JPS6126257A - 光センサ−アレ−装置 - Google Patents
光センサ−アレ−装置Info
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- JPS6126257A JPS6126257A JP14783184A JP14783184A JPS6126257A JP S6126257 A JPS6126257 A JP S6126257A JP 14783184 A JP14783184 A JP 14783184A JP 14783184 A JP14783184 A JP 14783184A JP S6126257 A JPS6126257 A JP S6126257A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
- H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
- H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
- H01L21/0274—Photolithographic processes
-
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14665—Imagers using a photoconductor layer
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、ファクシミリ、複写機等に適用する光センサ
ーアレー装置に関するものである。
ーアレー装置に関するものである。
従来例の構成とその問題点
従来、この種のイメージセンサとしては、ＳＬ単結晶基
板上にＩＣ技術を利用して形成される素子が用いられて
きた。しかし、これらはチップサイズの制約があシ、原
稿を読み取る場合、光学縮小系レンズの併用が必要であ
る為、装置の大型化、及び価格の高額化が避けられなか
った。これに対し、ＣｄＴｅ等の薄膜光センサアレーは
、容易に大型化が可能であるため、縮小光学系を必要と
しないイメージセンサを提供できる。現在、後者はＡ４
判サイズのものが検討されているが、これは素子密度８
ビツト／ミリで構成すると素子数は１７２８ビツトとな
シミ極対も同数必要であり、これらと駆動回路の結線は
非常に繁雑を窮める。このような多数の電極の結線方法
と、して第１図に示すマトリクス配線が採用されている
。
板上にＩＣ技術を利用して形成される素子が用いられて
きた。しかし、これらはチップサイズの制約があシ、原
稿を読み取る場合、光学縮小系レンズの併用が必要であ
る為、装置の大型化、及び価格の高額化が避けられなか
った。これに対し、ＣｄＴｅ等の薄膜光センサアレーは
、容易に大型化が可能であるため、縮小光学系を必要と
しないイメージセンサを提供できる。現在、後者はＡ４
判サイズのものが検討されているが、これは素子密度８
ビツト／ミリで構成すると素子数は１７２８ビツトとな
シミ極対も同数必要であり、これらと駆動回路の結線は
非常に繁雑を窮める。このような多数の電極の結線方法
と、して第１図に示すマトリクス配線が採用されている
。
第１図は直線上に配列されたｍ、ｎ個の光センサの結線
を示し、（１−１，１）〜（１−’＋ｎＬ（１−２．１
）〜（１−２，ｎ）・・・・（１−ｍ、１）〜（１−ｍ
、ｎ）はそれぞれ光センサーで配列された一端側よ、！
７ｎ個ずつを一組として、各組の一端をその組の中で互
いに接続して組選択用のｍ本の出力線Ｌ１〜Ｌｍとし、
各組の他端はそれぞれ他の組の光センサ、（１−１，１
）〜（１−１，ｎ）、（１−２，１）〜（１−２，ｎ）
・・・・（１−ｍ、１）〜（１−ｍ、ｎ）同志を接続し
て素子選択用のｎ本の出力線Ｌ１０〜ＬｎＯとしてマト
リクス配線し、駆動回路（８）と接続すべき電極数を（
ｍ＋ｎ）本に減少させている。また、４は負荷抵抗、６
は電源、（ｅ−１，１）〜（６−ｍ、ｎ）は逆漏れ防止
ダイオード、（２，１）〜（２、ｎ）は出力源Ｌ１゜〜
ＬｎＯ選択用スイッチ、（３，１）〜（３、ｍ）は、出
力線Ｌ１〜Ｌｍ選択用スイッチであり、このスイッチと
、前記スイッチ（２，１）〜（２、ｎ）とは前記駆動回
路に）中に収められている。以上のように構成されてい
るため、第１図では駆動回路（５）によシ読みだすこと
ができる。然しなから、このようなマトリクス配線を同
一基板上で行うには、各配線間に第１図７で示すような
交差点が生じるが、この交差配線では、各配線が絶縁さ
れる必要があり、従来は配線間にＳ ｉ０２のような絶
縁性の薄膜を形成したり、或いは駆動部分のみ別基板に
作成し、素子形成された基板と前記基板との間に有機弾
性コネクタを敷設した基板のこれら三つの基板を治具で
締め付ける方法等を使用していた。然しなから、前者の
場合はＳ Ｘ ０２上の電極のステップカバレージが悪
い為、断線等の事故が発生しやすいという問題、後者の
場合は基板が大面積になるとそれ自体のそシのため十分
な電極間の接触が取れないという問題があった。
を示し、（１−１，１）〜（１−’＋ｎＬ（１−２．１
）〜（１−２，ｎ）・・・・（１−ｍ、１）〜（１−ｍ
、ｎ）はそれぞれ光センサーで配列された一端側よ、！
７ｎ個ずつを一組として、各組の一端をその組の中で互
いに接続して組選択用のｍ本の出力線Ｌ１〜Ｌｍとし、
各組の他端はそれぞれ他の組の光センサ、（１−１，１
）〜（１−１，ｎ）、（１−２，１）〜（１−２，ｎ）
・・・・（１−ｍ、１）〜（１−ｍ、ｎ）同志を接続し
て素子選択用のｎ本の出力線Ｌ１０〜ＬｎＯとしてマト
リクス配線し、駆動回路（８）と接続すべき電極数を（
ｍ＋ｎ）本に減少させている。また、４は負荷抵抗、６
は電源、（ｅ−１，１）〜（６−ｍ、ｎ）は逆漏れ防止
ダイオード、（２，１）〜（２、ｎ）は出力源Ｌ１゜〜
ＬｎＯ選択用スイッチ、（３，１）〜（３、ｍ）は、出
力線Ｌ１〜Ｌｍ選択用スイッチであり、このスイッチと
、前記スイッチ（２，１）〜（２、ｎ）とは前記駆動回
路に）中に収められている。以上のように構成されてい
るため、第１図では駆動回路（５）によシ読みだすこと
ができる。然しなから、このようなマトリクス配線を同
一基板上で行うには、各配線間に第１図７で示すような
交差点が生じるが、この交差配線では、各配線が絶縁さ
れる必要があり、従来は配線間にＳ ｉ０２のような絶
縁性の薄膜を形成したり、或いは駆動部分のみ別基板に
作成し、素子形成された基板と前記基板との間に有機弾
性コネクタを敷設した基板のこれら三つの基板を治具で
締め付ける方法等を使用していた。然しなから、前者の
場合はＳ Ｘ ０２上の電極のステップカバレージが悪
い為、断線等の事故が発生しやすいという問題、後者の
場合は基板が大面積になるとそれ自体のそシのため十分
な電極間の接触が取れないという問題があった。
発明の目的
本発明は上記の欠点を解消するものであり、マトリクス
配線をする際に前記交差点の加工が容易で信頼性の高い
ものを提供するものである。
配線をする際に前記交差点の加工が容易で信頼性の高い
ものを提供するものである。
発明の構成
本発明は、透光性基板上に複数個の光センサーが列状に
並んだもので、その第一引き出し電極と駆動回路に結線
された第二引き出し電極、前記二つの電極間にそれ自体
が感光基を持ち、フォトレジストの助けを借りないで微
細パターン加工の可能な絶縁性の樹脂膜を形成すること
で、第一引き出し電極と第二引き出し電極の所定の部分
のみ接続させマトリクス配線回路を構成したものであシ
、加工が容易で、信頼性の高いマトリクス配線回路を持
つ光センサアレー装置を提供するものである。
並んだもので、その第一引き出し電極と駆動回路に結線
された第二引き出し電極、前記二つの電極間にそれ自体
が感光基を持ち、フォトレジストの助けを借りないで微
細パターン加工の可能な絶縁性の樹脂膜を形成すること
で、第一引き出し電極と第二引き出し電極の所定の部分
のみ接続させマトリクス配線回路を構成したものであシ
、加工が容易で、信頼性の高いマトリクス配線回路を持
つ光センサアレー装置を提供するものである。
実施例の説明
以下、本発明の実施例について説明する。まず、透光性
基板上に光センサアレー、及び第一引き出し電極を形成
