に排出管8に連結される。カバー4の延長
部と下壁18との間、及びガス通路9の横壁16
と排出管8の壁との間には、液集合器14として
働く室が作られる。液集合器14は、カバー4に
取付けられて液集合器14中に洗浄液を供給する
為の入口連結具19を有する。通路の喉部10の
区域に於て壁16中に作られた孔は、噴霧ダクト
15の役をする。
と同様に、内側横壁16からサイクロン1の軸心
に向けて延びる螺旋形板の形に作られ、カバー4
と同様に排出管8に連結される。カバー4の延長
部と下壁18との間、及びガス通路9の横壁16
と排出管8の壁との間には、液集合器14として
働く室が作られる。液集合器14は、カバー4に
取付けられて液集合器14中に洗浄液を供給する
為の入口連結具19を有する。通路の喉部10の
区域に於て壁16中に作られた孔は、噴霧ダクト
15の役をする。
第7図にはガス通路の長手方向断面が示され、
ガス通路9の内側横壁16は楕円形に作られ、ガ
ス通路は二つの喉部10及び撹拌部11に平滑に
連結されたガス通路9の半分と上記通路の他の半
分とにより形成された拡散部12を有する。
ガス通路9の内側横壁16は楕円形に作られ、ガ
ス通路は二つの喉部10及び撹拌部11に平滑に
連結されたガス通路9の半分と上記通路の他の半
分とにより形成された拡散部12を有する。
大体に於て、上述の場合のガス通路中の長手方
向断面は、二つの直列に連結されたベンチユリ管
の長手方向断面と同様であるが、これに比して上
述の構造は、寸法が小であり製作が容易であると
いう利点を有する。この様な構造に於ては、最善
の流体力学的性質は、切線方向に置かれた入口管
7の内面の母線と楕円の長軸B−Bとの間の角度
αが60゜である場合に限られ、この場合には、ガ
ス通路の各段階に於ける拡散部の長さに対する撹
拌部の長さの比が(ガス通路の最初の段階が、入
口管7の断面CCから計つて180゜の弧長に相当す
る部分に等しく、第二段階が通路の次の部分の弧
長に相当する場合には)1対4であり、これは、
既知の直線形ベンチユリ管に於ける拡散部の長さ
に対する撹拌部の長さの最適比と一致する。
向断面は、二つの直列に連結されたベンチユリ管
の長手方向断面と同様であるが、これに比して上
述の構造は、寸法が小であり製作が容易であると
いう利点を有する。この様な構造に於ては、最善
の流体力学的性質は、切線方向に置かれた入口管
7の内面の母線と楕円の長軸B−Bとの間の角度
αが60゜である場合に限られ、この場合には、ガ
ス通路の各段階に於ける拡散部の長さに対する撹
拌部の長さの比が(ガス通路の最初の段階が、入
口管7の断面CCから計つて180゜の弧長に相当す
る部分に等しく、第二段階が通路の次の部分の弧
長に相当する場合には)1対4であり、これは、
既知の直線形ベンチユリ管に於ける拡散部の長さ
に対する撹拌部の長さの最適比と一致する。
しかし、第8図に示した長手方向断面を有する
ガス通路9は、さらに良好な流体力学的性質を示
す。このガス通路9の断面中の横壁16は、二つ
のアルキメデス螺旋により形成された幾何学的形
を有し、上記螺旋は、上記二つの螺旋の交点を通
る線E−Eが、サイクロン1中に切線方向に置か
れた入口管7の内面の母線に対して垂直またはそ
れに近く置かれる。
ガス通路9は、さらに良好な流体力学的性質を示
す。このガス通路9の断面中の横壁16は、二つ
のアルキメデス螺旋により形成された幾何学的形
を有し、上記螺旋は、上記二つの螺旋の交点を通
る線E−Eが、サイクロン1中に切線方向に置か
れた入口管7の内面の母線に対して垂直またはそ
れに近く置かれる。
この様にして横壁16とサイクロン1の壁との
間に作られたガス通路9も二つの段階を有し、そ
れらの各々は、サイクロン1の軸心及び螺旋の極
Pを通る面F−Fから若干離れて置かれた喉部1
0を有する。
間に作られたガス通路9も二つの段階を有し、そ
れらの各々は、サイクロン1の軸心及び螺旋の極
Pを通る面F−Fから若干離れて置かれた喉部1
0を有する。
この場合、ガス通路9中に於て凝固を行わせる
為の最適条件は、上記の如き螺旋の配置により得
