SE463740B - Elektrooptisk modulator - Google Patents
Elektrooptisk modulatorInfo
- Publication number
- SE463740B SE463740B SE8502113A SE8502113A SE463740B SE 463740 B SE463740 B SE 463740B SE 8502113 A SE8502113 A SE 8502113A SE 8502113 A SE8502113 A SE 8502113A SE 463740 B SE463740 B SE 463740B
- Authority
- SE
- Sweden
- Prior art keywords
- electrodes
- modulator
- light
- electrode
- waveguides
- Prior art date
Links
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 4
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 18
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 description 14
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 9
- 230000004044 response Effects 0.000 description 8
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N lithium niobate Chemical compound [Li+].[O-][Nb](=O)=O GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 1
- 230000002452 interceptive effect Effects 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 230000000644 propagated effect Effects 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/21—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour by interference
- G02F1/225—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour by interference in an optical waveguide structure
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/21—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour by interference
- G02F1/225—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour by interference in an optical waveguide structure
- G02F1/2255—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour by interference in an optical waveguide structure controlled by a high-frequency electromagnetic component in an electric waveguide structure
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optical Modulation, Optical Deflection, Nonlinear Optics, Optical Demodulation, Optical Logic Elements (AREA)
- Optical Integrated Circuits (AREA)
Description
10
15
20
25
30
g,- .w
~ o
ca
FIGURFÖRTECKNING
Uppfinningen skall beskrivas närmare i anslutning till en ritning där
figur 1 i perspektiv snett ovanifran visar en elektrooptisk Mach-Zehnder-
modulator med elektroderna utformade på känt sätt,
figur 2 visar en elektrooptisk modulator i genomskärning,
figur 3 visar den kända modulatorn i planvy uppifrån med elektroderna kopplade
som vandringsvàgelektroder och anslutna till en moduleringsspänning U,
figur 4a-c visar diagram med hastighetsjämförelse mellan en ljusvag och en
modulerande mikrovàg,
figur Sa-d visar diagram som anger den kända modulatorns modulerande
förmåga vid olika modulationsfrekvenser hos spänningen U,
figur 6 visar i planvy uppifrån den uppfinningsenliga modulatorn med elektro-
derna kopplade som vandringsvagelektroder och anslutna till modulerings-
spänningen U,
figur 7a-d visar diagram som anger den uppfinningsenliga modulatorns modu-
lerande förmaga vid olika modulationsfrekvenser hos spänningen U,
figur 8 visar ett diagram för jämförelse av den kända och den uppfimingsenliga
modulatorn,
figur 9 visar i planvy uppifrån ett ytterligare utföringsexempel av den upp-
fimingsenliga modulatorn,
figur lÛa visar ett diagram med tva intill varandra liggande elektriska pulser,
figur lüb visar ett diagram med den kända modulatorns pulssvar för dessa pulser
och figur 1Ûc visar ett diagram med den uppfinningsenliga modulatorns pulssvar
för dessa pulser.
FÖREDRAGEN UTFÖRINGSFORM
I figur l visas i perspektiv en känd elektrooptisk Mach-Zehnderrnodulator. En
skiva l av elektrooptiskt material, exempelvis litiumniobat, har vid sin övre yta
2 ljusvågledare 3. Dessa har högre brytningsindex än skivan och kan åstad-
kommas genom att exempelvis titan diffunderas in till ett visst djup i skivan l.
