JPS61256775A - 高周波用誘電体磁器組成物 - Google Patents
高周波用誘電体磁器組成物Info
- Publication number
- JPS61256775A JPS61256775A JP60100231A JP10023185A JPS61256775A JP S61256775 A JPS61256775 A JP S61256775A JP 60100231 A JP60100231 A JP 60100231A JP 10023185 A JP10023185 A JP 10023185A JP S61256775 A JPS61256775 A JP S61256775A
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- Inorganic Insulating Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、マイクロ波やミリ波等の高周波領域におい
て高誘電率で高いQ値を有する高周波用誘電体磁器組成
物に関する。
て高誘電率で高いQ値を有する高周波用誘電体磁器組成
物に関する。
マイクロ波やミリ波等の高周波領域において、誘電体磁
器は誘電体共振器やMIC用誘電体基板等に広く利用さ
れている。
器は誘電体共振器やMIC用誘電体基板等に広く利用さ
れている。
従来、この種の誘電体磁器として例えばTi02−Zr
Oz−3nO,−ZnO−NiO系の材料が知られてい
る(特公昭55−34526号公@)。
Oz−3nO,−ZnO−NiO系の材料が知られてい
る(特公昭55−34526号公@)。
しかしながら上記材料のQ値は、IGHzで25000
.4GHzで12O00.7GHzで7000のレベル
であった。そのため、例えば低い周波数(例えば800
MH’z)でハイパワーの回路の誘電体共振器等に使用
しようとしても、発熱が大きくて温度不安定となって使
用することはできない。また、4GHzや10GHz近
辺の誘電体共振器としてもQ値が低くて使用することが
できない場合がある。
.4GHzで12O00.7GHzで7000のレベル
であった。そのため、例えば低い周波数(例えば800
MH’z)でハイパワーの回路の誘電体共振器等に使用
しようとしても、発熱が大きくて温度不安定となって使
用することはできない。また、4GHzや10GHz近
辺の誘電体共振器としてもQ値が低くて使用することが
できない場合がある。
そこで、TiO’t −ZrOz 5nOz −Zn
O−NiO系材料のZnOまたはNiOの代わりにT
a z Osを添加することによってQ値の改善を図っ
た高周波用誘電体磁器組成物が、特開昭58−5140
6号公報及び特開昭58−217465号公報にそれぞ
れ提案されている。前者における誘電体磁器組成物は、
Ti0z 22〜43重量%、ZrO238〜58重量
%、Snow 9〜26重量%を主成分としてこれにZ
nOを7重量%以下、T a z Osを5重量%以下
添加したものであり、後者のそれは、前者のZnoO代
わりにNiOを10重量%以下添加したものである。
O−NiO系材料のZnOまたはNiOの代わりにT
a z Osを添加することによってQ値の改善を図っ
た高周波用誘電体磁器組成物が、特開昭58−5140
6号公報及び特開昭58−217465号公報にそれぞ
れ提案されている。前者における誘電体磁器組成物は、
Ti0z 22〜43重量%、ZrO238〜58重量
%、Snow 9〜26重量%を主成分としてこれにZ
nOを7重量%以下、T a z Osを5重量%以下
添加したものであり、後者のそれは、前者のZnoO代
わりにNiOを10重量%以下添加したものである。
上記公報開示の材料においては、Q値は改善されるもの
のそれでも7GHzにおいて8000程度止まりである
。また焼結性に更に改善の余地がある。
のそれでも7GHzにおいて8000程度止まりである
。また焼結性に更に改善の余地がある。
したがってこの発明は、更にQ値及び焼結性の改善を図
った高周波用誘電体磁器組成物を提供することを目的と
する。
った高周波用誘電体磁器組成物を提供することを目的と
する。
この発明の高周波用誘電体磁器組成物は、Ti0222
〜33重量−2ZrOz 38〜58重量%、Snow
9〜26重量%を主成分とし、これにZnOを7重量
%以下、NiOを10重量%以下、Ta2O5を7重量
%以下添加含有してなるものである。
〜33重量−2ZrOz 38〜58重量%、Snow
9〜26重量%を主成分とし、これにZnOを7重量
%以下、NiOを10重量%以下、Ta2O5を7重量
%以下添加含有してなるものである。
上記した組成範囲に限定した理由は次のとおりである。
即ち、TiO2が22重量%未満では誘電率(ε)が低
下し、43重重景を越えると誘電率の温度係数(TC)
が+側で大きくなり過ぎる。
下し、43重重景を越えると誘電率の温度係数(TC)
が+側で大きくなり過ぎる。
またZrO□が38重量%未満になり、あるいは58重
量%を越えると誘電率の温度係数(TC)が+側で大き
くなり過ぎる。またSnO□が9重量%未満では誘電率
の温度係数(TC)が+側で大きくなり過ぎると共にQ
が低下し、26重量%を越えると誘電率の温度係数(T
C)が−側で大きくなり過ぎる。
量%を越えると誘電率の温度係数(TC)が+側で大き
くなり過ぎる。またSnO□が9重量%未満では誘電率
の温度係数(TC)が+側で大きくなり過ぎると共にQ
が低下し、26重量%を越えると誘電率の温度係数(T
C)が−側で大きくなり過ぎる。
次に添加物の内、ZnOが7重量%を越えると誘電率及
びQが低下し、NiOが10重量%を越える、あるいは
Ta、05が7重量%を越えるとQが低下し、いずれも
実用に供さなくなる。
びQが低下し、NiOが10重量%を越える、あるいは
Ta、05が7重量%を越えるとQが低下し、いずれも
実用に供さなくなる。
以下、この発明を実施例に従って詳述する。
原料として高純度のTi0z 、Zr0z 、Snug
、ZnO1N i O、T a z O5を用い、第1
表の組成比率の磁器が得られるように秤量し、16時時
間式混合した。次いで脱水、乾燥し、得られた混合原料
を2500 Kg /cm”の圧力で直径12mm、厚
み61の円板に成形した。引続き成形物を自然雰囲気中
1350〜1450℃の温度で4時間焼成して磁器試料
を得た。
、ZnO1N i O、T a z O5を用い、第1
表の組成比率の磁器が得られるように秤量し、16時時
間式混合した。次いで脱水、乾燥し、得られた混合原料
を2500 Kg /cm”の圧力で直径12mm、厚
み61の円板に成形した。引続き成形物を自然雰囲気中
1350〜1450℃の温度で4時間焼成して磁器試料
を得た。
各磁器試料について25℃、7GHzにおける誘電率(
ε)、Q及び共振周波数の温度係数(TC)の各電気的
特性を測定し、その結果を第1表に表した。
ε)、Q及び共振周波数の温度係数(TC)の各電気的
特性を測定し、その結果を第1表に表した。
第1表中*印はこの発明の範囲外のものであり、それ以
外は全てこの発明の範囲内のものである。
外は全てこの発明の範囲内のものである。
(以下余白)
第1表の誘電率(ε)とQの値は誘電体共振法により測
定したものである。またTCは共振周波数(fo)の温
度変化率を表したもので、測定は+25℃〜+85℃の
温度範囲で測定した。
定したものである。またTCは共振周波数(fo)の温
度変化率を表したもので、測定は+25℃〜+85℃の
温度範囲で測定した。
共振周波数(fo)の温度変化率(TC(f。
)〕は次式より求めたもので、誘電率(ε)の温度変化
率(TC(ε)〕と温度変化による磁器の線膨張率(α
)とからなっている。
率(TC(ε)〕と温度変化による磁器の線膨張率(α
)とからなっている。
’rc (fo ) =%TC(ε)−αまた、試料番
号16について結晶粒径及び抗折強度を測定したところ
、結晶粒径5〜10μm、抗折強度12O0 Kg /
cm!であり、Ta2O,を含有させることによって結
晶粒径が小さく、強度の大きい磁器が得られている。
号16について結晶粒径及び抗折強度を測定したところ
、結晶粒径5〜10μm、抗折強度12O0 Kg /
cm!であり、Ta2O,を含有させることによって結
晶粒径が小さく、強度の大きい磁器が得られている。
尚、試料番号14.23については焼結が不可能であっ
たため、電気的特性の測定は行わなかった。
たため、電気的特性の測定は行わなかった。
比較のために、この発明にかかる試料番号16のものと
、従来例のTie、−ZrO,−3nO,−ZnO−N
iO系のものについて、Qと周波数との関係を図面に示
した。
、従来例のTie、−ZrO,−3nO,−ZnO−N
iO系のものについて、Qと周波数との関係を図面に示
した。
なお、Ti0z ZrO2Snug −ZnO−N
iO系の組成は次のものからなる。TiO□ :38重
量%、Zr0t:48重量%、SnO,:14重量%か
らなる主成分に、ZnO:1.0重量%、NiO:0.
5重量%加えたもの。
iO系の組成は次のものからなる。TiO□ :38重
量%、Zr0t:48重量%、SnO,:14重量%か
らなる主成分に、ZnO:1.0重量%、NiO:0.
5重量%加えたもの。
図から明らかなように、この発明によるものは低い周波
数になるほどQの改善効果が大きい。
数になるほどQの改善効果が大きい。
上述した実施例から明らかなようにこの発明においては
、添加物をZZno−N1O−Ta’sの3成分とする
ことにより、焼結性は安定し、かつ高Qのものが得られ
た。例えばQ値は、7GHz、TC″=−0で9000
と、従来にない大きな値が得られた。
、添加物をZZno−N1O−Ta’sの3成分とする
ことにより、焼結性は安定し、かつ高Qのものが得られ
た。例えばQ値は、7GHz、TC″=−0で9000
と、従来にない大きな値が得られた。
つまりこの発明の材料においては、結晶粒子が従来のも
のに比べて小さくかつ大きさが均一になっており、上記
添加物系は結晶成長を均一に・、かつ結晶内の格子不整
の生成を抑制する効果を持っている。
のに比べて小さくかつ大きさが均一になっており、上記
添加物系は結晶成長を均一に・、かつ結晶内の格子不整
の生成を抑制する効果を持っている。
またこの発明の材料では、低い周波数になるほどQの改
善効果が大きい。これは、低い周波数になるほどユニッ
トが大型になるが、上記添加物系によって焼結性が改善
されて大型ユニットも均一に焼結したためである。例え
ば、この発明の材料のQ値は、IGHzで40000.