られ、この際、螺旋の曲率半径Rは、ガス通路9
の出口に向けて増加され、極Pは、サイクロンの
内径D(本体3の円筒形部分5に於ける直径)の
0.4倍だけ離して置かれ、サイクロン1の軸心
(これは面F−F中にある)を通つて入口管7の
内面の母線とともに角度α=60゜を形成する直線
上に置かれ、この場合には、ガス通路9の各段階
中の撹拌部11の長さと拡散部12の長さは1対
4にされ、ガス通路9の最小断面積(喉部10)
の最大断面積に対する比は1対5とされ、この比
は、直線的ベンチユリ管中の同様な部分の最適比
に相当する。
為の最適条件は、上記の如き螺旋の配置により得
られ、この際、螺旋の曲率半径Rは、ガス通路9
の出口に向けて増加され、極Pは、サイクロンの
内径D(本体3の円筒形部分5に於ける直径)の
0.4倍だけ離して置かれ、サイクロン1の軸心
(これは面F−F中にある)を通つて入口管7の
内面の母線とともに角度α=60゜を形成する直線
上に置かれ、この場合には、ガス通路9の各段階
中の撹拌部11の長さと拡散部12の長さは1対
4にされ、ガス通路9の最小断面積(喉部10)
の最大断面積に対する比は1対5とされ、この比
は、直線的ベンチユリ管中の同様な部分の最適比
に相当する。
ガス通路9の最大巾は本体3の円筒形部分5に
於けるサイクロン1の壁と排出管8との間の輪形
隙間の最適寸法に相当する0.2Dに等しく〔上記
排出管の直径dは0.6Dにすることが推奨されて
いる(Rusanovにより出版された“Spravochnik
po pyie―i zoloulvlivaniyu”,“Energiya”
M.1975年のp62、参照)〕。従つて、喉部の巾は
0.2D/5=0.04Dとなる。この様な構造及びガス
通路9の壁16の構造により、液集合器14は二
つの別々な室を有し、上記室の各々は、洗浄液を
入れる為のそれぞれの入口(図示なし)を有す
る。
於けるサイクロン1の壁と排出管8との間の輪形
隙間の最適寸法に相当する0.2Dに等しく〔上記
排出管の直径dは0.6Dにすることが推奨されて
いる(Rusanovにより出版された“Spravochnik
po pyie―i zoloulvlivaniyu”,“Energiya”
M.1975年のp62、参照)〕。従つて、喉部の巾は
0.2D/5=0.04Dとなる。この様な構造及びガス
通路9の壁16の構造により、液集合器14は二
つの別々な室を有し、上記室の各々は、洗浄液を
入れる為のそれぞれの入口(図示なし)を有す
る。
第9図及び第10図に示す実施例に於ては、噴
霧ダクト15がガス通路9中に、内側横壁16の
面に対して切線方向に、ガス通路9の出口に向け
て作られる。これは噴霧ダクトの望ましい配置で
ある。というのは、下記に示すごとく、ガス通路
9中に於ける流体力学的抵抗を減少させるからで
ある。
霧ダクト15がガス通路9中に、内側横壁16の
面に対して切線方向に、ガス通路9の出口に向け
て作られる。これは噴霧ダクトの望ましい配置で
ある。というのは、下記に示すごとく、ガス通路
9中に於ける流体力学的抵抗を減少させるからで
ある。
第9図に示すごとく、各噴霧ダクト15は、横
壁16と、この壁に切線方向に取付けられ、その
中に作られた開口の出口に取付けられた曲線形の
シールド20との間の隙間である。
壁16と、この壁に切線方向に取付けられ、その
中に作られた開口の出口に取付けられた曲線形の
シールド20との間の隙間である。
第10図には、切線方向に置かれた噴霧ダクト
15の他の構造が示されている。この構造に於て
は、ガス通路9の内側横壁16は、上壁及び下壁
に連結された別々の板21から構成され、各板の
始端は前の板の後端により覆われる。相互に重な
る板21の間の隙間が噴霧ダクト15として作用
する。
15の他の構造が示されている。この構造に於て
は、ガス通路9の内側横壁16は、上壁及び下壁
に連結された別々の板21から構成され、各板の
始端は前の板の後端により覆われる。相互に重な
る板21の間の隙間が噴霧ダクト15として作用
する。
第11図には装置のさらに他形が示され、これ
に於ては、本体3の円筒形部分5に於けるサイク
ロン1の壁と一致するガス通路9の外側横壁が、
さらに捕捉された粒子を中間的に引き出す為に切
線方向に置かれたダクト22を有する。これらの
ダクトの数及び位置は変えられ得るが、ガス通路
9中の喉部10の数により選択されることが望ま
しい。各ダクト22を、ガス流の方向に於て喉部
10の直後に置くことが望ましい。これは、この
場所に於ては流子が最大の速度を有し、ダクト2
2に沿つて動いてサイクロン1外に出るに要する
充分なエネルギを有するからである。各ダクト2
2は、サイクロン1の壁の外面と、上記壁中に作
られた開口の出口に切線方向に取付けられて曲線
形を有する遮蔽板23との間の隙間である。ダク
ト22は他の形にも作られ得、例えば、サイクロ
ン1の壁中に切線方向に取付けられたノズルの形
にも作られ得る。
に於ては、本体3の円筒形部分5に於けるサイク
ロン1の壁と一致するガス通路9の外側横壁が、
さらに捕捉された粒子を中間的に引き出す為に切
線方向に置かれたダクト22を有する。これらの
ダクトの数及び位置は変えられ得るが、ガス通路
9中の喉部10の数により選択されることが望ま
しい。各ダクト22を、ガス流の方向に於て喉部
10の直後に置くことが望ましい。これは、この
場所に於ては流子が最大の速度を有し、ダクト2
2に沿つて動いてサイクロン1外に出るに要する
充分なエネルギを有するからである。各ダクト2
2は、サイクロン1の壁の外面と、上記壁中に作
られた開口の出口に切線方向に取付けられて曲線
形を有する遮蔽板23との間の隙間である。ダク
ト22は他の形にも作られ得、例えば、サイクロ
ン1の壁中に切線方向に取付けられたノズルの形
にも作られ得る。
第12図及び第13図には本発明による装置の
他形が示され、これには処理されるガス流中に、
捕捉されなかつた粒子を入れる為の再循環通路2
4が設けられる。通路24は、排出管8の壁をガ
ス通路9の内側横壁16と連結するスリーブによ
り形成される。サイクロン1から排出されるガス
の上昇流中に懸濁された捕捉されなかつた粒子を
集める為に、排出管8内に置かれて上端を閉じら
れた輪形室25の形に作られたガストラツプが設
けられる。この室は、部分的に排出管8中に挿入
されてカバー4によりその位置に固定された出口
連結管26により排出管8の中心部から区画され
る。連結管26の入口は再循環通路24より下に
ある。再循環通路24はガス通路9の喉部10中
に導かれる。というのは喉部10中には、高速な
ガス流により希薄化区域が形成され、排出管8の
周辺区域から固体粒子が引き出されるからであ
る。勿論、ガス通路9中に二つ以上の喉部10が
ある場合には、それらの各々が再循環通路24を
経て排出管8と連通される。
他形が示され、これには処理されるガス流中に、
捕捉されなかつた粒子を入れる為の再循環通路2
4が設けられる。通路24は、排出管8の壁をガ
ス通路9の内側横壁16と連結するスリーブによ
り形成される。サイクロン1から排出されるガス
の上昇流中に懸濁された捕捉されなかつた粒子を
集める為に、排出管8内に置かれて上端を閉じら
れた輪形室25の形に作られたガストラツプが設
けられる。この室は、部分的に排出管8中に挿入
されてカバー4によりその位置に固定された出口
連結管26により排出管8の中心部から区画され
る。連結管26の入口は再循環通路24より下に
ある。再循環通路24はガス通路9の喉部10中
に導かれる。というのは喉部10中には、高速な
ガス流により希薄化区域が形成され、排出管8の
周辺区域から固体粒子が引き出されるからであ
る。勿論、ガス通路9中に二つ以上の喉部10が
ある場合には、それらの各々が再循環通路24を
経て排出管8と連通される。
ガス洗浄装置は次のごとく作動する。ガスは入
口管7(第1,2図)を経て装置のガス通路5中
に通され、同時に、液集合器14及び噴霧ダクト
15を経て入口管7中に供給された洗浄液により
噴霧される。ガス通路9内に於ては、直線形ベン
チユリ管内に起ると同様な動的凝固が行われる。
同時に、ガス通路9中に於ては、その曲線形によ
り、懸濁された粒子(液体及び固体の両者)の分