Fran en gemensam ingang 5 förgrenar sig ljusvagledarna Y-formigt till tva
parallella vagledare 3a och 3b, vilka Y-formigt sammanföres till en gemensam
utgång 6. Skivan har pà den övre ytan tre metallelektroder 4 vilka sträcker sig
längs vagledarna 3a och 3b. Med hjälp av elektroderna kan ett elektriskt fält E
10
15
20
25
30
35
fortplantas längs elektroderna med en hastighet Vu =
ljushastigheten och Er är den effektiva dielektricitetskonstantfen för elektro-
3
al, as i skivan såsom visas i figur 2. Då detta fält passerar genom de två
parallella vågledarna 3a och 3b, sker en liten förändring av vågledarnas
brytningsindex n, vilken är huvudsakligen proportionell mot den elektriska
fältstyrkan. Vid den visade elektriska fältbilden har förändringen av brytnings-
indexet n varandra motsatt tecken i vågledarna 3a och 3b. Den skillnad i optisk
väglängd som härvid uppstår mellan vågledarna utnyttjas för att modulera en
ljusvåg P med konstant amplitud och våglängd, som anslutes till modulatorns
ingång 5. Ljusvågen P delas upp och undergår i vågledarna Ba och 3b en inbördes
fasförskjutning beroende på skillnaden i optisk våglängd, innan de åter över-
lagras vid utgången 6 till en ljussignal Pm. Genom att ljusvågorna i vågledarna
har samma amplitud och genom ett lämpligt val av elektrodspänning kan
ljusvågorna fasförskjutas en halv ljusvåglängd så att ljuset vid överlagringen
helt utsläckes.
I figur 3 visas modulatorn enligt figur 1 kopplad såsom en högfrekvens-
modulator. Elektroderna 4, s k vandringsvågelektroder, betraktas som trans-
missionsledningar vilka har en längd L och är reflektionsfritt avslutade genom
ett mostånd R. Till elektroderna är anslutna en högfrekvenssignal U vilken
° där Co är
derrëa 4. Ljusvågorna i ljusvågledarna 3a och 3b fortplantas med en hastighet C
, varvid det gäller att Vu < C. Detta ger upphov till den s k "walk-
offefekten" som med ett exempel skall förklaras i anslutning till figur 4. I denna
figur betecknar E det elektriska fältet, vilket åstadkommas av en signal Ul med
en frekvens fl, och X betecknar läget utmed elektroden 4. I figur 4a visas det
elektriska fältet E i ett visst ögonblick då en foton i ljusvågledaren 3b precis
nått fram till elektroden 4. Fotonens läge markeras i figuren med en pil och det
elektriska fältet i närheten av fotonen har markerats med heldragen linje. Den
elektriska fältstyrkan genom ljusvågledaren 3b vid fotonen är i detta läge E = Û.
Ifigur 4b har fotonen med hastigheten C nått läget X = L/2 medan signalen Ul
med hastigheten Vu endast nått ett läge X = X1. Frekvensen fl är i exemplet så
vald att i detta läge fotonen påverkas av det elektriska fältets toppvärde El. I
figur 4c har signalen Ul nått ett läge X = X2, medan fotonen har nått till
elektrodens slut X = L så att moduleringen upphör eller ändrar tecken vilket
brukar benämnas "walk-off". Signalen Ul har förskjutits en halv våglängd efter
fotonen och det elektriska fältet vid fotonen är E = 0. Den elektriska fältstyrka
1.571 'T/ßf
LÉÜC: [bid
10
15
2D
25
30
35
4
i exemplet ovan som påverkar ljusvågledaren 3b vid fotonen under dess
transport genom vågledaren visas i figur Sb. Här betecknar E. den elektriska
fältstyrkan, X betecknar läget utmed elektroden 4 och L betecknar elektrodens
längd. Den totala fasförskjutningen av ljusvågen motsvaras, enligt beskrivningen
till figur 2, av den skuggade ytan under kurvan i figuren. Denna yta motsvarar
den fasförskjutning av ljusvågen som signalen Ul förmår åstadkomma. Signalen
Ul måste ha ett bestämt toppvärde för att de två interfererande ljusvågorna
vid modulatorns utgång 6 skall vara fasförskjutna en halv våglängd, så att de
helt utsläcker varandra. I figur Sa visas det elektriska fältet i ljusvågledarna då
signalen U är en likspänning UU. I figur Sc visas det elektriska fält som påverkar
en foton i ljusvågledarna då elektroderna är anslutna till en signal UZ vars
frekvens valts så att fz 'rå 1,3 x fl. Ljusvågorna i vågledarna 3a och 3b
fasförskjutes vid frekvensen fz inbördes fram till ett läge X3 på det sätt som
beskrivits i anslutning till figur Sh. Vid läget X3 inträffar "walk-off" och
fasförskjutningen mellan ljusvågorna minskar under ljusets fortsatta transport
från läget X3 till slutet. av elektroden X = L. Den resulterande fasförskjutníngen
motsvaras av den skuggade ytan, som är skillnaden mellan ytorna över och
under X-axeln. För att den resulterande fasförskjutningen skall vara tillräcklig
för en modulering av ljusvågen P måste vid frekvensen f2 signalen UZ ha ett
toppvärde som väsentligt överstiger toppvärdet för signalen Ul. Detta är en
stor nackdel hos den ovan beskrivna kända högfrekvensmodulatorn, då det är
svårt att alstra högfrekvenssignaler med stort toppvärde. I figur Sd visas det
elektriska fält som påverkar en foton i ljusvågledarna då elektroderna är
anslutna till en signal U), med en frekvens f3 = 2 x fl. Vid frekvensen f;
inträffar "walk-off" vid ett läge X =L/2 och den resulterande ytan är noll.
Någon modulering av ljusvågen P sker inte och frekvensen f; är den övre
gränsfrekvensen för denna kända högfrekvensmodulator.
I figur 6 visas ett utföringsexempel av en högfrekvensmodulator enligt upp-
finningen. En skiva lU av elektrooptiskt material, exempelvis litiumniobat har,
liksom vid den kända modulatorn, ljusvågledare 13 som diffunderats in till ett
visst djup i skivan. Modulatorn har en ingång 15 från vilken vågledaren
förgrenas Y-formígt till två parallella vågledare l3a och 13b, vilka Y-formigt
sammanföres till en utgång 16. För att alstra det elektriska fältet E i
vågledarna har modulatorn tre elektroder lila, llib och làc av den ovannämnda
typen vandringsvågelektroder som är uppdelade i två sektioner. I figuren
10
15
20
25
30
35
f? :ry
/ zíU
4- 6 5
5
betecknar X läget utmed elektroderna och d betecknar ett avstånd mellan en av
ljusvågledarna l3a eller l3b och den närmsta långsidan av den intilliggande
elektroden. I den första sektionen med en längd Ll, närmast ingången 15, ligger
ljusvågledaren l3a under elektroden lita, på det sätt som visas i genomskärníng
i figur 2, och på avståndet d från den intilliggande elektroden l4b. Ljusvåg-
ledaren l3b ligger under elektroden l4b och på avståndet d från elektroden llic.
Vid läget X = Ll, där Ll >2L-, är elektroderna förskjutna i sidled så att
vågledaren l3a ligger under elektroden llib och på avståndet d från elektroden
lisa. Vågledaren l3b ligger under elektroden l4c och på avståndet d från
elektroden l4b. Denna förskjutning av elektroderna i sidled medför att, om
elektroderna anslutes till likspänningen UU, det elektriska fältets E riktning
genom ljusvågledarna kommer att kastas om vid läget X = Ll såsom markeras i
figuren med symbolerna $ och ® . Förskjutningen av elektroderna i sidled
medför att effekten av "walk-off" motverkas och att den övre gränsfrekvensen
kan höjas, såsom skall förklaras i anslutning till figur 7d under jämförelse med
figuren Sd. I figur 7a-d betecknar X läget utmed elektroderna och E betecknar
den elektriska fältstyrka genom vågledarna 13a och l3b vilken påverkar en
foton som transporteras genom vågledarna. Elektroderna llib och l4c är
anslutna till den tidigare nämnda högfrekventa signalen U3 med frekvensen f3.
Som nämndes i anslutning till figur Sd inträffar vid denna frekvens "walk-off"
vid läget X = L/Z. Vid den kända modulatorn, med den i figur 4 beskrivna
elektrodstrukturen, minskar fasförskjutningen under ljusets hela fortsatta tran-
sport från X = L/2 fram till elektrodens slut, X = L, så att modulationseffekten
helt upphör. Vid den beskrivna, uppfinningsenliga elektrodstrukturen omkastas
tecknet för det elektriska fältet E vid läget X = Ll där elektroderna är
sidoförskjutna. Detta medför att fasförskjutningen mellan ljusvågorna i våg-
ledarna l3a och l3b på nytt ökar vid ljusets transport från läget X = Ll till
elektrodernas slut, X = L. Den totala fasförskjutningen mellan ljusvågorna
motsvaras på detta sätt, vid den valda frekvensen f3, av den i figur 7d skuggade
ytan. I figurerna 7a och 7b visas hur sidoförskjutningen av elektroderns
långsidor påverkar fasförskjutningen vid den modulerande signalen UU, som är
likspänning, resp Ul med frekvensen fl. Den totala fasförskjutníngen vid ett
visst toppvärde hos signalen U, motsvarande de streckade ytorna, är vid dessa
frekvenser mindre för den uppfinningsenliga modulatorn än för den kända
modulatorn. Vid högre frekvenser, exempelvis frekvenserna fz och f; enligt
figur 7c resp 7d, har den uppfinningsenliga modulatorn större fasförskjutning än
10
15
20
25
30
(__¿'~._l
s, J
.En
E)
6
den kända modulatorn. Denna ovan gjorda jämförelse av modulatorerna kan
uttryckas genom ett s k godhetstal G som är kvoten mellan modulatorns
bandbredd och den erforderliga spänningen hos signalen U. I nedanstående tabell
jämföres nagra modulatorer pa detta sätt sätt. Med Ll betecknas längden för
den langa sektionen av elektroderna vilka har den totala längden L och med D
betecknas ett relativt matt på fasförskjutningen da signalen U är en lik-
spänning.
Ll/ L D G
1.00 0.24 14.2
0.90 0.20 15.6
0.80 0.15 18.9
0.75 0.13 21.1
0.70 0.10 18.4
0.60 0.05 18.2
I Figur 8 visas ett diagram med tabellens värden pa godhetstalet G som funktion
av kvoten Ll/L. Av diagrammet framgar att, för en uppfinningsenlig modulator
med Ll/L = 0.77, godhetstalet G är ungefär 50 % större än för den kända
modulatorn med Ll/L = 1. Enligt tabellen är fasförskjutningen vid likspänning
för modulatorn med Ll/L = 0.77 sämre än för den kända modulatorn, vilket ur
praktisk synvinkel delvis uppväges av att det är lättare att alstra en stor
likspänning än en högfrekvent växelspänníng med stort toppvärde. Värden pa
Ll/L < 0.7 är inte av intresse da godhetstalet G är nästan konstant för lägre
värden och talet D, som uttrycker lagfrekvensegenskaper är mycket litet.
Den ovan beskrivna uppfinningsenliga modulatorn har enligt figur 6 elektroder
vilka i den andra sektionen närmast modulatorns utgang förskjutits i sidled
under en sträcka som är mindre än L/z. Denna sidoförskjutning av elektrodernas
langsidor kan enligt uppfinningen även göras närmast modulatorns ingang 15 sa
att den andra sektionen har längden Ll >2k. Genom ett resonemang, mot-
svarande det som gjordes ovan i anslutning till figur 7c, kan visas att en sadan
modulator far samma fasförskjutande egenskaper som modulatorn i det valda
utföringsexemplet. I figur 9 visas ett ytterligare utföringsexempel av en
modulator enligt uppfinningen. Modulatorn omfattar en skiva 20 av elektro-
optiskt material vilken har ljusvagledare 23 som diffunderats in till ett visst
10
15
2D
25
30
35
f; šš
“TU
.r
4- 'o i; 7
7
djup i skivan. Vågledarna har en ingång 25 och förgrenas Y-formigt till två
parallella vågledare 23a och 23b, vilka Y-formigt sammanföres till en utgång
26. Modulatorn har på skivans yta tre elektroder, 24a, 24b och 24c av längden L,
vilka är av den nämnda typen vandringsvågelektroder och vilka delats upp i tre
sektioner. l figuren betecknar X läget utmed elektroderna och d betecknar ett
avstånd mellan en av ljusvågledarna 23a eller 23b och ena långsidan av en
intilliggande elektrod. I den första sektionen, med en längd Lz, ligger ljusvåg-
ledaren 23a under elektroden 24a, på det sätt som visas i figur 2, och på
avståndet d från den intilliggande elektroden 24b. Ljusvågledaren 23b ligger
under elektroden 24b och på avståndet d från den intilliggande elektroden Zlic.
Vid läget X = Lz är elektroderna förskjutna i sidled så att vagledaren 23a i den
andra sektionen med längden Ll ligger under elektroden 24b och på avståndet d
från elektroden 24a. Vågledaren 23b ligger under elektroden 24c och på
avståndet d från elektroden 24b. Vid läget X = Ll+L2 är elektroderna
sidoförskjutna på nytt så att elektroderna i den tredje sektionen, med en längd
L3, har samma sidoläge i förhållande till ljusvågledarna 23a och 23b som i den
första sektionen. Genom ett reseonemang motsvarande det som gjordes ovan i
anslutning till figur 7d, kan visas att den i anslutning till figur 9 beskrivna
uppfinningsenliga modulatorn får huvudsakligen samma fasförskjutande egen-
skaper som modulatorn i det valda utföringsexemplet enligt figuren 6.
Vid många användningar av högfrekvensmodulatorer, exempelvis informations-
överföring, är det väsentligt att modulatorn har gott pulssvar. Därmed avses att
modulatorn avger en skarpt avgränsad ljuspuls om en skarpt avgränsad elektrisk
puls tillföres till modulatorns elektroder. Som tidigare nämnts finns det
modulatorer vilka har hög övre gränsfrekvens vid en kontinuerlig högfrekvent
elektrisk insignal, men vilka har mycket dåligt pulssvar för enstaka elektriska
pulser på elektroderna. Den uppfinningsenliga modulatorn har förutom hög övre
gränsfrekvens även gott pulssvar såsom med ett exempel visas i figur 10. I
denna figur jämföres pulssvaret för den kända modulatorn enligt figur 3 och den
uppfinningsenliga modulatorn med Ll/L = 0.75. Till modulatorernas elektroder
anslutes en dubbelpuls vars utseende visas i figur 1Ua. I denna figur betecknar V
pulsens spänning och T betecknar tiden i pikosekunder ps, där l ps = IT12
sekunder. Avståndet mellan pulsernas toppar är 75 ps och pulsbredden vid halva
toppspänningen är 50 ps. Pulssvaret för den kända modulatorn visas i figur lüb
och för den uppfinningsenliga modulatorn i figur lÛc. I dessa figurer betecknar I
Cñ
(_ f-'J
-lim
“1
. f-
8
ljuspulsens intensitet och T betecknar tiden i ps. Ljuspulserna för den upp-
finningsenliga modulatorn är skarpt avgränsade från varandra. Ljuspulserna från
den kända modulatorn är breda och flyter ihop så att de av en mottagande enhet
kommer att detekteras som endast en puls. Den uppfinningsenliga modulatorns
goda pulssvar vid höga pulsfrekvenser förklaras av ett den första pulsen genom
elektrodernas sidoförskjutníng ger ett negativt bidrag till moduleringen, vilket
motverkar den positiva moduleríngen i början av den andra pulsen. Den totala
modulerande effekten mellan pulserna blir liten, sa att pulserna blir skarpt
avgränsade från varandra så som visas í figur lÛ c.
Claims (1)
10 '15 G* (_34 * 'J 9 PATENTKRAV Elektrooptisk modulator för att alstra en optisk signal omfattande två ljus- vågledare vilka är förbundna med varandra vid en ingång och en utgång och vilkas skillnadsmodulering avkännes vid utgången och tre plattformade elek- troder vilka är anordnade huvudsakligen parallellt med varandra på sådant sätt att två intill varandra belägna elektroder genom sina långsidor avgränsar ett avlångt mellanrum med högst tre sektioner vilka är förskjutna i sidled i förhållande till varandra på sådant sätt att den ena långsidan i en av sektionerna är belägen ungefär i förlängningslinjen av den andra långsidan i den' intilliggande sektionen, att ljusvågledarna är belägna i nämnda förlängnings- linjer så att de moduleras i motsatt fas i två intill varandra belägna sektioner av en modulerande spänning vilken är ansluten mellan den mellersta elektroden och de båda yttre elektroderna k ä n n e t e c k n a d därav att förhållandet mellan längderna av de nämnda högst tre sektionerna (L1,L2,L3) är sådant att kvoten mellan den längsta sektionens längd (Ll) och elektrodernas (Zita-c) längd (L) ligger i intervallet 0.70 till 0.95 och företrädesvis är omkring 0.77.
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SE8502113A SE463740B (sv) | 1985-04-30 | 1985-04-30 | Elektrooptisk modulator |
US06/840,910 US4797641A (en) | 1985-04-30 | 1986-03-18 | Optoelectronic modulator |
JP61097007A JPH0690370B2 (ja) | 1985-04-30 | 1986-04-28 | オプトエレクトロニク変調器 |
GB8610408A GB2175101B (en) | 1985-04-30 | 1986-04-29 | Optoelectronic modulator |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SE8502113A SE463740B (sv) | 1985-04-30 | 1985-04-30 | Elektrooptisk modulator |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SE8502113D0 SE8502113D0 (sv) | 1985-04-30 |
SE8502113L SE8502113L (sv) | 1986-10-31 |
SE463740B true SE463740B (sv) | 1991-01-14 |
Family
ID=20360033
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SE8502113A SE463740B (sv) | 1985-04-30 | 1985-04-30 | Elektrooptisk modulator |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4797641A (sv) |
JP (1) | JPH0690370B2 (sv) |
GB (1) | GB2175101B (sv) |
SE (1) | SE463740B (sv) |
Families Citing this family (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4843350A (en) * | 1987-01-20 | 1989-06-27 | Hewlett-Packard Company | Coded sequence travelling-wave optical modulator |
US4843586A (en) * | 1987-04-28 | 1989-06-27 | Hewlett-Packard Company | Distributed sampling of electrical and optical signals using coded switched electrode travelling wave modulators |
US5157744A (en) * | 1991-12-16 | 1992-10-20 | At&T Bell Laboratories | Soliton generator |
GB2270173B (en) * | 1992-08-28 | 1996-05-15 | Marconi Gec Ltd | Optical modulator |
US5477375A (en) * | 1993-04-30 | 1995-12-19 | At&T Corp. | Optical soliton generator |
GB2374945A (en) * | 2001-04-26 | 2002-10-30 | Jds Uniphase Corp | Mach-Zehnder Optical Modulator |
EP1403692A1 (en) * | 2002-09-26 | 2004-03-31 | Corning O.T.I. SRL | Electro-optic devices |
GB2408811B (en) * | 2003-12-06 | 2005-11-23 | Bookham Technology Plc | Optical Modulator |
JP4812476B2 (ja) * | 2006-03-17 | 2011-11-09 | 富士通オプティカルコンポーネンツ株式会社 | 光変調器 |
JP5055947B2 (ja) * | 2006-10-20 | 2012-10-24 | 富士通オプティカルコンポーネンツ株式会社 | 光変調器および送信装置 |
CN109990822B (zh) * | 2019-04-29 | 2022-04-22 | 中国电子科技集团公司第四十一研究所 | 一种光电探测模块的频率响应标定装置及方法 |
JP2022073196A (ja) * | 2020-10-30 | 2022-05-17 | 住友大阪セメント株式会社 | 光導波路素子、光導波路デバイス、および光送信装置 |
Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR25386E (fr) * | 1921-09-14 | 1923-03-06 | Machine à vapeur à double effet | |
US4198116A (en) * | 1975-04-30 | 1980-04-15 | Thomson-Csf | Electro-optical switch and modulator |
US4070094A (en) * | 1975-08-25 | 1978-01-24 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Optical waveguide interferometer modulator-switch |
US4157860A (en) * | 1977-10-11 | 1979-06-12 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Dual polarization electromagnetic switch and modulator |
FR2453426A1 (fr) * | 1979-04-03 | 1980-10-31 | Thomson Csf | Modulateur d'intensite lumineuse en optique integree et circuit optique integre comportant un tel modulateur |
FR2457505A1 (fr) * | 1979-05-23 | 1980-12-19 | Thomson Csf | Modulateur d'intensite lumineuse a commande numerique en optique integree et convertisseur numerique analogique comprenant un tel modulateur |
US4251130A (en) * | 1979-07-18 | 1981-02-17 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Velocity matched optical gate |
FR2465243A1 (fr) * | 1979-09-06 | 1981-03-20 | Thomson Csf | Commutateur electro-optique a commande electrique et circuit optique integre comprenant un tel commutateur |
US4266850A (en) * | 1980-01-28 | 1981-05-12 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Integrated bias for waveguide amplitude modulator |
US4381139A (en) * | 1980-08-29 | 1983-04-26 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Velocity mismatched modulator |
US4390236A (en) * | 1981-03-19 | 1983-06-28 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Tunable polarization independent wavelength filter |
US4448479A (en) * | 1981-11-16 | 1984-05-15 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Traveling wave, electrooptic devices with effective velocity matching |
US4553810A (en) * | 1983-04-21 | 1985-11-19 | At&T Bell Laboratories | Traveling wave electrooptic devices |
FR2545947B1 (fr) * | 1983-05-10 | 1986-03-21 | France Etat | Coupleur directif electro-optique a trois electrodes et a dephasage alterne |
SE463739B (sv) * | 1983-10-10 | 1991-01-14 | Ericsson Telefon Ab L M | Foerfarande och anordning att oeka bandbredden i en hoeghastighetsmodulator |
-
1985
- 1985-04-30 SE SE8502113A patent/SE463740B/sv not_active IP Right Cessation
-
1986
- 1986-03-18 US US06/840,910 patent/US4797641A/en not_active Expired - Lifetime
- 1986-04-28 JP JP61097007A patent/JPH0690370B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1986-04-29 GB GB8610408A patent/GB2175101B/en not_active Expired
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
GB8610408D0 (en) | 1986-06-04 |
JPS61252527A (ja) | 1986-11-10 |
GB2175101A (en) | 1986-11-19 |
US4797641A (en) | 1989-01-10 |
GB2175101B (en) | 1989-07-05 |
SE8502113D0 (sv) | 1985-04-30 |
SE8502113L (sv) | 1986-10-31 |
JPH0690370B2 (ja) | 1994-11-14 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CA1142251A (en) | Light intensity modulator with extended linear modulation range | |
EP0387832B1 (en) | Optical modulator | |
US6532315B1 (en) | Variable chirp optical modulator having different length electrodes | |
SE463740B (sv) | Elektrooptisk modulator | |
DE3241945C2 (sv) | ||
US9810964B2 (en) | Electro-optic modulator having identical forward and backward electro-optic response | |
EP2545408B1 (en) | Optical modulators with controllable chirp | |
EP2839314B1 (en) | Electro-optic distance-measuring device | |
Leonberger | High-speed operation of LiNbO 3 electro-optic interferometric waveguide modulators | |
US6341031B1 (en) | Optical pulse generation using a high order function waveguide interferometer | |
EP0239220A1 (en) | Electro-optic phase shifter with reduced input capacitance | |
KR840008718A (ko) | 전광장치 | |
US6052496A (en) | Integrated optical modulators | |
EP0289275B1 (en) | Sampling of signals using travelling wave modulators | |
WO1988003278A1 (en) | Optical signal modulation device | |
Binh | Lithium niobate optical modulators: Devices and applications | |
JPH0422246B2 (sv) | ||
EP2038697B1 (en) | A tuneable electro-optic modulator | |
US6535653B1 (en) | Variable chirp optical modulator | |
JPS60114820A (ja) | 光学高速変調方法及び装置 | |
Chan et al. | Coherence-free photonic notch filter | |
Betts | Microwave bandpass modulators in lithium niobate | |
Booth | LiNbO3 integrated optic devices for coherent optical fibre systems | |
Muhammad et al. | Design of a High speed hyperbolic and Gaussian pulse generators with electro-optic modulators based on different bit sequences for the digital fiber optic communication link | |
JP2699589B2 (ja) | 導波路型光デバイスの駆動方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
NAL | Patent in force |
Ref document number: 8502113-7 Format of ref document f/p: F |
|
NUG | Patent has lapsed |