JP2699589B2 - 導波路型光デバイスの駆動方法 - Google Patents

導波路型光デバイスの駆動方法

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Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は導波路型光デバイスに係り,特に導波路型光
デバイスの駆動方法に関する。
[従来の技術] 導波路型光デバイスは,強度電体や半導体材料からな
る基板中に屈折率を高くして光を閉じ込め導波させる導
波路を形成し,この導波路の上部または近傍に電極を形
成し,外部から電極に電圧を印加することによって,基
板中の導波路の屈折率を変化させて光の位相や強度を変
調したり,あるいは光路を切換えたりする機能を有する
光デバイスである。
このような導波路型光デバイスの一例として,強誘電
体材料のなかで比較的高い電気光学効果を有するLiNbO3
基板を用いたデバイスがある。これはLiNbO3基板にTi膜
を成膜し,所望の導波路パターンにパターニングした
後,1000℃前後で数時間熱拡散して導波路を形成し,こ
れにSiO2バッファ層を成膜し,その上面に金属膜により
電極を形成してデバイスとするものである。この導波路
型光デバイスでは,一つの基板上に光を変調する変調機
能と光路切換を行うスイッチング機能を集積化すること
が可能である。また,この導波路型光デバイスは光を高
速変調することができるので大容量光通信用の外部光変
調器や,OTDR(光パルス試験器)における光路切換用ス
イッチとして開発が進められている。
第2図は従来から広く研究開発実用化のための検討が
進められているマッハツェンダ型高速光変調器である。
以下,第2図を用いてその構造と動作原理とを簡単に説
明する。
LiNbO3基板2に形成された導波路1は分岐部を2ヶ所
有し,この分岐部間は2本の平行な導波路1a,1bとなっ
ている。導波路1の2本の平行な部分1a,1bの上部に
は,基板2の表面全体に成膜されたSiO2バッファ層(第
3図の断面図(a)を参照)を介してCr−Auからなる金
属膜の信号電極3とグランド電極4とが形成されてい
る。この導波路1および信号電極3とグランド電極4と
を有する基板1の両端面には,それぞれ入力側光ファイ
バ5と出力側光ファイバ6が光学的に結合されている。
さらに,信号電極3には電圧を印加し,変調信号を入力
するための駆動回路7が接続されている。この駆動回路
7は波長1.3μm等の光を変調するのに5〜8Vの電圧が
必要となるため信号電極3に近接して設けられる。
ブランド電極4を接地し,信号電極3に外部から電圧
を印加すると,第3図(a)に示すように,導波路1a,1
bに縦方向の電界(矢印で表示)が発生し,これによりL
iNbO3のもつ電気光学効果により導波路1a,1bの屈折率が
変化する。導波路1a,1bの屈折率が変化すると,そこを
伝搬する光の位相が変化する。このとき電界の向きに応
じた2つの導波路1a,1bの屈折率は一方が高く,他方が
低くなる。即ち,第2図に示した例では,信号電極3に
電圧を印加したとき2本の導波路1a,1bに発生する電界
を互いに逆方向となり,これによって,各導波路1a,1b
を伝搬する光の位相は互いに逆方向に変化する。印加し
た電圧と光出力の関係は第4図に示す。
信号電極3に電圧を印加しない状態では一旦分岐さ
れ,再び合流した光は位相差がないため(ここでは伝搬
員や分岐損を無視する。)入力光がそのまま出力され
る。
信号電極3に電圧を印加すると,導波路1aと導波路1b
とを伝盤する光に位相差を生じ、ちょうどこの2つの導
波路1aと1bを伝搬する光の位相が反転するように電圧を
印加すると光は全く出力されなくなる。
以上説明した原理をもとに印加電圧をON−OFFするこ
とによって光を変調するのがマッハツェンダ型光変調器
である。
通常こうした光変調器を大容量伝送システム用外部変
調器や,OTDRの光計測器用等,非常に高速動作が要求さ
れる機器に使用される。
[発明が解決しようとする課題] しかしながら,従来の光変調器は,前述のように,印
加する電圧値を変化させて電圧変調を行なうが,長時間
使用しつづけるとSiO2バッファ層8あるいはLiNbO3基板
2中に含まれる不純物イオンが電極近傍に集中する。即
ち,第3図(b)に示すようにマイナスイオンがプラス
電圧を印加する信号電極3側に,またプラスイオンがグ
ランド電極4側に集まりだす。この結果信号電極3に同
じ値の電圧を印加しても使用状態によって導波路1に発
生する電界強度は弱まってしまい所望の変調に必要な光
の消光比が得られなくなってしまう(第4図に示すドリ
フト現象を引き起こす)という問題点がある。
本発明は,変調動作によって発生するドリフト現象を
休止動作中に解消する導波路型光デバイスの駆動方法を
提供することを目的とする。
[問題点を解決するための手段] 本発明によれば,LiNbO3からなる基板中に形成された
導波路と,該基板上に前記導波路に対応した位置に形成
され,所定電圧のパルス列からなる変調信号が印加され
る電極とを有し,前記パルス列の各パルスの前記電極へ
の印加によって前記導波路の屈折率を変化させる導波路
型光デバイスを駆動する方法であって,前記電極に前記
変調信号を印加して前記導波路を伝搬する光の変調を行
う変調動作と前記変調信号の印加を休止する休止動作と
を繰り返す導波路型光デバイスの駆動方法において,前
記休止動作中に,前記変調信号の前記パルス列の前記所
定電圧とは逆極性の電圧を連続的に印加し,前記変調動
作によって引き起こされる電圧シフトを打ち消すことを
特徴とする導波路型光デバイスの駆動方法が得られる。
[実施例] 次に本発明について図面を参照して説明する。
第1図(a)は本発明による導波路型光デバイスの駆
動方法である。第1図(b)には比較のため従来の駆動
方法を示した。変調信号は電圧Vπ=6.5V,周期1MHz,デ
ューティ比30%のパルス信号で2時間印加し,1時間休止
している。また休止中は変調信号とは逆極性の電圧DC−
10Vを約20分印加した。
なお,休止時間は信号処理等を行う時間である。
第5図は,導波路型光デバイスを従来の駆動方法(×
で示す)と本発明による駆動方法(○で示す)で使用し
た場合の,それぞれのドリフトにより電圧シフト量を示
している。
第5図からわからように,従来の導波路型光デバイス
では,2時間変調,1時間休止を繰り返し10時間経過後約3V
の電圧シフトをおこしているのに対し,本実施例では約
0.5Vしか電圧シフトしておらず,安定な特性を示してい
る。
なお印加する電圧値及びその時間は,導波路型光デバ
イスの特性及び使用条件によって決定される。
[発明の効果] 以上説明したように本発明は、導波路基板の電極に変
調信号の印加を休止しているときに電極に逆極性の電圧
を連続的に印加することにより,ドリフトにより発生し
た電圧シフトを強制的に短時間で復帰させることができ
る。これにより,ドリフトによる電圧シフトは長時間の
断続駆動であっても蓄積されずに常に安定した特性が得
られる。
【図面の簡単な説明】
第1図は,本発明の導波路型デバイスの駆動方法を説明
する図であり,(a)は本発明の実施例の駆動方法によ
る電圧印加のタイムチャート,(b)は従来の方法によ
る電圧印加のタイムチャート,第2図は従来の導波路型
光デバイスの構造図,第3図は第2図のA−A′線の断
面図で(a)は変調信号入力時,(b)は変調信号入力
後を示す,第4図はドリフトによるスイッチング曲線の
変化を示すグラフ,第5図は本発明の実施例と従来の導
波路型光デバイスの時間シフト電圧との関係を示すグラ
フ図である。1……導波路,2……LiNbO3,3……信号電
極,4……グラフト電極,5……入力用光ファイバ,6……出
力用光ファイバ,7……駆動回路,8……SiO2バッファ層。

Claims (1)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】LiNbO3からなる基盤中に形成された導波路
    と、該基板上に前記導波路に対応した位置に形成され、
    所定電圧のパルス列からなる変調信号が印加される電極
    とを有し、前記パルス列の各パルスの前記電極への印加
    によって、前記導波路の屈折率を変化させる導波路型光
    デバイスを駆動する方法であって、 前記電極に前記変調信号を印加して前記導波路を伝搬す
    る光の変調を行う変調動作と前記変調信号の印加を休止
    する休止運動を繰り返す導波路型光デバイスの駆動方法
    において、 前記休止動作中に集中して、前記変調信号の前記パルス
    列の前記所定電圧とは逆特性のDC電圧を印加し、前記変
    調動作によって引き起こされる電圧シフトを打ち消すこ
    とを特徴とする導波路型光デバイスの駆動方法。
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