離が生じ、この分離操作は既知のサイクロン中で
行われるものと同様である。上記二つの操作が同
時に行われることにより、ガス中に懸濁された粒
子は、ガス通路9の撹拌部11を通過する時に遠
心力の作用により移動し始める。喉部10に於て
はガス及び液の速度がともに増加され、粒子に働
く遠心力が急激に増加する。これは、遠心力は速
度の二乗に比例して増加するからである。これら
の力の作用により、固体粒子はガスよりも重いの
で、ガス通路の外側横壁に押付けられる。サイク
ロン1の本体3内に於て、洗浄されたガスは、ガ
ス通路9の拡散部12から開口13を経て排出さ
れるが、この開口は、既知の装置に於ける連結管
と異なり、ガス流に対して追加の流体抵抗を与え
ない。サイクロン1の内腔への入口に於ては、固
体粒子はその周辺区域に発見される。粒子を捕え
た液滴はサイクロン1の円筒形部分5及び本体3
の漏斗6に沿つて降下し、ピンまたは他の適当な
容器(図示なし)中に入る。この様にして洗浄さ
れたガスは上昇し、排出管8から装置外に出る。
二つの主操作が同時にガス通路9中で行われるこ
とにより、同等な拡散度を有する粒子を、直線形
ベンチユリ管に於けるよりもはるかに低い速度で
分離することが可能にされる。このことにより、
他のすべてのことは同じとして、本発明の装置に
於ては、従来の装置に於けるよりもはるかに低い
流体損失、従つて、低いエネルギ消費によつて同
じ洗浄効果が得られる。洗浄効果はガスの流量の
相当な変化(+50%の範囲内)によつても事実上
影響されない事が実験的に確められたが、この事
は本発明の装置のさらに他の利点である。という
のは、追加の流体抵抗を生じるとともに装置の構
造が複雑化を招来する安定手段を用いずに操作し
得るからである。
口管7(第1,2図)を経て装置のガス通路5中
に通され、同時に、液集合器14及び噴霧ダクト
15を経て入口管7中に供給された洗浄液により
噴霧される。ガス通路9内に於ては、直線形ベン
チユリ管内に起ると同様な動的凝固が行われる。
同時に、ガス通路9中に於ては、その曲線形によ
り、懸濁された粒子(液体及び固体の両者)の分
離が生じ、この分離操作は既知のサイクロン中で
行われるものと同様である。上記二つの操作が同
時に行われることにより、ガス中に懸濁された粒
子は、ガス通路9の撹拌部11を通過する時に遠
心力の作用により移動し始める。喉部10に於て
はガス及び液の速度がともに増加され、粒子に働
く遠心力が急激に増加する。これは、遠心力は速
度の二乗に比例して増加するからである。これら
の力の作用により、固体粒子はガスよりも重いの
で、ガス通路の外側横壁に押付けられる。サイク
ロン1の本体3内に於て、洗浄されたガスは、ガ
ス通路9の拡散部12から開口13を経て排出さ
れるが、この開口は、既知の装置に於ける連結管
と異なり、ガス流に対して追加の流体抵抗を与え
ない。サイクロン1の内腔への入口に於ては、固
体粒子はその周辺区域に発見される。粒子を捕え
た液滴はサイクロン1の円筒形部分5及び本体3
の漏斗6に沿つて降下し、ピンまたは他の適当な
容器(図示なし)中に入る。この様にして洗浄さ
れたガスは上昇し、排出管8から装置外に出る。
二つの主操作が同時にガス通路9中で行われるこ
とにより、同等な拡散度を有する粒子を、直線形
ベンチユリ管に於けるよりもはるかに低い速度で
分離することが可能にされる。このことにより、
他のすべてのことは同じとして、本発明の装置に
於ては、従来の装置に於けるよりもはるかに低い
流体損失、従つて、低いエネルギ消費によつて同
じ洗浄効果が得られる。洗浄効果はガスの流量の
相当な変化(+50%の範囲内)によつても事実上
影響されない事が実験的に確められたが、この事
は本発明の装置のさらに他の利点である。という
のは、追加の流体抵抗を生じるとともに装置の構
造が複雑化を招来する安定手段を用いずに操作し
得るからである。
ガス通路9は、従来技術によるガス洗浄装置の
少なくとも三つの部分の機能を果す。即ち、ガス
と液とを接触させる為の手段のガス導管、液滴を
集める為のトラツプ(この機能は、従来の装置に
於てはサイクロンにより行われた)、及びガス流
