JPS61261782A - エレクトロクロミツク素子の駆動方法 - Google Patents
エレクトロクロミツク素子の駆動方法Info
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- JPS61261782A JPS61261782A JP10260385A JP10260385A JPS61261782A JP S61261782 A JPS61261782 A JP S61261782A JP 10260385 A JP10260385 A JP 10260385A JP 10260385 A JP10260385 A JP 10260385A JP S61261782 A JPS61261782 A JP S61261782A
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- electrochromic
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
「産業上の利用分野］
本発明は電気化学的発消色素子すなわちエレクトロクロ
ミック素子を利用したエレクトロクロミック素子に関す
る。
ミック素子を利用したエレクトロクロミック素子に関す
る。
このようなエレクトロクロミック素子は、例えば、数字
表丞素子、Ｘ−Ｙマトリクスディスプレイ、光学シャッ
タ、絞り機構等に応用できるもので、その材料で分類す
ると液体型と固体型に分けられるが、本発明は特に全固
体型のエレクＩ・ロクロミック素子の駆動方法に関する
ものである。
表丞素子、Ｘ−Ｙマトリクスディスプレイ、光学シャッ
タ、絞り機構等に応用できるもので、その材料で分類す
ると液体型と固体型に分けられるが、本発明は特に全固
体型のエレクＩ・ロクロミック素子の駆動方法に関する
ものである。
［従来技術１
第３図および第４図は、各々エレクトロクロミック素子
を利用した全固体型エレクトロクロミック素子の一般的
な構成図である。
を利用した全固体型エレクトロクロミック素子の一般的
な構成図である。
第３図に示すエレクトロクロミック素子は、透明な基板
ｌの上に、透明導電体膜より成る第１′＃Ｌ極２、陽極
側発色層であるエレクトロクロミック層３、誘電体膜か
ら成る絶縁層４、導電体膜より成る第２電極５を順次積
層してなるものである。
ｌの上に、透明導電体膜より成る第１′＃Ｌ極２、陽極
側発色層であるエレクトロクロミック層３、誘電体膜か
ら成る絶縁層４、導電体膜より成る第２電極５を順次積
層してなるものである。
また、第４図に示すエレクトロクロミック素子は、第３
図に示す構造における絶縁層４と第２電極５との間に、
さらに、陰極側発色層である第２のエレク）・ロクロミ
ンク層６を積層したものである。
図に示す構造における絶縁層４と第２電極５との間に、
さらに、陰極側発色層である第２のエレク）・ロクロミ
ンク層６を積層したものである。
１−記の構造において、基板１は一般的にカラス板によ
って形成されるが、これはカラス板に限らす、プラスチ
ック板またはアクリル板等の無色透明な板ならばよく、
また、その位置に関し−（も、第１電極２のｒではなく
、第２電Ｊ４ｊ５の１−にあってもよいし、［１的に応
じて（例えば、保護カバーとするなどの「１的で）両側
に設けてもよい。ただし、これらの場合に応じて 第２
電極５を透明導電膜にしたり、両側の電極とも透明導電
膜にする必要がある。両方の電極を透明電極にすれば、
透明型のエレクトロクロミック素ｆを形成できる。
って形成されるが、これはカラス板に限らす、プラスチ
ック板またはアクリル板等の無色透明な板ならばよく、
また、その位置に関し−（も、第１電極２のｒではなく
、第２電Ｊ４ｊ５の１−にあってもよいし、［１的に応
じて（例えば、保護カバーとするなどの「１的で）両側
に設けてもよい。ただし、これらの場合に応じて 第２
電極５を透明導電膜にしたり、両側の電極とも透明導電
膜にする必要がある。両方の電極を透明電極にすれば、
透明型のエレクトロクロミック素ｆを形成できる。
また、絶縁層４は誘電体だけでなく、固体電解質等でも
よい。
よい。
透明導電膜としては、ＩＴＯ膜（醇化インジウムＩｎ２
０３中に酸化スズＳｎ ０２ をドープしたもの）やネ
サ膜等が用いられる。
０３中に酸化スズＳｎ ０２ をドープしたもの）やネ
サ膜等が用いられる。
陽極側発色層であるエレクトロクロミンク層３は、従来
、五酸化クロムＧｒ２０３ 、水酸化・イリジウムｌ’
ｒ（ＯＨ）２、水酸化ニッケルＮ１（Ｏｌｌ）２’Ｘに
よって形成されている。
、五酸化クロムＧｒ２０３ 、水酸化・イリジウムｌ’
ｒ（ＯＨ）２、水酸化ニッケルＮ１（Ｏｌｌ）２’Ｘに
よって形成されている。
絶縁層４は、二醇化ジルコンＺｒＯ２、ｒ＋’醇化タン
タルＴａ２０ ｓ 、 Ｍ化ケイ素ＳｉＯおよび５ｉ０
２ ’！＋に代表される酸化物、あるいはフン化リチウ
ムＬｉＦ 、フッ化マグネシウムｌｌＩｇＦ ２等に代
表されるフン化物を用いて形成する。
タルＴａ２０ ｓ 、 Ｍ化ケイ素ＳｉＯおよび５ｉ０
２ ’！＋に代表される酸化物、あるいはフン化リチウ
ムＬｉＦ 、フッ化マグネシウムｌｌＩｇＦ ２等に代
表されるフン化物を用いて形成する。
また、陰極側発色層であるエレクトロクロミック層６は
、酸化タングステン讐０２およびＷＯ３、ｇ化モリブデ
ンＭｏＯ２およびＭｏｌ ３ 、 ｔｉ酸化バナジウ
ムＶ２Ｏ５′Ｓを用いて形成する。
、酸化タングステン讐０２およびＷＯ３、ｇ化モリブデ
ンＭｏＯ２およびＭｏｌ ３ 、 ｔｉ酸化バナジウ
ムＶ２Ｏ５′Ｓを用いて形成する。
このような構造をもつ全固体型エレクトロクロミンク素
子は、第１′「を極２と第２′市極５のｆｌｉｔ ｉこ
′１１Ｌ圧を印加することにより電気化学的反応が起き
、着色、消色をする。この着色機構は、例えば、エレク
トロクロミック層６へのカチオンと−に了のダブルイン
ジェクションによるブロンズ形成にあると一級的に＾わ
れでいる。例えば、エレクト「１クロミンク物質として
、ＷＯ３を用いる場合には、次の（１）式で表わされる
醇化還元反応が起き着色する。
子は、第１′「を極２と第２′市極５のｆｌｉｔ ｉこ
′１１Ｌ圧を印加することにより電気化学的反応が起き
、着色、消色をする。この着色機構は、例えば、エレク
トロクロミック層６へのカチオンと−に了のダブルイン
ジェクションによるブロンズ形成にあると一級的に＾わ
れでいる。例えば、エレクト「１クロミンク物質として
、ＷＯ３を用いる場合には、次の（１）式で表わされる
醇化還元反応が起き着色する。
ＷＯ３＋ＸＨ＋ ＋ｘｅ−４−＋ ＩｈＷｏ
３ 會 ＊ ・ ＊ ＊ （１）上
記（１）式に従って、タングステンブロンズＨｘＷ０３
が形成され着色するが、ここで印加電圧を逆転すれば消
色状態となる。（１）式のこの様な反応は、全固体型エ
レクトロクロミック素−ｆにおいては、素子内部の絶縁
層によってプロトンＨ＋が供給ぶれ着色する。
３ 會 ＊ ・ ＊ ＊ （１）上
記（１）式に従って、タングステンブロンズＨｘＷ０３
が形成され着色するが、ここで印加電圧を逆転すれば消
