JPS61252527A - オプトエレクトロニク変調器 - Google Patents
オプトエレクトロニク変調器Info
- Publication number
- JPS61252527A JPS61252527A JP61097007A JP9700786A JPS61252527A JP S61252527 A JPS61252527 A JP S61252527A JP 61097007 A JP61097007 A JP 61097007A JP 9700786 A JP9700786 A JP 9700786A JP S61252527 A JPS61252527 A JP S61252527A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- modulator
- electrodes
- electrode
- light
- frequency
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 title claims description 7
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 11
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 19
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 15
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 description 14
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 2
- 238000005773 Enders reaction Methods 0.000 description 1
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 208000003251 Pruritus Diseases 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 239000012776 electronic material Substances 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 230000002452 interceptive effect Effects 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N lithium niobate Chemical compound [Li+].[O-][Nb](=O)=O GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/21—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour by interference
- G02F1/225—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour by interference in an optical waveguide structure
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/21—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour by interference
- G02F1/225—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour by interference in an optical waveguide structure
- G02F1/2255—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour by interference in an optical waveguide structure controlled by a high-frequency electromagnetic component in an electric waveguide structure
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optical Modulation, Optical Deflection, Nonlinear Optics, Optical Demodulation, Optical Logic Elements (AREA)
- Optical Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は光信号を発生するオプトエレクトロニク変胸器
に閣するものである。オデトエレクトロ二り変調器は６
個の平面電極と２個の光波導体とを含み、それらの差−
Ｒ胸が出力で検出される。
に閣するものである。オデトエレクトロ二り変調器は６
個の平面電極と２個の光波導体とを含み、それらの差−
Ｒ胸が出力で検出される。
（従来の技＃）
この檻の変調器はオダトエレクトロニク材料のウェーハ
に光波導体が形成され、光波導体に宿って細長９６個の
長方形の平面電極が形成されて−るのが知られている。
に光波導体が形成され、光波導体に宿って細長９６個の
長方形の平面電極が形成されて−るのが知られている。
電極は電気的なマイクロ波発生源に接続されている。そ
してマイクロ波発生源は導体により・砿界を発生し、導
体の屈折率を変化させる。これはまた光波導体の光路長
も変化させるので、２個の光波導体中の光波を重畳させ
ることにより光波を変調するのく用いられる。光波の速
度はマイクロ波よりも速いから、変ｖＩ４器の周波数範
囲には限界がある。これがいわゆる「ウオーク・オフ（
ｗａｌｋ−ｏｆｆ）効果」でおる。上限周波数を上げる
には、電極を短くすればよいが、そうするとマイクロ波
の電圧を高くしなけれはならず、これが難しいのである
。米国特許明細書簡４．４４８．４７９号には、普通の
変調電圧で高い上限周波数の得られる比較的複雑な電極
を有する、変調器が開示されている。この変調器は電極
