JPS61258425A - 露光方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［分　野］ 本発明は半導体メモリ、演算装置等の高密度集積回路チ
ップの製造の際に用いる回路パータンの焼付即ち露光す
る方法に関する。

［従来技術］ 従来この種の装置においては、その重ね合せ精度に難点
があった。

［目　的］ 本発明は上記難点を解消し、極めて高い重ね合せ精度を
備えた露光方法を提供することを目的とする。

［実施例］ 以下図面を参照して、本発明の一実施例を説明する。第
１図は回路パターンマスクいわゆるレチクルＲＴの面内
に形成された回路パターン面ＣＰをウェハＷＦ上に露光
“するための露光装置の概略構成図である。１０は露光
用光源系にして、超高圧水銀灯などの光１１１ＬＰの近
傍には光源ＬＰから放射された光束を有効に集光するた
めの楕円＆ｉＭ１が配置され、次いで順次に光路に沿っ
て、赤外光の大部分を透過し紫外光を反射するためのコ
ールドミラーＭ２、光束の配光特性を均一にするだめの
インテグレータレンズ系Ｌｌ、シャッターＳＴルンズ系
Ｌ２、反射［／１３　、Ｌ／：／Ｘ系Ｌ３、遮光装置Ｂ
Ｌ、レンズ系Ｌ４、反射＆ｉＭ４　、レンズ系Ｌ５、反
射鏡Ｍ５　、レンズ系Ｌ６、レチクルＲＴが順次に光路
に沿って配置されており、ここで反射１９Ｍ３　、Ｍ４
　、Ｍ５は、それぞれ光軸を直角に折曲げて照明系を小
型化するためのものであり、レンズ系Ｌ３は、光源ＬＰ
からの光を集光して、遮光装置ＢＬを均一に照明するた
めのものである。ＡＳはいわゆるＴＴＬ（Ｔｈｒｏｕｇ
ｈ　　Ｔｈｅｌｅｎｓ）アライメントのための光学系、
Ｒ８はレチクルＲＴのＸ、Ｙ、θ方向への駆動ステージ
、縮少レンズ系ＰＯは縮少露光のための光学系で１１５
〜１／１０の縮少率を有する。ＯＡはウェハＷＦの７ラ
イメントのためのオフアクシス光学系、ＷＳはウェハＷ
ＦのＸ、Ｙ、Ｚ、θ方向への駆動ステージ、ＬＺはレー
ザ干渉計で、縮少レンズ系ＰＯのミラーＭ６及びウェハ
ステージＷＳのミラーＭ７によりウェハステージＷＳの
移動制御を行なう。

第２図は遮光波ＮＢＬの斜視図である。この遮光装置Ｂ
Ｌは、第１図のレンズ系Ｌ４．Ｌ５．Ｌ６により、その
遮光する面がレチクルＲＴの回路パターン面ＣＰと共役
な関係になるように配置され、またレチクルＲＴを、そ
のガラス等の透明部の厚さが異なるレチクルに取替え、
屈折力が変化した場合に、上記の共役な関係を維持する
ために、光軸方向に移動可能である。また不図示の遮光
装置回転機構により、レチクルＲＴの下方に配置されて
露光を受けるウェハＷＦとの回転方向位置合わせのため
に、レチクルＲＴの回転に連動して第２図の如くθ方向
に回動可能である。

遮光装置ＢＬは基板ＳＴ上に４つのパルスモータ、ＰＭ
Ｉ〜ＰＭ４　、各モータＰＭの回転軸にそれぞれ固定さ
れて回転可能な４つの送りネジ部ＦＧ１〜ＦＧ４　、各
モータＰＭ及び送りネジ部ＦＧの回転により、一方向に
移動可能な４つの送りナツト部ＮＡＩ〜ＮＡ４　、及び
送りナツト部ＮＡ上に固定され、かつ鋭利な側縁部（エ
ツジ）ｄ１〜ｄ４を有する４つの遮光板ＢＬ１〜ＢＬ４
が゛それぞれ配置され、４個の側縁部ｄ１〜ｄ４により
矩形の開口部を構成する。

上記構成において、第１図の光源ＬＰより放射された光
束は、シャッターＳＴが開いたとき光学素子Ｍ１　、Ｍ
２　、Ｍ３　、Ｍ４の順に反射、屈折をし、遮光装置Ｂ
Ｌを均一に照明する。遮光装置ＢＬの開口部の外側に照
射した光束は、４つの遮光板ＢＬＩ〜ＢＬ４により遮光
され、開口部を通過した光束は、図において実線で示す
如く、レチクルＲＴの回路パターン面ＣＰを照明する。

ここで遮光装置２ＢＬの遮光面とレチクルＲＴのパター
ン面ＣＰとは、光学的に共役な関係に配置されているの
で、遮光装置Ｂしの開口部の縁部は、回路パターン面Ｃ
Ｐ上に鮮明な輪郭で投影され、レチクルＲＴの回路パタ
ーン面ＣＰの外側の領域を完全に遮光することができる
。

なお、遮光装置ＢＬは、レチクルＲＴの回路パターン面
ＣＰとの回転方向の位置合わせのために、θ方向（第２
図）に回動可能であり、またレチクルＲＴが厚さの異な
るすなわち屈折力の異なるレチクルに変更した場合に、
前記共役の関係を維持するために光軸方向く第１図上下
矢印）に移動可能である。更に、遮光装置８Ｌの開口部
の領域及び位置は、本装置の電子処理部から出される信
号によりパルスモータＰＭ１〜ＰＭ４が所定の回転をし
、各モータの軸に連結されている送りネジＦＧ１〜ＦＧ
４により送りナツトＮＡＩ〜ＮＡ４が一方向に移動し、
従って遮光板８１１〜ＢＬ４が移動することにより、光
軸と直角方向の開口部面積を任意に変化させることがで
きる。このような４枚の遮光板ＢＬＩ〜ＢＬ４の移動、
調整は同時に行うことが可能であり、従ってレチクルＲ
Ｔの任意の領域に合致した露光が可能となる。

第３図は第１図のレチクルステージＲ８の断面を示す図
で、第４図はその上面概略図である。図において基板Ｓ
Ｌは縮少レンズＰＯに固定され、その一部は上方に突出
し、その上面にレチクル基準マークＲＫ　Ｒ、ＲＫ　Ｌ
　／Ｊ＜　設置、ノられている。このレチクル基準マー
クＲＫＲ，ＲＫＬにレチクルのセットマークＲ８Ｒ，Ｒ
８Ｌが合わせられて、いわゆるレチクルアライメントが
行なわれる。

ＲＹはレチクルＲＴのＹ方向駆動ステージ、ＲＸ、１＜
θは同じくＸ方向、θ方向への駆動ステージ、θＢ（θ
８１．θ８２．θＢ３）は回転ステージＲθのためのガ
イドベアリング、ＲＣはレチクルチャックでチューブＴ
ＵＲからの吸引力によりレチクルＲＴをチャックＲＣに
吸着させて固定させる機能を有する。ＰＸ、ＰＹ、Ｐθ
は各々各ステージＲＸ、ＲＹ、Ｒθを駆動するためのパ
ルスモータ、ＸＬ、ＹＬ、θＬは各々駆動力伝達レバー
ギア、ＢＸｌ　、８Ｘ２　、ＢＹｌ　、ＢＹ２　、Ｂθ
は各々モータの力に抗する片寄せバネ、ＸＢ。

ＹＢは各々ガイドベアリングＸＧ、ＹＧと協働するガイ
ドブロックである。各モータの回転により各々所望倦Ｘ
、Ｙ、θ方向に各ステージは駆動される。例えば今パル
スモータＰＸを矢示方向に回転させると、レバーＸＬは
矢示方向に回転しその左端がＸステージＲＸを押し、Ｘ
ステージＲＸはバネＢＸ１．ＢＸ２に抗して左方向に移
動する。このときガイドブロックＸＢ及びガイドベアリ
ングＸＧによってＸ方向にのみ正しく移動される。ホト
センサＰＳ及び遮光板ＳＭはレチクルステージＲ８の移
動限界及びレチクルステージＲ８の中心を露光用レンズ
系ＰＯの光軸に合わせるための検出系である。

またパルスモータＰＯを駆動、回転させると第１図点線
で図示する回転力伝達系ＤＴを介して第２図の遮光装置
１ＢＬの基板ＳＴも連動してθ方向に回転する。

第５図は第１図のＴＴＬアライメント光学系ＡＳ及びオ
フアキシス光学系ＯＡの概略を示す図である。図におい
て１８はレーザ発生源、２Ｓはレーザ系のピント出しを
行なう集光レンズ、３Ｓは回転多面鏡、４Ｓはｆ−θレ
ンズ、５Ｓはビームスプリッタである。レーザ発生源１
Ｓを出たレーザ光が回転多面ＩＩＩ　３８の回転に従っ
て走査が行なわれ、ビームスプリッタ５８以下の光学系
に入っていく。６Ｓはフィールドレンズ、７Ｓは視野分
割プリズムであり、プリズム７Ｓは走査レーザ光を２つ
の光路に分割する。この点においてプリズム７Ｓは視野
および空間分割プリズムということができる。８Ｒ，８
Ｌは偏光ビームスプリッタ、９Ｒ，９Ｌはリレーレンズ
、１０Ｒ，ＩＯＬはビームスプリッタで、これらの素子
を反射又は通過した光は対物レンズＩＩＲ，１１Ｌに入
り、対物ミラー１２Ｒ，１２Ｌで反射し、レチクルＲＴ
上で結像し、走査を行なう。結像レンズ１３Ｒ，１３Ｌ
から光電ディテクタ１８Ｒ，１８Ｌに至る系は光電検出
系である。

１４Ｒ，１４Ｌは色フィルタ、１５Ｒ，１５Ｌは空間周
波数フィルタで、正反射光を遮断し、光電検出用の散乱
光をとり出す役目をする。１６Ｒ，１６Ｌは反射鏡、１
７Ｒ，１７Ｌはコンデンサーレンズである。光源１９Ｒ
，１９Ｌ、コンデンサーレンズ２０Ｒ、２０Ｌ　。

色フィルタ２１Ｒ，２１Ｌは観察のための照明光学系を
構成し、エレクタ２２Ｓ１プリズム２３Ｓ１テレビ用レ
ンズ２４Ｓ、ｌ１ｌ（ＩＩ管ＣＤＯは観察系を構成する
。

この例では光量を有効に用いる為、走査レーザ光が、レ
チクルおよびウェハの共役面に置かれた視野分割プリズ
ムＩＳによってその光路を左右に分割されている。走査
線は視野分割プリズム７Ｓの稜線と直交している。すな
わち縦方向にレーザを走査する様にミラー１０Ｒ，１０
Ｌと１２Ｒ，１２Ｌが用いられている。

また図示の如く左右の走査光学系が非対称に構成されて
いるため、左右の対物レンズ１１Ｒ，１１１はレチクル
ＲＴのアライメントマークＷＲ，ＷＬの位置に対応して
互い違いに配置されている。ＯＡＲ，ＯＡＬは一対のア
ライメント用オフアキシス光学系で後述の７ライメント
動作に使用する。

ＣＲ，ＣＬは高倍用光電高解像度撮像管、ＣＤＲ。

ＣＤＬは低倍用変換器でＣＯＤ　（チャージカップルド
デバイス）等から成る。

第６図は第１図のウェハステージＷＳの一部斜視図にし
て、基台ＷＤ上にＹ方向移動ステージＷＹ、その上にＸ
方向移動ステージＷｘが乗せられ、各Ｘ、ＹステージＷ
Ｘ、ＷＹは各々ナーボモータＸＭ、ＹＭによってＸ、Ｙ
方向にガイドＧＸ、ＧＹに沿って移動する。ＸＨ−ＸＳ
、ＹＨ−ＹＳは各々Ｘ、Ｙステージの初期リセットのた
めの検出系である。ＸＯはθ方向の回転及びＺ方向に上
下移動するステージθ２のための穴部である。ステージ
θ２は第７図の如くその上にウェハチャックＷＣが乗せ
られ、その上にウェハＷＦがレチクル側と同様に吸着固
定される。ステージθＺはステージホルダθ）（に嵌合
し、ボールベアリングＢＢ及びｂｌによって７方向の上
下動及びθ方向に回転可能である。ステージホルダθＨ
は図示の如くＸステージＷＸに固定される。Ｚ及びθ方
向の駆動用パルスモータＺＭ、θＭはステージホルダθ
）」に固定される。