をサイクロンの軸心の周りに旋廻させる為の手段
として働く。この様な配置によりガス洗浄装置の
構造が簡単化されることは勿論である。
少なくとも三つの部分の機能を果す。即ち、ガス
と液とを接触させる為の手段のガス導管、液滴を
集める為のトラツプ(この機能は、従来の装置に
於てはサイクロンにより行われた)、及びガス流
をサイクロンの軸心の周りに旋廻させる為の手段
として働く。この様な配置によりガス洗浄装置の
構造が簡単化されることは勿論である。
第3図及び第4図に示した形の装置も同様に作
動する。
動する。
第5図及び第6図に示した装置の作動の特徴
は、洗浄液が、周辺に向けて半径方向に置かれた
噴霧ダクト15からガス通路9に供給されること
にあり、上記ダクトは、ガス通路9の喉部10の
区域に於て上記通路9の横壁16中に作られた孔
である。ガスより重い液は、旋廻ガス流中に発生
された遠心力の作用によりガス通路9の外側横壁
に向けて動かされ、喉部10の全断面を通過し、
ガス中に懸濁された粒子と衝突し、上記粒子はガ
ス通路9の全断面にわたつて、上記断面の寸法に
かかわりなく均等に分布される。従つて、この構
造の装置は、大きな断面(250cm2より大きい)を
有するガス通路を用い得る。液滴に働く遠心力の
存在により、液集合器14の入口に於ける圧力を
下げることが許され、この結果、エネルギの消費
が低下される。
は、洗浄液が、周辺に向けて半径方向に置かれた
噴霧ダクト15からガス通路9に供給されること
にあり、上記ダクトは、ガス通路9の喉部10の
区域に於て上記通路9の横壁16中に作られた孔
である。ガスより重い液は、旋廻ガス流中に発生
された遠心力の作用によりガス通路9の外側横壁
に向けて動かされ、喉部10の全断面を通過し、
ガス中に懸濁された粒子と衝突し、上記粒子はガ
ス通路9の全断面にわたつて、上記断面の寸法に
かかわりなく均等に分布される。従つて、この構
造の装置は、大きな断面(250cm2より大きい)を
有するガス通路を用い得る。液滴に働く遠心力の
存在により、液集合器14の入口に於ける圧力を
下げることが許され、この結果、エネルギの消費
が低下される。
第7図及び第8図に示したガス通路9を有する
装置に於ては、第6図に示した形の長手方向断面
を有するガス通路9中に於てガス流が受ける洗浄
段階を二回受ける。即ち、第一段階の拡散部12
からガス流は第二段階の撹拌部11中に入り、つ
いで、第二段階の喉部10中の最大速度に加速さ
れ、ここで、洗浄液の噴霧を受け、第一段階に於
て捕捉されなかつた粒子が捕捉され、これらの粒
子がガス通路9の外側横壁に運ばれ、その後、開
口13を経てサイクロン1の内腔中に運ばれる。
この様な二段階洗浄が一段階洗浄よりも有効であ
ることは勿論である。同様な効果は、現存のガス
洗浄装置に二つの直列に置かれたベンチユリ管を
付けることによつても得られる(例えば、L.R.
Bogdanov,L.I.Kropp Povyshenie effektivnosti
mokroi ochistki gasov ot Letuchey zoly TES
putem ispolzovaniya dvuhstupenchatyth
koagulatorov Venturi。Tezisy dokladov
Wsesoyuznoi konferentsii utchenyh,
Moskva,VDNH,1978年5月、p10〜11参照)。
装置に於ては、第6図に示した形の長手方向断面
を有するガス通路9中に於てガス流が受ける洗浄
段階を二回受ける。即ち、第一段階の拡散部12
からガス流は第二段階の撹拌部11中に入り、つ
いで、第二段階の喉部10中の最大速度に加速さ
れ、ここで、洗浄液の噴霧を受け、第一段階に於
て捕捉されなかつた粒子が捕捉され、これらの粒
子がガス通路9の外側横壁に運ばれ、その後、開
口13を経てサイクロン1の内腔中に運ばれる。
この様な二段階洗浄が一段階洗浄よりも有効であ
ることは勿論である。同様な効果は、現存のガス
洗浄装置に二つの直列に置かれたベンチユリ管を
付けることによつても得られる(例えば、L.R.
Bogdanov,L.I.Kropp Povyshenie effektivnosti
mokroi ochistki gasov ot Letuchey zoly TES
putem ispolzovaniya dvuhstupenchatyth
koagulatorov Venturi。Tezisy dokladov
Wsesoyuznoi konferentsii utchenyh,
Moskva,VDNH,1978年5月、p10〜11参照)。
第8図に示した形の装置は、動的凝固力をガス
流に与える為の最適条件を与え、この場合、喉部
10に於けるガス流の速度と、ガス通路9の広い
部分に於ける速度との比は1対5である。
流に与える為の最適条件を与え、この場合、喉部
10に於けるガス流の速度と、ガス通路9の広い
部分に於ける速度との比は1対5である。
第9図または第10図に示す断面を有する装置
に於ては、洗浄液は噴霧ダクト15から切線方向
に(ガス流の流れの方向に)噴射される。
に於ては、洗浄液は噴霧ダクト15から切線方向
に(ガス流の流れの方向に)噴射される。
高速でガス通路9中に切線方向に噴霧された液
のジエツトは、その本来の機能である、夾雑物を
含むガスを洗浄する他に、内側横壁16の表面に
於て減速された粒子に追加のエネルギを与え、こ
れにより、固体の周りをガス流が高速で流れるこ
とによりガス流中に生ずる境界層分離(これは、
流体力学に於て流過として周知されている現象で
ある)が防がれる。上記境界層分離は高い流体損
失の原因となり、従つて境界層の吹き払いは極め
て重要である。前述の装置に於けるごとく、ダク
ト15はガス通路9の全長に沿つて置かれ、これ
らのダクトによる境界層吹き払いはガス流の全通
路に沿つて行われる。ここに付記するに、洗浄液
が切線方向に向けられることは、液滴が遠心力に
よりガス通路9の外側壁に達することを妨げな
い。従つて、液滴と固体粒子との衝突はガス流の
全深さにわたつて行われる。
のジエツトは、その本来の機能である、夾雑物を
含むガスを洗浄する他に、内側横壁16の表面に
於て減速された粒子に追加のエネルギを与え、こ
れにより、固体の周りをガス流が高速で流れるこ
とによりガス流中に生ずる境界層分離(これは、
流体力学に於て流過として周知されている現象で
ある)が防がれる。上記境界層分離は高い流体損
失の原因となり、従つて境界層の吹き払いは極め
て重要である。前述の装置に於けるごとく、ダク
ト15はガス通路9の全長に沿つて置かれ、これ
らのダクトによる境界層吹き払いはガス流の全通
路に沿つて行われる。ここに付記するに、洗浄液
が切線方向に向けられることは、液滴が遠心力に
よりガス通路9の外側壁に達することを妨げな
い。従つて、液滴と固体粒子との衝突はガス流の
全深さにわたつて行われる。
第11図に示した装置に於ては、ガス中に懸濁
された最も重い粒子は遠心分離されてガス通路9
の周辺に押付けられ、第一段階の喉部10中で加
速され、捕捉された粒子を中間的に取出す為のダ
クト22から取出される。中間引出しダクト22
を通る高乱流により小さな粒子が凝固されて作ら
れた大きな粒子とともに、塵埃を含むスラツジ液
の相当な部分が排出される。この結果として、処
理されるガスは、ガス通路9内の第二段階の収斂
部11に達する時には、より少ない塵埃を含む。
ガス中の固体粒子の濃度は第二段階の喉部10を
過ぎた後にさらに低下され、分離された粒子の他
の部分及び液滴が次の取出しダクト22から取出
される。分離された粒子の中間取出しは、ガス流
の中心部中へ塵埃が戻り込む可能性(この可能性
は、ガスが高濃度である場合には極めて大であ
る)を低め、洗浄操作の高効率が保証される。さ
らに、ダクト22の存在は装置の耐用寿命に対し
て有利である。これは、外側横壁により集められ
た固体粒子は、それらが壁に沿つて動く時に摩耗
剤として働く。即ち、上記横壁の内面を摩耗し、
この摩耗は、粒子の重さ及び速度とともに増加す
る。上記中間取出しは、従来の装置中に用いられ
た場合には、多段階ガス洗浄の為の装置中のベン
チユリ管に設けられた別の吸引手段の助けにより
行われる(Chemico―Chemical Construction/
GB/Limited,Regal House,Twickenham,
Middlesex,England,p.8、参照)。しかし、こ
の方法は装置を割高にし、追加の流体抵抗を発生
する。
された最も重い粒子は遠心分離されてガス通路9
の周辺に押付けられ、第一段階の喉部10中で加
速され、捕捉された粒子を中間的に取出す為のダ
クト22から取出される。中間引出しダクト22
を通る高乱流により小さな粒子が凝固されて作ら
れた大きな粒子とともに、塵埃を含むスラツジ液
の相当な部分が排出される。この結果として、処
理されるガスは、ガス通路9内の第二段階の収斂
部11に達する時には、より少ない塵埃を含む。
ガス中の固体粒子の濃度は第二段階の喉部10を
過ぎた後にさらに低下され、分離された粒子の他
の部分及び液滴が次の取出しダクト22から取出
される。分離された粒子の中間取出しは、ガス流
の中心部中へ塵埃が戻り込む可能性(この可能性
は、ガスが高濃度である場合には極めて大であ
る)を低め、洗浄操作の高効率が保証される。さ
らに、ダクト22の存在は装置の耐用寿命に対し
て有利である。これは、外側横壁により集められ
た固体粒子は、それらが壁に沿つて動く時に摩耗
剤として働く。即ち、上記横壁の内面を摩耗し、
この摩耗は、粒子の重さ及び速度とともに増加す
る。上記中間取出しは、従来の装置中に用いられ
た場合には、多段階ガス洗浄の為の装置中のベン
チユリ管に設けられた別の吸引手段の助けにより
行われる(Chemico―Chemical Construction/
GB/Limited,Regal House,Twickenham,
Middlesex,England,p.8、参照)。しかし、こ
の方法は装置を割高にし、追加の流体抵抗を発生
する。
第12図及び第13図に示した他形の装置の特
徴は、ガスから不純物の大部分が取去られた後に
ガスが排出管8中に入る所に最終洗浄段階が設け
られていることにある。排出管8中で上昇する時
に、ガスはサイクロンの軸心の周りでの廻転を続
け、この結果として、ガス中に依然として残され
ている粒子は遠心力によりこの管の周辺に押しや
られ、排出管8の壁及びこれに同心に置かれて上
端を閉じられた連結管26の壁により形成された
輪形室25中に入れられる。これらの粒子は上記
室から再循環通路24を経て、もう一回すべての
洗浄操作を受けさせる為にガス通路9中に戻され
る。吸引作用は、ガス速度が低い上記輪形室25
と、通路24が連通し、ガス速度が大である為に
希薄化区域となる喉部10との間の差圧により行
われる。従来技術による装置と比較する為にここ
に付記するが、現存の装置中に用いられた再循環
系統は、一般に、粒子を吸引により引き出してこ
れをガス通路へ送る為の手段を有する(前述の
Chemico Ltd.の冊子のp8,9,12,13、参照)。
またここに付記すべきは、切線方向に置かれた噴
霧ダクト、中間引出し管、再循環通路を有する装
置の他形が別々に図示及び説明されて来たが(第
9〜13図)、これは、これらを別々に用いるこ
との可能性を示すものであり、本発明の最良の実
施例(図示なし)に於ては上記要素のすべてが兼
備され得る。
徴は、ガスから不純物の大部分が取去られた後に
ガスが排出管8中に入る所に最終洗浄段階が設け
られていることにある。排出管8中で上昇する時
に、ガスはサイクロンの軸心の周りでの廻転を続
け、この結果として、ガス中に依然として残され
ている粒子は遠心力によりこの管の周辺に押しや
られ、排出管8の壁及びこれに同心に置かれて上
端を閉じられた連結管26の壁により形成された
輪形室25中に入れられる。これらの粒子は上記
室から再循環通路24を経て、もう一回すべての
洗浄操作を受けさせる為にガス通路9中に戻され
る。吸引作用は、ガス速度が低い上記輪形室25
と、通路24が連通し、ガス速度が大である為に
希薄化区域となる喉部10との間の差圧により行
われる。従来技術による装置と比較する為にここ
に付記するが、現存の装置中に用いられた再循環
系統は、一般に、粒子を吸引により引き出してこ
れをガス通路へ送る為の手段を有する(前述の
Chemico Ltd.の冊子のp8,9,12,13、参照)。
またここに付記すべきは、切線方向に置かれた噴
霧ダクト、中間引出し管、再循環通路を有する装
置の他形が別々に図示及び説明されて来たが(第
9〜13図)、これは、これらを別々に用いるこ
との可能性を示すものであり、本発明の最良の実
施例(図示なし)に於ては上記要素のすべてが兼
備され得る。
本発明の特定な実施例が図示及び説明された
が、その種々な改変及び追加はこの技術方面の熟
達者には明らかであり、これらから異なること
も、請求の範囲に示された本発明の主旨及び範囲
内に於て行わら得る。
が、その種々な改変及び追加はこの技術方面の熟
達者には明らかであり、これらから異なること
も、請求の範囲に示された本発明の主旨及び範囲
内に於て行わら得る。
産業上の利用可能性
本発明のガス洗浄装置は高洗浄効率を特徴と
し、コンパクトであり、構造が簡単であり、経済
的である。上記装置の洗浄効率は99.4〜99.99%
であり、流体損失は水柱200mm以上にならない。
し、コンパクトであり、構造が簡単であり、経済
的である。上記装置の洗浄効率は99.4〜99.99%
であり、流体損失は水柱200mm以上にならない。
本発明のガス洗浄装置は、化学工業、粉末工学
及び冶金産業に於て、ガスから機械的不純物を除
去する為に広く用いられ得る。この装置は、強力
な熱及び物質伝達を必要とする他の目的に対して
も有用である。
及び冶金産業に於て、ガスから機械的不純物を除
去する為に広く用いられ得る。この装置は、強力
な熱及び物質伝達を必要とする他の目的に対して
も有用である。
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU792804373A SU917854A1 (ru) | 1979-08-02 | 1979-08-02 | Устройство дл мокрой очистки газа |
SU802902652A SU917855A1 (ru) | 1980-04-02 | 1980-04-02 | Аппарат дл мокрой очистки газа |
SU802902653A SU917853A1 (ru) | 1980-04-02 | 1980-04-02 | Аппарат дл мокрой очистки газа |
SU802902651A SU851815A1 (ru) | 1980-04-02 | 1980-04-02 | Аппарат дл мокрой очистки газа |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS57500138A JPS57500138A (ja) | 1982-01-28 |
JPS6126404B2 true JPS6126404B2 (ja) | 1986-06-20 |
Family
ID=27484895
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP55501132A Expired JPS6126404B2 (ja) | 1979-08-02 | 1980-04-25 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6126404B2 (ja) |
AT (1) | AT379321B (ja) |
DE (1) | DE3049752C2 (ja) |
SE (1) | SE427244B (ja) |
WO (1) | WO1981000360A1 (ja) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE4344506C2 (de) * | 1993-12-24 | 1998-04-16 | Knecht Filterwerke Gmbh | Zyklon zur Abscheidung von Öl |
DE4441749A1 (de) * | 1994-11-23 | 1996-05-30 | Linde Ag | Vorrichtung zum In-Kontakt-Bringen einer Flüssigkeit mit einem Gas |
DE29501148U1 (de) * | 1995-01-25 | 1995-07-20 | Bielefeldt, Ernst-August, 24582 Bordesholm | Einrichtung zur Stofftrennung mittels Fliehkraft |
DE19502202A1 (de) * | 1995-01-25 | 1996-08-22 | Ernst August Bielefeldt | Verfahren und Einrichtung zur Stofftrennung mittels Fliehkraft |
DE10062483A1 (de) * | 2000-12-14 | 2002-06-20 | Deutz Ag | Filter zur Reinigung von Kurbelgehäuseentlüftungsgasen einer Brennkraftmaschine |
CN106268142B (zh) * | 2016-08-29 | 2019-02-12 | 河南心连心化肥有限公司 | 一种复合式高效湿式除尘器及其除尘工艺 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US1344146A (en) * | 1919-07-01 | 1920-06-22 | Charles B Peck | Dust-collector |
BE498067A (ja) * | 1948-10-02 | |||
US2881858A (en) * | 1954-06-21 | 1959-04-14 | Svenska Flaektfabriken Ab | Apparatus for separating dust or liquid drops from a gaseous medium |
BE567375A (ja) * | 1957-05-04 | |||
US3696590A (en) * | 1969-08-14 | 1972-10-10 | Nichols Eng & Res Corp | Gas scrubbing system |
PL68414B1 (ja) * | 1969-10-10 | 1973-02-28 | ||
DE2038045C3 (de) * | 1970-07-31 | 1981-12-10 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Zyklon |
-
1980
- 1980-04-25 JP JP55501132A patent/JPS6126404B2/ja not_active Expired
- 1980-04-25 DE DE19803049752 patent/DE3049752C2/de not_active Expired
- 1980-04-25 WO PCT/SU1980/000067 patent/WO1981000360A1/ru active Application Filing
- 1980-04-25 AT AT0907480A patent/AT379321B/de not_active IP Right Cessation
-
1981
- 1981-03-31 SE SE8102050A patent/SE427244B/sv not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
SE8102050L (sv) | 1981-03-31 |
ATA907480A (de) | 1985-05-15 |
AT379321B (de) | 1985-12-27 |
DE3049752C2 (de) | 1989-03-16 |
JPS57500138A (ja) | 1982-01-28 |
WO1981000360A1 (en) | 1981-02-19 |
DE3049752T1 (de) | 1982-02-25 |
SE427244B (sv) | 1983-03-21 |
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