色状態となる。（１）式のこの様な反応は、全固体型エ
レクトロクロミック素−ｆにおいては、素子内部の絶縁
層によってプロトンＨ＋が供給ぶれ着色する。
第５図は、発色部がパターン化されたエレクトロクロミ
ック素子の構成を示す部分断面図である。同図において
、ノ、（板ｌ Ｌに、Ｓｉ０２等の絶縁膜７が形成され
パターニングされている。さらに、第１電極２が基板１
１−で川口され、この第１電極２上に前記絶縁層７で挟
まれた所望パターンの陽極側発色層であるエレクトロク
ロミック層３が形成されている。以下第４図の場合と同
様に、絶縁層４、陰極側発色層であるエレクトロクロミ
ック層６．Ｉ３よび第２電極５が積層されている。
ック素子の構成を示す部分断面図である。同図において
、ノ、（板ｌ Ｌに、Ｓｉ０２等の絶縁膜７が形成され
パターニングされている。さらに、第１電極２が基板１
１−で川口され、この第１電極２上に前記絶縁層７で挟
まれた所望パターンの陽極側発色層であるエレクトロク
ロミック層３が形成されている。以下第４図の場合と同
様に、絶縁層４、陰極側発色層であるエレクトロクロミ
ック層６．Ｉ３よび第２電極５が積層されている。
なお、発色−消色機構は前述した通りである。ただし、
第３図〜第５図に示す素−ｆ−の絶縁層４は第１電極２
および第２電極５の電気的接触を防ぐために設けられ、
これによって印加電圧をＩレリ去っても発色状態が保持
されるメモリ機能が旧！ｊ−される。
第３図〜第５図に示す素−ｆ−の絶縁層４は第１電極２
および第２電極５の電気的接触を防ぐために設けられ、
これによって印加電圧をＩレリ去っても発色状態が保持
されるメモリ機能が旧！ｊ−される。
ところで、１．記エレク］・ロクロミック素ｒ−を駆動
する際の印加電ハ；には望ましい範囲がある。
する際の印加電ハ；には望ましい範囲がある。
まず、エレクトロクロミック層を発色させる時の印加電
圧Ｖａｎが２．５ｖを超えると、素子の寿命が著しく短
くなる。その主な理由は、印加電圧Ｖａｎによって素子
【１１に含まれているＨ２０が電気分解されるが、Ｖａ
ｎ ＞２．５Ｖになると電気分解によって生じる■＋お
よびＯＨ−が必要以トに発生し、その結果カスとなって
素子を劣化させるものと占えられる。逆に、印加電圧Ｖ
ｏｎ ＜０．７Ｖであると、エレクトロクロミック素子
に要求ｙれる応答速度が低ドする。したがって、印加電
圧Ｖａｎは０．７〜２．５ｖの範囲内であることが望ま
しい。
圧Ｖａｎが２．５ｖを超えると、素子の寿命が著しく短
くなる。その主な理由は、印加電圧Ｖａｎによって素子
【１１に含まれているＨ２０が電気分解されるが、Ｖａ
ｎ ＞２．５Ｖになると電気分解によって生じる■＋お
よびＯＨ−が必要以トに発生し、その結果カスとなって
素子を劣化させるものと占えられる。逆に、印加電圧Ｖ
ｏｎ ＜０．７Ｖであると、エレクトロクロミック素子
に要求ｙれる応答速度が低ドする。したがって、印加電
圧Ｖａｎは０．７〜２．５ｖの範囲内であることが望ま
しい。
エレクトロクロミンク素Ｙを消色状態にするには、印加
電圧の極性を発色時とは逆転させた゛重圧Ｖｏｆｆを印
加すればよい。ただし、消色詩の逆印加電圧Ｖｏｆｆの
電圧値を発色時の印加電圧Ｖｏｎのそれより大きくする
とともに印加時間を短くすることで、消色時の応答性を
改善することができる。
電圧の極性を発色時とは逆転させた゛重圧Ｖｏｆｆを印
加すればよい。ただし、消色詩の逆印加電圧Ｖｏｆｆの
電圧値を発色時の印加電圧Ｖｏｎのそれより大きくする
とともに印加時間を短くすることで、消色時の応答性を
改善することができる。
［発明が解決しようとする問題点］
しかしながら、Ｌ記のように紡脱化されたエレク］・ロ
クロミック素−ｒでは、発色のための印加型／Ｉ：Ｖｏ
ｎが印加きれて着色するまでに、一種類の動作が必要と
される。まず、絶縁層４中に合まれる水をＨ＋とＯＨ−
とに電気分解する動作（エレクトロクロミック素ｒをキ
ャパシタと考えれば蓄積動作）であり、次に電気分解さ
れたイオンを移動サセ、・エレクトロクロミックとして
着色させる実際の着色動作である。したがって、実際に
着色するまでに蓄積動作を必要とし、着色時の応答速度
か低下するという問題点をイｊしていた。
クロミック素−ｒでは、発色のための印加型／Ｉ：Ｖｏ
ｎが印加きれて着色するまでに、一種類の動作が必要と
される。まず、絶縁層４中に合まれる水をＨ＋とＯＨ−
とに電気分解する動作（エレクトロクロミック素ｒをキ
ャパシタと考えれば蓄積動作）であり、次に電気分解さ
れたイオンを移動サセ、・エレクトロクロミックとして
着色させる実際の着色動作である。したがって、実際に
着色するまでに蓄積動作を必要とし、着色時の応答速度
か低下するという問題点をイｊしていた。
Ｅ問題点を解決するためのｆ段］
本発明による工し・クトロクロミック素子の駆動力ツノ
：は、引回し１を極−１−に絶縁層および一層以ｌ−の
エレクトロクロミック層を積層し、さらに対向電極を設
（すたエレクトロクロミック素ｆを発色印加電圧によっ
て発色させ、該発色印加電圧の電圧値を超える電圧値を
有し、かつ前記発色印加電圧の印加時間より短い印加時
間の逆用加電圧によって消色させるエレクトロクロミッ
ク素子の駆動方法において、 前記発色印加電圧と同一極性のパルス電圧を、前記発色
印加電圧の印加前および前記逆用加電圧の印加後に印加
することを４￥徴とする。
：は、引回し１を極−１−に絶縁層および一層以ｌ−の
エレクトロクロミック層を積層し、さらに対向電極を設
（すたエレクトロクロミック素ｆを発色印加電圧によっ
て発色させ、該発色印加電圧の電圧値を超える電圧値を
有し、かつ前記発色印加電圧の印加時間より短い印加時
間の逆用加電圧によって消色させるエレクトロクロミッ
ク素子の駆動方法において、 前記発色印加電圧と同一極性のパルス電圧を、前記発色
印加電圧の印加前および前記逆用加電圧の印加後に印加
することを４￥徴とする。
［作用１
このパルス電圧か印加されることによって、エレクトロ
クロミック素子は、絶縁層への蓄積動作が終了した状態
となり、発色印加電圧が印加されると同時に着色動作を
行うことができ、発色■νの応答性を向にさせることが
できる。
クロミック素子は、絶縁層への蓄積動作が終了した状態
となり、発色印加電圧が印加されると同時に着色動作を
行うことができ、発色■νの応答性を向にさせることが
できる。
［実施例］
以下、本発明の実施例を図面を用いて詳細に説明する。
第１図は、本発明によるエレクトロクロミック素子の駆
動方法の一実施例を示す電圧波形図である。ただし、こ
こではエレクトロクロミック素ｒ−として第５図に示す
ものを用いる。
動方法の一実施例を示す電圧波形図である。ただし、こ
こではエレクトロクロミック素ｒ−として第５図に示す
ものを用いる。
第１図において、エレクトロクロミック素子を発色させ
る印加電圧Ｖｏｎは、すでに述べたように０．７〜２．
５ｖの範囲であり、望ましくは１．０〜１．５ｖである
。また、消色させる逆用加電圧Ｖｏｆｆは、Ｖｏｎの１
．２借景−１，（好ましくは１．２〜１，４倍）に設定
されている。さらに、エレクトロクロミック素イには、
印加電圧Ｖｏｎと同一・極性のパルス１ト圧Ｖｐが印加
されている。パルス電圧Ｖｐの波高値は、エレクトロク
ロミック素−ｆの抵抗値や絶縁層４のイオン導電率等に
よって異なるが、約０．５Ｖ以Ｆが望ましい。また、パ
ルス幅ＴｐはｐｓｅｃＬｚベル、周波数はメモリ性の良
好な素子ではｌ／３〜Ｉ／１０ｔｌｚ程度でよい。勿論
、パルス電圧Ｖｐの波高値、パルス幅および周波数は、
エレクトロクロミック素ｒ−が発色しないように設定さ
れる。
る印加電圧Ｖｏｎは、すでに述べたように０．７〜２．
５ｖの範囲であり、望ましくは１．０〜１．５ｖである
。また、消色させる逆用加電圧Ｖｏｆｆは、Ｖｏｎの１
．２借景−１，（好ましくは１．２〜１，４倍）に設定
されている。さらに、エレクトロクロミック素イには、
印加電圧Ｖｏｎと同一・極性のパルス１ト圧Ｖｐが印加
されている。パルス電圧Ｖｐの波高値は、エレクトロク
ロミック素−ｆの抵抗値や絶縁層４のイオン導電率等に
よって異なるが、約０．５Ｖ以Ｆが望ましい。また、パ
ルス幅ＴｐはｐｓｅｃＬｚベル、周波数はメモリ性の良
好な素子ではｌ／３〜Ｉ／１０ｔｌｚ程度でよい。勿論
、パルス電圧Ｖｐの波高値、パルス幅および周波数は、
エレクトロクロミック素ｒ−が発色しないように設定さ
れる。
このパルス電圧Ｖｐによって、印加電圧Ｖｏｎが時１ｉ
ｉＩＴａだけ印加されることよりエレクトロクロミック
素ｆは応答性良く発色状ｊルとなる。
ｉＩＴａだけ印加されることよりエレクトロクロミック
素ｆは応答性良く発色状ｊルとなる。
続いて、発色状態を保持しようとする期間Ｔｅａにおい
ても、パルス電圧Ｖｐが印加される。この期間のパルス
電圧ＶｐはメモリセＩの向上を結果し、エレクトロクロ
ミック素子の発色状態は良々ｒに保持される。
ても、パルス電圧Ｖｐが印加される。この期間のパルス
電圧ＶｐはメモリセＩの向上を結果し、エレクトロクロ
ミック素子の発色状態は良々ｒに保持される。
そして、逆印加′市圧Ｖｏｆｆが印加されることで、エ
レクトロクロミック素子は消色状態となる。逆用加電圧
Ｖｏｆｆの印加時間Ｔｂは印加電圧Ｖａｎの印加時間Ｔ
ａより短く設定され、特に０．４ Ｔａ＜ Ｔｂ＜ ０
．８Ｔａの範囲内で設定されることが望ましい。ただし
、具体的な設定部間は、Ｖｏｆｆの電圧値笠を名店して
決定する必要がある。
レクトロクロミック素子は消色状態となる。逆用加電圧
Ｖｏｆｆの印加時間Ｔｂは印加電圧Ｖａｎの印加時間Ｔ
ａより短く設定され、特に０．４ Ｔａ＜ Ｔｂ＜ ０
．８Ｔａの範囲内で設定されることが望ましい。ただし
、具体的な設定部間は、Ｖｏｆｆの電圧値笠を名店して
決定する必要がある。
エレクトロクロミンク素子が消色されると、再びパルス
電圧Ｖｐが印加される。
電圧Ｖｐが印加される。
第２図は、本発明を実施するための駆動装置の概略的ブ
ロック図である。
ロック図である。
同図において、正パルス発生回路１０はトリガパルスＰ
１に従って印加電圧Ｖｏｎを詩間Ｔａだけ発生する回路
であり、負パルス発生回路１１はトリガパルスＰ２に従
って逆印加電ハ：Ｖｏｆｆを詩間Ｔｂだけ発生する回路
である。両パルス発生回路１０および１１共に、単安定
マルチバイブレータを用いて容易に構成できる。
１に従って印加電圧Ｖｏｎを詩間Ｔａだけ発生する回路
であり、負パルス発生回路１１はトリガパルスＰ２に従
って逆印加電ハ：Ｖｏｆｆを詩間Ｔｂだけ発生する回路
である。両パルス発生回路１０および１１共に、単安定
マルチバイブレータを用いて容易に構成できる。
正パルス発生回路１２は、クロックφに従ってパルス電
圧Ｖｐを出力する回路であるが、印加電圧Ｖａｎが印加
される期間Ｔａおよび逆用加電圧Ｖｏｆｆが印加される
期間Ｔｂだけパルス電圧Ｖｐの出力が停止される。この
ような回路は、単安定マルチバイブレータおよびトラン
スミッションゲートによって容易に構成される。
圧Ｖｐを出力する回路であるが、印加電圧Ｖａｎが印加
される期間Ｔａおよび逆用加電圧Ｖｏｆｆが印加される
期間Ｔｂだけパルス電圧Ｖｐの出力が停止される。この
ような回路は、単安定マルチバイブレータおよびトラン
スミッションゲートによって容易に構成される。
まず、正パルス発生回路１２からのパルス電圧Ｖｐが合
成回路１３を介してエレクトロクロミック素子１４の第
１電極２および第２電極５間に印加されている。
成回路１３を介してエレクトロクロミック素子１４の第
１電極２および第２電極５間に印加されている。
続いて、正パルス発生回路ｌＯから印加電圧Ｖｏｎのパ
ルスが出力５れると同時に、正パルス発生回路１２はパ
ルス電ＩＥＶｐの出力を停止する。印加電圧Ｖａｎのパ
ルスは、合成回路１３を介してエレクトロクロミック素
子１４の第１電極２および第２電極５間に印加され、こ
れによって素子１４は応答性良く発色する。
ルスが出力５れると同時に、正パルス発生回路１２はパ
ルス電ＩＥＶｐの出力を停止する。印加電圧Ｖａｎのパ
ルスは、合成回路１３を介してエレクトロクロミック素
子１４の第１電極２および第２電極５間に印加され、こ
れによって素子１４は応答性良く発色する。
印加電圧Ｖｏｎが期間Ｔａ印加された後、再びパルス電
圧Ｖｐがエレクトロクロミック素−ｒ１４に所望期ｌＨ
ＩＴｍ印加され、発色状態が良好に維持される。
圧Ｖｐがエレクトロクロミック素−ｒ１４に所望期ｌＨ
ＩＴｍ印加され、発色状態が良好に維持される。
続いて、トリガパルスＰ２が負パルス発生回路Ｉ＋に入
力することで、逆用加電圧Ｖｏｆｆのパルスが出力され
、これど同時に、正パルス発生回路１２はパルス電圧Ｖ
ｐの出力を停止する。逆用加電圧Ｖｏｆｆのパルスは合
成回路１３を介してエレクトロクロミック素子１４に発
色時とは逆極性で印加され、ｌ Ｖｏｆｆ Ｉ ＞ １
．２ Ｉ Ｖｏｎ ｌであることから、素子１４を速
やかに消色させることができる。そして、再びパルス電
圧Ｖｐがエレクトロクロミック素−ｆ−１４に印加され
る。
力することで、逆用加電圧Ｖｏｆｆのパルスが出力され
、これど同時に、正パルス発生回路１２はパルス電圧Ｖ
ｐの出力を停止する。逆用加電圧Ｖｏｆｆのパルスは合
成回路１３を介してエレクトロクロミック素子１４に発
色時とは逆極性で印加され、ｌ Ｖｏｆｆ Ｉ ＞ １
．２ Ｉ Ｖｏｎ ｌであることから、素子１４を速
やかに消色させることができる。そして、再びパルス電
圧Ｖｐがエレクトロクロミック素−ｆ−１４に印加され
る。
（具体例）
第５図に示すエレクトロクロミック素子において、厚さ
０．８ ｍ層のガラス基板１−１：に、引回し電極ＩＴ
Ｏより成る第１電極２と、その」−に反応性高周波イオ
ンブレーティング法により所望パターンで厚さ１０００
へのＩｒ Ｏｘのエレクトロクロミンク層３と、厚さ２
０００へのＳｉｎ ２より成る絶縁膜７とか形成される
。
０．８ ｍ層のガラス基板１−１：に、引回し電極ＩＴ
Ｏより成る第１電極２と、その」−に反応性高周波イオ
ンブレーティング法により所望パターンで厚さ１０００
へのＩｒ Ｏｘのエレクトロクロミンク層３と、厚さ２
０００へのＳｉｎ ２より成る絶縁膜７とか形成される
。
次に、エレクトロクロミック層３および絶縁層７の−に
に、真空蒸着法により絶縁層４として厚さ３０００への
Ｔａ２０５層を形成する。続いて、絶縁層４上にエレク
トロクロミック層６として厚さ４０００人のＷＯ２層を
真空蒸着法により形成し、さらに第２電極５として半透
明Ａｕを厚さ３００人蒸着する。
に、真空蒸着法により絶縁層４として厚さ３０００への
Ｔａ２０５層を形成する。続いて、絶縁層４上にエレク
トロクロミック層６として厚さ４０００人のＷＯ２層を
真空蒸着法により形成し、さらに第２電極５として半透
明Ａｕを厚さ３００人蒸着する。
このようにして形成されたエレクトロクロミック素子の
第１電極２および第２電極５間に、電圧値０．３ｖ、周
波数１／１０Ｈｚ、パルス幅１ｏｏ ｇｓｅｃのパルス
電圧Ｖｐを印加し、続いて印加電圧Ｖａｎ −１，５ｖ
を印加して発色させたところ、Δ０．０．−０．２とな
るまでにＴａ＝ ｌ８０ｍ５ｅｃであった。これはパル
ス電圧Ｖｐがない従来の駆動方法より数倍速い応答速度
である。
第１電極２および第２電極５間に、電圧値０．３ｖ、周
波数１／１０Ｈｚ、パルス幅１ｏｏ ｇｓｅｃのパルス
電圧Ｖｐを印加し、続いて印加電圧Ｖａｎ −１，５ｖ
を印加して発色させたところ、Δ０．０．−０．２とな
るまでにＴａ＝ ｌ８０ｍ５ｅｃであった。これはパル
ス電圧Ｖｐがない従来の駆動方法より数倍速い応答速度
である。
また、逆用加電圧Ｖｏｆｆ＝ ２．ＯＶをＩｎｎ ｖ
ａｓｅｃだけ印加することで、エレクトロクロミック素
子は完全に消色された。消色状態でパルス電圧ＶＰを印
加し続けても、着色素子は見られなかった。
ａｓｅｃだけ印加することで、エレクトロクロミック素
子は完全に消色された。消色状態でパルス電圧ＶＰを印
加し続けても、着色素子は見られなかった。
［発明の効果］
以−Ｌ詳細に説明したように、本発明によるエレクトロ
クロミック素子の駆動方法は、発色印加電圧の印加前お
よび消色のための逆用加電圧の印加後にパルス電圧Ｖｐ
を印加するために、着色時の応答性を向ｌ−させること
ができる。
クロミック素子の駆動方法は、発色印加電圧の印加前お
よび消色のための逆用加電圧の印加後にパルス電圧Ｖｐ
を印加するために、着色時の応答性を向ｌ−させること
ができる。
第１図は、本発明によるエレクトロクロミック素子の駆
動方法の一実施例を示す電圧波形図、第２図は、本発明
を実施するための駆動装置の概略的プロ・ンク図、 第３図および第４図は、各々一般的なエレクトロクロミ
・ンク素子の例を示す概略的構成図、第５図は、発色部
がパターン化されたエレクトロクロミンク素子の構成を
示す部分断面図である。 ｌ・・・裁板 ２・・・第１電極３・・拳エレク
トロクロミック層（陽極側）４拳・・絶縁層 ５・
・・第２電極６φ・・エレクトロクロミンク層（陰極側
）７・・・絶縁層 １４＠・ｅエレクトロクロミック素子 代理人 弁理＋ １１１ 下 積 平第１ 図 第２図
動方法の一実施例を示す電圧波形図、第２図は、本発明
を実施するための駆動装置の概略的プロ・ンク図、 第３図および第４図は、各々一般的なエレクトロクロミ
・ンク素子の例を示す概略的構成図、第５図は、発色部
がパターン化されたエレクトロクロミンク素子の構成を
示す部分断面図である。 ｌ・・・裁板 ２・・・第１電極３・・拳エレク
トロクロミック層（陽極側）４拳・・絶縁層 ５・
・・第２電極６φ・・エレクトロクロミンク層（陰極側
）７・・・絶縁層 １４＠・ｅエレクトロクロミック素子 代理人 弁理＋ １１１ 下 積 平第１ 図 第２図
Claims (1)
- （１）引回し電極上に絶縁層および一層以上のエレクト
ロクロミック層を積層し、さらに対向電極を設けたエレ
クトロクロミック素子を発色印加電圧によって発色させ
、該発色印加電圧の電圧値を超える電圧値を有し、かつ
前記発色印加電圧の印加時間より短い印加時間の逆印加
電圧によって消色させるエレクトロクロミック素子の駆
動方法において、 前記発色印加電圧と同一極性のパルス電 圧を、前記発色印加電圧の印加前および前記逆印加電圧
の印加後に印加することを特徴とするエレクトロクロミ
ック素子の駆動方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10260385A JPS61261782A (ja) | 1985-05-16 | 1985-05-16 | エレクトロクロミツク素子の駆動方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10260385A JPS61261782A (ja) | 1985-05-16 | 1985-05-16 | エレクトロクロミツク素子の駆動方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61261782A true JPS61261782A (ja) | 1986-11-19 |
Family
ID=14331808
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10260385A Pending JPS61261782A (ja) | 1985-05-16 | 1985-05-16 | エレクトロクロミツク素子の駆動方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61261782A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003102684A1 (fr) * | 2002-05-31 | 2003-12-11 | Sony Corporation | Procede de commande de dispositif d'affichage |
| WO2019031606A1 (ja) * | 2017-08-10 | 2019-02-14 | 株式会社 村上開明堂 | エレクトロデポジション素子を駆動する駆動回路及び駆動方法 |
-
1985
- 1985-05-16 JP JP10260385A patent/JPS61261782A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003102684A1 (fr) * | 2002-05-31 | 2003-12-11 | Sony Corporation | Procede de commande de dispositif d'affichage |
| US7474301B2 (en) | 2002-05-31 | 2009-01-06 | Sony Corporation | Driving method for display apparatus |
| KR100927761B1 (ko) | 2002-05-31 | 2009-11-20 | 소니 가부시끼 가이샤 | 표시 장치의 구동 방법 |
| WO2019031606A1 (ja) * | 2017-08-10 | 2019-02-14 | 株式会社 村上開明堂 | エレクトロデポジション素子を駆動する駆動回路及び駆動方法 |
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