ステージθＺの中心部には多数のドーナツ型が積層され
た圧電素子ＰＺが配置される。圧電素子ＰＺとステージ
θＺ及びウェハチャックＷＣはビスＢＷで一体化される
。

ｌＳは渦電流型位置センサで圧電素子ＰＺの基台ＺＤに
固定され、ステージθ２の上方移＊ｍａを検出する。ス
テージホルダθＨにはさらにレバーＺＬが回動自在に軸
支され、またナツトＮが固定される。Ｚ方向駆動モータ
２Ｍが駆動されるとギアＧＬＧ２が回転しネジ棒Ｇ３が
下方向に回転しながら下降するとレバーＺＬ・の右端が
ボールｂ１に押されて時計方向に回動し、レバーＺＬの
左端はボールｂ２を介して圧電素子ＰＺ及びセンサＩｓ
を基台ＺＤを介して上方に押し上げるので一体化されて
いるステージθＺ及びウェハチャックＷＣが上方即ちＺ
方向に移動する。このようにして焦点合せのための粗動
運動が行なわれる。その後その位置から今度は圧電素子
ＰＺが駆動され、Ｚ軸方向にレバーＺＬを支点に伸長す
る。したがってウェハチャックＷＣ及びθＺステージが
圧電素子の伸長弁だけ上方に移動する。その移動量はセ
ンサＩＳによるギャップＱの測定により検出する。これ
により微動調節が行なわれる。

θ方向駆動モータθＭが駆動されるとギア列Ｇ４　、Ｇ
５　、Ｇ６を介してステージθＺ及びウエハヂＶツクＷ
Ｃがボールベアリング８Ｂ及びｂ２によってスムースに
回転する。

ＣＨ，Ｃ８は回転方向の基準点を定める検出系である。

縮少投影レンズＰＯに取付けられたＡＧｌ、ＡＧ３はエ
アマイクロセンサノズルであり、不図示のＡＧ２．ＡＧ
４を加えた例えば４個でウェハＷＦの表面までの距離を
測定している。ノズルＡＧ１〜ＡＧ４で測定した縮小投
影レンズＰＯの端面からウェハＷＦの表面までの距離を
各々ｄｉ　ｄ２　、　ｄ３、ｄ４とすると、その平均距
離は（ｄ１＋ｄ２＋ｄ３　＋ｄ４　）／４となる。所定
の縮小投影レンズＰＯの結像面位置と縮小投影レンズＰ
Ｏの端面間の距離をｄＯとすると、結像面位置にウェハ
ＷＦを移動させるには Δｄ＝ｃＪｏ　−（ｄｌ　＋ｄ２　＋ｄ３　＋ｄ４　）
／４なる偵Δｄだけウェハ２機構を移動させれば良い。

この結果ウェハＷＦの平均面が結像面位置となる。

第８図は自動焦点合せ機構部を制御するブロック図で、
マイクロプロセッサ４０２で各種の判断処理を行ない、
各々の場合に応じた指令を出す。４１Ｚはレジスタであ
り、マイクロプロセッサ４０２からパルスモータＺＭへ
の回転方向１回転量１回転速度などの指令情報を記憶す
る。４２Ｚはパルスモータ制御回路であり、レジスタ４
１２の移動量指令情報に基づき、パルスモータＺＭのオ
ーブンループ制御を行う。初期状態において、ウェハＷ
Ｆの表面位置は結像面位置より例えば２　ｔａｍ以上離
れている。これはウェハＷＦの厚みが規定より厚かった
場合でも縮小投影レンズＰＯ１，：！ｉｉ突しないため
である。なお、エアセンサノズルＡＧＩ〜ＡＧ４で精度
よく測定できる範囲は、ノズルの端面からウェハ表面ま
での距離が約０．２．以内のときである。従って所定の
結像面位置がノズルの端面から０．１１１１１Ｉのとこ
ろにあると仮定すると、精度よく測定できるのはウェハ
表面が上方向に移動して結像面位置より下側０．１ｍｍ
以内に入ってからである。

４９ＺはエアセンサノズルＡＧＩ〜ＡＧ４の流体流量の
変化を電圧に変換する回路であり、縮小投影レンズＰＯ
とウェハ表面迄の距離ｄ１　、　ｄ２　。

ｄ３　、　ｄ４　ｋ、対応Ｌりｉｌ圧出力Ｖ１．Ｖ２　
、Ｖ３　。

■４を発生する。５ｏｚはアナログデジタル変換器＜Ａ
ＤＣ）であり、電圧変換回路４９Ｚで発生した電圧Ｖ１
．Ｖ２　、Ｖ３　、Ｖ４をデジタル信号に変換してマイ
クロプロセッサ４０２に送る。ここでウェハＷＦの初期
位置が結像面位置より２１以上離れているので、マイク
ロプロセッサ４０ＺはウェハＺ軸が上昇し、エアセンサ
ノズルの測定範囲に入るまでレジスタ４１Ｚにパルスモ
ータＺＭへ移動指令を与え続ける。パルスモータＺＭの
回転によりウェハ２軸が上昇し、・ウェハが結像面位置
より０、１１１１１１１以内に入ると、エアセンサノズ
ルＡＧ１〜ＡＧ４．電圧変換回路４９Ｚおよびアナログ
デジタル変換回路５ｏｚを通じてマイクロプロセッサ４
０２は測定範囲に入った事を検知し、レジスタ４１２ヘ
バルスモータＺＭに停止指令を送り、ウェハＷＦの上昇
を停める。次にマイクロプロセッサ４０２は、エアセン
サノズルＡＧ１〜ＡＧ４　、電圧変換回路４９Ｚおよび
アナログデジタル変換回路５０Ｚを介してウェハＷＦの
表面位置の測定を行い、ウニハフ機構の移動量 Δｄ１＝ｄｏ　−（ｄｌ　＋ｄ２　＋ｄ３　＋ｄ４　）
／４を算出する。パルスモータＺＭによる移動分解能は
２μｍであり、マイクロプロセッサ４０２は２μｍ単位
の移動量Δｄ１をレジスタ４１Ｚに与えウェハＺ軸を上
昇させる。この結果ウェハの表面位置は焦点面位置に対
して約２μｍ以内の精度で位置する。ここで、またウェ
ハの表面までの距離を測定する。エアセンサノズルＡＧ
１〜ＡＧ４による測定距離をそれぞれｄ９〜ｄ１２とす
れば、マイクロプロセッサ４０２は今度はレジスタ４３
ＺにΔｄ２−ｄｏ　−（ｄ９．＋ｄ１０＋ｄ１１＋ｄ１
２）　／４なる圧電素子ＰＺの移動方向、移動量の指令
を出す。レジスタ４３Ｚはこの指令を記憶するとともに
、その指令をそれぞれデジタルアナログ変換器４４Ｚお
よび圧電素子駆動電圧発生回路４６Ｚに出力する。

デジタルアナログ変換器４４Ｚはレジスタ４３．２のデ
ジタル値をアナログ電圧として差動増幅器４５Ｚに指令
電圧として出力する。４６Ｚは圧電素子駆動電圧発生回
路であり、圧電素子ＰＺに印加する最大電圧ＶＨの約２
分の１の電圧を中心にして上下に電圧を、差動増幅器４
５２の出力に応じて発生する。圧電素子ＰＺの駆動によ
りウェハＷＦが上下すると、その移動量を渦電流型位置
センサＩｓで検知し、測定することが出来る。渦電流型
位置センサ【Ｓの出力は変位電圧変換回路４７Ｚにより
変位日に比例した電圧に変換され、差動増幅器４５Ｚお
よびアナログデジタル変換器４８Ｚに出力される。

差動増幅器４５Ｚは渦電流型位置センサＩｓによって検
出された圧電素子ＰＺによるウェハＺａ構の移動量とレ
ジスタ４３Ｚにより指示された移動ｍとを逐次比較し、
その差が誤差範囲内に納まるまで駆動する。この結果ウ
ェハＷＦの表面は所定の結像面位置に対して精度よく位
置することが出来る。

アナログデジタル変換器４８Ｚは渦電流型位置センサＩ
ｓにより検知した圧電素子ＰＺの移動量をデジタル量に
変換してマイクロプロセッサ４０Ｚに伝送する。プロセ
ッサ４０２はこれを検出して結像面位置まで到達したこ
とを知り、次の制御に移る。

或いは以下に示すごとき同時制御も可能である。

すなわち、ノメルスモータＺＭと圧電素子ＰＺの動作区
分は以下の式による。

計測値／パルスモータ分解能− 商　（パルスモータ駆動弁） 余り（圧電素子駆動弁） 即ちエアセンサＡＧＩ〜ＡＧ４による計測平均値をパル
スモータＺＭの分解能で除粋して余りが算出されたどき
、その余り分を圧電素子ＰＺで駆動させる。これにより
粗駆動と微駆動が好適に行なわれる。また商の分と余り
の分をレジスタ４１２と４３７に同時に格納し、パルス
モータＺＭと圧電素子Ｐｚが同時に駆動されるので高速
にフォーカス位置に到達させる・ことができる。

第１３図中Ａで示した領域は最初に露光される第１シヨ
ツト領域である。ステップアンドリピートタイプの投影
焼付機はこのようにウェハチャックＷＣに載ったウェハ
ＷＦをＸ、Ｙ軸方向に移動させて順次焼付を行う。とこ
ろで領域Ａ＠−焼付ける場合、ウェハＷＦに対して縮小
投影レンズＰＯ。

エアセンサノズルＡＧＩ〜ＡＧ４は図の様に位置してい
るのでエアセンサノズルＡＧＩ　　・ＡＣ２・ＡＣ３は
ウェハＷＦの表面位置を検知測定出来るが、エアセンサ
ノズルＡＧ４はウェハＷＦの表面位置を検知測定出来な
い。すなわちウェハＷＦを縮小投影レンズＰＯに近づけ
ていくと、マイクロプロセッサ４０２はエアセンサノズ
ルＡＧＩ　　・ＡＣ２・ＡＣ３が十分測定範囲内に入っ
た事を検知することが出来るが、エアセンサノズルＡＧ
４からは応答入力がない。そこでマイクロプロセッサ４
０２はエアセンサノズルＡＧ４が測定不能と判断して、
エアセンサノズルＡＧ１　・ＡＧ２　・ＡＧ３の測定ｉ
！ｄｌ　　・ｄ２・ｄ３の値を取り出し平均してウェハ
ＷＦまでの平均距離を（ｄｌ　＋ｄ２　＋６３　）／３
として算出する。領域への焦点位置合せはこの算出値を
基に行なわれる。

領域への露光が終了して次に８の領域の露光を１行う場
合、Ｂの露光前にあらかじめエアセンサノズルＡＧ１に
よって露光領域Ｂのウェハ表面位置を検知して距離を測
定しておき、この測定値をマイクロプロセッサ４０Ｚは
レジスタ４３Ｚに駆動指令量とし、て与える。次いでウ
ェハＷＦをＸ方向に移動させ【露光領域Ｂが縮小レンズ
ＰＯの下に位置するまで″の間中、圧電素子ＰＺは先の
測定値に基いて駆動を続け、渦電流形位置センサＩｓで
移動量を確認して所定量の移動が完了したら駆動を終了
させる。この゛ようにしてウェハＷＦが露光領域Ａから
露光領域Ｂ又、移動する間に次の露光領域Ｂでの焦点合
わせを終ｔさせる事が出来る。このためステージ移動の
動作時間を利用した無駄時間の少ない露光装置が実現で
きる。

第９図はＸ、Ｙステージ制御回路のブロック図テアル。

ＷＸ　（ＷＹ）Ｇ、ｔＸ、Ｙステージ、ＤハロＣモータ
でありＸ、ＹステージとＤＣモータはボールネジでカッ
プリングされている。ＤＣモータはモータドライバＭＯ
によって駆動される。またＤＣモータにはタコジェネレ
ータ・（速度信号発生器）■が付加されておりタコジェ
ネレータＴの出力はスピード制御用としてドライバＭＯ
にフィードバックされている。Ｘ、Ｙステージの位置は
測長器ＬＺの出力信号をもとに現在位置カウンタＰＣＰ
にて計測される。測長器としてはレーザ干渉計が用いら
れる。この測長器の出力は相対位置出力であり、Ｘ、Ｙ
ステージの現在位置の原点検出として原点センサーＸＨ
，Ｓ　（ＹＨ，Ｓ）及び原点検出回路ＳＯが設けられて
おり、これらの出力によりＸ、Ｙステージの原点が検出
され、ゲート回路ＡＰにより、測長が開始され、現在位
置カウンタＰＣＰにてＸ、Ｙステージの現在位置が計測
される。Ｘ、Ｙステージ全体をコントロールしているマ
イクロプロセッサＣＰでは現在位置ラッチ回路ＰＬＰを
通してＸ、Ｙステージの現在位置を知ることができる。

ＣＬＰはＸ、Ｙステージの目標位置ラッチであり、マイ
クロプロセッサＣＰよりステージの移動目標位置が設定
される。ＤＩＦは差分器であり、現在位置カウンタＰＣ
Ｐと目標位置ラッチＣＬＰの差分を出力するものである
。すなわち現在位置から目標位置までの移動量を示すも
ので、位置サーボのフィードバック信号となると同時に
Ｘ、Ｙステージの駆動パターンを設定する為のタイミン
グを検出する手段に使用される。位置サーボのフィード
バック信号としては差分器の出力をＤ／ＡコンバータＤ
ＡＰのビット数に合せる為のビット変換ＩＢＧに入力さ
れ、ビット変換された出力がＤ／Ａコンバータに入力さ
れ、そのアナログ出力が位置り・−ボアンプＧＡに位置
フィードバック信号として入力される。又Ｘ、Ｙステー
ジの駆動パターンを設定するタイミング信号を発生する
為のコンパレータＣＯＭＰがあり、ビット変換器ＢＧの
出力と移動量設定用ラッチＲＰＬが比較され、一致した
ときコンパレータＣＯＭＰから駆動パターン設定用のタ
イミング信号が出力される。そのタイミング信号は駆動
パターン情報が記憶されているランダムアクセスメモリ
ＲＭのアドレス発生器ＲＡＧに入力され、そのタイミン
グに必要なＲＡＭアドレスが発生し駆動パターン情報が
ランダムアクセスメモリＲＭから出力される。又タイミ
ング信号は割込み発生器ＩＮＴに入力され、割込み信号
が発生し、マイクロプロセッサＣＰはそのタイミングを
感知することができる。

駆動パターン情報には前述した移動量データの他にＤＣ
モータを制御する指令値情報があり指令値情報にはＤＣ
モータを実際に駆動する現在指令値初期情報、その目標
値となる目標指令値情報、目標指令値までの過程を制御
する種々の情報がある。ＰＣＭが現在指令値カウンタで
あり、ＤＣモータを駆動する指令値を発生する。ＣＬ　
Ｖは目標指令値情報のラッチ回路である。ＦＧは関数発
生器であり、分周器ＤＩＶの分周比を設定するもので、
発振器ＤＩＶのパルス周波数を所望の周波数に分周する
ことにより現在指令値カウンタＰＣＶの値が目標指令値
用ラッチＣＬＶの値に到達するまでの過程を制御する。

ＣＯＭＶはコンパレータであり、現在指令値カウンタＰ
ＣＶの値と目標指令値用ラッチＣＬＶの値を比較し一致
するまでのゲートＡＶを有効にさせる役割と同時に一致
したタイミングをマイクロプロセッサに割込み発生器Ｉ
ＮＴの割込み信号により知らしめる。現在指令値カウン
タＰＣ■の値はＤ／ＡコンバータＤＡＶに入力され、そ
のアナログ出力はスピードサーボ制御時においてドライ
バＭＯに切換スイッチＳＷのＯＮ側を通して入力されス
ピード指令値となる。

又位置サーボＩＩ、ＩＩ　ＩＩＩ　ｖＩは加算回路ＡＤ
に位置指令値として入力され、コンバータＤＡＰの出力
即ち位置フィードバック信号との加算信号が位置サーボ
アンプＧＡ及び切換スイッチＳＷのＯＦＦ側を通してド
ライバＭＯに入力される。

ＤＭＧは駆動モード発生器でありこの出力信号により駆
動モード切換スイッチＳＷを０Ｎ１０．ＦＦする。例え
ばＯＮ側がスピードサーボ制御モードになり、Ｄ／Ａコ
ンバータＤＡＶの出力がドライバＭＤに入力され、動作
開始区間にＸ、Ｙステージはスピードサーボ制御で駆動
される。ＯＦＦ側では位置サーボ制御モードになり、位
置サーボアンプＧＡの出力がドライバＭＤに入力され、
Ｘ。

Ｙステージは動作終了区間に位置サーボＩＩＩ　ＩＩＩ
で駆動される。

第１０図は横軸に時間、縦軸に速度をとった時のステー
ジの速度変化を示す図である。第１０図の時刻ｔｏから
ｔ４までの区間ＳＳはスピード制御、時刻ｔ４からｔ６
までの区１１Ｐｓは位置制御区間である。スピード制御
区間は一定の加速度で加速する加速区間ＡＢ、一定速度
Ｖ　ｌａＸで運動する定速区間ＢＧ、一定の減速度で減
速する減速区間ＣＤ１一定速度Ｖｓ＋ｉｎ″で運動する
定速区間ＤＥから成っている。加減速の直１１ＡＢ、Ｂ
Ｃ，ＣＤ及びＤＯＷＮスピード切換点は現在位置点Ａと
目標位置点Ｐの差即ち移動距離によって決定される。

これは例えば移動距離に応じた加減速度、最高速度及び
ＤＯＷＮスピード切換点をマイクロプロセッサＣＰがデ
ータテーブルを参照することにより求められる。求めら
れたそれぞれのデータはマイクロプロセッサＣＰにより
第９図のランダムアクセスメ七りＲＭに格納される。第
１１図はそのランダムアクセスメモリの内容を示した図
である。

ランダムアクセスメモリＲＭの内容は３つのブロックＰ
ＨＡＳＥＩ　、ＰＨＡＳＥ２　、ＰＩ−ＩＡｓＥ３に分
けられそれぞれのブロックの内容は４つのデータで構成
されている。

Ｐ　ＨＡ　Ｓ　Ｅ　１のデータはスタート点へからＤＯ
ＷＮスピード切換点Ｃまでの制御を行なうデータであり
、ＰＨＡＳＥ２のデータはＤＯＷＮスピード切換点Ｃか
ら位置サーボ切換点Ｅまでの制御を行なうデータであり
、ＰＨＡＳＥ３のデータは位置サーボ切換点Ｅから停止
点Ｐまでの制御を行なうデータである。

次に第９図、第１０図、第１１図を用いてＸ。

Ｙステージの制御方法を説明する。まずマイクロプロセ
ッサＣＰはランダムアクセスメモリＲＭへ駆動に必要な
データを書込む。次に目標位置を目標位置ラッチＣＬＰ
に設定し、またＲＡＭアドレス発生器にスタート信号Ｓ
Ｔを送る。これによりＲＡＭアドレス発生器ＲＡＧから
ＰトＩＡｓＥＩのアドレスが発生し、ランダムアクセス
メモリＲＭより現在指令値カウンタＰＣｖにφスピード
データ、目標指令値ラッチＣＬＶにＭＡＸスピードデー
タ、関数発生器ＦＧに加速勾配データ、及び移′動量設
定用ラッチＲＰＬにＤＯＷＮスピード切換点Ｃまでの移
動面がそれぞれセットされ、駆動モード発生器ＤＭＧは
スイッチ５ＷｆＯＮ側にセットする。Ｘ、Ｙステージは
コンバータＤＡＶの出力により目標位置に向かって第１
０図Ａ−８に示すような加速動作を始める。即ち現在指
令値カウンタＰＣ■の値が目標指令値ＣＬＶの値と等し
くなるまでは分周器ＤＩＶの出力を計数するカウンタＰ
Ｃｖの可変出力により第１０図の加速動作ＡＢを行ない
一致した後分周器ＤＩＶの入力が断たれたカウンタＰＣ
ｖの一定出力により定速動作ＢＣを行なう。

次に、ＤＯＷＮスピード切換点Ｃにおいて、コンパレー
タＣＯＭＰから一致信号が出力され、ＲＡＭアドレス発
生器ＲＡＧに入力される。これによりＲＡＭアドレス発
生器ＲＡＧからＰＨＡＳＥ２のアドレスが発生し、ラン
ダムアクセスメモリＲＭより現在指令値カウンタＰＣＶ
にＭＡＸスピードデータ、目標指令値ラッチＣＬＶにＭ
ＩＮスピードデータ、関数発生器ＦＧに減速勾配データ
、及び移動車設定用ランチＰＲＬに位置サーボ切換点Ｅ
までの移動量がそれぞれセットされ、Ｘ。

Ｙステージは減速動作を始める。即ち現在指令値カウン
タＰＣｖの値が目標指令値ＣＬＶの値と等しくなるまで
は前述同様に減速動作ＣＤを行ない、一致した後定速動
作ＤＥを行なう。

次に位置サーボ切換点において、コンパレータＣＯＭＰ
から一致信号が出力されＲＡＭアドレス発生器ＲＡＧに
入力される。これによりＲＡＭアドレス発生器からＰＨ
ＡＳＥ３のアドレスが発生し、ランダムアクセスメモリ
ＲＭより現在指令値カウンタＰＣｖに位置サーボ切換点
Ｅまでの移動量、例えば目標値の手前２５μに対応した
データを、目標指令値ラッチＣＬＶに目標位置データを
、関数発生器ＦＧに位置サーボ勾配データを、及び移動
量設定用ラッチに目標停止点Ｐがそれぞれセットされる
と同時に駆動モード発生器ＤＭＧに位置副部モードを設
定し、スイッチＳＷがＯＦＦ側にセットされ、Ｘ、Ｙス
テージは位置制御駆動が行なわれる。次に制御終了点Ｆ
において、コンパレータＣＯＭＶ及びＧＯＭＰよりそれ
ぞれ一致信号が出力され、割込み発生器ＴＮＴに入力さ
れ割込み信号が発生する。これを検出したマイクロプロ
セッサＣＰは、基本的なＸ、Ｙステージ制御が終了した
とみなし、ステージの停止位置精度の許容（ＩＩｍ（以
下トレランス）の判定を行なう。マイクロプロセッサＣ
Ｐは現在位置カウンタＰＣＰのデータを現在位置ラッチ
ＰＬＰを経由して現在位置データを入力し目標位置との
差がトレランス内であるかを判定し、停止位置精度及び
変動がトレランス内に入ったところで制御は完了し、Ｘ
、Ｙステージの移動は終了する。

第１２図はテレビアライメント用オファキシ２ス光学系
ＯＡの一実施例を示しており、図中Ｒ１１゜Ｌｌｌは照
明用光源で、例えばハロゲンランプを使用する。Ｒ１２
，Ｌ１２はコンデンサレンズ、Ｒ１３Ａ　。

Ｒ１３Ｂと１１３Ａ、　１１３Ｂは交換的に着脱される
明視野絞りと暗視野絞りで、図では明視野絞りＲ１３Ａ
、Ｌ１３Ａを光路中に装着しているのでコンデンサレン
ズＲ１２，Ｌ１２は光源Ｒ１１，Ｌｌｌを明視野絞りＲ
（Ｌ）１３Ａ上に結像する。Ｒ１４，Ｌ１４は照明用リ
レーレンズ、Ｒ１５ａ’−ｂ、　Ｌ１５ａ’−ｂは接合
プリズムで、この接合プリズムは照明系の光軸と受光系
の光軸を共軸にする機能を持ち、内側反射面Ｒ１５ａ、
Ｌ１５ａと半透過反射面Ｒ１５ｂ、１１５ｂを備える。

ここで光源Ｒ，Ｌ１１、コンデンサレンズＲ，Ｌ１２、
明又は暗視野絞りＲ，Ｌ１３Ａ、Ｂ。

リレーレンズＲ，Ｌ１４、接合プリズムＲ，ｌ−１５ａ
。

ｂ１対物レンズＲＬ、’ＬＬは照明系を構成し、対物レ
ンズＲＬ、ＬＬを射出した光束は第１３図のウェハＷ’
Ｆのアライメント用マークＣＲＬ　（ＬＲ）１１、１２
またはＷＰＲ（Ｌ）ｉ上を落射照明する。

Ｒ，１１Ｇはリレーレンズ、Ｒ，Ｌ１７は光路を高倍か
ら低倍に切換える鏡、Ｒ，１１８はテレビアライメント
用基準マークＴＰＲ２ＴＰＬを有する指標ガラス板で、
基準マー・りＴＰＲ（Ｌ）はいわば座標の原点を与える
機能を持つ。従ってアライメントマークはＸ座標の値と
Ｙ座標の値として検出されることになる。Ｒ，Ｌ１９は
撮像レンズ、Ｒ９Ｌ２０はＮＡ限定用絞りで、上に述べ
た接合レンズＲ，１１５ａ、ｂ、リレーレンズＲ，Ｌ１
６、鏡Ｒ１１１７、指標ガラス板Ｒ，Ｌ１７、Ｉ１１像
レンズＲ，Ｌ１９そして高倍撮像管ＣＲ，ｌＬと共に受
光系を構成し、対物レンズＲＬ、ＬＬを通る光路は接合
プリズムの内側反射面Ｒ，１１５ａで反射して半透過面
Ｒ，１１５ｂで反射し、□再度内側反射面Ｒ，Ｌ１５ａ
で反射してリレーレンズＲ，１１６へ向う。第１３図の
ウェハＷＦ上のアライメントマーク＠ＣＲＬ　（ＬＲ）
　１１．１２は基準マークＴＰＲ（Ｌ）を有する指標ガ
ラス板Ｒ，１１８上に形成された後、基準マー″り像Ｔ
ＰＲ，（Ｌ）と共に高倍撮像管ＣＲ。

ＣＬの撮像面に結像する。上記構成の光学系の高倍系の
作用を詳説するならば、照明用光源Ｒ，Ｌ１１からの光
束はコンデンサレンズＲ，Ｌ１２で収斂されて明視野絞
りＲ，Ｌ１３Ａ又は暗視野絞りＲ１１１３Ｂの開口を照
明し、更に照明リレーレンズＲ；Ｌ１４を通過し、接合
プリズムの半透過面Ｒ，Ｌ１５ｂを透過して反射面Ｒ，
１１５ａで反射し、対物レンズＲＬ、Ｌ’Ｌを通ってウ
ェハＷＦを照明する。

ウェハＷＦ”の表面で反射した光束は対物レンズＲ（Ｌ
）Ｌで結像作用を受け、接合プリズムＲ１（ｙｔ５ａ、
ｂへ入射して反射面Ｒ，１１５ａで反射し、次イテ半透
過面Ｒ，１１５ｔ）１反射面Ｒ，Ｌ１５ａで反・射して
これを射出し、リレーレンズＲ，Ｌｉ６でリレーされて
、指標ガラス板Ｒ，１１８上に結像した侵、撮像レンズ
Ｒ，１１９により撮像管ＣＲ，ＣＬ上に結像する。次に
暗視野状態に切換えて・アライメントマーク像が明瞭に
検出し得る様にし′、これを撮像してアライメントマー
ク像の位置を検出する。後述する電気的処理により検出
されたフライメントマークの位置に応じてウェハステー
ジＷＳはウェハＷＦの第゛１ショット（露光）ｇＡ域が
投影レンズＰＯの投影野牛の規程゛位置を占める様に移
動する。Ｒ，Ｌ２１は反射ミラー、Ｒ，Ｌ２２はエレク
タ、Ｒ，Ｌ２３はＲ，１２０と同様の絞り、ＣＤＲ，Ｃ
ＤＬは低倍用ＣＯＤで上記同様の作用を低倍で行なう。

これらの光学系は必ずしも一対でなく各々１個づつあれ
ば良い。　− しかし一対であれば同時に検出できるので高速、高精度
が期待できる。

第１４図は本装置全体のブロック図にして、本体は第１
図の）−ＩＴの他にサブＣＰＣＩ及びドライブ回路即ち
例えば第８．９図に示したような各ユニットｌｉＩ１ｗ
Ｊ回路を含んで成る。また低倍率テレビ（ＴＶ）カメラ
ｃＤｏ、ＣＤＲ，ＣＤＬは第１（ＤＴＶ受ｆｇｌｌｉＴ
Ｖ１に信号ラインＬ１で接続され、へ倍率ＴＶカメラＣ
Ｒ，ＯＬは第２のＴＶ受像機ＴＶ２に信号ラインＬ２で
接続される。

コントロールボックスＣＢにはメインＣＰＵ及び高速演
算回路を含んだ制御部ＭＣの他にＲＯＭ。

ＲＡＭが含まれる。ＲＯＭには後述のフローチャートに
示されるような命令が格納される。ＫＯ８はコンソール
で種々パラメータの設定その他各種の制御を行ない、プ
リンタＰＲＴは装置の種々の状態をプリントアウトする
。第１５図はオフアキシス及びＴＴＬアライメントを行
なう際の表示モニタの一例を示す。図中ＡＧ、を高倍用
ＴＶ２を用いてオフアキシスアライメントを行、なうと
きの表示画面を示し、第１２図のオフアキシス光学系Ｏ
Ａの指標ガラス板Ｒ（Ｌ）１８のｊ３準マークＴＰＲ（
Ｌ）と第１３図のウェハＷＦの高倍アライメント用マー
クＣＲＬ　（ＬＲ）１１．１２が表示され、両マークの
合せ状態を確認できる。Ｂは低倍用ＴＶ１を用いて第１
３図の低イ８用マークＷＰＲ，（Ｌ）１と電子的に設定
された基準（カーソル）線ＫＳＬとを比較してアライメ
ントが行なわれる様子を示す。１０はＴ　、Ｔ　Ｌアラ
イメント光学系Ａｓを用いて低倍用ＴＶ１にウェハＷＦ
のめすマークＷＫＲ。

ＷＫＬとレチクルＲＴのおずマークＷＳＲ，ＷＳＬを表
示した例を示し、両マークがＴＴＬでアライメントされ
る状態を確認できる。またこの他にオートアライメント
が不可能なウェハを用いる場合等に特殊マニュアルアラ
イメント用マークをウェハＷＦのスクライブ領域に焼付
け、レチクル上の特殊マニュアルアライメント用マーク
との位置合ゼをマニュアルで行なわせることもできる。

この場合はおすめすマークよりもＡ、Ｂに示すような十
字マークの方が目視合せが容易で好ましい。

第１６図Ａは最初のレチクルの構成の一例を示し、Ｂは
同じく２枚目のレチクルを示し、ＣはウェハＷＦ面上に
最初のレチ゛クルＲＴＩを順に露光していく様子を示し
、Ｄは２枚目のレチクルＲＴ２の内容が重ね合って順に
露光されていく様子を示す。

図においてＣＰＩ　、ＣＦ２はレチクルＲＴ１．ＲＴ２
上に設けられた回路パターン（実素子）、５ＣＲ１，５
ＣＬ１，５ＣＲ２，５ＣＬ２　Ｇ；を実ｊｌｌ子の左右
に設けられたスクライブ領域で、１枚目のレチクルＲ’
Ｔ　１には２枚目のレチクルＲＴ２とのアライメントに
用いるためのめすマークＷＫＲ１。

ＷＫＬｌが設けられる。また必要に応じて前述の特殊マ
ニュアルアライメント用マークＭＡＲ１。

ＭＡ　ｍｌがマークＷＫＲ（Ｌ）１の代りにまたは図示
の如く並設される。下方のスクライブ領域ＳＣＵには低
倍アライメント用マークＷＰＲ（Ｌ）よりは小さい高倍
アライメント用マークＣＲＲ。

ＣＲＬの２個準備される。これは第１３図に示すように
２個ずつ左右に一対設けておけば第５図のオフアキシス
光学系ＯＡの対物レンズＲＬ、Ｌｍの視野内に入る確率
が高くなり好ましい。ＷＰＲ。

ＷＰＬは低倍アライメント用マーク、Ｒ８Ｒ，Ｒ８Ｌは
レチクルのアライメント用おすマークで第３図のレンズ
ＰＯ上の基準マークＲＫＲ，ＲＫＬに合わせられてレチ
クルの位置が設定される。ＲＫＲ，ＲＫＬはＷＫＲｌ　
、ＷＫＬＩと同様にめすマーク形状を有しており、ＴＴ
Ｌオートアライメントのときと同様におすめすマークの
合わせ動作によりレチクルオートアライメントが行なわ
れる。

第２レチクルＲＴＺ上には次工程アライメント用めすマ
ークＷＫＲ２、ＷＫＬ２　、本工程アライメント用おす
マークＷＳＲＩ　、ＷＳＬｌが設けられる。ＲＣＮＩ　
、ＲＣＮ２は各々レチクル番号を示し、コード化されて
設けられ、これを第５図のＴＴＬアライメント光学系Ａ
ｓで読取ることにより自動的にレチクル番号を識別する
ことができる。

これは回路パターン及び各マーク作製時に同時に作製さ
れる。同様に第１３図のＷＣＮはコード化されたウェハ
番号を示し、ＴＴＬアライメント光学系Ａｓによって書
込まれ、ＴＴＬアライメント光学系Ａｓまたはオフアキ
シス光学系ＯＡによって読取られる。なおこれらは第１
４図のコンソールＫＯ３からのあらかじめ指示された情
報またはリアルタイムで逐次指示される情報によってレ
チクル及びウェハ番号の判別を行なってももちろん可能
である。第１６図において、まず第１枚目のレチクルＲ
Ｔ１が第５図のように挿入されると第２図のブレードＢ
Ｌはまず第１７図Ａに示すように回路パターンＣＰＩの
領域とその左右のスクライブ領域５ＣＲＩ　、５ＣＬ１
が露出するように開口設定される。この状態で第１６図
Ｃのように右から左に順に１．２，３．・・・と露光さ
れていく。

即も第１シヨツト（露光）領域１ではレチクルＲＴ１の
特殊マニュアル用マークＭＡＲ１、ＭＡＬｌがＭＡＲＩ
Ｉ、ＭＡＬｌｌとして、まためすマーク−ＷＫＲｌ　、
ＷＫＬＩがＷＫＲｌｌ、ＷＫＬｌｌとして、また回路パ
ターンＣＰ１がＣＰｌｌとして露光（焼付け）される。

なお実際上はレチクルＲＴＩ上の焼付パターンは投影レ
ンズＰＯを介して投影されるため左右上下反転した像が
ウェハＷＦ上に焼付けられるが、理解容易のため同一像
が焼付けられると仮定して図示する。以下同様に順次焼
付けられていく。その際例えば回路パターンＣＰＩＩと
ＣＰ１２の間のスクライブ領域５ＣＲ１２Ｌ１１は回路
パターンＣＰＩＩと１２に共用とされウェハの節約を計
っている。そのため左右一対のマーク例えばＷＫＲｌｌ
とＷＫＬｌｌは上下に互いにずらしておく。このように
構成すれば例えばマークＷＫＲ１２とＷＫＬｌｌは重な
らず好ましい。このようにして第１３図に示すショット
番号１〜４５の順序で順次露光とステップを繰り返し、
特定ショット例えば第１３図の２０．２６１ｉ目の領域
に来たとき第１７図Ｂに示す如く下辺スクライブ領域Ｓ
ＣＵまで露出するようにブレードＢＬを開口設定する。

これによりレチクルＲＴＩの高倍アライメント用マーク
ＣＲＬ。

ＣＲＲが第１３図示の如くショット２０及び２６番目の
下辺スクライブ領域に各々ＣＬＲ１１，ＣＲ１１１及び
ＣＬＲ１２，ＣＰｌｌ２として焼付けられる。

また特定ショット４１．及び４５のときは第１７図Ｃ１
Ｄに示すようにレチクルＲＴＩの低倍アライメント用マ
ークＷＰＲ及びＷＰＬが各々露出するようにブレードＢ
Ｌの開口設定を行ない、第１３図のショット領域４１．
４５の各々右辺及び左辺に低倍アライメント用マークＷ
ＰＲＩ　、ＷＰＬｌとして焼付けられる。以上のように
して１枚目のウェハＷＦへの焼付けを終了する。この第
１３図の１〜４５として示すショット順序はウェハステ
ージＷＳの移動長が最短で好ましい。焼付けが終了した
ウェハは次のウェハＷＦと交換され、同様の処理を行な
い、ウェハ１０ット分終了すると第１のレチクルＲＴ１
を排出して第２のレチクルＲＴ２が挿入される。第２の
レチクルＲＴ２は前述の如く第１６図Ｂの如く構成され
ており、第１シヨツトのとき、露光前にレチクルＲＴ２
のおすマークＷＳＲ１とウェハＷＦのめすマークＷＫＲ
１１が、またＷ８１１とＷＫＬｌｌとがＴＴＬアライメ
ント光学系ＡＳにより精密にアライメントが行なわれた
後露光され、回路パターンＣＰ１１上にレチクルＲＴ２
の回路パターンＣＰ２がＣＦ３Ｉとして焼付けられる。

またレチクルＲＴ２のおすマークＷＳＲ１はウェハＷＦ
のめすマークＷＫＲ１１，ＷＫＬＩＩの中間に焼付けら
れ、以後使用不能となる。そのためレチクルＲＴ２には
次工程アライメントのためのめすマークＷＫＲ２、ＷＫ
Ｌ２が第１６図Ｂ図示の如く１段上方にシフトした位置
に設けられ、このマークが第１６図りに新しいめすマー
クＷＫＲ２１、ＷＫＬ２１等として焼付けられる。この
ようにマークを順次新しく設け、古いマークは使用しな
いので読取り感度を低下させずに誤りなく読むことがで
き好ましい。

また図示例は理解容易のために２枚のレチクルでスクラ
イプ領域が飽和する如く示したが、レチクルは通常１０
数枚あれば十分であり、チップ面積の大きさ、マークの
大きさ、読取手段の感度等よりして通常のスクライプ領
域は十分な大きさを有している。また、古いマークをく
り返し使用させるようにしても良い。特殊マニュアルア
ライメント時にはレチクルＲＴ２のマークＭＡＲ２、Ｍ
ＡＬ２と前工程で焼付けられたマークＭＡＲ１１，ＭＡ
Ｌ１１等とが低倍系ＴＶモニタＴＶ２により行なわれる
。

第１８図は第１４図、１５図のテレビ画面をＸ方向にＮ
分割、Ｙ方向にＭ分割した様子を示すもので、画素ｐｔ
ｔは、行１番目、行ｉ番目の画素を示す。Ｙ方向の分割
数Ｍは通常、水平走査ライン数と一致しており、従って
画素に分割するためには、−水平同期信号区間内にＮ回
すンプリングを行えばよい。

従ってＸ方向の加算は Ｓｘ　　Ｉ　−ＤＡＴＡ　　（Ｐｎ　　）　　＋ＤＡＴ
Ａ　　（Ｐ　Ｉ２　）　　＋・・・・・・＋ＤＡＴＡ　
（Ｐ＋　Ｎ　）、Ｓｘ２−ＤＡＴＡ　（Ｐ２＋　）＋Ｄ
ＡＴＡ　（Ｐ２２　）＋・・・・・・＋ＤＡＴＡ　（Ｐ
２　Ｎ　）。

ＳＸＭ−ＤＡＴＡ　（ＰＭＩ　　）＋ＤＡＴＡ　（ＰＭ
２　　）＋・・・・・・＋ＤＡＴＡ　　（ＰＭＮ　）　
　、Ｙ方向の加算は ＳＹ＋　−ＤＡＴＡ　（Ｐｎ　）＋ＤＡＴＡ　（Ｐ２１
　）＋・・・・・・＋ＤＡＴＡ　（ＰＭ　＋　）、ＳＹ
２−ＤＡＴＡ　（Ｐ＋２　）＋ＤＡＴＡ　（Ｐ２２　）
＋・・・・・・＋ＤＡＴＡ　（ＰＭ２　）、ＳＹＭ−Ｄ
ＡＴＡ　（Ｐ＋　Ｎ　）＋ＤＡＴＡ　（Ｐ２　Ｎ　）＋
・・・・・・＋ＤＡＴＡ（ＰＭＮ）、であられされる。

加算が終了した時点で、Ｘ、Ｙ方向積算メモリ内には各
々Ｓｘ＋　、ＳＸ２　、”””ＳＸＭ＋　Ｓｖ＋　＋Ｓ
　ｖ　２１・・・・・・、ＳＹＭのデータが格納される
。

アライメントマークの一例は、第１９図（Ａ）に示す十
字パターン状のマークであり、このマークを前述の如（
Ｘ方向、Ｙ方向にＩＦＪ！加算すると、第１９図（Ｂ）
、（Ｃ）に示す濃度分布になる。

（８）はＸ方向の加算結果、（Ｃ）はＹ方向の加算結果
を示す。第１９図（Ｂ）、（Ｃ）の濃度分布の特徴は、
図から分る様にマークの加算濃度が二段階になっている
ことである。これらの二段階の濃度分布に対して、第１
９図（Ｃ）で示す様に二つのスライスレベルたとえばＸ
５Ｌ１とＸ５Ｌ２を設けると、その二値化パターンはそ
れぞれ第１９図（Ｄ）、（Ｅ）に示すパターンとなる。

従って、これらの二値化パターンの中心が一致した場合
、それがアライメントマークの中心座標となる。

第２０図のブロック図はアライメントマーク検出回路の
一例を示し、破線で囲まれたブロックＸは、Ｘ方向の画
素の濃度を加算するブロック、ブロックＹはＹ方向の画
素の濃度を加算するブロックである。

第２０図において、３１Ｖはビデオアンプ、３２Ｖはア
ナログデジタル変換器、３３Ｖはラッチ回路であり、テ
レビカメラコントロール部から送られるビデオ信号はビ
デオアンプ３１Ｖで増幅され、アナログデジタル変換器
３２Ｖでデジタル化された後うッチ３３Ｖに格納される
。ラッチ３３Ｖの出力データはＸ方向の加算ブロワ６ｘ
とＹ方向の加算ブロックＹへ出力さ←る。ブロックＹに
おいて３４ＶはＹ方向にデータを加算する加算器、３５
Ｖは加算器３４Ｖの出力データをラッチする加算出力ラ
ッチ、３６Ｖは加算出力ラッチ３５Ｖのデータを格納す
るＹ方向積算メモリ、３７■はメモリ３６Ｖの出力デー
タをラッチする加算入力ラッチである。

ブロックＸにおいて、３８ＶはＸ方向にデータを加算す
る加算器、３９Ｖは加算器３８Ｖの出力をラッチするラ
ッチ、４０Ｖはラッチ３９Ｖの出力データを格納するＸ
方向積算メモリである。

これらの回路におけるデジタルデータのビット数に特に
限定はないが、例えばアナログデジタル変換器３２Ｖが
８ピツト、加碑器３４Ｖ、　３８Ｖ及びメモリ３６Ｖ、
　４０Ｖが１６ビツト構成である。

４１Ｖはメモリ３６Ｖのリードライト及びチップセレク
トをコントロールするシーケンス及びメモリコントロー
ル回路、４２ＶはブロックＸ中のメモリ４０Ｖを制御す
るメモリコントロール回路である。

４３Ｖはシーケンス及びメモリコントロール回路４１Ｖ
をマイクロプロセッサＭＰＬＩが制御するためのコント
ロールレジスタで、レジスタの入力はマイクロプロセッ
サのデータバス４４Ｖに接続されている。またマイクロ
プロセッサＭＰＵは、このデータバス４４Ｖを介してメ
モリ３６Ｖ、　４０Ｖをアクセスすることが可能である
。４５Ｖ、　４６Ｖ、　４７Ｖ、　４８Ｖはそのための
バッファであり、バッファ４５Ｖ、４７Ｖはマイクロプ
ロセッサＭＰＵがメモリ３６．４０にデータをライトす
る時、又バッファ４６Ｖ、　４８Ｖはデータをリードす
る時動作する。４９Ｖはクロック回路、ｓｏｖ、ｓｉｖ
はＸ方向積算メモリ３８Ｖのライトアドレス及びリード
アドレスを発生するメモリライトアドレス回路及びメモ
リリードアドレス回路である。、５２■はメモリのリー
ドアドレスとライトアドレスを切換えるアドレスセレク
タ、５３ＶはマイクロプロセッサＭ’ＰＵがメモリ３６
Ｖをアクセスする時のアドレスバッフ？で坐り、マイク
ロプロセッサＭＰＬＩがアクセスする時以外はアドレス
セレクタ５２Ｖの出力が選択されており、バッファ５３
Ｖの出力は禁止されている。５４ＶはＸ方向積算メモリ
４０Ｖのアドレスを発生するメモリアドレス−回路、５
５Ｖはメモリアドレス回路５４Ｖのアドレスとマイクロ
プロセッサＭＰＬＩがメモリ４０Ｖをアクセスする時発
生するアドレスの切換をするアドレスセレクタである。

５６Ｖはクロック回路４９Ｖのクロックを基準にテレビ
の水平同期信号、垂直同期信号、ブランキング信号等を
発生するテレビ同期信号発生回路である。５７Ｖ、　５
８Ｖは夫々マイクロプロセッサＭＰｔＪのデータバス４
４に接続された、Ｘ位置表示レジスタ、Ｙ位置表示レジ
スタで、５９■は十字マーク表示回路であり、テレビア
ライメントにおいて検出したアライメントマークの位置
１をマイクロプロセッサがＸ位置表示レジスタ５７Ｖ及
びＹ位置表示レジスタ５８Ｖに出力することにより、マ
ーク表示回路５９Ｖにより十字マーク信号として１、テ
レビカメラコントロール部のビデオ入力端子へ送られる
。津だマイクロプロセッサＭＰＵを介して第９図、のＣ
ＰＵへ送られ、ウェハステージをサーボモ〒りによりマ
ーク識別位置まで移動される。

上述のテレビアライメント検知回路の機能は、■Ｘ方向
のデータの積算、■Ｙ方向のデータの積算、■アライメ
ントマークのテレビ画面上への表示である。このうち、
Ｘ方向のデータの積算及びＹ方向のデータの積算は、テ
レビアライメント検知回路の加算器３４．３８が加算を
実行し、その加算データをメモリに格納する。データの
加算はテレビ信号の１フレ一ム単位で行われ、また必要
に応じて、１フレームの加算で終了してもよいし、或い
は複数のフレームの加算を行ってもよい。いずれの場合
でも、加算中は、メモリ３６Ｖ、　４０Ｖのデータバス
及びアドレスバス（ま、マイクロプロセッサＭＰＵのデ
ータバス４４Ｖ及びアドレスバスから電気的に切り離さ
れており、メモリ３６Ｖのアドレスはアドレスセレクタ
５２ｖ１メモリ４０Ｖのアドレスはアドレス回路５４Ｖ
のアドレスに接続され、シーケンス及びメモリコントロ
ール回路４１Ｖ、及びメモリコントロール回路４２Ｖか
ら発生するリードライト信号及びチップセレクト信号の
制御のもとに加算が実行さりる。

所定のフレーム数の加算が終了すると、シーケンス及び
メモリコントロール回路４１Ｖからインタラブド信号線
ＩＮＴ上に加算終了信号が発生する。

このｔｌ：ｉ算終了信号の発生後、マイクロプロセッサ
ＭＰＵは、メモリ３６Ｖ及びメモリ４０Ｖにアクセスを
行い、加算データからテレビアライメントマーク位置を
検知する。マイクロプロセッサがメモリ３６Ｖ、　４０
Ｖをアクセスする時は、当然ながらメモリのアドレス、
り一下ライト信号、チップセレクト信号等は、マイクロ
コンピュータの制御信号によって行われる。またメモリ
３６Ｖのデータはバッファ４６■、メモＩＪ、４（ｊ■
のデータはバッファ４８Ｖを経由してデーツバ１ス４４
Ｖに送られ、マイクロプロセッサに読み取られる。　２ 第２１図のフローチャートを用いて更に詳しく不明する
。ステップＳ■１にて加算スタート命令がマイクロプロ
セッサより指令されると、前述した様にＸ方向、Ｙ方向
の加戸が開始される。マイクロプロセッサはステ、ツブ
ＳＶ２にて加算終了持ち状態で待機し、所定フレーム数
の加算が終了・・するとステップＳＶ３に進む。ステッ
プＳ・ｖ３４・でマイクロプロセッサはメモリに格納さ
れた画像部、度データの最大値及び最小値をサーチする
。、最大値及び最小値が見つかると次に、ステップＳＶ
４にてスライスレベルＸ５ＬＩ　、ＷＳＲｌを設定する
。

スライスレベルＷＳＬ１は画像濃度デ、−夕の最大値と
最小値の差（波高値とする）の例えば７０％の値とする
。次にステップＳｖ５にてスライスレベルＸ５ＬＩとメ
モリの内容との大小比較を行い、比較結果が反転した座
ＩＩＡ（メモリアドレス）からＸＬｌ　、ＸＲ１を求め
る。同様にステップＳｖ６にて波高値の？Ｏ％の値のス
ライスレベルＸ５Ｌ２を設定し、ステップＳＶ７にてス
テップＳＶ、５と同様にしてＸＬ２　、ＸＲ２を求める
。

以上述べた様にして、第１６図（Ｄ）、（Ｅ）に示した
二値化パターン即ち座標ＸＬＩ　ｉ　ＸＲＩ　。

ＸＬ２　、ＸＲ２が決定できる。ステップＳＶ８にｘ　
（ＸＲ２−Ｘ、Ｌ２　）　／２ヲＨｔ算Ｌ　＜ＸＲ１−
ＸＬｌ　）／２と等しいか否かを比較し、もしＧよぼ等
しＧプればここで一知した座標はアライメントマークで
あると判！９でステＹプＳＶ９へ進み、比較値が大きく
異つ工いればアライメントマークではないと判断してス
テップ５Ｖ１０へ進む。ステップ５Ｖ１０へ進んだ場合
は、例えばスライスレベルの設定値を変えて再計測する
とか、あるいは画面内にアライメントマークンがないと
みなして４ライメンドパターンを探すプロセスに進む。

同様にＹ座標ＹＬ１．、ＹＲｌ、ＹＬ２　、ＹＲ２も求
めるご仁ができる。

第１６図に示した実施例の利点は、■加算によりランダ
ムノイズが平均化されＳ／Ｎ比がよくなる。■Ｘ方向と
Ｙ方兜の位竺検知が独立に行うことができ検知が簡単に
なる。０画像データを燐納するメモリの客足が少なくな
る等があげられる。

以下、本発明の動作奪第２２〜２５図のフローチャート
に従って説明する。

まて第２２図８１のステップＳ８１においては金での装
置の初期設定を行う。−例を示すならばメモリＲＡＭの
ゼロクリア、Ｔ　Ｔ、　Ｌアライメント光学系Ａｓ全体
をＹ〃向に移動させるとともに対物レンズ１１．Ｒ（Ｌ
）及び対物ミラー１２Ｒ（Ｌ）をＸ方向に移動させてレ
ンズＰＯ上に設置されている、レチクル基準マークＲＫ
Ｒ（Ｌ）に対向するように位置させること及び対物ミラ
ー１２Ｒ（Ｌ）を４５°に姿勢設定してレーザ光がマー
ク位Ｗ１牽照射し得るようにすること、レチクルステー
ジ、ウェハステー、ジ、ブレードを初期状態に設定する
ことその他種々の初期設定を行う、ステップＳ５２では
レチクルＲＴをレチクルチャックＲΩに真空吸引トより
吸着させ、ステップＳＳ３ではレーザシャッタＢＳを開
いてレチクルＲＴの位置合せの準備を行う。次いでステ
ップＳ８４で光学系Ａｓ全体を不図示のパルスモータに
よりＹ方向に移動させると午もに対物レンズ１１Ｒ（Ｌ
）及び対物ミラ７１２Ｒ（Ｌ　）を不図示やパルスモー
タによりＸ方向に移動させてレチクルＲＴ上のレチクル
セットマークＲ８Ｒ（Ｌ）の存在を検出器１８Ｒ（Ｌ）
により検出する。ステップＳ８５で検出されたマークＲ
８Ｒ（Ｌ）と所定の基準点からの距離が検出器１８Ｒ（
Ｌ）により計測され、次のステップ５Ｓ６１で計測され
た距離分だけレチクルステージＲ８の各パルスモータＰ
Ｘ、ＰＹ、Ｐθを駆動してレチクルＲＴのセットマーク
Ｒ８Ｒ（Ｌ）を基準マークＲＫＲ（Ｌ）の近辺に移動さ
せる。同時に対物レンズ１１Ｒ（Ｌ）及び対物ミラー１
２Ｒ（Ｌ）をレチクル基準マークＲＫＲ（Ｌ）に対向し
た位置に戻されファインアライメントに備える。

ステップＳＳ７でレンズＰθ上のレチクル基準マークＲ
ＫＲ（Ｌ）とレチクルＲＴのレチクルセットマークＲ８
Ｒ（Ｌ）との左右のＸ、Ｙ方向のずれ量が検出器１８Ｒ
（Ｌ）により検出される。この各々の計測値の平均値が
ステップＳＳ８で許容値内か否かが判定され、許容値内
であれば次のステップ５８１０に進み、まだ許容値内に
到達していないときはステップＳＳ９で再度レチクルス
テージＲ８の各パルスモータＰＸ、ＰＹ、Ｐθを駆動し
、ステップＳＳ７．８を反復し許容値内に達するまでレ
チクルステージＲ８を移動させる。許容値に達したこと
をＣＰＵが判定すればステップ５８１０に進む。ステッ
プＳ　Ｓ　１ＧでレチクルＲＴの露光領域が設定され、
まず第１４図Ａに示すように中央の回路パターン部ＣＰ
及び左右のスクライブ領域ＳＣＲ（Ｌ）が露出するよう
にブレードＢＬの開口領域が設定される。

次いでステップ８１１でウェハステージＷＳのウェハチ
ャックＷＣに最初のウェハＷＦが吸着される。ここで搬
送されて来るウェハＷＦは露光がまだ一度も成されてい
ないウェハで、したがってアライメント用のマークもま
だ焼付けられていない。

次のステップＳ　Ｓ　１２ではレチクル番号の識別のた
め、対物ミラー１２Ｒまたは１２Ｌをレチクル番号上の
レチクル番号ＲＣＮの検出位置に移動する。レチクルＲ
Ｔは１個の大規模集積回路を製作するのに通常数枚〜１
４，５枚準備されるので、各々の回路パターン作成時に
レチクル番号ＲＣＮをコード化して設けておけばレチク
ル番号（種類）の自動識別ができる。ステップ５８１３
でコード化されたレチクル番ＱＲＣＮが検出器１８Ｌま
たは１８Ｒにより読取られる。このときの照明光源とし
て１９Ｒまたは１９ｍを用いても良い。今は最初（第１
枚目のレチクルであるからステップＳ　Ｓ　１４に進む
。ステップ５Ｓ１４ではレーザシャッターＢＳを閉じ、
また露光の際対物ミラー１２Ｒ（Ｌ）の下辺部が邪魔し
ないように４５°の姿勢から垂直（Ｚ方向）に姿勢変更
する。次いでステップ５Ｓ１５でウェハステージＷＳを
サーボモータＸＭ、ＹＭによりＸ、Ｙ方向に所定量移動
させてウェハＷＦの第１シヨツト（露光）領域を投影レ
ンズＰＯの真下に設定する。この移動はレーザ干渉計Ｌ
Ｚにより極めて正確に行なわれる。レンズＰＯの真下に
第１シヨツト領域が設定されたウェハＷＦはレンズＰＯ
に取付けられているエアセンサＡＧ１〜ＡＧ４のフォー
カス検出可能レベル内に到達するようにパルスモータＺ
Ｍを駆動してθＺステージを高速に上方移動させる（ス
テップＳ　Ｓ　１６）。フォーカス検出可能レベルに達
した後エアセンサＡＧ１〜ＡＧ４により各々のフォーカ
ス値が検出され、各検出値がＲＡＭに格納されて平均値
が算出される（ステップＳ　Ｓ　１７）。この平均値が
第１シヨツト領域のフォーカス値とされ、この値に従っ
て前述の如くパルスモータＺＭ及びまたは圧電素子Ｐｚ
によりθノステージが目標フォーカス値に達するまで上
または下方に移動される（ステップＳ、３１８）。次い
で露光用光１１ＬＰのシャッタＳＴが所定時間開閉して
ウェハＷＦの第１シヨツト領域への露光が行なわれ、レ
チクルＲＴの回路パターン部ＣＰ及び左右のスクライプ
領域ＳＣＲ（Ｌ）のＴＴＬアライメント用めすマークＷ
ＫＲｎ、ＷＫＬｎが焼付けられる（ステップＳ　Ｓ　１
９）。及びまたは必要に応じてマニアルアライメント用
マークＭＡＲ１。

ＭＡＬＩも焼付けられる。次いでステップ５３２Ｇ。

２２、２４に示すような判定が行なわれ、第２シヨツト
領域が以上のいずれでもないときはステップ５３２５１
　、２５２に進む。ステップ５Ｓ２５１　、２５２では
前述の如く次のショット領域に対応するエアセンサによ
りフォーカスが検出され、その値に達するまでθＺステ
ージがモータＺＭ及びまたは圧電素子ＰＺにより上また
は下方移動する。同時にウェハステージＷＳがサーボモ
ータＸＭ、ＹＭによリＸ、Ｙ方向に移動し、次のショッ
ト領域がレンズＰＯの真下に移動する。この移動もレー
ザ干渉計ＬＺにより極めて正確に行なわれ以下同様に精
密なステップ送り及びフォーカス検出、露光が順次行な
われる。ステップ５Ｓ２Ｇ、２２であらかじめ定められ
た特定ショット領域に達したとき、低倍、高倍アライメ
ント用マークＷＰＲ（Ｌ）、ＣＲＲ（Ｌ）が各々露出す
るようにステップ８８２１．２３で各々ブレードＢＬの
開口領域が設定される。また特定ショット領域から通常
のショット領域に移行するときはブレードＢＬの開口領
域を通常のショット領域（第１７図Ａ１ステップＳ　Ｓ
　１Ｇ）に戻しておく。Ｒ終ショット領域を露光し終る
とステップ８８２４からステップ８８２６に進む。ステ
ップ５Ｓ２６ではウェハＷＦにウェハ番号を書込むため
にウェハステージＷＳを所定位置に移動させ、レーザシ
ャッタＢＳを書込みに十分な時間聞き、コード化された
ウェハ番号及びまたはロット番号ＷＣＮをウェハＷＦの
端部（第１４図参照）に書込む。ステップ５Ｓ２７でウ
ェハステージＷＳをウェハ排出（受取）位ｌに移動させ
ウェハを排出すると同時にθＺステージをパルスモータ
ＺＭにより初期の最下位置に移動させる。次いで搬送さ
れて来るウェハＷＦが最終ウェハか否かがステップ８８
２８で判定される。これはあらかじめオペレータがコン
ソールからマイクロプロセッサに指示した枚数に達した
か否かを比較することにより行なわれ、最終ウェハでな
い場合はステップ５Ｓ１１に戻り、前述同様の工程を続
ける。

以上により第ルチクルの回路パターン及びアライメント
用マークの焼付を所定ウェハ数及びロット数だけ行なっ
て終了する。この第ルチクルの回路パターン及びアライ
メント用マークが焼付けられた最初のウェハ群は以後第
２レチクルから第ｎ（最終）レチクルまで順次同一ウェ
ハ上の同一ショット領域に精密に重ね合せ露光が行なわ
れる。即ち第２レチクルが搬入されて来るとステップＳ
Ｓ１からＳ　Ｓ　１３まで前述同様の動作が行なわれ、
ステップ８８１３で今度はレチクル番号が「２」である
ことが検出されるのでステップ８８２９に進む。ステッ
プ５Ｓ２９ではウェハＷＦをレンズＰＯに取付けられて
いるエアセンサＡＧ１〜ＡＧ４の真下に設定し、前述同
様にステップ５Ｓ３Ｇ、３１でθ２ステージを高速に上
昇させ、フォーカス検出、平均値算出を行ないステップ
５Ｓ３２１〜３２３に進める。ステップ３３３２１では
オフアキシスアライメント光学系ＯＡのミラーＲ（Ｌ）
１８を低倍系に設定し、また暗視野絞りＲ（Ｌ）１３Ｂ
を選択する。

同時ステップＳ　Ｓ　３２２では機械的にプリアライメ
ントされたウェハＷＦの低倍アライメント用マークＷＰ
Ｒ（Ｌ）１を対物レンズＲ（Ｌ）Ｌのほぼ真下に設定す
る。またこのとき同時にステップ５８３２３ではステッ
プ５ｓａｉで検出されたフォーカス平均値から目標フォ
ーカス値に達するまでθ２ステージを上または下方に移
動する。ウェハＷＦのマークＷＰＲ（Ｌ）１を対物レン
ズＲ（Ｌ）　Ｌの下に移動させる動作はあらかじめ定め
られた定数を用いることにより行なわれる。ステップ５
８３３では１１線ＫＳＬ（テレビ画面上のカーソル）と
ウェハＷＦのプリアライメントセットマークＷＰＲ（Ｌ
）１とのＸ、Ｙずれ最が計測され、そのずれ量がＲＡＭ
に記憶される。次いでステップ５Ｓ３４では複数のアラ
イメントモードＡ−Ｃの１つが選択され、各アライメン
トモードに従って正確かつ高速な位置合せ、ステップ、
露光が行なわれる。以下、各アライメントモードについ
て説明する。

モードＡではまずそのステップ５Ａ１１で基準線ＫＳＬ
の位置とウェハＷＦのプリアライメントセットマークＷ
ＰＲ（Ｌ）１とのＸ、Ｙずれ最に定数を加算した値に従
ってウェハステージＷＳをサーボモータＸＭ、ＹＭによ
りＸ、Ｙ方向に移動させ、ウェハＷＦの高倍アライメン
ト用マークＣＲ（Ｌ）１１．１２を対物レンズＲ（Ｌ）
Ｌのほぼ真下に設定する。同時に上記Ｘ、Ｙずれ量から
算出されたθ（回転）方向ずれ量に従ってθ２ステージ
をパルスモータθＭにより回転させる（ステップＳ　Ａ
　１２）。ステップＳＡ２でオフアキシス光学系ＯＡの
ミラーＲ（Ｌ）１８を高倍系に設定し、この高倍系によ
り基準マークＴＰＲ（Ｌ）と高倍アライメンド用マーク
Ｃ’　Ｒ，（１）　１１．１２とのＸ、Ｙずれ量が計測
される（ステップＳＡ３　）。またこのステップＳＡ３
でつ、エバの伸縮量も計測され、許容値内であるとぎは
その値をＸの各々のずれ口に振分加算する。ステップＳ
Ａ４でＸ、Ｙずれ量が許容値内にあるか否かが判定され
、まだ許容値内に到達していないと判定されたときは基
準マークＴＰ’Ｒ（Ｌ）にアライメント用マークＣＲ（
Ｌ、）１１、１２を合わせるようにウェハステージＷＳ
をサーボモータＸＭ、ＹＭ及びパルスモータθＭにより
ｘ、Ｙおよびθ方向に移動させ（ステ・ツブ５Ａ５）、
ステップＳＡ３に戻り同様の手順をくり返し、許容値内
に入ったときはステップ５Ａ６１．６２に進む。ステッ
プ５Ａ６１ではウェハＷＦの現在位置に定数を加算した
値に従ってウェハステージＷＳをサーボモータＸＭ、Ｙ
ＭによりＸ、Ｙ方向に移動させてウェハＷＦの第１シヨ
ツト（露光）領域を投影レンズＰＯの真下に設定する。

同時にステップ５Ａ６２ではウェハステージＷＳのθＺ
ステージをパルスモータＺＭにより所定量上方に移動す
る。これは対物レンズＲ（Ｌ、）Ｌの焦点距離よりも投
影レンズＰＯの焦点距離が短かいことによるものである
。以下前例同様にフォーカス検出、平均値算出（ステッ
プ５Ａ７）、θＺステージ移動（ＳＡ８１）、ミラー１
２Ｒ（Ｌ）の姿勢変更（ＳＡ８２）、露光（ＳＡ　９）
を行ない順次フォーカス検出、ステップ移動（Ｓ　Ａ　
１１１．Ｓ　Ａ　１１２）をくり返し、最終ショットの
露光が終了したことを判別（ＳＡ１０）したならばステ
ップＳ　Ａ　１２に進む。ステップ５Ａ１２では先の第
１回工程にて書込まれたウェハ番＠ＷＣＮを検出可能な
位置までウェハステージＷＳをサーボモータＸＭ、ＹＭ
により移動させる。例えばＴＴＬ工学系ＡＳで検出する
場合はウェハ番号ＷＣＮをレンズＰＯの真下に設定し、
検出器１８Ｒまたは１８Ｌにてコード化されたウェハ番
号ＷＣＮを読取る。このときの照明光源としてレーザ源
Ｉｓの他に光源１９Ｒまたは１９Ｌを用いることもでき
る。或いはオフアキシス工学系ＯＡを用いても読取るこ
とができる。このときは対物レンズＲＬ、ＬＬのどちら
かの真下にウェハ番号ＷＣＮが設定されるようにウェハ
ステージＷＳを移動させれば良い。読込まれたウェハ番
号はＲＡＭに格納される。ステップ５Ａ１４ではパルス
モータＺＭによりθＺステージを最下位置に移動させる
と同時にウェハステージＷＳをウェハ排出（受取）位置
に移動させ、ウェハ排出を行なって終了する。

ステップ５Ａ１５でまだ最終ウェハまで完了していない
場合は第２２図８２のステップ５Ｓ１１に戻り、以下同
様の手順を進む。

以上は一対のオフアキシス光学系ＯＡの高倍系により一
対の高倍アライメント用マークＯＲ（Ｌ）１１、１２を
同時に検出する例を示したが、第２３図Ａ４、Ａ５は一
対の高倍アライメント用マークを順次検出する他の例を
示す。これは一対の高倍アライメント用マークＣＲ（Ｌ
）　１１．１２間の距離が一対のオフアキシス光学系の
対物レンズＲＬ、ＬＬ間の距離と一致しない場合に有用
である。即ち大直径或いは小直径のウェハもしくは熱膨
張等によるウェハ自体に伸縮が発生している場合に本方
式を用いることができる。第２３図Ａ４．Ａ５の例は第
１３図の一対の高倍アライメント用マークＣＬＲ１１、
ＣＲＬ１２が一対の対物レンズＲＬ、ＬＬ間の外に位置
し、同時検出が不可能であるため右側のマーＣＲＬ１２
に次いで左側のマークＣＬ　Ｒ１１を、最も近い対物レ
ンズＲＬ次いでＬＬにより順次検出、計測させる場合を
示す。当然左から右の順に検出計測を行なわせても同様
の効果が得られる。

第２３図へ４のステップ５Ａ２１１において、詳記の如
くウェハＷＦの右側の第１指定高倍アライメント用マー
クＣＲＬ１２を対物レンズＲＬのほぼ真下に来るように
ウェハステージＷＳを移動させ、同時にθ方向の補正駆
動を前述ステップ３　Ａ　１２と同様に行なう（ステッ
プ５Ａ２１２＞。次いでステップ５Ａ２２でオフアキシ
ス光学系ＯＡのミラーＲ１７を高倍系に設定し、ステッ
プ５Ａ２３でオフアキシス光学系ＯＡの基準マークＴＰ
Ｒと高倍アライメント用マークＣＲＬ１２とのＸ、Ｙず
れｍ（ＸＲ１−１，ＹＲＩ−１）を計測し、結果をＲＡ
Ｍに格納、記憶させる。次いで左側の第２指定高倍アラ
イメント用マークＣＬ　Ｒ１１を左側の対物レンズＬＬ
の真下に設定ずべきウェハステージＷＳを移動（ステッ
プ５Ａ２４１）さ眩、以下前述右側の制御と同様の制御
をステップＳＡ　２４２．５Ａ２５．５Ａ２６に示すよ
うに行なう。次いでステップＳＡ　２７１に移行し、詳
記の如くグローバルなＸ、Ｙ、θずれｍＧＸ、ＧＹ、Ｇ
ｏを算出し、またウェハ全体の伸縮ｆｆ１ＰＥも算出（
ステップ５Ａ２７２）する。ステップ５Ａ２８では先に
求めたＧＸ、ＧＹ、Ｇｏが許容値内か否かが判定され、
許容値内であれば前述のステップ５Ａ６１．６２に戻り
以下同様の処理が行なわれる。許容値外であるときはス
テップ５Ａ２９１゜２９２に進む。ステップＳ　Ａ　２
９１では前期Ｘ、Ｙずれ囚に所定団加算し、さらにその
Ｘずれ聞にウェハの伸縮ｆｆ１Ｐ、Ｅを左右一対の高倍
アライメント用マークＣＬＲＩＩ、ＣＲＬ１２に対して
均等に振り分けた値及びサーボモータ移動力を加算した
値に従ってウェハステージを移動させてウェハの右側７
２−りＣＲＬ１２を対物レンズＲＬの真下に設定する。

ステップＳ　Ａ　２９２ではウェハ全体のθ方向ずれ量
をパルスモータの分解能で除し、商と余りに分は余りを
サーボモータで、商をパルスモータで駆動する。この制
御の詳細は後述のステップ８８８１゜８２で説明する。

このような動作を指定回数終了したか否かがステップＳ
　Ａ　３０で判定され、指定回数未満のときはステップ
５Ａ２２に戻り、同様の処理が成され、指定回数終了し
てもステップ５Ａ２８でＹＥＳにならなければ自動的も
しくは手動的に後述のモードＣに移行させる。ステップ
５Ａ２８でＹＥＳになれば前述の如くステップ３Ａ６１
．６２に戻る。

第２４図のモードＢにおいてはまずステップＳ８１にお
いて、例えば第１３図ショット領域１３を指定し、その
領域を投影レンズＰＯの真下にサーボモータＸＭ、ＹＭ
により設定する。また同時にステップ３１３１２．１３
でθ方向及びＺ方向の移動を行なう。次いでレーザシャ
ッタＢＳを開き（ステップＳ［３２）、ＴＴＬによるＸ
、Ｙずれ量を計測する。こ、こで第１３図ショット領域
１３に示すようにＸ方向の左右各々のずれｌ１ＸＬ１　
、ＸＲ１、同Ｙ方向ＹＬＩ　、ＹＲＩとすると各々の平
均値ＳＩ　　Ｘ＝　　（ＸＬＩ　　＋ＸＲ１）／、２゜
８１　　Ｙ＝　　（ＹＬｌ　　＋ＹＲ１）／２を算出、
ＲＡＭに格納、記憶（ステップＳＢ３　’）させる。次
いで第２の指定ショット（例えば第１３図１９）を投影
レンズＰＯの真下に設定して同様の平均値８２　Ｘ、８
２　Ｙを求める（ステップＳＢ４．５）。次いでステッ
プ８８６１で各ショットで各々算出した各ショットでＸ
、Ｙ平均ずれ１８１Ｘ、８２　Ｘ、８１　Ｙ、８２　Ｙ
からウェハ全体（グローバル）のＸ、Ｙずれ量及びθ方
向のずれ量を下式により求める。

ＧＸ＝　（８１Ｘ＋Ｓ２　Ｘ）／２゜ ＧＹ＝　（８１Ｙ＋Ｓ２　Ｙ、＞　／２、ｔａｎＧθ＊
　（（ＹＬ２　＋ＹＲ２）／２−　（ＹＬＩ　＋ＹＲ１
）／２）／に ここでＫは指定筒１、第２シヨツトのマーク間の距離で
定数である。

また同時にステップ３１３６２で熱膨張等によるウェハ
全体の伸縮ｆｆ１ＰＥ＝ｓＩ　Ｘ−８２Ｘを求める。

この各々求められた値が許容値内か否かをステラ７８８
７で判別する。許容値外であることが判別されたらステ
ップ３Ｂ８１．８２に進む。ステップ８３８１では先に
算出したＸ、Ｙずれ量に所定量（キＫ）加算し、その値
にウェハの伸縮量ＰＥを各ショット毎に均等に振分けた
値を加算し、さらにステップ８８８２で算出された結果
にサーボモータ移動力があるときはこの値をも加算し、
その合計値に従ってサーボモータＸＭ、ＹＭにより第１
１定シヨツト領域を再び投影レンズＰＯの真下に設定す
る。ステップ５Ｂ８２では回転方向のずれ量をパルスモ
ータθＭの分解能で除した商の部分をパルスモータθＭ
の移動力とし、余りが発生すれば余りの部分をサーボモ
ータＸＭ、ＹＭの移動力とする。このサーボモータＸＭ
、ＹＭのＸ、Ｙ方向への移動を制御することにより結果
的にθ補正を行なわせるものである。通常ウェハステー
ジＷＳのＸ軸、Ｙ軸は原理的には直交しておりθ成分は
存在しない。然るに現実の機械設計においてこの完全直
、交は望めず必ずθ成分が発生してしまう。

そこで装置組立完了時にそのθ成分を測定しておき、装
置を動作させる際にＸ、Ｙモータの移動量を制御するこ
とにより結果的にθ成分を解消する方向にウェハステー
ジを移動させることができる。

この原理をいわゆる直交度補正と呼んでいる。ステップ
５Ｂ８１．８２ではこの原理を利用し、パルスモータθ
Ｍで補正しきれない微量角をサーボモータＸＭ、ＹＭの
移動ｍ調整により結果的に補正できるもので極めて好ま
しい。ステップ８８９では上述の一対のショット計測を
所定回数くり返したか否かを判別し、終了していなけれ
ばステップＳＢ３に戻し上記動作を繰り返す。この繰り
返しによりウェハ位置が次第に許容値に近づいていき、
ステップ８８７で許容値内に入ったことを判別すれば次
のステップ５８１２に進む。指定回数終了したらレーザ
シャッタＢＳｆｖＢじて（ステップ５Ｂ１０）ＴＴＬ計
測を終了する。ステップ５ＢＩＩではステップ８８７で
指定回数内にＹＥＳ信号が送出されなかったことを検出
してアライメントモードを他のモード例えばＣに進める
準備を行なう。ステップ８８１２では先のステップでウ
ェハ全体のグローバルなアライメントが完了したとして
も各ショット毎の回転方向ずれが存在していれば露光ず
れが生ずるのでこれを計測するためのモードである。そ
こでステップＳ　Ｂ　１２ではまず第１、第２指定シヨ
ツトの各最後に計測したＹＬｌ、ＹＲｌ　。

ＹＬ２　、ＹＲ２から各ショットでのθ方向ずれ量ｔａ
ｎ　ｓθ１　＝　（ＹＬＩ　−ＹＲＩ　）／に１　。

ｔａｎ　ＳＯ２−（ＹＬ２−ＹＲ２）／に２を算出する
。算出されたＳ０１，３θ２が許容内か否かが判別（ス
テップ３８１３）され、許容値外であるときは各々の値
が近似値即ち回転ずれが同じ方向、同じ傾きかの傾斜判
別がステップ５Ｂ１４で成され、否のとき即ち各ショッ
トの傾きがばらばらであるときは本モードでは精密重ね
合せ露光困難であると判別してモードＣに切換える（ス
テップＳ　Ｂ　１９）。似た傾斜を有しているときは露
光可能であるから平均Ｓθ−（Ｓθ１＋Ｓθ２）／２を
算出（ステップ５Ｂ１６）Ｌ、、レチクルステージＲ３
をパルスモータＰθにより平均Ｓθに達するまで駆動し
、レチクルＲＴを回転移動させる（ステップＳ　Ｂ　１
７）。次いで再び各ショットでのθ方向ずれ量Ｓθ１′
、Ｓθ２′を計測（ステップ８８１８）Ｌ、、平均 Ｓθ′＝（Ｓθ１′＋Ｓθ２’）／２ が許容値内か否かを判別（ステップ５Ｂ１９）ｔ、、、
否のときはステップＳ　Ｂ　１７に戻し同様の動作をく
り返す。ステップ８８１９で許容値内に入れば第２３図
Ａ２のステップ５Ａ６１．６２にアクセスされ、前述Ａ
′モード同様に露光、ステップが実行され、モードＢに
よるウェハ処理が達成される。

次にアライメントモードＣについて説明する。

まずステップ５Ｃ１１で基準ＩＫｓＬの位置とプリアラ
イメントセットマークＷＰＲ（Ｌ）１とのＸ、Ｙずれ量
に定数を加算した値に従ってウェハＷＦの第１シヨツト
領域を縮小投影レンズＰＯの真下にサーボモータＸＭ、
ＹＭにより設定する。

同時に上記Ｘ、Ｙずれ曇から算出された値に従ってパル
スモータθＭによりθＺステージを回転移動させ（ステ
ップ５Ｃ１２）、またθＺステージをパルスモータＺＭ
により所定量上方移動させる（ステップ５Ｃ１３）。次
に第１シヨツト領域でのフォーカスをエアセンサＡＧＩ
〜ＡＧ４により検出、平均値を算出し、目標フォーカス
値に達するまでパルスモータＺＭ及びまたは圧電素子Ｐ
ＺによりＯＺステージを上または下方移動さぼる（ステ
ップ５Ｃ２）。次いで対物レンズ１１Ｒ（Ｌ）及び対物
ミラー１２Ｒ（Ｌ）をレチクルＲＴｎのレチクルおすマ
ークＷＳＲ（Ｌ）ｎ−１に対向する位置に移動（ＳＣ３
）させＴＴＬアライメントの準備をする。次いでレーザ
シャッタ８８を開き（ＳＳＣ４）、レーザ［１８からの
レーザ光を対物ミラー１２Ｒ（Ｌ）によりレチクルおす
マークＷＳＲ（Ｌ）ｎ−１を照射する。ステップＳＣ５
でレーザの走査を開始させ周知の如くレチクルＲＴｎの
おすマークＷＳＲ（Ｌ）ｎ−１とウェハＷＦのめすマー
クＷＫＲ（Ｌ）ｎ−１、ｍとの第１（７）Ｘ。

Ｙずれｍを計測する。その第１のずれ量が第１の許容値
例えば０．１μ以内に入っているか否かをステップＳＣ
６で判定する。ここでレチクルに対するウェハの各ショ
ットのＸ、Ｙ方向のずれ量を左右各々ＸＬ、ＹＬ、ＸＲ
，ＹＲとすると平均のずれ量は各々 ＳＸ−（ＸＬ＋ＸＲ）／２゜ ＳＹ＝　（ＹＬ＋ＹＲ）／２ で与えられる。またθ（回転方向）のずれ量ｔａｎＳθ
はｔａｎ３θ−（ＹＬ−ＹＲ）／Ｌで与えられることは
前例同様である。ここでＬは各ショットの左右のマーク
ＷＫ　（Ｓ）Ｒ−ＷＫ　（Ｓ）Ｌ間の距離で定数である
。ステップＳＣ６で各ずれ量の平均値ＳＸ、ＳＹが共に
許容値内であればアライメント完了でレーザシャッタＢ
Ｓを閏じて（ステップ５Ｃ１２）、次の処理に進む。上
記平均ずれｆｆ１ｓＸ、ＳＹの１つでも許容値外であれ
ばアライメントを行なうべくステップＳＣ７に進む。

なおこの許容値は０．３μ、０．５μ等種々の値をコン
ソールから指定することができる。ステップＳＣ７では
上記ＹＬ、ＹＲからＳθを算出する。この算出されたＳ
θに従ってθ２ステージをずれ解消の方向に回転移動さ
せた場合に、Ｘ、Ｙ方向に再びずれ量が発生する。これ
はウェハ中心と各ショットの中心が異なるためである。

この第２のＸ。

Ｙずれ量はあらかじめ計算により求めることができるか
らステップＳＣ８でこれを算出する。ステップＳＣ９で
この算出されたＸ、Ｙずれ量が第２の許容値例えば３μ
以内であるか否かが判定され、以内であればステップ５
ＣＩＯＩ　、　１０２に進み、以外であればステップ５
Ｃ１１１〜１１３進む。ステップ５ＣＩＯＩ　、　１０
２では許容値内であるから上記第１、第２のＸ、Ｙずれ
量を各々加算した値に従ってレチクルＲＴｎのおすマー
クＷＳＲ（Ｌ）ｎ−１がウェハＷＦのめすマークＷＫＲ
（Ｌ）　ｎ−１。

ｍの中間に入るようにパルスモータＰＸ、ＰＹによりレ
チクルステージＲ８をＸ、Ｙ方向に移動させる。同時に
Δθ分だけパルスモータθＭを駆動してθＺステージを
回転させる。ステップ５Ｃ１１１では許容値外であるか
ら第１のＸ、Ｙずれ量に従ってレチクルＲＴｎのおすマ
ークＷＳＲ（Ｌ）ｎ−１がウェハＷＦのめずマークＷＫ
Ｒ（Ｌ）ｎ−１，ｍの中間に入るようにパルスモータＰ
Ｘ。

ＰＹによりレチクルステージＲ８をＸ、Ｙ方向に移動さ
せる。同時にステップ５Ｃ１１２で第２のＸ。

Ｙずれ量に従って前述同様におすマークＷＳＲ（Ｌ）ｎ
−１がめすマークＷＫＲ（Ｌ）　ｎ−１。

ｍの中間に入るようにサーボモータＸＭ、ＹＭによりウ
ェハステージＷＳｔＸ、Ｙ方向に移動させる。同時にス
テップ３　Ｃ１１３ではステップｓｃｉ。

２と同様にパルスモータθＭによりθ２ステージをΔθ
だけ回転移動させる。このように許容値内外に従ってレ
チクル及びウェハを選択してアライメントさせれば高速
アライメント及び高重ね合せ精度を同時に達成できる。

即ちパルスモータによる駆動は高精度であるが駆動時間
が長いのに対し、サーボモータによる駆動は高速である
が精度の点で不十分であり、またレチクル側はウェハ側
より本質的に移動距離が短かいこと等を考慮して、許容
値内であるときは補正のための移動距離が短かいからレ
チクルステージをパルスモータで精密に駆動し、許容値
外であるときは補正のための移動距離が長いからウェハ
ステージをサーボモータで高速に駆動すれば好ましい。

またこのときレチクルステージ側も補正駆動されるので
精度も十分に保てるものである。ステップＳＣ６の第１
の許容値内に収まるまで以上の動作をくり返す。このよ
うにして高速、高精度のアライメントが完了したら前述
のようにステップ５Ｃ１２に進み、次いでステップ５Ｃ
１３に進む。ステップ８０１３では露光を妨害しないよ
うに対物レンズＩＩＲ（Ｌ）及び対物ミラー１２Ｒ（Ｌ
）を所定位置まで後退移動させ、かつ対物ミラー１２Ｒ
（Ｌ）を垂直に姿勢変更する。

次いでシャッタＳＴを所定時間開閉して露光を実行する
（ステップ５Ｃ１４）。露光が終了したら最終ショット
領域をステップ５Ｃ１５で判定し、最終でないときはス
テップ３　Ｑ　１６１〜１６４に進む。ステップ１６１
で前述の如くウェハステージを次のショット領域に移動
させ、同時にθＺステージをフォーカス検出直に達する
まで上（下）移動させ（ステップ１６２　）　、また対
物ミラー１２Ｒ（Ｌ）をレチクルのおすマークＷＳＲ（
Ｌ）ｎ−１に対向の位置に移動させるとともにミラー１
２Ｒ（Ｌ）を４５°に姿勢変更させ（ステップ５Ｃ１６
３）、かつレチクルステージＲ５を第１ショット時に記
憶していたＸ、Ｙ位置まで戻す。これらの動作が終了す
るとステップＳＣ３まで戻り、最終ショット終了までい
わゆるダイバイダイアライメントにより精密な重や合せ
露光が行なわれる。最終ショットが終了するとステップ
５Ｃ１５で判定され、ステップ３　Ａ　１２に戻り同様
の動作をくり返し１０ット分の処理が終了する。

また本装置はマニュアルアライメントモードも備えてお
り、前述の特殊マニュアルアライメントモードその他の
マニュアルアライメントモードがどのステップからも割
込み処理により可能であり、特にウェハの材質、レジス
トの特性等によりオートアライメントが不可能な場合に
使用することができる。第５図のＴＴＬ光学系Ａｓを用
いてアライメントを行なうときは光源１９Ｒ，１９Ｌの
点灯ま′　たはレーザ１Ｓの光路に拡散板ＤＦを挿入す
る。

またオフアキシス光学系ＯＡを用いるときは光源Ｒ１１
，Ｌｌｌを点灯し、さらに暗視野、明視野の選択を絞り
Ｒ１３Ａ、　Ｒ１３Ｂ、　Ｌ１３Ａ、　１１３Ｂの選択
により行なう。

また各アライメントマークの選択は第１５図のように行
なう。

第２６図は第２３図Ａ２の他の実施例を示すフローチャ
ートである。第２３図Ａ２との相違点はステップ３　Ａ
　１１１にて次のショット領域に対応するエアセンサに
より再びフォーカスを検出する点とステップ３　Ａ　１
１１，１１２の次にステップＳＡＴに戻す点である。こ
のように構成することにより露光前のフォーカス検出が
更に確実となり、従って重ね合せ精度が格段に向上する
ものである。

［効　果］ 本発明は以上のように極めて高い重ね合せ精度に多大の
貢献をし得るものである。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一例の装置概要を示す断面図、第２図
はブレードの概観図、第３．４図はレチクルステージの
断面図及び平面図、第５図は光学系の概゛要を示す概観
図、第６，７図はウェハステージの概観図及び断面図、
第８，９図はウェハステージのＺ方向駆動ブロック図及
びＸ（Ｙ）方向駆動ブロック図、第１０．１１図は第９
図の動−を゛′説明するための図、第１２図は第５図の
オフアキシス光学系の一例を示す概観図、第１３図はウ
ェハ上面図、第１４図は装置全体の７６ツク図、第１５
図Ａ、Ｂ、Ｃはテレビモニタの各個を示す図、第１６図
Ａ、Ｂはレチクルの各個を示す図、第１６図Ｃ，Ｄはら
エノいの露光の様子を説明する図、開口関係を示す図、
第１８図はテレビ画面の分割例を示す図、第１９図は加
算及びスライスレベルの様子を説明する図、第２０図は
その制御ブロック図、第２１図はその動作説明用フロー
チャート、第２２図８１〜Ｓ５、第２２図８１〜Ｓ５、
第２２図８１〜Ｓ５、第２５図０１〜Ｃ３は各アライメ
ントモードの動作を゛説明するフローチャート、第２６
図゛は第２３図Ａ２例の更に他の実施例を示すフローチ
ャートである。 ＩＯ・・・露光用光源系、 Ａｓ・・・Ｔ”Ｔ　Ｌア−ラ“イメシト光学系、ＲＴ・
・・レチクル、Ｒ８・・・レチクルステージ、ＰＯ・・
・縮少投影レンズ系、 ＯＡ・・パオファキシスアライメント光学系、Ｗ’Ｆ・
・・ウェハ、ＷＳ・・・ウェハステージ、Ｌ−’Ｚ・・
・レーザ干渉計。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. ウェハ上の特定ショット領域に関するフォーカス情報を
   複数計測し、その計測結果に基いて目標フォーカス値に
   達するまでウェハを上下動させた後に露光を実行し、次
   いで次のショット領域に対応する距離情報に基いてウェ
   ハを上下動させるとともに次のショット領域まで移動さ
   せ、その後当該ショット領域に関する距離情報を複数計
   測し、その計測結果に基いて目標フォーカス値に達する
   までウェハを上下動させた後に露光を実行する露光方法
   。