が複雑である点を別にしても不利な点を有する。それは
個別の電気パルスに対する変調能力が貧弱である、すな
わちパルス応答が鈍いという点である。この点は例えば
二進数が離れたパルス列にＬり送信されるような情報六
送には非常に不利である。上記変調器はまた低周波の変
調用マイクロ波に対する変調能力にも限界がある。
してマイクロ波発生源は導体により・砿界を発生し、導
体の屈折率を変化させる。これはまた光波導体の光路長
も変化させるので、２個の光波導体中の光波を重畳させ
ることにより光波を変調するのく用いられる。光波の速
度はマイクロ波よりも速いから、変ｖＩ４器の周波数範
囲には限界がある。これがいわゆる「ウオーク・オフ（
ｗａｌｋ−ｏｆｆ）効果」でおる。上限周波数を上げる
には、電極を短くすればよいが、そうするとマイクロ波
の電圧を高くしなけれはならず、これが難しいのである
。米国特許明細書簡４．４４８．４７９号には、普通の
変調電圧で高い上限周波数の得られる比較的複雑な電極
を有する、変調器が開示されている。この変調器は電極
が複雑である点を別にしても不利な点を有する。それは
個別の電気パルスに対する変調能力が貧弱である、すな
わちパルス応答が鈍いという点である。この点は例えば
二進数が離れたパルス列にＬり送信されるような情報六
送には非常に不利である。上記変調器はまた低周波の変
調用マイクロ波に対する変調能力にも限界がある。
（発明の目的と要約）
前述の問題は本発明により解決される。本発明によるオ
デトエＶクトロニク変調器は藺単に形成できる電極を有
し、低周波の変調能力に秀牡、高−上限周波数を有し、
パルス応答性も良い。本発明の顕著な特徴は特許請求の
範囲で明らかにしである。以下図面を参照しながら詳細
に説明する。
デトエＶクトロニク変調器は藺単に形成できる電極を有
し、低周波の変調能力に秀牡、高−上限周波数を有し、
パルス応答性も良い。本発明の顕著な特徴は特許請求の
範囲で明らかにしである。以下図面を参照しながら詳細
に説明する。
（実施例）
第１図に従来のオプトエレクトロニク・マツハツエンダ
（Ｍａａｈ−ＺａｈｎｃＬθｒ）変調器の斜視図を示す
。
（Ｍａａｈ−ＺａｈｎｃＬθｒ）変調器の斜視図を示す
。
例えば二オデ酸リチウムのようなオプトエレクトロニク
材料のウェーハ１の上面２に光波導体３が形成されてい
る。これらの導体の屈折率はウェーハの屈折重工９大き
く、ウェーハ１に所定の深さにチタンを拡散するような
方法でつくることができる。光波は共通入力５から入っ
て、２本の平行な光波導体３ａと３ｂとに分岐し、それ
から−緒になって共通出力６から出ていく。ウェーハの
上面には光波導体３ａと３ｂＫ市って５個の金属電極４
がある。ｇ２図に示すように、これらの電極によりウェ
ーハ内に１４１をつくり出すことかで龜る。この電界が
２個の平行な光波導体３ａと３ｂに加わると、導体の屈
折率ｎが少し変化する。
材料のウェーハ１の上面２に光波導体３が形成されてい
る。これらの導体の屈折率はウェーハの屈折重工９大き
く、ウェーハ１に所定の深さにチタンを拡散するような
方法でつくることができる。光波は共通入力５から入っ
て、２本の平行な光波導体３ａと３ｂとに分岐し、それ
から−緒になって共通出力６から出ていく。ウェーハの
上面には光波導体３ａと３ｂＫ市って５個の金属電極４
がある。ｇ２図に示すように、これらの電極によりウェ
ーハ内に１４１をつくり出すことかで龜る。この電界が
２個の平行な光波導体３ａと３ｂに加わると、導体の屈
折率ｎが少し変化する。
この変化率は電界の強さにほぼ比例する。図示したより
な′電界が生じて、いる場會には、導体３ａと３ｂの屈
折率の変化は逆符号になる。このようにして両光波導体
間に光路長の差が生ずることを利用して、一定の振幅と
波長を持って変調器入力８に人ってくる光波Ｐを変調す
ることができる。光１！Ｉｌｌ！、ＰＬ分割されて、光
波導体３ａと３ｂ内では光路長の差に慇じて相互に移相
が生じ、それからこれらの波が出力６で重畳されて光信
号Ｐｍとなる。
な′電界が生じて、いる場會には、導体３ａと３ｂの屈
折率の変化は逆符号になる。このようにして両光波導体
間に光路長の差が生ずることを利用して、一定の振幅と
波長を持って変調器入力８に人ってくる光波Ｐを変調す
ることができる。光１！Ｉｌｌ！、ＰＬ分割されて、光
波導体３ａと３ｂ内では光路長の差に慇じて相互に移相
が生じ、それからこれらの波が出力６で重畳されて光信
号Ｐｍとなる。
両光波は導体内で同じ振幅を有しているので、′電極電
圧を適当に選択することにより、半波長だけ移相させて
、重畳時に光波を完全に消すことができる。
圧を適当に選択することにより、半波長だけ移相させて
、重畳時に光波を完全に消すことができる。
第１図の変調器が第３図では高周波変調器として接続さ
れている。いわゆる移動波電極である電極４はここでは
長さ乙の送信導体であって、抵抗器Ｒを経由して無反射
終端になっている。高尚波信極に沿って伝播する。ここ
でＣ８は光の速度でろこでｖｕくＣである。ここでいわ
ゆるウオークオフ効果を生ずる。このウオークオフ効果
を第４図を用いて説明する。第４図に２いて、Ｊｃｒｒ
、周波数ｆｌの信号Ｕ１によってつくられる電界を表わ
し、Ｘは電極４に沿った位置７表わしている。第４ａ図
では、光波導体３ｂ内の光子がちょうど電極４に到達し
比隣間の電界元か示されている。光子の位置は図で矢印
で示され、光子の近傍の’ｃｔ界は実線で示されている
。光子の位置では、光波導体３ｂに加わる電界はｇ＝０
である。第４ｂ図では光子は速度ＣでＸ ＝ Ｌｉ２の
位置に到達しているが、信号Ｕｌは速度ｖｕでＸ ＝
ｘｌの位置に到颯しＣいるにすぎない。この例では、こ
の位置で電界の最大値［１が光子に作用するように、周
波数ｆｌが選はれている。第４ｃ図では、信号σｌはｘ
＝ｘ２に到達しているが、光子はｎｔ＊の端Ｘ＝Ｌに到
達しているので、変調が終る、すなわち符号が変る。
れている。いわゆる移動波電極である電極４はここでは
長さ乙の送信導体であって、抵抗器Ｒを経由して無反射
終端になっている。高尚波信極に沿って伝播する。ここ
でＣ８は光の速度でろこでｖｕくＣである。ここでいわ
ゆるウオークオフ効果を生ずる。このウオークオフ効果
を第４図を用いて説明する。第４図に２いて、Ｊｃｒｒ
、周波数ｆｌの信号Ｕ１によってつくられる電界を表わ
し、Ｘは電極４に沿った位置７表わしている。第４ａ図
では、光波導体３ｂ内の光子がちょうど電極４に到達し
比隣間の電界元か示されている。光子の位置は図で矢印
で示され、光子の近傍の’ｃｔ界は実線で示されている
。光子の位置では、光波導体３ｂに加わる電界はｇ＝０
である。第４ｂ図では光子は速度ＣでＸ ＝ Ｌｉ２の
位置に到達しているが、信号Ｕｌは速度ｖｕでＸ ＝
ｘｌの位置に到颯しＣいるにすぎない。この例では、こ
の位置で電界の最大値［１が光子に作用するように、周
波数ｆｌが選はれている。第４ｃ図では、信号σｌはｘ
＝ｘ２に到達しているが、光子はｎｔ＊の端Ｘ＝Ｌに到
達しているので、変調が終る、すなわち符号が変る。
これが通常「ウオークオフ」と呼はれるものである。信
号σｌは光子よりも半波長連れており、光子のいる位置
の電界はＥ＝０である。この例において、光子が光波導
体中を移動する間に光波導ｐ３ｂに加わる電界の強さを
第５ｂ図に示す。ことでＥは′電界の強さを表わし、Ｘ
は電極４にθクメ位置を表わし、Ｌは電極の長さを表わ
す。光波シ合計移相は第２図の説明にしたがって、図で
は任線の下の斜Ｍ領域で表わす。この領域は信号σ１が
達成することができる光波の移相と一致する。
号σｌは光子よりも半波長連れており、光子のいる位置
の電界はＥ＝０である。この例において、光子が光波導
体中を移動する間に光波導ｐ３ｂに加わる電界の強さを
第５ｂ図に示す。ことでＥは′電界の強さを表わし、Ｘ
は電極４にθクメ位置を表わし、Ｌは電極の長さを表わ
す。光波シ合計移相は第２図の説明にしたがって、図で
は任線の下の斜Ｍ領域で表わす。この領域は信号σ１が
達成することができる光波の移相と一致する。
２個の干渉する光波が変調器の出力６で半波長掻相して
お互いに完全に消えるためには、信号Ｕｌは所定の振幅
を持たなければならない。第５ａβには、信号Ｕが直流
電圧υ０であるときの光波導体における電界が示されて
いる。第５Ｃ図には、ｆ２箋１．３Ｘｆｘなる周波数の
信号σ２が電極に加えられたときの、光波導体中で光子
に作用する１界が示されている。光波導体３ａと３ｂ内
では餉５ｂ図で説明したようにして、光波は位置ｘ３に
向って周波数ｆ２で相互に移相している。位置Ｘ；でウ
オークオフが起こり、両′ｙｔ、ｔＬ間の移相は位ｌｘ
３から電極の端ｘ＝Ｌに光が引続き移動する間に減少す
る。こうして斜線領域で示すように移イー が起こる
。これはＸ軸の上の領域と下の領域の差二 である。
お互いに完全に消えるためには、信号Ｕｌは所定の振幅
を持たなければならない。第５ａβには、信号Ｕが直流
電圧υ０であるときの光波導体における電界が示されて
いる。第５Ｃ図には、ｆ２箋１．３Ｘｆｘなる周波数の
信号σ２が電極に加えられたときの、光波導体中で光子
に作用する１界が示されている。光波導体３ａと３ｂ内
では餉５ｂ図で説明したようにして、光波は位置ｘ３に
向って周波数ｆ２で相互に移相している。位置Ｘ；でウ
オークオフが起こり、両′ｙｔ、ｔＬ間の移相は位ｌｘ
３から電極の端ｘ＝Ｌに光が引続き移動する間に減少す
る。こうして斜線領域で示すように移イー が起こる
。これはＸ軸の上の領域と下の領域の差二 である。
光波Ｐを変調するのに充分な移相な起こ： すには、
周波数で２の信号Ｕ２は信号Ｕ、の最大値〉 より実
質的に大きい最大値を持たなければならな這 い。振
幅の大きい周波数信号を発生させるのは峻しいので、今
述べたことは従来の高周波変調器にとって非常に不利な
ことでおる。第５改図には周ト 波数ｆ３ ＝ ２
Ｘ ｆｌの信号σ３が４極に加えられたとき、光波導体
内の光子に作用する電界が示されコ でいる。ウオー
クオフが位ｔ Ｘ ＝ １１／２で周波数で３で起こり
、その結果斜線領域はぜ口である。光波Ｐの変調はなく
、周波数ｆ３はこの従来の高周波変調器の上限周波数で
ある。
周波数で２の信号Ｕ２は信号Ｕ、の最大値〉 より実
質的に大きい最大値を持たなければならな這 い。振
幅の大きい周波数信号を発生させるのは峻しいので、今
述べたことは従来の高周波変調器にとって非常に不利な
ことでおる。第５改図には周ト 波数ｆ３ ＝ ２
Ｘ ｆｌの信号σ３が４極に加えられたとき、光波導体
内の光子に作用する電界が示されコ でいる。ウオー
クオフが位ｔ Ｘ ＝ １１／２で周波数で３で起こり
、その結果斜線領域はぜ口である。光波Ｐの変調はなく
、周波数ｆ３はこの従来の高周波変調器の上限周波数で
ある。
Ｌ 本発明による高周波変調器の実施例を第６図に
３ 示す。ニオブ酸リチウムの工うなオプトエレクト
ロニク材料のウェーハ１０には、従来の変調器と１
同様、所定の深さに光波導体１３が拡散され【いｔ
る。本発明による変Ｄ４器では入力１５から光波導体が
分岐して２本の平行な光波導体１３ａと１３ｔ）目
となり、次いでこｎらが一緒になって出力６になる。光
波導体内に電界を形成するために、変調器は３個の１極
１４ａ、１４ｂ、１４ｃを有する。
３ 示す。ニオブ酸リチウムの工うなオプトエレクト
ロニク材料のウェーハ１０には、従来の変調器と１
同様、所定の深さに光波導体１３が拡散され【いｔ
る。本発明による変Ｄ４器では入力１５から光波導体が
分岐して２本の平行な光波導体１３ａと１３ｔ）目
となり、次いでこｎらが一緒になって出力６になる。光
波導体内に電界を形成するために、変調器は３個の１極
１４ａ、１４ｂ、１４ｃを有する。
これらの電極は前述のような移動波ｔ＠であり、２個の
部分に分かれている。図において、Ｘは電極に浴った位
置を表わし、ｄは一方り光波導体１３＆又は１３ｂと、
隣りのｍ極の最も近い長辺間の距ｄ＆を六わす。入力１
５に近い方の長さＬＬの最初の部分では、萬２図のｌＩ
ｒ向図で示した工うに光波導体１３＆は電極１４ａの下
にあり、隣りの電極１４ｂから距離ｄ７１２：け離れて
いる。光波導体１３ｔ）は１極１４ｂの下にあり、−１
１ｍ１４Ｑから距１ｉｌＩＩｉだけ離註ている。Ｘ ＝
Ｌｌの位置で゛電極は横断方向ｖｃ偏移している。こ
こでＡ１．＞−でおる。
部分に分かれている。図において、Ｘは電極に浴った位
置を表わし、ｄは一方り光波導体１３＆又は１３ｂと、
隣りのｍ極の最も近い長辺間の距ｄ＆を六わす。入力１
５に近い方の長さＬＬの最初の部分では、萬２図のｌＩ
ｒ向図で示した工うに光波導体１３＆は電極１４ａの下
にあり、隣りの電極１４ｂから距離ｄ７１２：け離れて
いる。光波導体１３ｔ）は１極１４ｂの下にあり、−１
１ｍ１４Ｑから距１ｉｌＩＩｉだけ離註ている。Ｘ ＝
Ｌｌの位置で゛電極は横断方向ｖｃ偏移している。こ
こでＡ１．＞−でおる。
導体１３ａが電、儀１４ｔ）の下にわっで、電極１４ａ
からｄの距離だけ離れている。導体１３ｏは′４極１４
０の下にあって、電極１４ｂからｄの距離だけ離れてい
る。このように電極が横断方向に偏移することにより、
電極に直流電圧Ｄｏが接続されると、導体に加えられる
′ｉ！を界Ｅの方向がＸ ＝ Ｌｌの位置で逆転する。
からｄの距離だけ離れている。導体１３ｏは′４極１４
０の下にあって、電極１４ｂからｄの距離だけ離れてい
る。このように電極が横断方向に偏移することにより、
電極に直流電圧Ｄｏが接続されると、導体に加えられる
′ｉ！を界Ｅの方向がＸ ＝ Ｌｌの位置で逆転する。
このことは図では■と■の印で示しである。１！極が横
断方向に偏移すると、その結果ウオークオフ効果が妨げ
られるので、上限周波数は上がるであろう。このことは
第７改図を用いて第５ｄＬ図と比較しながら説明する。
断方向に偏移すると、その結果ウオークオフ効果が妨げ
られるので、上限周波数は上がるであろう。このことは
第７改図を用いて第５ｄＬ図と比較しながら説明する。
第７ａ図から第７ａ図において、Ｘは゛電極に沿った位
置を表わし、２は導体１３ａと１３ｂに加わる電界強度
を表わす。電界は導体を通る光子に作用する。
置を表わし、２は導体１３ａと１３ｂに加わる電界強度
を表わす。電界は導体を通る光子に作用する。
電極１４１）と１４０ｄ前述の周波数ｆ３の高周波信号
Ｕ３に接続さ６でいる。第５ｄ図で説明したように、ウ
オークオフはこの周波数では３Ｃ＝ Ｉ４／２で起こる
。第４図に示した電＠構造を有する従来の変調器では、
ｘ ＝ ｂ／２から＠極の端Ｘ＝Ｌまで光が移動する間
移相は減少していくので、変調効果は完全Ｖζなくなる
。本発明の電極構造の場合、鑞痒止の符号は位置ｘ ＝
ＬＸで逆転する。この位置で電極は横Ｗ「方向に偏移
している。この結果、光波導体１ａａと１３１）におけ
る両光波間の移相は、Ｘ＝Ｘｒ１の位置から電極の端Ｘ
＝Ｌまで光が移動する間に再び増加する。選択された周
波＆ ｆ ｓでは、両光波間の全移相はこの工うにして
第７ｄ図で斜線を施した領域になる。第７ａ図と第７ｂ
図は電極の長辺が横断方向Ｋ（ｌｉ！移すると、直流電
圧である変調信号ｔｒｏと、周波数ｆ１の変調信号Ｕｌ
が加えられたときに、移相にどのように作用するかを示
している。斜線を施し九領域に相当する、信号Ｕの所定
の最大値における全移相は、これらの周波数では従来の
変！ｉｌｌ器よりも本発明の変調器の方が少ない。例え
ば周波数ｆ２とｆ３のような高周波の場合には、第７Ｃ
図と第７ａ図に示すように移相性本発明の変調器の方が
従来の変調器よりも大きい。このように変調器を比較す
るのに、変調器の帯域幅と信号Ｕの必要な電圧との商で
あるＱ因子Ｇで表わすことができる。このようにして比
較したいくつかの変調器の例を下表に示す。電極の長い
部分はＬｌで表わし、電極の全長はＬで表わし、信号Ｕ
が直流電圧であるときの移相の相対値をＤで表わしであ
る。
Ｕ３に接続さ６でいる。第５ｄ図で説明したように、ウ
オークオフはこの周波数では３Ｃ＝ Ｉ４／２で起こる
。第４図に示した電＠構造を有する従来の変調器では、
ｘ ＝ ｂ／２から＠極の端Ｘ＝Ｌまで光が移動する間
移相は減少していくので、変調効果は完全Ｖζなくなる
。本発明の電極構造の場合、鑞痒止の符号は位置ｘ ＝
ＬＸで逆転する。この位置で電極は横Ｗ「方向に偏移
している。この結果、光波導体１ａａと１３１）におけ
る両光波間の移相は、Ｘ＝Ｘｒ１の位置から電極の端Ｘ
＝Ｌまで光が移動する間に再び増加する。選択された周
波＆ ｆ ｓでは、両光波間の全移相はこの工うにして
第７ｄ図で斜線を施した領域になる。第７ａ図と第７ｂ
図は電極の長辺が横断方向Ｋ（ｌｉ！移すると、直流電
圧である変調信号ｔｒｏと、周波数ｆ１の変調信号Ｕｌ
が加えられたときに、移相にどのように作用するかを示
している。斜線を施し九領域に相当する、信号Ｕの所定
の最大値における全移相は、これらの周波数では従来の
変！ｉｌｌ器よりも本発明の変調器の方が少ない。例え
ば周波数ｆ２とｆ３のような高周波の場合には、第７Ｃ
図と第７ａ図に示すように移相性本発明の変調器の方が
従来の変調器よりも大きい。このように変調器を比較す
るのに、変調器の帯域幅と信号Ｕの必要な電圧との商で
あるＱ因子Ｇで表わすことができる。このようにして比
較したいくつかの変調器の例を下表に示す。電極の長い
部分はＬｌで表わし、電極の全長はＬで表わし、信号Ｕ
が直流電圧であるときの移相の相対値をＤで表わしであ
る。
Ｌｌ／Ｌ Ｄ Ｇ１．０
０ ０．２４ １４．２０．９０
０．２０ １５．６０．８０
０．１５ １８．９０．７５
０．１３ ２１．１（１，７Ｇ Ｏ
，１０１８，４０，６００，０５１８，２ 第８図は表からｑ因子Ｇを商Ｌｌ／Ｌの関数として描い
たものである。この図からＩａｌ／Ｌ ＝、 ０．７７
である本発明の変調器は、Ｌ１／ＩＩ＝１である従来の
変調器よりもｑ因子Ｇが約５０−大きいことがわかる。
０ ０．２４ １４．２０．９０
０．２０ １５．６０．８０
０．１５ １８．９０．７５
０．１３ ２１．１（１，７Ｇ Ｏ
，１０１８，４０，６００，０５１８，２ 第８図は表からｑ因子Ｇを商Ｌｌ／Ｌの関数として描い
たものである。この図からＩａｌ／Ｌ ＝、 ０．７７
である本発明の変調器は、Ｌ１／ＩＩ＝１である従来の
変調器よりもｑ因子Ｇが約５０−大きいことがわかる。
この表によれば、直流電圧印加時の移相はＩ１１／Ｌ＝
１７７の本発明の変調器の方が従来の変調器よりも少な
り。このことは実用面から見れば、失色い振幅の高周波
交流゛電圧より４、大きな直流電圧の方がつくりやすり
ので、部分的に釣合いがとれているのである。ＸＪ１／
’ｂ （０，７の値は興味の対象外である、なぜならは
ｑ因子ＧはＬｚ／Ｌの小さい方では殆んど一定であり、
低周波特性を表わす因子りは非常に小さ−からである。
１７７の本発明の変調器の方が従来の変調器よりも少な
り。このことは実用面から見れば、失色い振幅の高周波
交流゛電圧より４、大きな直流電圧の方がつくりやすり
ので、部分的に釣合いがとれているのである。ＸＪ１／
’ｂ （０，７の値は興味の対象外である、なぜならは
ｑ因子ＧはＬｚ／Ｌの小さい方では殆んど一定であり、
低周波特性を表わす因子りは非常に小さ−からである。
第６図によれば、本発明による変調器の電極は変調器の
出力に近い第２の部分が横断方向に鳴移している。この
部分の長さはＩＩ／Ｉより短い。このように電極の長手
側が横断方向Ｋｔｌ移するのは、本発明では変調器の入
力１５に近い部分でろってもよい。この場合第２の部分
の長さが］：Ｉｌ〉−となる。この変調器の移相特性は
第７ａ図で説明したのと同じになるであろう。本発明に
よる変調器の他の実施例を第９図に示す。この変調器で
は、オデトエレクトロニク材料のウェーハ２Ｇの上に光
波導体２３が所定の深さに拡散により形成されている。
出力に近い第２の部分が横断方向に鳴移している。この
部分の長さはＩＩ／Ｉより短い。このように電極の長手
側が横断方向Ｋｔｌ移するのは、本発明では変調器の入
力１５に近い部分でろってもよい。この場合第２の部分
の長さが］：Ｉｌ〉−となる。この変調器の移相特性は
第７ａ図で説明したのと同じになるであろう。本発明に
よる変調器の他の実施例を第９図に示す。この変調器で
は、オデトエレクトロニク材料のウェーハ２Ｇの上に光
波導体２３が所定の深さに拡散により形成されている。
光波導体には入力２５がおり、それから２本の平行な導
体２３ａと２３ｋｌに分岐し、次いでそれらが一緒にな
り出力２６となる。変１１ｍ器の表面には長さ乙の６個
の電極２４ａ、２４ｔ）。
体２３ａと２３ｋｌに分岐し、次いでそれらが一緒にな
り出力２６となる。変１１ｍ器の表面には長さ乙の６個
の電極２４ａ、２４ｔ）。
２４０がある。これらは移動波型の電極であり、３個の
部分に分割されている。因では、Ｘは電極に沿りた位置
を表わし、ｄは導体２３ａ又は２３ｔ）と隣りの電極の
一方の長辺間の距離を表わす。長さＩｌ２の第１の部分
では、導体２３ａは第２図に示すように電極２４＆の下
におり、隣りの電極２４ｂからｄｆｅｆｆ離れている。
部分に分割されている。因では、Ｘは電極に沿りた位置
を表わし、ｄは導体２３ａ又は２３ｔ）と隣りの電極の
一方の長辺間の距離を表わす。長さＩｌ２の第１の部分
では、導体２３ａは第２図に示すように電極２４＆の下
におり、隣りの電極２４ｂからｄｆｅｆｆ離れている。
導体２３ｂは電極２４ｂの下にあり、隣りの電極２４０
からｄｆｅけ離れて−る。！＝Ｌ２の位置で電極は横断
方向に偏移しているので、長さＬｌのｇ２の部分では導
体２３ａは電極２４ｂの下にあり、隣りの電極２４＆か
ら戊だけ離れている。導体２３１）は電極２４Ｇの下に
あり、ｔｆｆｉ２４ｂから己だけ離れている。Ｘ＝Ｌ１
＋Ｌ２の位置で１！極は再び横断力向Ｋ（Ｉｌ移してい
る。長さ［１３の第６の部分では、電極は導体２３ａと
２３１）ＫｒｊＩａＬで第１の部分と横断力向には同じ
位置関係にある。第７ｄ図で説明したのと同じ理由によ
り、第９図の変調器は第６図の実施例と実質的に同じ移
相特性を示す。
からｄｆｅけ離れて−る。！＝Ｌ２の位置で電極は横断
方向に偏移しているので、長さＬｌのｇ２の部分では導
体２３ａは電極２４ｂの下にあり、隣りの電極２４＆か
ら戊だけ離れている。導体２３１）は電極２４Ｇの下に
あり、ｔｆｆｉ２４ｂから己だけ離れている。Ｘ＝Ｌ１
＋Ｌ２の位置で１！極は再び横断力向Ｋ（Ｉｌ移してい
る。長さ［１３の第６の部分では、電極は導体２３ａと
２３１）ＫｒｊＩａＬで第１の部分と横断力向には同じ
位置関係にある。第７ｄ図で説明したのと同じ理由によ
り、第９図の変調器は第６図の実施例と実質的に同じ移
相特性を示す。
例えば情報の伝送に用いるような多くの高周波変ｐｔ器
では、変！ｌｌ器のパルス応答が良好であることが必須
でらる。このために、鋭い電気パルスが変調器の電極に
加えられたときに変ｖＩ４ｔＦが鋭い光のパルスを生ず
るように図られる。前述の如く、連続的な高周波電気入
力信号に対して高い上限周波数を有する変調器はめるが
、これらは電極に個別に電気パルスが加えられたときの
パルス応答が貧弱である。本発明による変＠器は、高い
上限周波数は別にして、第１０図の例に示すように良好
なパルス応答を示す。この図では、第６図の従来の変調
器と本発明のＬｘ／ム＝ ０．７５の変調器のパルス応
答が比較しである。第１０ａ図に示すような２個のパル
スが変ＩｉＩ器の電極に加えられる。ここでＶはパルス
・電圧を示し、Ｔはぎコ秒（ｐｓ）で表わした時間を示
す。１ ｐｓ ＝ １０−１２秒である。
では、変！ｌｌ器のパルス応答が良好であることが必須
でらる。このために、鋭い電気パルスが変調器の電極に
加えられたときに変ｖＩ４ｔＦが鋭い光のパルスを生ず
るように図られる。前述の如く、連続的な高周波電気入
力信号に対して高い上限周波数を有する変調器はめるが
、これらは電極に個別に電気パルスが加えられたときの
パルス応答が貧弱である。本発明による変＠器は、高い
上限周波数は別にして、第１０図の例に示すように良好
なパルス応答を示す。この図では、第６図の従来の変調
器と本発明のＬｘ／ム＝ ０．７５の変調器のパルス応
答が比較しである。第１０ａ図に示すような２個のパル
スが変ＩｉＩ器の電極に加えられる。ここでＶはパルス
・電圧を示し、Ｔはぎコ秒（ｐｓ）で表わした時間を示
す。１ ｐｓ ＝ １０−１２秒である。
両パルスの鏝大値間の時間は７５ｐ８であり、轍大値の
半分の電圧のところではパルス幅が５０ｐｅになってい
る。従来の変調器のパルス応答は第１０ｂ図に、本発明
の変ｖ１４器のパルス応答は第１００図に示す。これら
の図で、工は光パルスの強度を示し、Ｔはピコ秒（ｐｓ
）で表わした時間を示す。本発明の変調器では光パルス
はお互いに鋭く分離している。従来の変１１６では元パ
ルスは幅広になってお互いに混じり合っているので、受
信器により１パルスとして受収られるでろろう。本発明
の変調器では、電極が横断方向に偏移しているので、第
１のパルスの変調に負に寄与するが、第２のパルスの立
上りの変調には逆に正に作用するので、良好なパルス応
答が得られるのである。
半分の電圧のところではパルス幅が５０ｐｅになってい
る。従来の変調器のパルス応答は第１０ｂ図に、本発明
の変ｖ１４器のパルス応答は第１００図に示す。これら
の図で、工は光パルスの強度を示し、Ｔはピコ秒（ｐｓ
）で表わした時間を示す。本発明の変調器では光パルス
はお互いに鋭く分離している。従来の変１１６では元パ
ルスは幅広になってお互いに混じり合っているので、受
信器により１パルスとして受収られるでろろう。本発明
の変調器では、電極が横断方向に偏移しているので、第
１のパルスの変調に負に寄与するが、第２のパルスの立
上りの変調には逆に正に作用するので、良好なパルス応
答が得られるのである。
両パルス間の合計変調効果は小さくなるので、第１００
図に示すようにパルスはお互いに鋭く分離することにな
る。
図に示すようにパルスはお互いに鋭く分離することにな
る。
第１図は従来の構造の電極を有するマツハツエンダ−型
オプトエレクトロニク変調器の斜視図である。第２図は
オゾトエレクトロ二り変調器の断面図である。第３図は
従来の変調器の平面図であって、電極は移動波電極とし
て接続され、変調波電圧Ｕが印加されている。ｇ４ａ図
から第４ｃ図は光波と変調用マイクロ波との速度を比較
した図である。第５ａ図から第５ｄ図は電圧σの異なる
変調周波数における従来の変！ＩｌＩ器の変調能力を示
す図である。第６図は本発明の変ｔｓａの平向図であっ
て、電極は移動波電極として接続され、変調波電圧■が
印加されている。第７１１１図から第７ａ図は電圧■の
異なる変調周波数における本発明の変１ＩＩｌ器の変調
能力を示す図でおる。第８図は従来の変調器と本発明の
変調器とを比較する図でおる。 第９図は本発明の他の実施例の平面図でおる。第１Ｑａ
図は２個の隣り合う電気パルスを示す図である。第１０
ｂ図はこれらのパルスに対する従来の変調器のパルス応
答を示す図である。第１００図はこれらのパルスに対す
る本発明の変調器のパルス応答を示す図でらる。 （符号の説明） １０・・・ウェーハ １３ 、１３６ 、１３ ｋ） ・・・光波導体２３ａ
、２３ｂ・・・光波導体 １４ａ、１４ｂ、１４０＊２４ａ、２４ｋｌ。 ２４Ｑ・・・１を億 Ｌｌ、 １２ 、 ＩＩ３・・・電極の長さ■・・・変
調交流電圧
オプトエレクトロニク変調器の斜視図である。第２図は
オゾトエレクトロ二り変調器の断面図である。第３図は
従来の変調器の平面図であって、電極は移動波電極とし
て接続され、変調波電圧Ｕが印加されている。ｇ４ａ図
から第４ｃ図は光波と変調用マイクロ波との速度を比較
した図である。第５ａ図から第５ｄ図は電圧σの異なる
変調周波数における従来の変！ＩｌＩ器の変調能力を示
す図である。第６図は本発明の変ｔｓａの平向図であっ
て、電極は移動波電極として接続され、変調波電圧■が
印加されている。第７１１１図から第７ａ図は電圧■の
異なる変調周波数における本発明の変１ＩＩｌ器の変調
能力を示す図でおる。第８図は従来の変調器と本発明の
変調器とを比較する図でおる。 第９図は本発明の他の実施例の平面図でおる。第１Ｑａ
図は２個の隣り合う電気パルスを示す図である。第１０
ｂ図はこれらのパルスに対する従来の変調器のパルス応
答を示す図である。第１００図はこれらのパルスに対す
る本発明の変調器のパルス応答を示す図でらる。 （符号の説明） １０・・・ウェーハ １３ 、１３６ 、１３ ｋ） ・・・光波導体２３ａ
、２３ｂ・・・光波導体 １４ａ、１４ｂ、１４０＊２４ａ、２４ｋｌ。 ２４Ｑ・・・１を億 Ｌｌ、 １２ 、 ＩＩ３・・・電極の長さ■・・・変
調交流電圧
Claims (1)
- ３個の平面電極と２個の光波導体とを含み、その差変
調が出力で検出される、光信号を発生するオプトエレク
トロニク変調器において、電極（２４ａ−ｃ）は実質的
に相互に平行に配置されていて、隣り合う２個の電極の
長辺が多くて３個の部分（Ｌ＿１、Ｌ＿２、Ｌ＿３）の
細長い空間を形成しており、これらは相互に横断方向に
偏移しており、ある部分のある長辺は隣りの部分の他の
長辺の概ね延長線上に配置されていることと、光波導体
（２３ａ、２３ｂ）は前記延長線上に配置されていて、
変調交流電圧（Ｕ）により隣り合う２個の部分では位相
が逆になるように変調され、変調交流電圧（Ｕ）は中間
の電極（２４ｂ）と両外側電極（２４ａ、２４ｃ）間に
印加されていることと、３個の部分（Ｌ＿１、Ｌ＿２、
Ｌ＿３）の最長部分間の関係は最長部分の長さ（Ｌ＿１
）と電極（２４ａ−ｃ）の長さＬとの商が０．７０から
０．９５の間の値をとり、好ましくは約０．７７である
ことと、を特徴とするオプトエレクトロニク変調器。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SE8502113A SE463740B (sv) | 1985-04-30 | 1985-04-30 | Elektrooptisk modulator |
| SE8502113-7 | 1985-04-30 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61252527A true JPS61252527A (ja) | 1986-11-10 |
| JPH0690370B2 JPH0690370B2 (ja) | 1994-11-14 |
Family
ID=20360033
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61097007A Expired - Lifetime JPH0690370B2 (ja) | 1985-04-30 | 1986-04-28 | オプトエレクトロニク変調器 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4797641A (ja) |
| JP (1) | JPH0690370B2 (ja) |
| GB (1) | GB2175101B (ja) |
| SE (1) | SE463740B (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007248944A (ja) * | 2006-03-17 | 2007-09-27 | Fujitsu Ltd | 光変調器 |
| WO2022091980A1 (ja) * | 2020-10-30 | 2022-05-05 | 住友大阪セメント株式会社 | 光導波路素子、光導波路デバイス、および光送信装置 |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4843350A (en) * | 1987-01-20 | 1989-06-27 | Hewlett-Packard Company | Coded sequence travelling-wave optical modulator |
| US4843586A (en) * | 1987-04-28 | 1989-06-27 | Hewlett-Packard Company | Distributed sampling of electrical and optical signals using coded switched electrode travelling wave modulators |
| US5157744A (en) * | 1991-12-16 | 1992-10-20 | At&T Bell Laboratories | Soliton generator |
| GB2270173B (en) * | 1992-08-28 | 1996-05-15 | Marconi Gec Ltd | Optical modulator |
| US5477375A (en) * | 1993-04-30 | 1995-12-19 | At&T Corp. | Optical soliton generator |
| GB2374945A (en) * | 2001-04-26 | 2002-10-30 | Jds Uniphase Corp | Mach-Zehnder Optical Modulator |
| EP1403692A1 (en) * | 2002-09-26 | 2004-03-31 | Corning O.T.I. SRL | Electro-optic devices |
| GB2408811B (en) * | 2003-12-06 | 2005-11-23 | Bookham Technology Plc | Optical Modulator |
| JP5055947B2 (ja) * | 2006-10-20 | 2012-10-24 | 富士通オプティカルコンポーネンツ株式会社 | 光変調器および送信装置 |
| CN109990822B (zh) * | 2019-04-29 | 2022-04-22 | 中国电子科技集团公司第四十一研究所 | 一种光电探测模块的频率响应标定装置及方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5890615A (ja) * | 1981-11-16 | 1983-05-30 | ウエスタ−ン・エレクトリツク・カムパニ−・インコ−ポレ−テツド | 進行波電子光学デバイス |
| JPS59208526A (ja) * | 1983-04-21 | 1984-11-26 | アメリカン・テレフオン・アンド・テレグラフ・カムパニ− | 光電子デバイス |
Family Cites Families (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR25386E (fr) * | 1921-09-14 | 1923-03-06 | Machine à vapeur à double effet | |
| US4198116A (en) * | 1975-04-30 | 1980-04-15 | Thomson-Csf | Electro-optical switch and modulator |
| US4070094A (en) * | 1975-08-25 | 1978-01-24 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Optical waveguide interferometer modulator-switch |
| US4157860A (en) * | 1977-10-11 | 1979-06-12 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Dual polarization electromagnetic switch and modulator |
| FR2453426A1 (fr) * | 1979-04-03 | 1980-10-31 | Thomson Csf | Modulateur d'intensite lumineuse en optique integree et circuit optique integre comportant un tel modulateur |
| FR2457505A1 (fr) * | 1979-05-23 | 1980-12-19 | Thomson Csf | Modulateur d'intensite lumineuse a commande numerique en optique integree et convertisseur numerique analogique comprenant un tel modulateur |
| US4251130A (en) * | 1979-07-18 | 1981-02-17 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Velocity matched optical gate |
| FR2465243A1 (fr) * | 1979-09-06 | 1981-03-20 | Thomson Csf | Commutateur electro-optique a commande electrique et circuit optique integre comprenant un tel commutateur |
| US4266850A (en) * | 1980-01-28 | 1981-05-12 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Integrated bias for waveguide amplitude modulator |
| US4381139A (en) * | 1980-08-29 | 1983-04-26 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Velocity mismatched modulator |
| US4390236A (en) * | 1981-03-19 | 1983-06-28 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Tunable polarization independent wavelength filter |
| FR2545947B1 (fr) * | 1983-05-10 | 1986-03-21 | France Etat | Coupleur directif electro-optique a trois electrodes et a dephasage alterne |
| SE463739B (sv) * | 1983-10-10 | 1991-01-14 | Ericsson Telefon Ab L M | Foerfarande och anordning att oeka bandbredden i en hoeghastighetsmodulator |
-
1985
- 1985-04-30 SE SE8502113A patent/SE463740B/sv not_active IP Right Cessation
-
1986
- 1986-03-18 US US06/840,910 patent/US4797641A/en not_active Expired - Lifetime
- 1986-04-28 JP JP61097007A patent/JPH0690370B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1986-04-29 GB GB8610408A patent/GB2175101B/en not_active Expired
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5890615A (ja) * | 1981-11-16 | 1983-05-30 | ウエスタ−ン・エレクトリツク・カムパニ−・インコ−ポレ−テツド | 進行波電子光学デバイス |
| JPS59208526A (ja) * | 1983-04-21 | 1984-11-26 | アメリカン・テレフオン・アンド・テレグラフ・カムパニ− | 光電子デバイス |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007248944A (ja) * | 2006-03-17 | 2007-09-27 | Fujitsu Ltd | 光変調器 |
| WO2022091980A1 (ja) * | 2020-10-30 | 2022-05-05 | 住友大阪セメント株式会社 | 光導波路素子、光導波路デバイス、および光送信装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| SE463740B (sv) | 1991-01-14 |
| GB2175101B (en) | 1989-07-05 |
| US4797641A (en) | 1989-01-10 |
| GB8610408D0 (en) | 1986-06-04 |
| GB2175101A (en) | 1986-11-19 |
| SE8502113L (sv) | 1986-10-31 |
| JPH0690370B2 (ja) | 1994-11-14 |
| SE8502113D0 (sv) | 1985-04-30 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2603437B2 (ja) | 周期的ドメイン反転電気・光変調器 | |
| US7088875B2 (en) | Optical modulator | |
| CA2337017C (en) | Differential drive optical modulator | |
| JP3929814B2 (ja) | マッハ−ツェンダ電子−光学変調器 | |
| JPS61252527A (ja) | オプトエレクトロニク変調器 | |
| KR950000406B1 (ko) | 전-광 변조기 및 광신호 변조방법 | |
| JPS635740B2 (ja) | ||
| CA1202695A (en) | Traveling wave electrooptic devices | |
| JPS63271412A (ja) | 光電子装置における電極装置 | |
| EP0289275A1 (en) | Sampling of signals using travelling wave modulators | |
| JPH01501974A (ja) | 符号化系列進行波光学変調器 | |
| US4468086A (en) | Traveling wave, velocity mismatched gate | |
| Nazarathy et al. | Spread spectrum frequency response of coded phase reversal traveling wave modulators | |
| US8873896B1 (en) | Dual polarization optical modulator using dual broadband multi-electrode weighted direct analog phase modulators | |
| Booth | LiNbO3 integrated optic devices for coherent optical fibre systems | |
| WO2004086126A1 (ja) | 導波路型光変調器 | |
| JPS6011326B2 (ja) | 分岐路形光変調器 | |
| JP2005106912A (ja) | 線路終端回路および光変調器 | |
| Chujo et al. | A 60-GHz optical frequency shifter using coupled inverted slot lines | |
| GB2452505A (en) | Optical external modulator and method of modulating a light beam | |
| JPH02239223A (ja) | 光変調器 | |
| JP2006285121A (ja) | 光導波路および光変調素子および光通信システム | |
| JPH04288531A (ja) | 光スイッチ | |
| JPS6187137A (ja) | 導波路型光スイツチ | |
| JP2004133311A (ja) | 光変調器 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |