JPS61246370A - 気相化学反応炉 - Google Patents
気相化学反応炉Info
- Publication number
- JPS61246370A JPS61246370A JP8542485A JP8542485A JPS61246370A JP S61246370 A JPS61246370 A JP S61246370A JP 8542485 A JP8542485 A JP 8542485A JP 8542485 A JP8542485 A JP 8542485A JP S61246370 A JPS61246370 A JP S61246370A
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- Japan
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- vessel
- space
- reaction vessel
- phase chemical
- reaction
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は気相化学反応炉、特にワークに気相化学蒸着を
行なうために使用する反応炉に関するものである。
行なうために使用する反応炉に関するものである。
（従来技術）
第２図は従来の気相化学反応炉を示し、１は従来のベル
式加熱炉、２はこの加熱炉１の上下動ガイド機構、３は
前記加熱炉１がかぶさる反応容器、４はこの反応容器３
のベースフランジ、５は反応容器３内に配置したワーク
、６はワークホルダー、７は配管を介して前記反応容器
３内にその下方から原料ガス（反応ガス）を送るためガ
スボンベ、８は同じくその下方から排気するための排気
ポンプをしめし、この種従来の反応炉においてはその操
作に際しては第２図においてベースフランジ４を剥き出
したまま加熱炉１及び反応容器３、ワーク５、ワークホ
ルダー６がまだ設置されていない状態とし、ベースフラ
ンジ４上にワークホルダー６を設置し、その上にワーク
５を設置する。（予めワークホルダーにワークを設置し
ておいてそれをベースフランジ上に設置しても良い。）
次いで反応容器３をワークホルダー６の上からかぶせ、
ベースフランジ４上に設置する。この時ベース７ランジ
、４と反応容器３とはＯリング等でシールし、反応容器
内部を密閉状態とする。次に反応容器３内から空気を排
気し、真空状態とした後ガスボンベ７から原料ガスを反
応容器３内に導入しながら排気ポンプ８にて排気する。
式加熱炉、２はこの加熱炉１の上下動ガイド機構、３は
前記加熱炉１がかぶさる反応容器、４はこの反応容器３
のベースフランジ、５は反応容器３内に配置したワーク
、６はワークホルダー、７は配管を介して前記反応容器
３内にその下方から原料ガス（反応ガス）を送るためガ
スボンベ、８は同じくその下方から排気するための排気
ポンプをしめし、この種従来の反応炉においてはその操
作に際しては第２図においてベースフランジ４を剥き出
したまま加熱炉１及び反応容器３、ワーク５、ワークホ
ルダー６がまだ設置されていない状態とし、ベースフラ
ンジ４上にワークホルダー６を設置し、その上にワーク
５を設置する。（予めワークホルダーにワークを設置し
ておいてそれをベースフランジ上に設置しても良い。）
次いで反応容器３をワークホルダー６の上からかぶせ、
ベースフランジ４上に設置する。この時ベース７ランジ
、４と反応容器３とはＯリング等でシールし、反応容器
内部を密閉状態とする。次に反応容器３内から空気を排
気し、真空状態とした後ガスボンベ７から原料ガスを反
応容器３内に導入しながら排気ポンプ８にて排気する。
一方ワーク５を加熱する為に、加熱炉１をガイド機構２
によって反応容器３と一定の間隔を保たせながら下に降
ろし、設置する。
によって反応容器３と一定の間隔を保たせながら下に降
ろし、設置する。
所定の時間が経過し、気相化学反応プロセスが終わった
後降温に入る。
後降温に入る。
降温はまず加熱炉１を反応容器３の上方に引き上げる事
で開始する。反応容器３の上方に引き上げた加熱炉１は
、一旦横方向に移動させた後、続く作業に支障が無く、
しかも危険の無い位置に降ろし次の気相化学反応に備え
る。
で開始する。反応容器３の上方に引き上げた加熱炉１は
、一旦横方向に移動させた後、続く作業に支障が無く、
しかも危険の無い位置に降ろし次の気相化学反応に備え
る。
反応容器３内の温度が十分下がったところで反応容器３
内の残留ガスを無害なガスと置換し、大気圧としたとこ
ろで反応容器３を上に引き上げ、これも一旦横に移動さ
せて続く作業に支障が無く、しかも危険の無い所に置い
ておく。
内の残留ガスを無害なガスと置換し、大気圧としたとこ
ろで反応容器３を上に引き上げ、これも一旦横に移動さ
せて続く作業に支障が無く、しかも危険の無い所に置い
ておく。
次いでベースフランジ４上に残っているワーク５及びワ
ークホルダー６をベースフランジ４上より取り去り、一
連の作業を終わる。
ークホルダー６をベースフランジ４上より取り去り、一
連の作業を終わる。
又、ワーク５を約１１００°〜２０００°Ｃに間接加熱
して気相化学反応を行なわせる為の加熱炉１の発熱体及
び反応容器３の材質は当然その温度に耐えうる必要が有
り、自ずからカーボン、もしくはモリブデン、タンタル
、タングステン等の高融点金属に限定されるが、これら
はいずれも高温中に於いては非常に酸化されやすく、従
ってこれらは真空状態で使用するか、もしくはＨｅ、Ａ
ｒ等の不活性ガス、もしくはＨｚのような還元性ガスの
雰囲気（以下保護ガスという）中で使用する必要がある
。
して気相化学反応を行なわせる為の加熱炉１の発熱体及
び反応容器３の材質は当然その温度に耐えうる必要が有
り、自ずからカーボン、もしくはモリブデン、タンタル
、タングステン等の高融点金属に限定されるが、これら
はいずれも高温中に於いては非常に酸化されやすく、従
ってこれらは真空状態で使用するか、もしくはＨｅ、Ａ
ｒ等の不活性ガス、もしくはＨｚのような還元性ガスの
雰囲気（以下保護ガスという）中で使用する必要がある
。
ところで、反応容器３の材質としては上述のものに限定
される為、そのいずれも、完全な密封構造にするのは非
常に困難か多大の費用を要する。 １上記の
ように従来の装置はその操作が極めて面倒なばかりでな
く構造上程々の制約を受ける欠点があった。
される為、そのいずれも、完全な密封構造にするのは非
常に困難か多大の費用を要する。 １上記の
ように従来の装置はその操作が極めて面倒なばかりでな
く構造上程々の制約を受ける欠点があった。
（発明の目的）
本発明の目的は上記のような欠点を除去した気相化学反
応炉を得るにある。
応炉を得るにある。
（発明の構成）
本発明の気相化学反応炉はワークを支持するベースフラ
ンジと、このベースフランジ上のワークにかぶさるよう
前記ベースフランジにその開放下端を載置した筒状反応
容器と、この一応容器にかぶせてその開放下端を前記ベ
ースフランジに気密に接合した筒状密封容器と、この筒
状密封容器と前記反応容器間の空間に配置した発熱体と
、前記反応容器内に原料ガスを流入せしめ且つ排出せし
める機構と、前記発熱体の位置する空間内に保護ガスを
導入しこの空間内の圧力を前記反応容器内の圧力より若
干高い値に保つ機構とより成ることを特徴とする。
ンジと、このベースフランジ上のワークにかぶさるよう
前記ベースフランジにその開放下端を載置した筒状反応
容器と、この一応容器にかぶせてその開放下端を前記ベ
ースフランジに気密に接合した筒状密封容器と、この筒
状密封容器と前記反応容器間の空間に配置した発熱体と
、前記反応容器内に原料ガスを流入せしめ且つ排出せし
める機構と、前記発熱体の位置する空間内に保護ガスを
導入しこの空間内の圧力を前記反応容器内の圧力より若
干高い値に保つ機構とより成ることを特徴とする。
（発明の実施例）
本発明においては第１図に示すように筒状反応容器３の
開方下端をベースフランジ４上に単に設置し、つりがね
状声封容器９を前記反応容器３にかぶせてその開放下端
をシール材１０を介してベースフランジ４に気密に接合
し、その内面に断熱材１１を内張すすると共に、この断
熱材１１の内面と反応容器３の外周面間に発熱体１２を
配置し、この発熱体１２の位置する空間内にこの空間の
上部から保護ガス１３を導入せしめ、前記発熱体１２の
位置する空間内の圧力を前記反応容器３内の圧力より若
干高く保ち、反応容器３内の原料ガスが発熱体１２の位
置する空間側に漏洩するのを防止せしめるようにする。
開方下端をベースフランジ４上に単に設置し、つりがね
状声封容器９を前記反応容器３にかぶせてその開放下端
をシール材１０を介してベースフランジ４に気密に接合
し、その内面に断熱材１１を内張すすると共に、この断
熱材１１の内面と反応容器３の外周面間に発熱体１２を
配置し、この発熱体１２の位置する空間内にこの空間の
上部から保護ガス１３を導入せしめ、前記発熱体１２の
位置する空間内の圧力を前記反応容器３内の圧力より若
干高く保ち、反応容器３内の原料ガスが発熱体１２の位
置する空間側に漏洩するのを防止せしめるようにする。
本発明気相化学反応炉は上記のような構成であるからそ
の操作に際しては反応容器３内にワーク５を配置した後
、置針容器９内において、断熱材１１によって回りを取
り囲まれた発熱体１２に公知の方法で通電を行い、これ
を昇温させ、間接的に反応容器３及びその内部に設置し
たワーク５を加 −熱しながら原料ガス入口より原料
ガスを導入し、ワーク５の表面に気相化学反応を行なわ
せる。この時、保護ガス入口より保護ガスを導入し、そ
の圧力を反応容器３の内部より若干高めとし、原料ガス
が反応容器３内部から外部に漏洩して発熱体１２を劣化
させないようにする。この場合保護ガスの方が反応容器
３内に若干漏洩して行くが、この漏洩した保護ガスは単
に原料ガスの濃度及び反応容器３内の流速に僅か影響を
与えるのみで実用上なんら障りがない。
の操作に際しては反応容器３内にワーク５を配置した後
、置針容器９内において、断熱材１１によって回りを取
り囲まれた発熱体１２に公知の方法で通電を行い、これ
を昇温させ、間接的に反応容器３及びその内部に設置し
たワーク５を加 −熱しながら原料ガス入口より原料
ガスを導入し、ワーク５の表面に気相化学反応を行なわ
せる。この時、保護ガス入口より保護ガスを導入し、そ
の圧力を反応容器３の内部より若干高めとし、原料ガス
が反応容器３内部から外部に漏洩して発熱体１２を劣化
させないようにする。この場合保護ガスの方が反応容器
３内に若干漏洩して行くが、この漏洩した保護ガスは単
に原料ガスの濃度及び反応容器３内の流速に僅か影響を
与えるのみで実用上なんら障りがない。
（発明の効果）
本発明気相化学反応炉は上記のような構成であるからそ
の操作に際しては加熱炉１のみを上下する等の作業が全
く不要でその構成が極めて簡単であり、多量のしかも多
種類のワークを同時に約１１００°Ｃ以上の高温下で気
相化学反応を行なわせる事が可能であり又、当該約１１
００°Ｃ以上のみならず、それ以下の温度範囲に於いて
も使用出来る利点がある。
