JPS61256808A - フイルタ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、絶縁基板上に導電性膜を被着形成する平面回
路によって構成されるフィルタに関するものである。

従来の技術 テレビの共同アンテナからの受信信号を、ＶＨＦ信号と
ＵＨＦ信号とに分離する際に、一般にバイパスフィルタ
及ヒローパヌフィルタよす成ル分波器をテレビ受信機の
アンテナ端に設けている。

最近、テレビ受信機の小形化にともなって、分波器も更
に小形な形状で、しかも、ｖＨＦ信号とＵＨＦ信号の分
離性能がよいものが要求されている。

以下に従来の平面回路で構成されるフィルタの一例とし
て、テレビ受信機用分波器の例を説明する。従来は第８
図に示されるような回路を用いていた。すなわち、ＵＨ
Ｆ信号が通過するフィルタ回路（以下ＵＨＦ回路とする
）ＳＯはキャパシタＣ５、低域通過用のインダクタＬ３
、インダクタＬ４及びキャパシタＣ４より成る並列共振
回路より構成されている。一方ＶＨＦ信号が通過するフ
ィルタ回路（以下ＶＨＦ回路とする）６１はインダクタ
Ｌ４、高域通過用のキャパシタＣ１、インダクタＬ２及
びキャパシタＣ２より成る並列共振回路より構成されて
いる。第９図は第８図における分波器の回路を平面回路
で構成したものを示しており、実公昭５５−５１０９公
報に記載されたものである。

基板中央部に入力端子が接続される金属薄膜３９（以下
薄膜とする）を形成し、ＶＨＦ回路部５１の上部にイン
ダクタＬ１を構成する帯状薄膜４ｏを、また下部にはイ
ンダクタＬ２及びキャパシタＣ２による並列共振回路を
構成する帯状薄膜４１を形成している。またキャパシタ
Ｃ１を構成するため、インダクタ薄膜４０及び薄膜４１
に接続される電極用薄膜４２と、ＶＨＦＨ２Ｏ量−ス側
出力端子が接続される薄膜４３を互いに重なるよう形成
している。ホット側出力端子が接続される薄膜４４ばＶ
ＨＦ回路部５１の左側角部に薄膜４１の一部と重なり合
うよう設けられている。

一方、ＵＨＦ回路部５ｏの左側には一部が薄膜３９に重
なシ合ってキャパシタＣ３を構成する電極用薄膜４５と
、薄膜４６に接続され、インダクタＬ３を構成する帯状
薄膜４６が形成されている。４了はアース側出力端子が
接続される薄膜で、薄膜４６の他端が接続されている。

また右側には薄膜４６に接続され、インダクタＬ４及び
キャパシタＣ４による並列共振回路を構成する帯状薄膜
４８が形成されている。ホット側出力端子が接続される
薄膜４９はＵＨＦ回路部５０の右側角部に薄膜４８の一
部が重なシ合うよう形成されている。ただし、インダク
タＬ２とキャパシタＣ２による並列共振回路、及びイン
ダクタＬ４とキャパシタＣ４による並列共振回路は、帯
状薄膜をループ状に形成し、基板の表裏で重ね合わせる
ことによシ、自己インダクタンス及び分布容量を利用し
て構成している。また本従来例では分波特性を劣化させ
ずに小形化するため、各素子間の浮遊容量による高周波
信号の抜けを防止するように、各素子の金属薄膜とは別
にシールド用薄膜６２及び５３を設けていた。また、絶
縁基板には厚さが２ｏ〜３０μのマイカ板を用いていた
。

一方、信号の分離性能を向上させるために、第１０図に
示すようにＶＨＦＨ２Ｏ量力端子３５゜３６間に高域通
過用のコンデンサ、Ｃ５を、またＵＨＦ回路の出力端子
３７．３８間に低域通過用のインダクタＬ５をそれぞれ
付加することが提案されている。

発明が解決しようとする問題点 以上のように構成される従来の分波器において、絶縁基
板にマイカを用いると基板を極めて薄く構成する事が出
来、特に隣接金属薄膜相互の浮遊容量を低減させる事が
出来る。しかし、マイカは主に海外（特にインド共和国
）からの輸入に頼っており、資源もとぼしく高価である
。この為、絶縁基板にセラミック等の安価な基板を用い
る事が望ましいが、例えばセラミックを用いた場合は薄
く加工する事が困難であり、厚さが増してしまい、各素
子間の浮遊容量及びインダクタのそれ自身に生じる分布
容量が大きくなり、分波特性が劣化する。または分波特
性を劣化させないためには各素子の構成密度を低くする
必要があるため全体を大きく構成する必要があった。一
方、信号の分離性能を向上させるために、第１０図に示
す回路を平面回路で構成した場合、ＵＨＦ回路部５０に
おいて主に遮断周波数以下の信号を通過させるインダク
タＬ３．　Ｌ５には分布容量が生じないようにする必要
があり、例えば第９図のように基板の表裏でずらせて配
置させる必要があるため、所要面積が必要以上に広くな
り、また基板上の必要面積はインダクタンスＬ３及びＬ
５の二つ分が必要であるため、全体の形状も大きくなる
という問題点があった。

本発明は以上の問題点に鑑みてなされたものであり、分
波特性の劣化を抑え、かつ小形化を可能にした平面回路
によるフィルタを実現する事を目的とする。

問題点を解決するだめの手段 以上の目的を達成するため、本発明は入力端子に続くキ
ャパシタとキャパシタの入力端子側と反対側に持続され
るインダクタを備える第１のフィルタと、入力端子に接
続される第２のインダクタを備える第２のフィルタを有
する平面回路において、絶縁基板上の２分された領域の
第１の領域に第１のフィルタを、第２の領域に第２のフ
ィルタをそれぞれ構成し、第１の領域と第２の領域との
間に入力端子を設け、入力端子に接続される第１の導電
性膜、少なくとも一部が第１の導電性膜に重なり合う第
２の導電性膜、第２の導電性膜に接続され、少なくとも
一部が第１の領域の第２の領域側に位置し、かつ他の部
分が第１の領域の周辺部に位置する第３の帯状の導電膜
を設け、第１の導電膜に接続し、少なくとも一部が第２
の領域の第１の領域側に位置するよう第４の帯状の導電
膜を設けた。

作用 以上のように導電性膜を配置する事によシ、第３の導電
性膜の一部と第４の導電性膜との間に生じる浮遊容量が
入力端子に接続されるキャパシタの一部となり、このキ
ャパシタの重なり面積を小さく出来るとともに、第３の
導電性膜を絶縁基板上の第１のフィルタ部の外周縁部に
設ける事により、第１のフィルタの他の導電性膜を被着
形成し得る領域を広くとる事が出来、他の導電性膜を第
３の導電性膜より離して形成する事が出来、または他の
導電性膜の例えば第１０図に示されるインダクタＬ３及
びＬ５を構成する導電性膜を広い領域に形成する事が出
来、これら自身に生ずる分布容量を低減させる事が出来
る。

実施例 以下、本発明におけるフィルタをテレビ受信機用分波器
に用いた場合の実施例を図面に基づいて説明する。第２
図に示される本実施例の回路のＵＨＦ回路６４において
、キャパシタＣ３は一方が入力端子３３に接続され、他
方はキャパシタＣ４及びインダクタＬ６の一端に接続さ
れる。キャパシダＣ４はインダクタＬ６及びＬ７の直列
回路に並列に接続されている。キャパシタＣ４とインダ
クタＬ６．　Ｌ７との並列回路は、キャパシタＣ３とホ
ット側出力端子３７との間に接続される。インダクタＬ
７はインダクタＬ６とＬ７の接続点とアース側ラインと
の間に接続される。

次にＶＨＦ回路５６について説明する。インダクタＬ１
は一方が入力端子３３に、他方がキャパシタＣ３及びイ
ンダクタＬ２よ構成る並列回路に接続されている。キャ
パシタＣ４はインダクタＬ１とキャパシタＣ２及びイン
ダクタＬ２の並列回路との接続点とアース側ラインとの
間に接続される。キャパシタＣ５はホット側出力端子３
６とアース側出力端子３θとの間に接続される。キャパ
シタＣ２及びインダクタＬ２より成る並列回路はキャパ
シタ０．のホット側とキャパシタＣ５のホット側との間
に接続される。

ただし、ＵＨＦ回路５４におけるインダクタＬ６゜Ｌ、
　、　Ｌ６よ構成るＴ形回路は、第１０図におけるＵＨ
Ｆ回路部のインダクタＬ３．Ｌ４．　Ｌ５ｊ　り成るπ
ｎＨ、Ｌ５＝　３０ｎＨ、まだ等価変換後はＬ６＝１１
ｎＨ。

Ｌ７＝５ｎＨ，Ｌ８−１７ｎＨ程度である。

本実施例における分波器は第１図に示すように絶縁基板
１の表面人及び裏面Ｂに銅または銀などの導電性金属薄
膜を印刷及び蒸着等の手段によυ被着形成して構成する
。基板１には比誘電率が３０〜７ｏの誘電体セラミック
スを用い、その大きさは横２３ｍｍ、縦ｅｍｍ、厚さ０
．３〜０．６ｍｍとする。

第１図において２は基板１の一方の長辺部中央に設けら
れるホット側入力端子、３は右側端部に設けられるＶＨ
Ｆ回路５５のホット側出力端子、４は入力端子２及び出
力端子３の間に設けられるＶＨＦ回路５５のアース側出
力端子、５は同長辺部の左側端部に設けられるＵＨＦ回
路５４のホット側出力端子、６は入力端子２及び出力端
子５の間に設けられるＵＨＦ回路６４のアース側出力端
子であり、これらは一端が二股に分割された金属片で、
二股部が基板１の金属膜部を挾み、金属膜に半田付けさ
れる事により電気的に接続されている。なお、アース側
入力端子はＵＨＦ又はＶＨＦ回路のアース側出力端子４
又は６と共用される。

以下に第１図に基づいて分波器のＵＨＦ回路部５４にお
ける金属薄膜（以下薄膜と略す）の配置について説明す
る。ただし第１図において表面に被着形成される薄膜の
輪郭は実線で示されており、一方裏面に被着形成される
薄膜の輪郭は破線で示され、裏面の薄膜部は斜線で示さ
れている。

７は入力端子２が接続される薄膜で、基板１の裏面で一
方の長辺部中央に形成される。薄膜８は薄膜７と重なり
合うよう表面に形成され、キャパシタＣ５の一方の電極
となる。すなわちキャパシタＣ５は薄膜７と薄膜８との
間に構成される。９は一端が薄膜８に接続され、一部が
ＵＨＦ回路部とＶＨＦ回路部を仕切るよう他方の長辺側
縁部まで直線状に伸び、その他はＵＨＦ回路部を囲むよ
う表面の縁部に沿って配置され、他端がＵＨＦ＠路のホ
ット側出力端子５付近に達するようループ状に形成され
た帯状薄膜である。

１ｏは裏面に薄膜９と重なり合うよう基板の縁部に沿っ
て配置される帯状薄膜で、一端は開放端で、他端は薄膜
１１に接続されている。薄膜１１は裏面の角部に形成さ
れ、ホット側出力端子５に接続される。１２は一端が薄
膜９の出力端子５に近い端部りに接続され、他端が薄膜
１Ｑの中間部Ｅに接続されるル−プ状の帯状薄膜である
。端部りより引き出された薄膜１２は表面の薄膜９に囲
まれる部分の左側面にループ状に形成され、スルーホー
ル１３を介して裏面に移り、さらに裏面において一部が
表面の薄膜１２と重なり合うようループ状に形成されて
薄膜１０の中間部Ｅに接続される。

１４は一端が薄膜１２の端部Ｆに接続され、他端が薄膜
１５に接続されて表面に形成される帯状薄膜である。薄
膜１４は薄膜１２側の一部がＳ字状に形成され、さらに
その他の部分はループ状に形成されており、薄膜９及び
薄膜１２に囲まれる部分に配置されている。薄膜１５は
アース側出力端子ｅが接続されている。なお、薄膜１４
の一端は、所定の特性を得るためには薄膜９に接続して
もよい。

次に、以上のように被着形成される薄膜の主な作用を説
明する。第２図におけるキャパシタＣ３は前記のとおり
主に端子膜７と電極膜８との静電容量で構成される。薄
膜１４はＳ字状部及びル−プ状部に形成される事により
第２図におけるインダクタＬ７の主要部インダクタＬ：
を構成する。また薄膜１４は途中に重なシ部が出来ない
よう表面のみに形成され、帯状の膜上に不要な分布容量
が生じるのを防いでいる。

一方、薄膜９，１０．１２は第２図におけるインダクタ
Ｌ６．　Ｌ６．　Ｌ、の一部及びキャパシタＣ４を構成
する。すなわち薄膜８から薄膜９を通って薄膜１２上の
端部Ｆに至るループによるインダクタをＬ！、端部より
薄膜１２及び薄膜１０の一部を通って薄膜１１に至るル
ープによるインダクタをＬ′Ｂ。

インダクタＬ１とインダクタＬ：との間に生じる相互イ
ンダクタをＭとすると、薄膜８．薄膜１１゜薄膜１５か
ら見た３端子回路は第３図に示されるような等何回路と
なる。第３図に示される回路を自己誘導結合回路に書き
改めると第４図に示される回路となり、インダクタＬ′
６と相互インダクタＭとを合成してインダクタＬ６、イ
ンダクタＬ；、ト相互インダクタＭとを合成してインダ
クタＬ８、インダクタＬ７と相互インダクタＭとを合成
してインダクタンスＬ７を構成する事が出来る。すなわ
ち第４図に示される回路は第５図に示すように書き改め
る事が出来、以上に説明した薄膜９，１０．１２によｆ
ｉ　Ｌ６．　Ｌ、、　Ｌ８　　より成るＴ形回路を構成
したことになる。なお本実施例では、インダクタＬ：に
対して相互インタリタＭは差動的となっているが、各線
状膜の配置が変わると、前動的にもなシ得る。

一方キャパシタ０４は薄膜９と薄膜１０との重なり部、
及び薄膜１２の重な９部に生じる分布容量を利用して構
成される。

次に第１図に基づいて本実施例における分波器の基板１
の右半面のＶ’ＨＦ回路部５５について説明する。１６
は一端が裏面の薄膜７に接続され、一部が薄膜部よシ薄
膜９に隣シ合うように伸び、その他はＶＨＦ回路部５５
の左側面にル−プ状に形成され、他端はスルーホー／ｌ
／１７１Ｌに至る帯状薄膜である。１８は一端がスルー
ホー／ｌ／１７ａを介して薄膜１６に接続され、薄膜１
６部と対向する表面に薄膜１６となるべく重ならないよ
うにループ状に形成され、他端部はＶＨＦ回路部中央に
一方の長辺側より各端子が設けられた長辺側へ直線状に
設置されてキャパシタＣ１の一方の電極を構成する薄膜
１９に接続される帯状薄膜である。薄膜１９は表面のｖ
Ｈｙ回路のアース側出力端子４付近に、アース側出力端
子４を避けるよう配置される。２Ｑは裏面に薄膜１９と
重なり合うよう設置され、アース側出力端子４が接続す
る薄膜である。ただし、薄膜２ｏは一部が薄膜１９部よ
り出力端子３側にはみ出しており、キャパシタＣ５を構
成すべく薄膜２９と重なり合っている。２１は薄膜２０
に接続され、裏面に薄膜１８の端部と重なり合うよう、
他方の長辺側へ直線状に設けられる帯状薄膜である。２
２は一端が薄膜１９に接続され、ＶＨＦ回路のホット側
呂力端子３の付近に配置され、他端がキャパシタＣ２の
一方の電極を構成する薄膜２３に接続される帯状薄膜で
ある。薄膜２３は表面の薄膜２２と薄膜２４の間に接続
され、ＶＨＦ回路部の短辺側に設けられ、２４は一端が
薄膜２３に接線され、表面におけるＶＨＦ回路部の右側
面にループ状に形成され、他端はヌルーホーノ１／２６
を介して裏面に続く帯状薄膜である。２６は一端がスル
ーホー／Ｖ２５を介して薄膜２４に接線され、裏面に一
部が薄膜２４及び薄膜２２と重なシ合うようループ状に
形成され、他端がキャパシタＣ２の他方の電極を構成す
る薄膜２７に接続される帯状薄膜である。薄膜２７は裏
面のＶＨＦ回路部の短辺側に、薄膜２３と重なり合うよ
うに形成されている。２８は裏面に形成され、薄膜２７
に接続され、ＶＨＦ回路のホット側呂力端子３が接続す
るホット側出力端子膜である。２９は表面に形成され、
出力端子３と接続し、一端が薄膜２０と重なシ合ってキ
ャパシタＣ５の一方の電極を構成する薄膜である。

次に、以上のようにＶＨＦ回路部に被着形成される金属
薄膜の主な作用を説明する。第２図に示淳れるインダク
タＬ１は薄膜１６及び薄膜１８のループ形状により構成
される。薄膜１６の一部はＵＨＦ回路部の薄膜９に隣υ
合っており、両者の間に生じる浮遊容量は等測的にキャ
パシタＣ５と並列に接続され、キャパシタＣ３の容量を
補っている。

また、薄膜１６及び１８を出来るだけ重ならないよう配
置して、インダクタＬ１上に生じる分布容量Ｃｏ１を低
減させている。もし、薄膜１６及び１８が接近している
と分布容量Ｃ８１が大きくなり、ＶＨＦ回路の減衰特性
は第６図に示されるにＶＨＦ回路の特性曲線ｖ２上のイ
ンダクタＬ１と分布容量Ｃｏ１　との共振による極点Ｐ
２が主にインダクタＬ２とキャパシタＣ２の共振による
極点Ｐ、に接近して破線Ｖ、で示されるよう減衰領域で
の減衰量が低下し、またＵＨＦ回路の特性曲線Ｕ２に示
される特性から破線円に示される特性となシ、通過領域
での挿入損失が増加してしまう。本実施例ではこのよう
な特性の劣化を防ぐように薄膜１６と１８を接続させる
ためのスルーホー／ｌ／１７＆をインダクタＬ１が置か
れる入力端子２と出力端子４との中間部に設け、薄膜１
６と薄膜１８とが出来るだけ重なり合わないようにした
。

キャパシタＣ１は主に薄膜１９と薄膜２Ｑとの重なシ部
に生じる静電容量で構成され、また薄膜１８の薄膜１９
側に接続される側の端部と、端子膜２０に接続される薄
膜２１との重なり部に生じる静電容量がキャパシタＣ１
の一部となっている。一方、薄膜２０と接続される薄膜
２１は裏面において薄膜１６側と薄膜２６側の間に両者
を仕切るよう配置されるため、例えばインダクタＬ１と
、薄膜２４．２６によシ構成されるインダクタＬ２をシ
ールドするシールド作用を有している。つまシ、薄膜２
１を設ける事により、所要面積を増加させる事なく、キ
ャパシタＣ４の容量を増加させると共にシールド作用に
より浮遊容量による信号の通り抜けを防止する事が出来
、分波特性を改善させる事が出来る。インダクタＬ２は
主に薄膜２２よシ薄膜２３を介し、薄膜２４を通シ、薄
膜２６の終端部にわたるループ形状部により構成される
。一方、インダクタＬ２と並列に設けられるキャパシタ
Ｃ２は主に前記のごとく薄膜２３と薄膜２７との間に生
じる静電容量と、これに加えて薄膜２６と薄膜２２．２
４との重な９部に生じる静電容量により構成される。キ
ャパシタＣ５は前記のごとく薄膜２゜と薄膜２９との重
な９部により構成される。キャパシタＣ５の値は、容量
結合等によって出力端子のホット側とアース側との間に
特に高域側信号を分流させる程度であって、キャパシタ
Ｃ１よシ小さな値でよいので、キャパシタＣ５の所要面
積はあまシ必要としない。

以上のように構成される本実施例における分波器は第１
０図に示される回路のＵＨＦ回路側の一部を、第２図に
示されるよう等価変換して各インダクタの必要な値を小
さくした事によシ、所定の値のインダクタを構成するの
に必要な帯状薄膜のループの大きさ及び巻数を減らす事
が出来、かつ遮断周波数以下の信号をホット側からアー
ス側へ通過させるインダクタ（例えば第１０図に示され
るり、、　Ｌ５．　　第２図に示されるＬ７）の数を１
つにする事が出来、このインダクタに生じる分布容量の
影響を低減させる事が出来るため、分波特性を劣化させ
ずに分波器を小形化させる事が出来る。その上、インダ
クタＬ６を構成する薄膜９を一部がＶＨＦ回路部側に隣
シ合うように、またその他は基板１の縁部に沿うよう配
置し、薄膜９に囲まれる部分にインダクタＬ７を構成す
る薄膜１４及び薄膜１６を配置する事によシ、薄膜１４
を設置し得る領域を広くする事が出来、インダクタＬ６
及びＬ８を構成する薄膜（例えば薄膜９及び１２）と薄
膜１４との間の浮遊容量を低減させ、まだ薄膜１４自体
に生じる分布容量を低減させるよう構成する事が出来る
。また薄膜９の一部はＵＨＦ回路部とＶＨＦ回路部との
シールド作用を有しており、例えば薄膜１４とＶＨＦ回
路部の薄膜１８の間の浮遊容量による信号の通過を防止
する事が出来、分波特性を向上させる事が出来る。また
インダクタＬ６及びＬ８を連続したループ状の帯状薄膜
を、基板の表裏で重ねて構成した事により、相互インダ
クタＭによる相互誘導結合が生じ、この相互インダクタ
ＭがインダクタＬ６及びＬ８の一部となるだめ、・　こ
れらインダクタＬ６．Ｌ８を構成するル−プ状の帯状薄
膜の必要面積を小さくする事が出来る。

一方ＶＨＦ回路部において、インダクタＬ、を構成する
薄膜１８の一端部と重なシ合うよう裏面に薄膜２０に接
続される薄膜２１を設けた事により、キャパシタＣ１の
容量の一部を構成出来るとともに、例えば薄膜１６と薄
膜２６とをシールドする事が出来、分波特性を劣化させ
る事なくそれぞれの薄膜を接近させる事が出来るため、
全体を小形化する事が出来る。

以上のように本実施例における分波器は、分波特性を劣
化させる事なく、全体を小形化する事が出来、また分波
特性を劣化させる事なく安価な誘電体セラミックスを絶
縁基板を用いる事が出来る。

次に本実施例に用いる絶縁基板について説明する。第７
図に示すよう、セラミック材料を縦幅ｈ”１２ｍｍ、横
幅Ｗ　＝　２３　ｍＷ　＋厚さｄ　＝　ｏ、３ｍｍ　〜
ｏ、ｅｍｍの板状に形成し、横方向の中心線に沿って基
板１ａと基板１ｂに分割出来るよう切り込み部３１を設
け、切り込み部３１について対称で、６つ基板１ａ及び
基板１ｂに共通な中心線６にっいて対称となるように、
スルーホール１３，１了ａ。

１７ｂ　、２５を設ける。分波器はこのように構成され
るセラミック基板を治具等によシ固定して、基板１ａ及
び１ｂに第１図に示されるよう金属薄膜を被着形成し、
また各入出力端子を接続し、その後切シ込み部３１に沿
って分割して作られる。

導体パターンは第１図に示すようにスルーホール１３　
、１７ａ　、　２６のみを用いて被着形成されるため、
スルーホール１了すは使用されていない。

つまシ、ヌル−ホール ては使用されないが、基板の表裏を逆転させた状、態で
はスルーホー／ｌ／１７ｂが使用され、スルーホール１
７１Ｌは使用されない事となる。

以上のように絶縁基板を構成することにょシ、分波器２
個分の金属膜を一度に形成する事が出来、製造コストを
低減させる事が出来る。また基板に左右及び表裏の区別
なく金属膜を形成する事が出来るため、能率よく作業す
る事が出来る。

発明の効果 以上のように本発明は、第１のフィルタ部の第３の導電
性膜の一部と第２のフィルタ部の第４の導電性膜の一部
が隣り合うように被着形成し、第３の導電性膜を第１の
フィルタの他の素子を囲むよう配置する事によシ、浮遊
容量及び分布容量を低減させて、分波特性を劣化させる
事なく全体を小形化する事が出来る。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の第１の実施例におけるフィルタの平面
図、第２図は同フィルタの等何回略図、第３図は同フィ
ルタの要部等価回路図、第４図は同フィルタの第３図に
示される回路を等価変換した等何回略図、第５図は同フ
ィルタの第４図に示される回路の等何回略図、第６図は
同分波器の周波数特性図、第７図は同フィルタに用いる
絶縁基板の平面図、第８図は従来のフィｌレタの等何回
略図、第９図は従来のフィルタの平面図、第１０図は従
来のフィルタの等何回略図である。 １・・・・・絶縁基板、２・・・・・・ホット側入力端
子、７゜８．９．１６・・・・・・金属薄膜、６４・・
・・・・ＵＨＦ回路部、５５・・・・・・ＶＨＦ回路部
。 第　１　図 第　２　図 第３図 第６図 周速取−→ 第８図 第９図 第１０図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 　入力端子に続くキャパシタと少なくとも上記キャパシ
   タの入力端子と反対側に第１のインダクタを備える第１
   のフィルタと、入力端子に続く第２のインダクタを備え
   る第２のフィルタを有する回路を絶縁基板の２分された
   領域にそれぞれ基板の表裏に導電性膜を被着して構成し
   、上記絶縁基板の第１のフィルタが構成される第１の領
   域と第２のフィルタが構成される第２の領域の間に入力
   端子を設け、上記入力端子付近に上記入力端子に接続さ
   れる第１の導電性膜を設け、上記絶縁基板上の上記第１
   の導電性膜に対向する面に少なくとも一部が第１の導電
   性膜に重なり合う第２の導電性膜を設け、第２の導電性
   膜に接続され、主に第１のインダクタを構成する第３の
   帯状導電膜を、少なくとも一部が第１の領域の第２の領
   域側に位置するよう、残りの部分は第１の領域の周辺部
   に位置するように設け、第１の導電性膜に接続され主に
   第２のインダクタを構成する第４の帯状導電性膜を少な
   くとも一部が第２の領域の第１の領域側に位置するよう
   設けた事を特徴とするフィルタ。