4GHzで17000.7GHzで9000となってお
り、これは上述した従来のTie、−ZrO,−3nO
g −ZnO−NiO系材料のQ値に比べて、それぞれ
の周波数において60%増、42%増及び29%増とな
っている。
善効果が大きい。これは、低い周波数になるほどユニッ
トが大型になるが、上記添加物系によって焼結性が改善
されて大型ユニットも均一に焼結したためである。例え
ば、この発明の材料のQ値は、IGHzで40000.
4GHzで17000.7GHzで9000となってお
り、これは上述した従来のTie、−ZrO,−3nO
g −ZnO−NiO系材料のQ値に比べて、それぞれ
の周波数において60%増、42%増及び29%増とな
っている。
それゆえこの発明によれば、例えば自動車電話の基地局
チャンネルフィルタ用誘電体共振器等の低周波数(例え
ば800MHz)で高パワーの分野への用途が拡大する
。また、4GHz、l0GHzの衛星放送用誘電体共振
器等の高い周波数領域においても、これまでの超高Q材
に比べればQは小さいものの、誘電率(感)が38と大
きいため、これまで使用できなかった分野への用途の拡
大も期待できる。
チャンネルフィルタ用誘電体共振器等の低周波数(例え
ば800MHz)で高パワーの分野への用途が拡大する
。また、4GHz、l0GHzの衛星放送用誘電体共振
器等の高い周波数領域においても、これまでの超高Q材
に比べればQは小さいものの、誘電率(感)が38と大
きいため、これまで使用できなかった分野への用途の拡
大も期待できる。
図面は、この発明の実施例にかかる材料(試料番号16
)と、従来例のT i Oz Z r Ot S
n OzZnO−NtO系材料のQと周波数の関係を示
す図である。
)と、従来例のT i Oz Z r Ot S
n OzZnO−NtO系材料のQと周波数の関係を示
す図である。
Claims (1)
- (1)TiO_222〜43重量%、ZrO_238〜
58重量%、SnO_29〜26重量%を主成分とし、
これにZnOを7重量%以下、NiOを10重量%以下
、Ta_2O_5を7重量%以下添加含有してなる高周
波用誘電体磁器組成物。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60100231A JPS61256775A (ja) | 1985-05-10 | 1985-05-10 | 高周波用誘電体磁器組成物 |
US06/861,239 US4665041A (en) | 1985-05-10 | 1986-05-08 | Dielectric ceramic composition for high frequencies |
DE19863615785 DE3615785A1 (de) | 1985-05-10 | 1986-05-10 | Dielektrische keramische zusammensetzung fuer hohe frequenzen |
FR868606762A FR2581639B1 (fr) | 1985-05-10 | 1986-05-12 | Composition ceramique dielectrique pour hautes frequences |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60100231A JPS61256775A (ja) | 1985-05-10 | 1985-05-10 | 高周波用誘電体磁器組成物 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS61256775A true JPS61256775A (ja) | 1986-11-14 |
JPH0459267B2 JPH0459267B2 (ja) | 1992-09-21 |
Family
ID=14268499
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP60100231A Granted JPS61256775A (ja) | 1985-05-10 | 1985-05-10 | 高周波用誘電体磁器組成物 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS61256775A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06295619A (ja) * | 1992-09-10 | 1994-10-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 誘電体磁器及び誘電体共振器 |
US6649553B2 (en) | 2001-04-12 | 2003-11-18 | Murata Manufacturing Co. Ltd. | Dielectric ceramic composition, dielectric ceramic compact and electronic component including the same |
CN114773056A (zh) * | 2022-05-11 | 2022-07-22 | 丽智电子(南通)有限公司 | 一种npo mlcc用陶瓷材料的助烧剂、陶瓷材料及制备方法 |
-
1985
- 1985-05-10 JP JP60100231A patent/JPS61256775A/ja active Granted
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06295619A (ja) * | 1992-09-10 | 1994-10-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 誘電体磁器及び誘電体共振器 |
JP2768455B2 (ja) * | 1992-09-10 | 1998-06-25 | 松下電器産業株式会社 | 誘電体磁器及び誘電体共振器 |
US6649553B2 (en) | 2001-04-12 | 2003-11-18 | Murata Manufacturing Co. Ltd. | Dielectric ceramic composition, dielectric ceramic compact and electronic component including the same |
CN114773056A (zh) * | 2022-05-11 | 2022-07-22 | 丽智电子(南通)有限公司 | 一种npo mlcc用陶瓷材料的助烧剂、陶瓷材料及制备方法 |
CN114773056B (zh) * | 2022-05-11 | 2023-03-24 | 丽智电子(南通)有限公司 | 一种npo mlcc用陶瓷材料的助烧剂、陶瓷材料及制备方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0459267B2 (ja) | 1992-09-21 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
EXPY | Cancellation because of completion of term |