の操作に際しては加熱炉１のみを上下する等の作業が全
く不要でその構成が極めて簡単であり、多量のしかも多
種類のワークを同時に約１１００°Ｃ以上の高温下で気
相化学反応を行なわせる事が可能であり又、当該約１１
００°Ｃ以上のみならず、それ以下の温度範囲に於いて
も使用出来る利点がある。
第１図は本発明反応炉の説明用断面図、第２図は従来の
反応炉の説明用断面図である。 １・・ベル式加熱炉、２・・上下動ガイド機構、３・・
反応容器、４・・ベースフランジ、５・・ワーク、６・
・ワークホルダー、７・・ガスボンベ、８・・排気ポン
プ、９・・つりがね状密封容器、１０・・シール材、１
１・・断熱材、１２・・発熱体、１３・・保護ガス。
反応炉の説明用断面図である。 １・・ベル式加熱炉、２・・上下動ガイド機構、３・・
反応容器、４・・ベースフランジ、５・・ワーク、６・
・ワークホルダー、７・・ガスボンベ、８・・排気ポン
プ、９・・つりがね状密封容器、１０・・シール材、１
１・・断熱材、１２・・発熱体、１３・・保護ガス。
Claims (1)
- （１）ワークを支持するベースフランジと、このベース
フランジ上のワークにかぶさるよう前記ベースフランジ
にその開放下端を載置した筒状反応容器と、この反応容
器にかぶせてその開放下端を前記ベースフランジに気密
に接合した筒状密封容器と、この筒状密封容器と前記反
応容器間の空間に配置した発熱体と、前記反応容器内に
原料ガスを流入せしめ且つ排出せしめる機構と、前記発
熱体の位置する空間内に保護ガスを導入しこの空間内の
圧力を前記反応容器内の圧力より若干高い値に保つ機構
とより成ることを特徴とする気相化学反応炉
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8542485A JPS61246370A (ja) | 1985-04-23 | 1985-04-23 | 気相化学反応炉 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8542485A JPS61246370A (ja) | 1985-04-23 | 1985-04-23 | 気相化学反応炉 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61246370A true JPS61246370A (ja) | 1986-11-01 |
| JPH048508B2 JPH048508B2 (ja) | 1992-02-17 |
Family
ID=13858441
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8542485A Granted JPS61246370A (ja) | 1985-04-23 | 1985-04-23 | 気相化学反応炉 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61246370A (ja) |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5018363A (ja) * | 1973-05-14 | 1975-02-26 | ||
| JPS5090285A (ja) * | 1973-11-29 | 1975-07-19 | ||
| JPS5523457A (en) * | 1978-08-08 | 1980-02-19 | Kawasaki Heavy Ind Ltd | Air cleaning device in tritium handling facility |
| JPS5750423A (en) * | 1980-09-12 | 1982-03-24 | Nec Corp | Vapor phase growth device |
| JPS5814945A (ja) * | 1981-07-22 | 1983-01-28 | Shimada Phys & Chem Ind Co Ltd | 気相成長装置 |
-
1985
- 1985-04-23 JP JP8542485A patent/JPS61246370A/ja active Granted
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5018363A (ja) * | 1973-05-14 | 1975-02-26 | ||
| JPS5090285A (ja) * | 1973-11-29 | 1975-07-19 | ||
| JPS5523457A (en) * | 1978-08-08 | 1980-02-19 | Kawasaki Heavy Ind Ltd | Air cleaning device in tritium handling facility |
| JPS5750423A (en) * | 1980-09-12 | 1982-03-24 | Nec Corp | Vapor phase growth device |
| JPS5814945A (ja) * | 1981-07-22 | 1983-01-28 | Shimada Phys & Chem Ind Co Ltd | 気相成長装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH048508B2 (ja) | 1992-02-17 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |