JPS61251347A - モノリシツクic化変調回路 - Google Patents

モノリシツクic化変調回路

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JPS61251347A
JPS61251347A JP9254085A JP9254085A JPS61251347A JP S61251347 A JPS61251347 A JP S61251347A JP 9254085 A JP9254085 A JP 9254085A JP 9254085 A JP9254085 A JP 9254085A JP S61251347 A JPS61251347 A JP S61251347A
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JP
Japan
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transistor
collector
port
emitters
base
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JP9254085A
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Nobuaki Imai
今井 伸明
Hiroyuki Kikuchi
菊池 博行
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Nippon Telegraph and Telephone Corp
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Nippon Telegraph and Telephone Corp
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 本発明は例えばマイクロ波通信の多値変調器等に使用さ
れる変調位相偏差の小さなモノリシックIC(集積回路
)化変調回路に関するものである。
〔発明の技術的背景とその問題点〕
第3図は従来のモノリシックIC化変調回路の回路構成
を示す。図中(C)で示す部分が基本乗算器部分であり
、この構成の場合、ポート例の入力線形範囲はポート(
イ)に比べて、狭くなるため、通常ポート■の方がロー
カルポートに、ポートに)はベースバンド入力ポートと
なる。また、図中に)はp−カルポート側の、(B)は
信号ポート側のアンバランス−バランス変換回路、(ロ
)は出力段のエミッタフォ四アである。本変調回路を動
作させる場合には、1′tたIf12のポートからアン
バランスのローカル信号を入力し、3.4または5.C
のポートからベースバンド信号を入力する。ベースバン
ド信号は、アンバランスで入力されるから変調回路を、
アンバランス駆動する時は3または4のポートから入力
して基本乗算器(C)を直接駆動し、バランス駆動する
時は5tたは6の・ポートから入力してアンバ2ンスー
パツンス変換回路(ロ)でバランスに変換後基本乗算器
(C)を駆動する。このとき、変調出力波は1または8
のポートから取り出される。第4図は、第3図に示す従
来形式の変調回路の特性例であり、←)は入出力特性、
(b)は振巾位相特性の例である。第5図は従来の大振
巾入力時の変l11位相特性図である。従来のこの形式
の変調回路では第5図に示すように、高入力レベル時に
おけるR@位相偏差が大きくなるという欠点がある。第
6図は、この変調位相偏差をトランジスタQ、〜Q、の
内部容量を変えて計算した例であり(設計中心の容量に
対して±504fiで変化)、特に、ベース−コレクタ
間の容量の影響が大きいことがわかる。
〔発明の目的〕
本発明は上記の事情に鑑みてなされたもので、変調位相
偏差を小さくして変調位相特性を良好にし得るモノリシ
ックIC化変調回路を提供することを目的とする。
〔発明の概要〕
本発明は、モノリシックIC化変調回路の出力段トラン
ジスタのベース−コレクタ間容量ヲ、逆相で励振された
トランジスタのベース−コレクタ間容量で中和すること
を最も主要lk特徴とする。
〔発明の実施例〕
第1図は本発明の一実施例である。第2図は本発明と従
来形式の91111回路との特性の比較例であ、す、(
転)は入出力特性、(b)は変v14位相特性の計算結
果である。第1図中、破@20で示した部分(負荷抵抗
RTI、 、各トランジスタQ、1.Q□。
Qo・Q□・Q□IQ!6%エミッタ抵抗R1,および
定電流源を構成するトランジスタqttで構成される部
分)は、第3図に示す従来形式のfl!1回路の構成と
同じであるが、これに各トランジス/ Qms e Q
mo # Qmo * Qsl #’Ql! e Q@
@および抵抗Rxが装荷された構成となっている。
すなわち、第10トランジスタQ□と第2のトランジス
タQ0のエミッタどうし、及び第3のトランジスタaS
Sと第4のトランジスタQ!4のエミッタどうしを接続
し、第10トランジスタQllと第3のトランジスタQ
!、と第9のトランジスタateと第11のトランジス
タQalのコレクタどうし、及び第2のトランジスタQ
、と第4のトランジスタQ!4と第8のトランジスタQ
□と第10のトランジスタQ、。のコレクタどうしを各
々接続し、第10トランジスタQ□と第8のトランジス
タQHと第4のトランジスタQ!4と第11のトランジ
スタQllのベースドウし、及び第2のトランジスタQ
、と第9のトランジスタateと第3のトランジスタa
SSと第10のトランジスタQ1.のベースを各々接続
し、第10トランジスタQ□、第2のトランジスタQ!
!のエミッタと第5のトランジスタQ、のコレクタを接
続し、第3のトランジスタQ。、第4のトランジスタQ
□のエミッタと第6のトランジスタQ、。のコレクタを
接続し、第8のトランジスタQuと第9のトランジスタ
Q8.のエミッタを抵抗Rxを介して第12のトランジ
スタqstのコレクタに、第1041のトランジスタQ
、。と第11のトランジスタQllのエミッタを同様に
抵抗R1を介して第13のトランジスタQ0のコレクタ
に接続し、第5のトランジスタQ□と第12のトランジ
スタaSSのベースドウし及びエミッタどうしを接続し
、第6のトランジスタOSmと第13のトランジスタq
ssのベースどうし及びエミッタどうしを接続し、”第
5のトランジスタQ□及び第12のトランジスタaSS
のエミッタ、第6のトランジスタQtll及び第13の
トランジスタQ0のエミッタを各々抵抗R1を介して定
電流源を構成する第7のトランジスタQ、マに接続し、
前記トランジスタQ!!。
Q2@ # QCs e Qsoのベースとトランジス
タQ11eQB e Q□、Qo のベースをローカル
入力ポート?)K接続し、トランジスタQHIQIm 
のベーストトランジスタQ□、Q3.のベースをベース
バンド入力ポートに)に接続し、トランジスタQ□。
Q、。e Q!l a QHのコレクタとトランジスタ
Q、8゜QHeQl・、Q□ のコレクタを出力ポート
に)に接続する。R1e R1は抵抗である。本変調回
路を動作させる場合には従来の変調回路の場合と同様に
入力ポート(ロ)がローカル(局発)ポートに)がベー
スバンド入力ポートとなり、出力ポート(6)から変調
波が取り出される。その場合、本発明形式の変調回路の
場合、大振巾入力時においても逆相で励振されたトラン
ジスタQ!、〜Q、□ノヘースーコレクタ間容量で、出
力段トランジスタ・Q□〜q、4 のベース−コレクタ
間容量を中和するため、出力ポート(6)での位相偏差
は小さくでき変調位相特性が改善される。
例えば、入力ポート(ベースバンド入力ポート)に)の
12の側に正の電圧が加えられてトランジスタQ□、Q
□がオンしている状態を考えると、トランジスタQUt
のコレクターエミッタ及びトランジスタQ!lのコレク
ターエミッタを通して負荷抵抗RLに電流が流れる。こ
の時、トランジスタq□のベース−コレクタ間容量によ
、り位相が変化する。特に1第2図(b)の点線で示す
ようにトランジスタass l Q!l に加えられる
ベースバンド電圧WIN(V)が変化することにより位
相が大幅に変化し、位相偏差が大きくなる。そこで本発
明ではトランジスタQllとは逆相の局発信号で励振さ
れたトランジスタQ3.を設けて、トランジスタQ2.
のコレクターエミッタ及びトランジスタQ□のコレクタ
ーエミッタを通して負荷RLに電流を流すことにより、
トランジスタQHIのベース−コレクタ間容量で前記ト
ランジスタQ□のベース−コレクタ間容量を中和し、第
2図(1))の実線で示すように位相変化を小さくシ、
位相偏差を小さくしてfgI4位相特性を改善している
。同様にして、トランジスタQ□のベース−コレクタ間
容量はトランジスタQ1.のベース−コレクタ間容量で
中和されもその際、補償用トランジスタ(Q、1に対し
てはQ!。、Qoに対してはQ□)の利得が補償前のト
ランジスタの利得とまったく等しいと出力ポートに)に
は信号が取り出せない。そのため、補償用トランジスタ
Q□、Q!、の利得を落とすため、補償用トランジスタ
Q、。、Q、8のエミッタ側には、抵抗Rxを入れであ
る。このように、補償用トランジスタQ2゜、Q3.の
エミッタ側に抵抗Rxを入れるととKより、第2図(a
) K示すように、出力振巾が従来形式(点線)に比べ
て本発明形式(実線)の方が低下する。
上記したように、第2図(a) 、 (b)の本発明と
従来形式との特性例に示すように、本発明による構成を
とることによって、従来形式のfFi4回路の場合に比
べて、変調位相特性が改善されてぃる様子がわかる。
〔発明の効果〕
以上説明したように、本発明によるモノリシックIC化
変調回路によれば、出力段ト2ンジxpのベース−コレ
クタ間容量を中和することができるため、出力ボートで
の位相偏差を小さくでき、変調位相特性が良好であると
いう利点がある。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例を示す回路図、第2図は本発
明と従来形式の変調回路の特性例を示す図、第3図は従
来のモノリシックIC化変調器を示す回路図、第4図及
び第5図は従来形式の変調器の特性例を示す図、第6図
は従来のf調位相誤差の内部容量に対する依存性を示す
図である。 Q□〜Q、、・・・トランジスタ、RL・・・負荷抵抗
、R,IR,、RX・・・抵抗、RIl・・・エミッタ
抵抗、(ロ)・・・四−カル入力ボート、に)・・・ベ
ースバンド入力ポート、(6)・・・出力ボート。 第1図 第2vA べ′−スノでンド電7i−(V) (b) 第5図 ヘ−スI(>ドwl/E   VIN (V)第6図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 第1のトランジスタと第2のトランジスタのエミッタど
    うし、及び第3のトランジスタと第4のトランジスタの
    エミッタどうしを接続し、第10トランジスタと第3の
    トランジスタと第9のトランジスタと第11のトランジ
    スタのコレクタどうし、及び第2のトランジスタと第4
    のトランジスタと第8のトランジスタと第10のトラン
    ジスタのコレクタどうしを各々接続し、第1のトランジ
    スタと第8のトランジスタと第4のトランジスタと第1
    1のトランジスタのベースどうし、及び第2のトランジ
    スタと第9のトランジスタと第3のトランジスタと第1
    0のトランジスタのベースを各々接続し、第1のトラン
    ジスタ、第2のトランジスタのエミッタと第5のトラン
    ジスタのコレクタを接続し、第3のトランジスタ、第4
    のトランジスタのエミッタと第6のトランジスタのコレ
    クタを接続し、第8のトランジスタと第9のトランジス
    タのエミッタを抵抗を介して第12のトランジスタのコ
    レクタに、第10のトランジスタと第11のトランジス
    タのエミッタを抵抗を介して第13のトランジスタのコ
    レクタに接続し、第5のトランジスタと第12のトラン
    ジスタのベースどうし及びエミッタどうしを接続し、第
    6のトランジスタと第13のトランジスタのベースどう
    し及びエミッタどうしを接続し、第5のトランジスタ及
    び第12のトランジスタのエミッタ、第6のトランジス
    タ及び第13のトランジスタのエミッタを各々抵抗を介
    して定電流源を構成する第7のトランジスタに接続し、
    前記第2のトランジスタ、第9のトランジスタ、第3の
    トランジスタ、第10のトランジスタのベースと第1の
    トランジスタ、第8のトランジスタ、第4のトランジス
    タ、第11のトランジスタのベースを第1の入力ポート
    に接続し、第6のトランジスタ、第13のトランジスタ
    のベースと第5のトランジスタ、第12のトランジスタ
    のベースを第2の入力ポートに接続し、第1のトランジ
    スタ、第9のトランジスタ、第3のトランジスタ、第1
    1のトランジスタのコレクタと第8のトランジスタ、第
    2のトランジスタ、第10のトランジスタ、第4のトラ
    ンジスタのコレクタを出力ポートに接続することを特徴
    とするモノリシックIC化変調回路。
JP9254085A 1985-04-30 1985-04-30 モノリシツクic化変調回路 Granted JPS61251347A (ja)

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