JPS6125324Y2 - - Google Patents

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JPS6125324Y2
JPS6125324Y2 JP14989779U JP14989779U JPS6125324Y2 JP S6125324 Y2 JPS6125324 Y2 JP S6125324Y2 JP 14989779 U JP14989779 U JP 14989779U JP 14989779 U JP14989779 U JP 14989779U JP S6125324 Y2 JPS6125324 Y2 JP S6125324Y2
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Description

【考案の詳細な説明】 この考案は電力用トランジスタを通じて負荷に
電流を供給し、その電力用トランジスタを、駆動
用トランジスタを導通、不導通制御することによ
つて導通、不導通して負荷への電流の供給を制御
するようにされた電力用トランジスタ駆動回路に
関し、特に負荷が短絡された際に電力用トランジ
スタの破壊を防止しようとするものである。
[Detailed description of the invention] This invention supplies current to the load through a power transistor, and controls the driving transistor to conduct or disconduct, thereby making the power transistor conductive or nonconductive. The present invention relates to a power transistor drive circuit configured to control the supply of current, and is particularly intended to prevent damage to the power transistor when a load is short-circuited.

従来の電力用トランジスタ駆動回路はその電力
用トランジスタとしてPNP型のものを使用する場
合は、第1図に示すように正の電源端子11に電
力用トランジスタ12のエミツタが接続され、コ
レクタは負荷13を通じて接地される。一方、入
力端子14よりの制御信号は抵抗器15を通じて
駆動用トランジスタ16のベースに供給される。
In a conventional power transistor drive circuit, when a PNP type power transistor is used as the power transistor, the emitter of the power transistor 12 is connected to the positive power supply terminal 11 as shown in FIG. 1, and the collector is connected to the load 13. grounded through. On the other hand, the control signal from the input terminal 14 is supplied to the base of the driving transistor 16 through the resistor 15.

駆動用NPN型トランジスタ16の出力はトラ
ンジスタ17で更に増幅されるようにした場合
で、トランジスタ16のエミツタはトランジスタ
17のベースに接続され、トランジスタ16,1
7のコレクタは互に接続され、更に抵抗器18を
通じて電力用トランジスタ12のベースに接続さ
れ、トランジスタ17のエミツタは接地される。
The output of the driving NPN type transistor 16 is further amplified by the transistor 17, and the emitter of the transistor 16 is connected to the base of the transistor 17, and the transistors 16, 1
The collectors of transistors 7 and 7 are connected together and further connected to the base of power transistor 12 through resistor 18, and the emitter of transistor 17 is grounded.

入力端子14の制御信号が高レベルになるとト
ランジスタ16,17が導通し、このため電力用
トランジスタ12が導通して負荷13へ電流が供
給される。このような駆動回路において負荷13
が短絡されると電力用トランジスタ12に過大電
力が流れてトランジスタ12が破壊される。
When the control signal at the input terminal 14 goes high, the transistors 16 and 17 become conductive, which causes the power transistor 12 to conduct and supply current to the load 13. In such a drive circuit, the load 13
When the power transistor 12 is short-circuited, excessive power flows to the power transistor 12 and the transistor 12 is destroyed.

電力用トランジスタ12としてNPN型を用い
た場合は第2図に示すように電力用トランジスタ
12のコレクタが負荷13を通じて電源端子11
に接続され、エミツタが接地される駆動用トラン
ジスタ13のエミツタは電力用トランジスタ12
のベースに接続され、コレクタは抵抗器18を通
じて電源端子11に接続される。その他は第1図
の場合と同様である。
When an NPN type is used as the power transistor 12, the collector of the power transistor 12 is connected to the power supply terminal 11 through the load 13, as shown in FIG.
The emitter of the driving transistor 13, which is connected to the power transistor 12 and whose emitter is grounded, is connected to the power transistor 12.
The collector is connected to the power supply terminal 11 through a resistor 18. The rest is the same as in the case of FIG.

この場合も端子14に与えられる制御信号が高
レベルになるとトランジスタ16,17が導通し
て電力用トランジスタ12のベースに電流が供給
され、このトランジスタ12が導通して負荷13
に電流が供給される。
In this case as well, when the control signal applied to the terminal 14 becomes high level, the transistors 16 and 17 become conductive and a current is supplied to the base of the power transistor 12, and this transistor 12 becomes conductive and the load 13
Current is supplied to

この場合も負荷13が短絡するとトランジスタ
12に過電流が流れてトランジスタ12が破壊す
るおそれがあつた。
In this case as well, if the load 13 was short-circuited, an overcurrent would flow through the transistor 12 and there was a risk that the transistor 12 would be destroyed.

この考案は電力用トランジスタを通じて負荷の
電流を供給するトランジスタ駆動回路において負
荷が短絡された際に電力用トランジスタが破壊し
ないように保護回路を設けることを目的とするも
のである。
The purpose of this invention is to provide a protection circuit in a transistor drive circuit that supplies current to a load through a power transistor to prevent the power transistor from being destroyed when the load is short-circuited.

この考案によれば電力用トランジスタと負荷と
の接続点に保護用トランジスタのベースを接続し
て負荷が短絡されるとその電位変化を保護用トラ
ンジスタで検出してその保護用トランジスタが導
通し、これにより駆動トランジスタのベースが不
導通になるように制御する。更に駆動する際にそ
の保護用トランジスタが導通状態になつているた
め駆動用トランジスタのベースにコンデンサを通
じて制御信号を与えて保護用トランジスタの導通
に拘わらず駆動用トランジスタを制御することが
できるようにされる。
According to this invention, the base of a protection transistor is connected to the connection point between the power transistor and the load, and when the load is short-circuited, the protection transistor detects the potential change and the protection transistor becomes conductive. The base of the drive transistor is controlled to be non-conductive. Furthermore, since the protection transistor is in a conductive state when driving, a control signal can be applied to the base of the drive transistor through a capacitor to control the drive transistor regardless of whether the protection transistor is conductive. Ru.

第3図は電力用トランジスタとしてPNP型を使
用した場合で第1図と対応する部分に同一符号を
付けて示すが、この考案においては制御入力端子
14と駆動用トランジスタ16のベースとはダイ
オード21,22の直列回路を通じて接続され
る。その場合ダイオード21,22は互に逆極性
とされ、トランジスタ16側のダイオード22は
そのトランジスタ16のベースエミツタ間と順方
向となるようにされる。又ダイオード21,22
間には抵抗器23が直列に接続され、ダイオード
22と直列にダイオード24が順方向にトランジ
スタ16側において接続されている。
FIG. 3 shows a case where a PNP type is used as a power transistor, and parts corresponding to those in FIG. , 22 are connected through a series circuit. In this case, the diodes 21 and 22 have opposite polarities, and the diode 22 on the transistor 16 side is arranged in the forward direction between the base and emitter of the transistor 16. Also, diodes 21, 22
A resistor 23 is connected in series therebetween, and a diode 24 is connected in series with the diode 22 in the forward direction on the transistor 16 side.

ダイオード21及び抵抗器23の接続点は抵抗
器25を通じて駆動用電源端子26に接続され
る。
A connection point between the diode 21 and the resistor 23 is connected to a driving power supply terminal 26 through a resistor 25.

ダイオード21,22の直列回路と並列に起動
用コンデンサ27が接続される。即ち起動用コン
デンサ27の一端は入力端子14に、他端はトラ
ンジスタ16のベースに接続される。更に保護用
トランジスタ28が設けられ、この図においては
保護用トランジスタ28はPNP型であつてそのエ
ミツタはダイオード21及び抵抗器23の接続点
に接続され、コレクタは接地され、ベースはダイ
オード29を通じて電力用トランジスタ12及び
負荷13の接続点に接続される。ダイオード29
は保護用トランジスタ28のベースエミツタと順
方向となる極性とされる。
A starting capacitor 27 is connected in parallel with the series circuit of diodes 21 and 22. That is, one end of the starting capacitor 27 is connected to the input terminal 14, and the other end is connected to the base of the transistor 16. Furthermore, a protection transistor 28 is provided, and in this figure, the protection transistor 28 is of the PNP type, and its emitter is connected to the connection point of the diode 21 and the resistor 23, its collector is grounded, and its base receives power through the diode 29. It is connected to the connection point between the load transistor 12 and the load 13 . diode 29
has a polarity that is in the forward direction with respect to the base emitter of the protection transistor 28.

この構成において負荷13に電流を供給してい
ない状態においては負荷13を通じて保護用トラ
ンジスタ28のベースは接地電位となつているた
め保護用トランジスタ28は導通状態にある。従
つて電源26より抵抗器25を通じる電流はトラ
ンジスタ28側に流れ、トランジスタ16のベー
スへ電流は供給されず、トランジスタ16,17
は不導通状態になつている。
In this configuration, when no current is being supplied to the load 13, the base of the protection transistor 28 is at ground potential through the load 13, so the protection transistor 28 is in a conductive state. Therefore, the current from the power supply 26 through the resistor 25 flows to the transistor 28 side, and no current is supplied to the base of the transistor 16, and the transistors 16 and 17
is in a non-conducting state.

この状態で入力端子14に制御信号が与えられ
て高レベルとなるとコンデンサ27に対し充電電
流が流れ、トランジスタ16にベース電流が供給
される。従つてトランジスタ16,17が導通し
電力用トランジスタ12のベース電位が下り、こ
のトランジスタ12が導通し、負荷13に電流を
供給する。これによりトランジスタ12のコレク
タ電位が上昇して保護用トランジスタ28のベー
ス電位が上り、トランジスタ28は不導通とな
る。
In this state, when a control signal is applied to the input terminal 14 and becomes high level, a charging current flows to the capacitor 27, and a base current is supplied to the transistor 16. Therefore, transistors 16 and 17 become conductive, and the base potential of power transistor 12 drops, and transistor 12 becomes conductive, supplying current to load 13. As a result, the collector potential of the transistor 12 rises, the base potential of the protection transistor 28 rises, and the transistor 28 becomes non-conductive.

従つて駆動用電源端子26より抵抗器25,2
3,ダイオード22,24を通じてトランジスタ
16にベース電流が供給されてトランジスタ1
6,17の導通状態が保持される。
Therefore, the resistors 25, 2 are connected to the driving power supply terminal 26.
3. The base current is supplied to the transistor 16 through the diodes 22 and 24, and the transistor 1
6 and 17 are maintained in a conductive state.

入力端子14が低レベルになると駆動用電源端
子26より抵抗器25、ダイオード21、入力端
子14を通じて電流が流れ、ダイオード21及び
抵抗器23の接続点の電位が低下し、トランジス
タ16側への電流がダイオード21側に切替えら
れてトランジスタ16,17が不導通となり、電
力用トランジスタ12も不導通となる。
When the input terminal 14 becomes a low level, a current flows from the driving power supply terminal 26 through the resistor 25, the diode 21, and the input terminal 14, the potential at the connection point of the diode 21 and the resistor 23 decreases, and the current flows to the transistor 16 side. is switched to the diode 21 side, transistors 16 and 17 become non-conductive, and power transistor 12 also becomes non-conductive.

負荷13に電流を供給している状態において負
荷13が短絡されると保護用トランジスタ28の
ベース電位が低下して保護用トランジスタ28が
導通し、この電流は抵抗器25を通じて流れ、抵
抗器23及びダイオード21の接続点の電位が下
り、つまりトランジスタ16のベース電位が下つ
てトランジスタ16,17に対するベース電流が
供給されなくなり、これ等トランジスタ16,1
7は不導通となる。従つて電力用トランジスタ1
2も不導通となり、トランジスタ12に過大電流
が流れ続けることが避けられる。
When the load 13 is short-circuited while current is being supplied to the load 13, the base potential of the protection transistor 28 decreases and the protection transistor 28 becomes conductive, and this current flows through the resistor 25, and the resistor 23 and The potential at the connection point of the diode 21 decreases, that is, the base potential of the transistor 16 decreases, and base current is no longer supplied to the transistors 16 and 17.
7 becomes non-conductive. Therefore, power transistor 1
2 also becomes non-conductive, preventing excessive current from continuing to flow through the transistor 12.

負荷13が短絡状態において入力端子14が高
レベルになるとその瞬間コンデンサ27に対する
充電電流がトランジスタ16,17のベースに流
れ、これ等トランジスタ16,17は瞬間的に導
通し、従つて電力用トランジスタ12に瞬時的に
電流が流れるが、負荷13が短絡されているため
保護用トランジスタ28の導通は阻止されない。
従つてトランジスタ28の導通状態を保持しトラ
ンジスタ16,17はすぐ不導通状態になる。
When the input terminal 14 becomes high level while the load 13 is short-circuited, the charging current for the capacitor 27 flows into the bases of the transistors 16 and 17, and these transistors 16 and 17 become conductive momentarily, so that the power transistor 12 Although a current momentarily flows through, the protection transistor 28 is not prevented from conducting because the load 13 is short-circuited.
Therefore, transistor 28 remains conductive and transistors 16 and 17 immediately become non-conductive.

電力用トランジスタとしてNPN型を用いた場
合の例を第4図に第2図及び第3図と対応する部
分に同一符号を付けて示す。この場合においては
保護用トランジスタ28としてはNPN型が使用
され、そのコレクタがダイオード21及び抵抗器
23の接続点に接続され、エミツタが接地され
る。
An example in which an NPN type is used as a power transistor is shown in FIG. 4, in which parts corresponding to those in FIGS. 2 and 3 are given the same reference numerals. In this case, an NPN type is used as the protection transistor 28, its collector is connected to the connection point of the diode 21 and the resistor 23, and its emitter is grounded.

又負荷13に電流を供給している状態において
トランジスタ28が導通しないようにダイオード
29と直列にダイオード31及び抵抗器32が接
続される。駆動用トランジスタ16のベース側の
ダイオード24は省略される。
Further, a diode 31 and a resistor 32 are connected in series with the diode 29 so that the transistor 28 does not conduct when current is being supplied to the load 13. The diode 24 on the base side of the driving transistor 16 is omitted.

電力用トランジスタ12が負荷13に対し電流
を供給していない状態においては負荷13を通じ
てトランジスタ23のベースに高電位が電源端子
11より与えられている。従つて保護用トランジ
スタ28は導通状態にある。この状態において入
力端子14が高レベルとなるとコンデンサ27に
対する充電電流がトランジスタ16,17のベー
スに流れ、これ等トランジスタ16,17が導通
する。従つて電力用トランジスタ12にベース電
流が供給されてこのトランジスタ12が導通し、
負荷13に電流が供給される。従つて保護用トラ
ンジスタ28のベース電位が下つてこのトランジ
スタ28が不導通となり駆動用電源端子26より
抵抗器23,25を通じ、更にダイオード22を
通じてトランジスタ16,17に電流が供給され
て電力用トランジスタ12の導通状態が保持され
る。
When the power transistor 12 is not supplying current to the load 13, a high potential is applied to the base of the transistor 23 from the power supply terminal 11 through the load 13. Protection transistor 28 is therefore conductive. In this state, when the input terminal 14 becomes high level, the charging current for the capacitor 27 flows to the bases of the transistors 16 and 17, and these transistors 16 and 17 become conductive. Therefore, a base current is supplied to the power transistor 12, and the transistor 12 becomes conductive.
Current is supplied to the load 13. Therefore, the base potential of the protection transistor 28 decreases, making the transistor 28 non-conductive, and current is supplied from the drive power supply terminal 26 to the transistors 16 and 17 through the resistors 23 and 25 and further through the diode 22, so that the power transistor 12 The conductive state is maintained.

この状態において入力端子14が低レベルにな
ると電源端子26より抵抗器25、ダイオード2
1を通じて入力端子14側に電流が流れてトラン
ジスタ16,17に対するベース電流の供給が端
子14側に切替えられてこれ等トランジスタ1
6,17は不導通となる。従つて電力用トランジ
スタ12に対するベース電流の供給も停止されて
負荷13の電流が遮断される。
In this state, when the input terminal 14 becomes low level, the resistor 25 and diode 2 are connected to the power supply terminal 26.
1 flows to the input terminal 14 side, and the supply of base current to the transistors 16 and 17 is switched to the terminal 14 side, and these transistors 1
6 and 17 become non-conductive. Therefore, the supply of base current to the power transistor 12 is also stopped, and the current to the load 13 is cut off.

負荷13に電流を供給している状態において負
荷13が短絡すると保護用トランジスタ28のベ
ース電位が上昇してこのトランジスタ28が導通
し、抵抗器25を通じてトランジスタ28側に電
流が流れ、トランジスタ16,17に対するベー
ス電流が遮断される。従つて電力用トランジスタ
12も不導通となつてこれに過大電流が流れ続け
ることが防止される。
When the load 13 is short-circuited while current is being supplied to the load 13, the base potential of the protection transistor 28 rises and the transistor 28 becomes conductive, and current flows to the transistor 28 side through the resistor 25, and the transistors 16 and 17 The base current for is cut off. Therefore, the power transistor 12 also becomes non-conductive, preventing excessive current from continuing to flow therein.

負荷13が短絡状態において入力端子14に高
レベルが与えられるとその瞬間コンデンサ27の
充電電流がトランジスタ16,17に流れて電力
用トランジスタ12に電流を流すが、負荷13が
短絡状態であつて保護用トランジスタ28のベー
ス電位は高レベルに保持され、そのトランジスタ
16,17は導通状態を保持することなく、直ち
に遮断される。この際抵抗器32は電源端子11
より保護用トランジスタ28のベースに過電圧が
印加されるのを防止するものである。
When a high level is applied to the input terminal 14 while the load 13 is short-circuited, the charging current of the capacitor 27 momentarily flows through the transistors 16 and 17, causing current to flow through the power transistor 12, but since the load 13 is short-circuited, it is not protected. The base potential of the transistor 28 is held at a high level, and the transistors 16 and 17 are immediately cut off without being kept conductive. At this time, the resistor 32 is connected to the power supply terminal 11.
This prevents an overvoltage from being applied to the base of the protection transistor 28.

以上述べたようにこの考案による電力用トラン
ジスタ駆動回路によれば負荷が短絡された場合に
その電力用トランジスタを遮断して電力用トラン
ジスタに過電流が流れ続けてこれが破壊されるよ
うなことは防止される。しかもその保護用トラン
ジスタは負荷に電流を供給していない場合に導通
状態を保持して電力用トランジスタを不導通の状
態にするが、起動時にコンデンサ27に対する充
電電流を駆動用トランジスタ16,17に供給し
てこれを瞬時的に導通して保護用トランジスタ2
8を不導通にして起動することが可能である。
As mentioned above, according to the power transistor drive circuit of this invention, when the load is short-circuited, the power transistor is shut off and overcurrent continues to flow through the power transistor, preventing it from being destroyed. be done. Moreover, the protection transistor maintains a conductive state and turns the power transistor into a non-conductive state when no current is being supplied to the load, but supplies charging current for the capacitor 27 to the drive transistors 16 and 17 at startup. and instantaneously conducts it to protect transistor 2.
It is possible to start with 8 non-conducting.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図及び第2図はそれぞれ従来の電力用トラ
ンジスタ駆動回路を示す接続図、第3図及び第4
図はそれぞれこの考案による電力用トランジスタ
駆動回路の一例を示す接続図である。 12:電力用トランジスタ、13:負荷、1
6:駆動用トランジスタ、28:保護用トランジ
スタ、14:入力端子。
Figures 1 and 2 are connection diagrams showing conventional power transistor drive circuits, Figures 3 and 4 respectively.
Each figure is a connection diagram showing an example of a power transistor drive circuit according to this invention. 12: Power transistor, 13: Load, 1
6: Drive transistor, 28: Protection transistor, 14: Input terminal.

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】[Scope of utility model registration request] 負荷と直列に電力用トランジスタが接続され、
そのトランジスタのベースと電源の一端との間に
接続された駆動用トランジスタのベースに制御信
号を与えてその駆動用トランジスタを導通、不導
通制御することにより上記電力用トランジスタを
導通、不導通制御するようにされた電力用トラン
ジスタ駆動回路において、上記制御信号が駆動さ
れる入力端子と上記駆動用トランジスタのベース
との間に直列に接続され、互に逆極性のダイオー
ド直列回路と、そのダイオードの接続点及び電源
との間に接続された抵抗器と、その抵抗器及びダ
イオードの接続点と接地との間にコレクタエミツ
タが接続され、ベースが上記電力用トランジスタ
及び負荷の接続点に接続されて上記電力用トラン
ジスタが不導通状態で導通し、かつ上記負荷の短
絡の際に不導通となる保護用トランジスタと、上
記直列回路と並列に接続された起動用コンデンサ
とを具備する電力用トランジスタ駆動回路。
A power transistor is connected in series with the load,
The power transistor is controlled to be conductive or non-conductive by applying a control signal to the base of a driving transistor connected between the base of the transistor and one end of the power supply to control the driving transistor to be conductive or non-conductive. In the power transistor drive circuit configured as above, a diode series circuit with opposite polarities connected in series between an input terminal driven by the control signal and the base of the drive transistor, and a connection of the diodes are provided. A resistor is connected between the resistor and the power source, the collector emitter is connected between the connection point of the resistor and the diode, and the ground, and the base is connected to the connection point of the power transistor and the load. A power transistor drive circuit comprising: a protection transistor that conducts when the power transistor is non-conducting and becomes non-conductive when the load is short-circuited; and a starting capacitor connected in parallel with the series circuit. .
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