する。これらはそれぞれ真空蒸着法で得られたＣｄＴｅ
薄膜、Ｃｒ薄膜をホトエツチング法でパターニングした
ものである。次に、絶縁性樹脂である東しのフォトニー
スをスピン法により全面コートする。これはそれ自体が
感光基を持つので７オトレジストと同じ工程でパターニ
ングが可能であり、キュアすることにょシ、ポリイミド
となる。即ち第２図Ｂで示す様にプリベーク後Ｎ元、現
像、熱処理の工程をへてパターニングされる。この後、
第二電極に相当するＡ１を真空蒸着しフォトリソ法によ
りパターンを得る。以上の工程は第２図で示す。尚、第
２図Ａで示すのは図において、（−）〜（ｑ）はそれぞ
れ（−）はスパッタによる５１０２成膜、（ｂ）はレジ
スト、或いはフォトニースの塗布、（０）は露光、（ｄ
）は現像、（ｅ）はエツチング、（ｆ）はレジストの剥
離、（ｑ）は熱処理の工程を示すものである。第２図の
ＡＢを比較してわかるように２オトニースを使用するこ
とで工程をかなシシンズルにすることができる。又、第
３図Ａで示す様にＳ ｉ０２を絶縁膜として使用する場
合、エツチング工程時にサイドエッチされることで第二
電極が断線するという問題が発生しゃすくなるこれに対
しフォトニースを使用すると第３図Ｂで示す様に厚み、
３μ以下の場合そのエツジは４５度以上の傾斜をもって
おシ上部電極のステップカバレージは極めて良好であり
、前記のような断線事故を０とすることが可能である。
基板上に光センサアレー、及び第一引き出し電極を形成
する。これらはそれぞれ真空蒸着法で得られたＣｄＴｅ
薄膜、Ｃｒ薄膜をホトエツチング法でパターニングした
ものである。次に、絶縁性樹脂である東しのフォトニー
スをスピン法により全面コートする。これはそれ自体が
感光基を持つので７オトレジストと同じ工程でパターニ
ングが可能であり、キュアすることにょシ、ポリイミド
となる。即ち第２図Ｂで示す様にプリベーク後Ｎ元、現
像、熱処理の工程をへてパターニングされる。この後、
第二電極に相当するＡ１を真空蒸着しフォトリソ法によ
りパターンを得る。以上の工程は第２図で示す。尚、第
２図Ａで示すのは図において、（−）〜（ｑ）はそれぞ
れ（−）はスパッタによる５１０２成膜、（ｂ）はレジ
スト、或いはフォトニースの塗布、（０）は露光、（ｄ
）は現像、（ｅ）はエツチング、（ｆ）はレジストの剥
離、（ｑ）は熱処理の工程を示すものである。第２図の
ＡＢを比較してわかるように２オトニースを使用するこ
とで工程をかなシシンズルにすることができる。又、第
３図Ａで示す様にＳ ｉ０２を絶縁膜として使用する場
合、エツチング工程時にサイドエッチされることで第二
電極が断線するという問題が発生しゃすくなるこれに対
しフォトニースを使用すると第３図Ｂで示す様に厚み、
３μ以下の場合そのエツジは４５度以上の傾斜をもって
おシ上部電極のステップカバレージは極めて良好であり
、前記のような断線事故を０とすることが可能である。
発明の効果
以上によシ明らかなように、本発明は、遁膏性第二引き
出し電極、前記二つの電極間にそれ自体が感光基を持ち
、フォトレジストの助けを借りないで微細パターン加工
の可能な絶縁性の樹脂膜を形成することで、第一引き出
し電極と第二引き出し電極の所定の部分のみ接続させマ
トリクス配線回路を構成したものであシ、従来、用いら
れた５１０２を絶縁膜に使用する方法、或いは駆動部分
のみ別基板に作成し、素子形成された基板と前記基板と
の間に有機弾性コネクタを有した基板を設ける方法に比
較すると特に前者に比べ、工程がシンプルであり、上部
電極成膜時のステップカバレージが良く断線等の事故を
０とすることも可能である。また後者の従来例では基板
が大型化した場合、そのそりが原因で上下基板の締め付
けがうまくいかず、接触不良を起こすことが頻繁であっ
たが本発明では全くその心配がなく、基板が大面積のと
きにも必要な電極のコンタク１が確実にとれるといった
メリットがある。
出し電極、前記二つの電極間にそれ自体が感光基を持ち
、フォトレジストの助けを借りないで微細パターン加工
の可能な絶縁性の樹脂膜を形成することで、第一引き出
し電極と第二引き出し電極の所定の部分のみ接続させマ
トリクス配線回路を構成したものであシ、従来、用いら
れた５１０２を絶縁膜に使用する方法、或いは駆動部分
のみ別基板に作成し、素子形成された基板と前記基板と
の間に有機弾性コネクタを有した基板を設ける方法に比
較すると特に前者に比べ、工程がシンプルであり、上部
電極成膜時のステップカバレージが良く断線等の事故を
０とすることも可能である。また後者の従来例では基板
が大型化した場合、そのそりが原因で上下基板の締め付
けがうまくいかず、接触不良を起こすことが頻繁であっ
たが本発明では全くその心配がなく、基板が大面積のと
きにも必要な電極のコンタク１が確実にとれるといった
メリットがある。
第１図は、光センサアレーのマトリクス配線のＳ ｉ０
２のパターニング工程図、第２図Ｂはフォトニースを用
いた場合のパターニング工程図、第３図は第２図Ａ、Ｂ
それぞれに相当する配線部の断面図である。 ８・・・・第１引き出し電極、９・・−・−ガラス基板
、１０・・・・・フォトニース、１１・・・・・・第２
引き出し電極、１２・・・・５ｉ０２．１３・・・・−
フォトレジスト、１４・・・・照射光、１５・・・・・
フォトマスク。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第２
図 （／４）（Ｂ） 第３図 （ＡＪ （Ｂｌ
２のパターニング工程図、第２図Ｂはフォトニースを用
いた場合のパターニング工程図、第３図は第２図Ａ、Ｂ
それぞれに相当する配線部の断面図である。 ８・・・・第１引き出し電極、９・・−・−ガラス基板
、１０・・・・・フォトニース、１１・・・・・・第２
引き出し電極、１２・・・・５ｉ０２．１３・・・・−
フォトレジスト、１４・・・・照射光、１５・・・・・
フォトマスク。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第２
図 （／４）（Ｂ） 第３図 （ＡＪ （Ｂｌ
Claims (2)
- （１）透光性基板上に複数個の光センサーが列状に並ん
だもので、その第一引き出し電極と駆動回路に結線され
た第二引き出し電極、前記二つの電極間に、それ自体が
感光基を持ちフォトレジストの助けを借りないで微細パ
ターン加工の可能な絶縁性の樹脂膜を形成することで、
第一引き出し電極と第二引き出し電極の所定の部分のみ
接続させ、マトリクス配線回路を構成した光センサーア
レー装置。 - （２）光センサーが、透明基板上に透明電極、ＣｄＴｅ
と順次形成されＡｌ或いはＳｎ或いはＩｎで上部電極を
構成し、透明電極を第一電極、上部電極を第二電極とし
た特許請求の範囲第１項記載の光センサーアレー装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14783184A JPS6126257A (ja) | 1984-07-17 | 1984-07-17 | 光センサ−アレ−装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14783184A JPS6126257A (ja) | 1984-07-17 | 1984-07-17 | 光センサ−アレ−装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6126257A true JPS6126257A (ja) | 1986-02-05 |
Family
ID=15439226
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14783184A Pending JPS6126257A (ja) | 1984-07-17 | 1984-07-17 | 光センサ−アレ−装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6126257A (ja) |
-
1984
- 1984-07-17 JP JP14783184A patent/JPS6126257A/ja active Pending
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